Стиканов

Номер патента: 1697118

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Гусева, Сидоренко, Стиканов

МПК: G11C 7/00

Метки: информации, памяти, полевых, сигналов, считывания, транзисторах, формирователь, элементов

...информации пороговое напряжение опорного транзистора 4 становится отрицательным.Подбором геометрических размеров транзисторов 2 и 4 добиваются того, что в этом случае потенциал в узле А становится ниже потенциала запирания транзистора 8 и выход 11 начинает заряжаться от шины 9 пИтания через транзисторы 1,5, причем размером транзистора 5 регулируется ток (постоянная времени заряда выхода 11). С повышением напряжения на выходе 11, а следовательно и на истоке транзистора 4 пороговое напряжение. последнего возрастает и при достижении определенной величины становится равным нулю, Транзистор 4 (опорный элемент памяти) закрываетсяа потенциал в узле А становится равным напряжению питания, что достаточно для запирания транзистора 3,В...

Номер патента: 1636857

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Копытов, Сидоренко, Стиканов, Юхименко

МПК: G11C 11/40

Метки: микросхемы, подложке, формирования

...и может быть использовано в интегральных схемах на МДП-транзисторах.Цель изобретения - повышение точности стабилизации формируемого напряжения на подложке микросхемы за счетснижения зависимости этого напряженияот напряжения питания, частоты задающегогенератора, технологии изготовления основных транзисторов. 10На чертеже приведена функциональнаясхема устройства.Устройство содержит задающий генератор 1, усилитель 2, конденсатор 3, первый4 и второй 5 МДП-транзисторы, первый инвертор 6, выполненный на МДП-транзисторах 7 и 8 (транэистор 8 имеет повышенныйв сравнении с отальными транзисторнымиустройствами коэффициент влияния напряжения подложки), второй инвертор 9 (МДПтранзисторы 10 и 11), третий инвертор 12(МДП-транзисторы 13 и...

Номер патента: 1434499

Опубликовано: 30.10.1988

Авторы: Кролевец, Сидоренко, Стиканов, Юхименко

МПК: G11C 11/40, G11C 11/4063

Метки: информации, мноп-элементе, памяти, считывания

...1 строке затвора транзистора Т 1,ю 4блока 7, открывая транзистор Т , 44 (транзистор Т; ,закрыт) и закрывая1адресные транзисторы Т,Т , где а - количество запоминающих транзисторов в строке. Формирователи 2 и б вырабатывают при этом нулевые потенциалы.45Напряжение стирания, вырабатываемое формирователем 5, воздействует одинаковым образом на затворную систему запоминающих транзисторов Т; и Т;Х;(по длительности и абсолютной величине напряжения), что при соответствующей длительности импульса стирания переводит транзисторы Т ,Т; Т , в состояние с одинаковым пороговым напряже 55 нием. В режиме "Считывание" формирователь 1 вырабатывает команды, обеспечивающие подключение блока 7 кстроке, открывая транзисторы Т;/ Т;, , Считывание информации из...

Номер патента: 1169021

Опубликовано: 23.07.1985

Авторы: Кролевец, Невядомский, Стиканов, Чекалкин

МПК: G11C 11/40, G11C 7/00

Метки: записи, информации, мнсп-транзистор

...с энерОнезавнсимым хранением информа- Ц 1 И. 101 ь 0 изобрс:.ния является повышениеП 1,СНЦ)СТП э 1 ПИ 1 ИНфОРМЯЦИИ. НЯ ф 1,. 1 представлены зависимости тока иОка я МНОП-транзистора и н)С): - ни;шин информации 1 э нри фиксир )и - НЫХ З 1 ЯЧЕН 51 Х НЯГЭЯ 5 КЕНИЯ На ЗЯТ 600 И СТОК , ст И ТОКЯ В Ц.НИ СТОК стК )1 вяя 3 нри записи пнформацн 01,но и:1 вестнох у способу, кри Вя 0 - 01,131 х) предсгеехОх)м; на фиг. 2 - х ха лн)соба ЗЯПИ И 1 ПОРМЯЦИИ. ХЕ 10 060 ЗНЕ)1.,; К,", Л,н)Е " РОГ 50 1, 3111) Инан),г,- :35 зистор .), ток 5, 3 г 11,.: 4. и: 101 )д, Ож; 6:131 Ом ин кап.", г;,1 С, 1" );и) Об 01 и 11, неяе , к)111 м ОбПри записи информации одновременнос подачей управляющего напряжения назатвор 4 от устройства 1 (фиг. 2) в стоктранзистора 2...

Номер патента: 862271

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Березин, Стиканов, Тучинский, Шеревеня

МПК: H01L 21/77

Метки: тара-спутник

...каждого отверс тия выполнены разновысокие фиксирую- щие выстуПы. При этом каждая группа одновысоких выступов образует фиксирующий контур одного размера,На фнг. 1 изображена тара-спутник 30,с системой выводов в виде ленты изполиимидной пленки 1 с группами металлических выводов, ограниченных на рисунке пунктирным контуром 2, и с расположенными по периметру отверстиями 3,4. Отверстия могут быть любой формы, нанример, прямоугольными и круглыми, Каждое отверстие имеет внутренние выступы дифференцированной длины, группы которых образуют посадочные контуры различных диаметров, соответствующие диаметру штырей.Фиксирующий контур диаметром Й 4 ограничен фиксирующими выступами 5, контур диаметром й - Фиксирующими выступами 6, контур диаметром 6...