Дятченко

Номер патента: 1731547

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Белый, Бирюкова, Дятченко, Жуйков, Израилев, Козырев, Левит, Офицеров, Хлудов, Школьникова

МПК: B23K 35/28

Метки: лужения, медных, пайки, припой, сплавов

...припсравнительно невысокую пркий коэффициент трения,Цель изобретения - повышение смачиваемости, прочности и уменьшение коэффициента трения,Указанная цель достигается тем, что сстав, содержащий цинк, алюминий, мед1731547 Таблица 1 Таблица 2 Составитель Е,ХлудовТехред М.Моргентал Корректор Редактор И.Шмакова Заказ 1544 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101 галлий, дополнительно содержит бор при следующем соотношении компонентов, мас, ф :Медь 0,1 - 3 Алюминий 0,1-0,5 Галл ий 0,1 - 0,3 Бор 0,05 - 1,5 Цинк Остальное Для определения оптимального состава припоя выплавляют пять...

Номер патента: 1695841

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Блонская, Борисов, Дятченко, Изаков

МПК: A01C 1/00

Метки: подготовки, посеву, семян

...240 26,6 240 50 26,8 240 70 ПредлагаемыйПрерлагаемыйКонтрольТо жеИзвестныйТо же Семена0 равливан 72,8 70 32,2 317 19,6 28,7 27,9 26,4 25,3 25 42 20 20 19 19 19 16 17 17 33 32 35 39 3 о 39 39 37 38 59 60 62 63 ггг оо ое 63 67 СЗ 100 111111111Предлагаемый 125 150 200 Семена травливания осле про 59,6 60,3 57,8 59,6 59,3 56,2 1 Е,Е 36 38 чО 38 3 о 540 о 2 о 3 Г оч о 2 бч 64 о 9 37 3 о 37 37 36 36 13 01020010200 То же 11 70 0,16 3 50 1 11 11 11 11 1 1 1 11 11 11 1 11 11 11 11 11 11 11 010200102002001020010200102001020010200102001020010201020 через два месяца после прот0 0 О200 0 0200 0 0200 0 0200 0 020облучены через два месяца и о 2 о 3 63 63 65 65 7 69 721 77 77 80 30 80 о 1 35 72 7 ч 73 о 3 86 83 33 35 75 75 76 л о/ 39 90 39 91 Зч 35 35...

Номер патента: 1679552

Опубликовано: 23.09.1991

Автор: Дятченко

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...и объединение их по строкам или столбцам может производиться произвольным образом, Режимы считывания или записи определяются соответствующими сигналами по шинам 9 и 10,Режим считывания определяется тем, чтопо шинам 9 и 10 на анодах диодов 7 и 8 задаются одинаковые по величине потенциалы считывания,Для элементов памяти, использующих диоды 7 и 8 для ограничения падения напряжения в нагрузочных элементах 3 и 4 и предотвращения глубокого насыщения транзисторов 1 и 2, известны два режима работы при выборке. В первом из них один диод 7(8) открыт, другой 8(7) заперт, Во втором режиме оба диода 7 и 8 открыты, а логический перепад создается за счет падения напряжения на внутреннем сопротивлении диода 7(8).Второй режим является...

Номер патента: 1656595

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Дятченко, Родионов, Савенков, Сквира, Стахин

МПК: G11C 11/40

Метки: накопитель

...в накопителях со словарной выборкой. Для выборки коммутацией тока требуются минимальные логические перепады: Ь Ог =300-400 мВ - стандартный логический перепад для переключателей тока с дифференциальным входом и по входам выборки строк несколько выше в соответствии с соотношением (1) ЛО=2 ЬО. В усилигтель 31 ток считывания источника 26 тока может быть включен либо непосредственно элементом 24 (в невыбранной строке), либо через выбранну.о ячейку транзисторами элементов 9 и считывания 6. В обоих случаях на базе транзистора элемента 37 усилителя 31 считывания формируется низкий логический уровень. При переключении строки из невыбранного в выбранное состояние, при 10 котором должен сохраниться низкий логический уровень в усилителе 31 ток...

