Патенты с меткой «затравке»

Номер патента: 1148623

Опубликовано: 07.04.1985

Авторы: Дианов, Жогов, Игнаткин, Хафизов

МПК: A61M 13/00

Метки: веществ, дозирующее, животных, затравке, ингаляционной, сыпучих

...засыпанное в бункер 1, подвергается непрерывному перемешиванию лопастями 5. Перемешивание наряду с вибрацией лопастей 5 исключает слеживание распыляемого вещества, в том числе адгезионных пылей белкового происхождения,и обеспечивает непрерывную подачу к дозирующей шестеренке 2. Последнему способствует также увеличение амплитуды вибрации по мере сужения бункера в направлении его выходного сечения, что достигается креплением подвижной части вибратора 9 к нижней части вертикального вала 4 через опору 6, Распыляемое вещество, равномерно подаваемое из бункера 1 дозирующей шестеренкой 2,эжектируется в смесительную камеру 12 и. диспергируется турбулентным потоком, создаваемым удлиненным участком 10 стенки горловины бункера 1, входящей в...

Номер патента: 1570223

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Белоусов, Будяк, Ивахненко, Чипенко

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, затравке, монокристаллов, синтеза

1. СПОСОБ СИНТЕЗА МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА НА ЗАТРАВКЕ, включающий размещение послойно источника углерода, металлического катализатора-растворителя и кристаллов алмаза-затравок, воздействие на данную послойную реакционную систему высокого давления и температуру с положительным градиентом ее в сторону источника углерода, отличающийся тем, что, с целью уменьшения количества макропримесей на границе кристаллов алмаза-затравок и выращиваемого алмаза, в зоне кристаллов алмаза-затравок дополнительно размещают кристаллы алмаза-поглотители примесей при температуре на 5 - 15oС ниже температуры кристаллов-затравок.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что разность температур обеспечивают путем расположения кристаллов алмаза-затравок...

Номер патента: 1788700

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Белоусов, Будяк, Ивахненко, Чипенко

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, затравке, монокристаллов, синтеза

...способа синтеза с помощью варьирования охлаждения АВД желательно проводить при наличии дополнительного источника тепла 5 или 6.Например, пусть система нагрева состоит из трубчатого нагревателя 4 и дополнительного источника тепла 5.В начальный момент синтеза мощность дополнительного источника тепла 5 равна нулю, а по полым пальцам 13 и 14 протекает вода обычной температуры 20 С.В процессе роста алмаза, когда перепад температуры между источником углерода 1 и поверхностью растущего монокристалла 15 уменьшается, увеличивают мощность нагрева дополнительного источника тепла 5, что ведет к увеличению температуры у источника углерода 1, и одновременно увеличивают интенсивность теплоотвода от реакционной ячейки со стороны растущего...