Номер патента: 1562092

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Балюра, Белый, Бирюкова, Дятченко, Жуйков, Журавлев, Израилев, Пашкина, Терентьев, Туля, Хлудов, Школьникова

МПК: B23K 35/26

Метки: меди, пайки, припой

...(57) Изобретение относится к пайке, в частности к составам припоя, и может быть использовано для получения паяных соединений и металлопокрытий методом погружения изделий из меди в расплав. Цель изобретения - повышение пластичности и стойкости против окисления. Припой имеет следующий состав, мас.%: цинк 0,3 - 3,0; алюми ни й 0,05 - 0,3; медь 0,02 - 0,2; галлий 0,1 - 0,3; кадмий остальное, Температура плавления припоя 265 в 2 С. Предел прочности припоя при растяжении 150 - 198 МПа, относительное удлинение 10=18%. Краевой угол смачивания на меди составляет 1 О - 15, площадь растекания 860 - 700 мм. Изгарь при лужении и пайке способом погружения в расплав равна 8 - 15%. Припой можно использовать в качестве металлопокрытий на длинномерных...

Номер патента: 1548696

Опубликовано: 07.03.1990

Авторы: Буйлов, Власенко, Дятченко, Корягин

МПК: G01N 1/28

Метки: адгезионной, образец, прочности

...(поперечная) сила,момент инерции площадисечения;ширина сечения в точке скоординатой 2;статический момент всечениях крайних частей. Касательные напряжения постоянныпо сечению, если а после разделения переменных и интегрирования получают ширину Ъ(г)средней части 4 брусьев 1 и 2, которая описывается зависимостью Ъ(г) =еехр(-г/2 с). (4) Подставляют в уравнение (4) к = О иполучают толщинуобразца на нейтральной оси,Образец с сечением, описываемымзависимостью (4), не имеет верхнейграницы Ь(г) - О при й - ю поэтому егоширину на крайних участках 5 и 6 оппеделяют из условия, что статическиемоменты этих участков равны статическому моменту Б в сечениях-, описываемых зависимостью25 Б= 1 ь(с,)г,аа,=сехр(-ь/2 с), (5)ьгде и - координата границы...

Номер патента: 1536256

Опубликовано: 15.01.1990

Авторы: Буйлов, Дятченко, Корягин, Яковлев

МПК: G01N 3/32

Метки: декремента, изгибных, колебаний, колебаниях, низкомодульного

...и потенциальной энер)-ией деформирования при иэгибных колеба 50 няях подложки и сОставного образца. Повышение точности обусловлено Опредепением декремента колебаниЙ в режиме установившихся колебаний при фиксированных частоте и амплитуде дефорэ маций, Использование пОДЛОжки в ви де балки равного сопротивления динамическому изгибу Обеспечивает близкое с частотой, равной измеренной резо-. нансной частоте подложки. Амплитуду колебаний составного образца задают из условия равенства амплитуды деформации на поверхности подложки, измеренной ранее амплитуде деформации на поверхности подложки. Измеряют амплитуду колебаний защемленного конца составного образца и сдвиг фаз между ьозбуждающей силой и вызываемой ею деформацией, регистрируют...

Номер патента: 1437913

Опубликовано: 15.11.1988

Авторы: Дятченко, Нестеров, Савенков, Стахин

МПК: G11C 7/06

Метки: записи-считывания, усилитель

...на эмиттерном повторителе),В соответствии с приведенным равенством ток 1 одной из РШ(например, второй 12, в выбраннойячейке соответствейно транзистор 28открыт, а 29 - закрыт) протекает вуправляющий транзистор 3. Ток другойразрядной шины 11 делится между управляющим транзистором 2 и транзистором 28 ячейки. Величина тока 1 рш,протекающего в ячейку, определяетсясоотношением 1 рш КяД 111цн в сильной степени зависит от разброса сопротивления в ячейке К и технологического разброса и температурного ухода коэффициента усиления Управляющий транзистор считывания и транзистор ячейки в этом случае работают как эмиттерно-связанная пара в ЗСИ-ключе. Ток одной из РШ полностью протекает в ячейку, другой - в управляющий транзистор. Такое распределе" ние...

Номер патента: 1428943

Опубликовано: 07.10.1988

Авторы: Визир, Дятченко

МПК: G01K 7/00

Метки: сигнализатор, температуры

...13 связи. Нагрузкойвыпрямительного моста 4 является эадатчик 2 температуры, включенный вего выходную диагональ.Транзистор 8 вместе с трансформатором 7 образуют самовоэбуждающийсягенератор, в цепи обратной связи которого включен измерительный мост 40переменного тока, включающий датчик1 и задатчик 2 температуры и двечасти вторичной обмотки 12 трансформатора 7. Концы вторичной обмотки 12образуют питающую диагональ такогомоста, в выходную диагональ котороговключен переход база - эмиттер транзистора 8, образующего усилительныйкаскад генератора.Транзистор 9 с включенной в егоколлекторную цепь сигнальной лампочкой 9 образуют транзисторный ключ,управляемый с третьей обмотки 14трансформатора 7. 55Сигналиэатор работает следующимобразом.При...

Номер патента: 1416891

Опубликовано: 15.08.1988

Авторы: Буйлов, Дятченко, Яковлев

МПК: G01N 3/32

Метки: модуля, упругости

...колебанийсоставного образца и подложки соответственно;" амплитуда деформации на поверхности покрытия;1 - длина образца.По данному способу модуль упругости материала определяют из условия баланса кинетической и потенциальной энергий, определенных по измеренным амплитудным значениям скорос" тей и деформаций.55При выводе соотношения для определения модуля упругости учитывается, что максимальная кинетическая энергия )1 составного образца равна: щ 1 чь(-с+цс)йх, (2)огде И, 1- максимальные кинетические энергии слоев исследуемого материала и подложки соответственно приколебаниях образца,а максимальная кинетическая энергия Юколебаний подложки без покрытия равнаи:Я цсЬах,(3)Огде ч - амплитудное значение скорости подложки, колеблющейся...

Номер патента: 1383507

Опубликовано: 23.03.1988

Авторы: Балашов, Дятченко, Краснов, Родионов, Сквира

МПК: H03M 7/22

Метки: дешифратор

...20 тока, аналогичном источнику 2.Дифференцирующий элемент 4 состоит из соединенных последовательноконденсатора 21, резистора 22 и второго источника 23 опорного напряжения сАдресный формирователь 3 реализует функцию И либо ИЛИ-НБ и может быть выполнен так же, как и в известном устройстве, Входы адресных формирователей 3 соединены с выходами адресных инверторов 1 в соответствии с таб лицей истинности для И-разрядного дешифратора. Дешифратор работает слечукан и образом,Нри смене адреса (кода на нходах 8)происходит изменение состояния ЭСНключа 6, адресного инвертора 1,1.,Фронты сигналов с выходов ЭСЛ-ключа6.х выделяются дифференцирующими элементами 4,(2-1) и 4.(2). Лри этомпотенциал на входе одного из эмиттерных повторителей 5.(2.-1) и...

Номер патента: 1363004

Опубликовано: 30.12.1987

Авторы: Буйлов, Дятченко, Корягин, Яковлев

МПК: G01N 3/32

Метки: демпфирующих, исследования, колебаниях, поперечных, свойств

...поверхности подложки 2, закрепляют консольно широкой частью в массивной опоре 3. К свободному концу образца прикрепляют инерционный груз 4 20 и возбуждают в образце поперечные ре-: зонансные колебания по первой форме, . Покрытие наносят на поверхности колебаний, причем толщину покрытия и подложки выбирают из соотношения 25сА пок К)- модифицированные функцииБесселя первого и второгорода;301 - момент инерции, груза;И - масса груза;я - собственная круговая частота;1 - длина образца;35 , ) - плотность материала слоя;Е - модуль упругости материала слоя;- толщина слоя;1 к - расстояние, отсчитываемое 40 от нейтральной плоскостидо ближней поверхностик-го слоя;п - число слоев;х - координаты точки по дли не образца.Регистрируют параметры...

Номер патента: 1357801

Опубликовано: 07.12.1987

Авторы: Буйлов, Дятченко, Корягин

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезионного, прочности, соединения

...1 и предназначенный для закрепления в нем испытуемого соединения, шарнир 3, связывающий захват 2со стойкой 1, и кронштейн 4, эакрепляемый на испытуемом образце с возможностью взаимодействия с опорнойповерхностью 5 стойки 1.Способ осуществляют следующимобразом. 25Испытуемое соединение, выполненное из двух соединенных торцами с помощью слоя 6 адгезива балок 7 и 8,закрепляют одним концом в захвате 2таким образом, чтобы центр тяжести ЗОпоперечного сечения слоя 6 адгезивасовпадал с осью шарнира 3, Закрепляют на балке 8 кронштейн 4, контактирующий с опорной поверхностю 5 стойки 1, Прикладывают к свободному концу балки 8 поперечную нагрузку Р,направленную в сторону закрепленного кронштейна 4. При этом г, зонеконтакта кронштейна 4 с...

Номер патента: 1337736

Опубликовано: 15.09.1987

Авторы: Буйлов, Власенко, Дятченко

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезионных, прочности, соединений

...двух соединеццых торцами с помощьюслоя 5 ад езинл балок б и 7, при этолзахват 4 здкреп.пгн цл шарнире 3 с возможностью вращения и выполнен, подвижцым в плоскости, перпецдикулярцой(и шдрцирл 1, Устройство содержиттдкже слог)о:)6)удите.ь 8 для цдгружения второго конца и пьтуемого соедипения поперечнои цдгрузкой, кроцятейц (Э с роликом 1 Ц цл конце, злкреплецныи нд и пьтуемом соединенш между слоем ) Д,Г С .3 1Н Д И Г ОК О 1Г 1 Р)О ЖЕ 1 И Я П О П Е - речной цдгру кинозможцостю коцтдктирондния ропикд 1 Э г опорной поверхцостью 2 стдцицы 1 перпецдикулярц) ои здхндтл -, и гилоиэмерите.ь 11, гня злнцыи г 1 л(ноз 6 удителем 8.рол того, устройство содержит рогулир н)чц ницты 12 и 13, устаНОВПЕННЬ Ц 1 ) 1, НТР УГ трои но р 1) )тлеГ г.п...

Номер патента: 1324105

Опубликовано: 15.07.1987

Авторы: Балашов, Дятченко, Подопригора, Савенков, Соколов

МПК: H03K 19/08

Метки: ттл-вентиль

...этими транзисторами. Во входном каскаде быстродействие переключения первого 25 и второго токовых зеркал гораздо выше: при их управлении практически отсутствует влияние проходных емкостей Миллера, а также площади и емкости их транзисторов существенно мень- З 0 ше, чем в Фазорасщепительном и выходном, При отрицательном Фронте импуль" са на входе 15 вентиля второе токовое зеркало выключается, соответственно, на входа первого тоовоо зеркала и эмиттерного повторителя на транзисторе 22 Формируется положительный фронт импульса. При этом включается первое токовое зеркало и ускоряет выключение Фазорасщепительного транзистора - 40 оно задает ток (1, ), вытекающий из его базы. Аналогичный ток (1 .), вытекающий из базы выходного транзистора и...

Номер патента: 1324104

Опубликовано: 15.07.1987

Авторы: Балашов, Дятченко, Подопригора, Савенков, Соколов

МПК: H03K 19/08

Метки: ттл-вентиль

...заперты. Высокий потенциал коллектора запертого фазорасщепительного транзистора 5 задает через выходной эмиттерный повторитель выходной уровень "1". 20Выходной, ток токового зеркала увеличивает при этом логический перепад на базе фазорасщепительного транзистора 5 за счет падения напряжения на резисторе 31. 25В динамическом режиме при переключении из состояния "1" в "О" на шине 1 (соответственно из "0" в "1" на шине 16) запираются фаэорасщепительный 5 и выходной 8 транзисторы. Для ускорения их выключения при управлении по базе требуется увеличение токов, вытекающих из их баз, Для выключения фазорасщепительного транзистора 5 такой ток обеспечивается за счет включения токового зеркала входного каскада, Отрицательный фронт импульса,...

Номер патента: 1324103

Опубликовано: 15.07.1987

Авторы: Балашов, Дятченко, Подопригора, Савенков, Соколов

МПК: H03K 19/08

Метки: ттл-вентиль

...в "О" на шине 1 (соответственно из "О" в "1" на шине 16) запираются транзисторы 5 и 8. Для ускорения запирания при управлении по их базовым цепям требуется 25 увеличение токов, вытекающих из их баз. Для фазорасщепительного транзистора 5 такой ток обеспечивается вклю,чением токового зеркала входного каскада положительным фронтом импульса 30 на шине 16. Для выходного транзистора 8 ускоряющий ток включения обеспечивается запуском транзистора 25 за счет того же положительного фронта импульса на шине 16. Положительный фронт передается через эмиттерный повторитель (транзистор 18) и емкостный элемент (на транзисторе 24) на базу транзистора 10 и включает его. Благодаря емкостной связи ускоряющий 40 ток протекает импульсно, что повышает...

Номер патента: 1269252

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Балашов, Дятченко, Родионов, Сквира, Соколов

МПК: H03K 19/088

Метки: ттл-инвертор

...39 и коллектором и базой девятнад- В состоянии логической "1" нацатого транзистора 40, эмиттер кото- входе 3 фазорасщепительный и выходрого соединен с коллектором и базой ной транзисторы 7 и 9 включены и надВадцатОГО траНЗИСтОра 41, ЭМИттЕР 15 СЬПцЕНь 1, ПОтЕНцИаЛЫ ИХ КОЛЛЕКтОрОВкоторого через четырнадцатый резис- для ограничения глубины и насыщениятор 42 соединен с шиной 4 питания, фиксируются транзисторами 6 и 29.база восемнадцатого транзистора 39 Транзисторы 30 и 12 выходного эмитчерез пятнадцатый резистор 43 соеди- терного повторителя заперты. Опорныеиена с шиной 4 питания, а эмиттер - 20 потенциалы на базе транзисторов 6 ис входной шиной 15 блокировки. Струк ограничения насыщения задаютсятурно ТТЛ-инвертор состоит из вход- исходя из...

Номер патента: 1239750

Опубликовано: 23.06.1986

Авторы: Балашов, Дятченко, Родионов, Сквира

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее

...2, источник 3 тока (хранения), источник 4 тока (считывания) накопитель 1 выполнен в виде двух строк ячеек 5 памяти, объединенных по строкам парами словарных шин, причем первая 6 и вторая 1 словарные шины каждой строки являются соответственно словарными входами и выходами накопителя 1, каждый словарный вход накопителя 1 через дополнительно введенные источники 8 опорного напряжения, в частности, выполненного в виде последовательно включенных первого 9 и второго 1 О диодов, подключены к шине 11 положительного напряжения питания, коммутатор 12, разрядные шины 13 ячеек 5 памяти, являющиеся разрядными входами/выходами накопителя 1.Запоминающее устройство работает следукшим образом.Любой комбинации логических сигналов на входах дешифратора 2...

Номер патента: 1160556

Опубликовано: 07.06.1985

Авторы: Балашов, Дятченко, Родионов, Сквира

МПК: H03K 19/08

Метки: инвертор

...базы - к входу и через диод к общей шине 23,Недостатками известного инвертораявляются малые быстродействие инагруэочная способность из-за того,что выходные транзисторы входятв насыщение малого коэффициентаусиления,Цель изобретения - увеличениебыстродействия.и нагрузочной способности.Цель достигается тем, что в инвертвр, содержащий источник тока, включенный между шиной питания и входом, выходные транзисторы, эмиттеры которых подключены к общей шине, коллекторы - к соответствующим выходам, базы - через диод к общей шине, введены дополнительный диод и три транзистора, катод дополнительного диода подключен к входу, анод - к шине питания и коллектору первого транзистора, эмиттер которого соединен с базами выходных транзисторов, а база - с...

Номер патента: 1137537

Опубликовано: 30.01.1985

Авторы: Балашов, Дятченко, Родионов, Сквира

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...подключен к базе второготранзистора, эмиттер которого и база первого транзистора подключенысоответственно к базе и коллекторутранзистора опорного элемента коммутации тока, второй вывод резистораи коллекторы первого и второготранзисторов подключены к шине положительного напряжения питания, до- .полнительный вход лемента коммутации тока третьей группы подключен кбазе транзистора соответствующеговторого элемента коммутации токавторой группы.Каждый элемент коммутации токатретьей группы состоит из первого ивтороготранзисторов, коллекторыкоторых являются первыми и вторымивыходами элемента коммутации токатретьей группы, эмиттеры - входом,а базы - дополнительным входом.На чертеже представлена электрическая схема накопителя,Ячейки...

Номер патента: 1091223

Опубликовано: 07.05.1984

Авторы: Балашов, Дятченко, Неклюдов, Нестеров

МПК: G11C 11/4091, G11C 7/06

Метки: выборкой, записи, запоминающего, произвольной, считывания, усилитель, устройства

...выводы нагрузочныхрезисторов и коллекторы усилительных транзисторов соединены с первой шиной питания, базы управляющихтранзисторов первой и второй группподключены соответственно к эмиттерупервого и эмиттеру второго ограничивающихтранзисторов, коллекторыкоторых соединены с первой шиной питания, базы первого и второго ограничивающих транзисторов являются соответственно первым и вторым управляющими входами усилителя, введены переключающие и-р-и-транзисторы с пер.вого по шестой, смещающие диоды,третий и четвертый нагрузочные резисторы, первые выводы которых соедннены соответственно с эмиттералн первого и четвертого и второго и третьегоусилительных транзисторов, причемвторые выводы третьего и четвертогонагрузочных резисторов...

Номер патента: 1083251

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Дятченко, Елкин, Коленко, Петров, Смирнов

МПК: H01J 40/16

Метки: умножитель, фотоэлектронный

...стороне пленки возникает ток на несколько порядков больше тока первичных электронов, После прекращения воздействия первичными электронами свойства пленки полностьювосстанавливаются, Время восстановления зависит от ряда факторов и может быть очень коротким (до 10--18, 1 о с )Для осуществления механизма ЭВП к диэлектрической пленке должно быть251 3 1083 приложено напряжение, Изменяя величину этого напряжения, можно в широких пределах изменять коэффициент усиления тека. Величина напряжения, приложенного к пленке, должна быть 5 согласована с толщиной пленки таким образом, чтобы напряженность поля не превышала электрическую прочность материала пленки.В качестве слоя, в котором проис ходит размножение электронов благо-. даря эффекту...

Номер патента: 1038408

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Дятченко, Куликова, Никольский, Синяков, Яковенко

МПК: E02B 5/02

Метки: поверхностей, сооружения, торкретирования

...оси базового шассиК месту развилки сопел 17 прикреплен опорный резиновый ролик 22,служащий для смягчения удара сопла17 о верх каретки 21,Перемещение каретки 21 осуществляется механизмом 23 перемещения,выполненным в виде редуктора 24с цепным приводом 25 от двигателя26, по нижним направляющим 27 спомощью трехзахватных роликов 28и верхним направляющим 29 посредством рабочих роликов 30.40Рабочие ролики 30 состоят из двухпараллельных резиновых катков 31с зажатой между ними ходовой звездочкой 32, которая движется по прикрепленной к верхней направляющей4529 зубчатой линейке 33, На обоихконцах нижних направляющих 27 установлены переключатели 34.Гибкий материалопровод 16 длятранспортировки торкрет-смеси расположен в коромысле 14,...

Номер патента: 993079

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Буйлов, Дятченко, Корягин, Ляшенко

МПК: G01M 7/00

Метки: воздействие, испытания, нагрузки, объектов, ударной

...воздействию ударной волны на различные участки поверхности испытуемого изделия.Цель изобретения - повышение точ .5 ности испытаний эа счет одновременного и равномерного воздействия на грузки на поверхность испытуемого объекта.Поставленная цель достигается тем,10 что в установке для испытания объектов на воздействие ударной нагрузки, содержащей. основание для установки испытуемого объекта, камеру давления, нижняя часть которой выполнена в виде заполненного жидкостью конического раструба, устанавливаемого на испытуемый объект, а верхняя - в виде цилиндра, в котором размещен пиротехнический источник импульсного давления, последний выполнен в виде контактирующего с жидкостью профилированного заряда взрывчатого вещества, профиль которого...

Номер патента: 723681

Опубликовано: 25.03.1980

Авторы: Дятченко, Подопригора

МПК: G11C 11/40, G11C 7/22

Метки: выборки, импульсов, памяти, формирователь, элементов

...0 .,ц- падение напряжения нвпереходе база-эмиттер открытого транзистора 10;1 - ток базы транзистора 10; Й - сопротивление резистора 5Причем О " О , , т,е, произошло повышение потенциала шины выборки 6.После того, квк выключится генератор тока выборки 7, начнется повышение по 30 вьнцивлв базы транзистора 2. Так как р-и-р транзистора 1 является более инерционным, чем п-р-и транзисторы 2 и 10, то его ток коллектора обеспечивает повышение потенциала базы транзистора 2 настолько, что включается транзистор 2 и выключается транзистор 10. Это приводит формирователь импульсов в первоначальное состояние, когда транзистор 2 открыт, а транзисторы 1 и 10 закрыты, В свою очередь, потенциал шины выборки 40 7236830 - падение напряжения нв...