Микросхема памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(5)5 6 11 С 13/00 ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬ(56) Технические условия на микросхему 537 РУ 6 КО,347.243.06 ТУ.Технология сверхбольших интегральных схем./Под ред. С,М. Зи.-М.: Мир, 1986, т. 2, с. 370.(57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в технологии изготовления микросхем памяЯО 1691890 А 1 ти с защитой от а-излучения. Целью изобретения является повышение надежности функционирования микросхемы памяти, Поставленная цель достигается тем, что слой 8 кремнийорганического соединения расположен на внутренней поверхности крышки 6 корпуса 1 и внутренней поверхности корпуса 1, Такое. расположение слоя 8 исключает термомеханические напряжения в поверхностном слое полупроводникового кристалла 3, т,к. отсутствует механический контакт между слоем 8 и полупроводниковым кристаллом 3, Кроме того, выделяемая кристаллом 3 теплота свободно передается верхней части корпуса 1 за счет лучеиспускания, что улучшает тепловой режим работы микросхемы. 1 ил.1691890 10 Формула изобретения Составитель С, Королев Редактор А. Маковская Техред М.Моргентал Корректор О. КравцоваЗаказ 3931 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-иэдательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в технологии изготовления микросхем памяти с защитой от а-излучения.Целью изобретения является повышение надежности функционирования микросхемы памяти,На чертеже представлена конструкция микросхемы, разрез,Микросхема памяти содержит корпус 1, контактные выводы 2, полупроводниковый кристалл 3 с контактными площадками 4, соединительные проводники 5, крышку 6, уплотнительное кольцо 7, слой 8 кремний- органического соединения.В процессе работы микросхемы а-частицы, испускаемые материалами корпусаи внешними источниками излучения, поглощаются кремнийорганическим слоем 8 и не попадают на поверхность кристалла 3 из-за низкой проникающей способности в компаундах (слое 13), т,е. интенсивного торможения а-частиц на их путиТак как покрытие наносится на внутреннюю поверхность крышки 6 корпуса 1 и на свободную внутреннюю поверхность основания корпуса 1, то термомеханические напряжения в поверхностном слое полупроводникового кристалла 3 не возникают вследствие отсутствия механического контакта между полупроводниковым кристаллом 3 и слоем 8 компаунда. Кроме того, выделяемая в процессе функционирования полупроводнико вого кристалла 3 памяти теплота за счетлучеиспускания свободно передается верхней части корпуса 1, что облегчает тепловой режим работы микросхемы. Микросхема памяти, содержащая корпус, полупроводниковый кристалл с контак тными площадками, расположенный надонной части корпуса, контактные выводы; закрепленные в корпусе, соединительные проводники, расположенные между контактными площадками полупроводникового 20 кристалла и контактными выводами, крышку корпуса, уплотнительное кольцо, расположенное между корпусом и крышкой корпуса, слой кремнийорганического соединения, отличающаяся тем,что,сцелью 25 повышения надежности функционированиямикросхемы памяти, слой кремнийорганического соединения расположен на внутренней поверхности крышки корпуса и внутренней поверхности корпуса.
СмотретьЗаявка
4796664, 27.02.1990
ЛЕНИНГРАДСКОЕ НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ОБЪЕДИНЕНИЕ "КРАСНАЯ ЗАРЯ"
БЕККЕР ЯКОВ МИХАЙЛОВИЧ, БЕККЕР МИХАИЛ ЯКОВЛЕВИЧ, ЗАКОЛДАЕВ АНАТОЛИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ФОМИН МИХАИЛ ИВАНОВИЧ, ФРОЛОВ НИКОЛАЙ ДМИТРИЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 13/00
Метки: микросхема, памяти
Опубликовано: 15.11.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1691890-mikroskhema-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Микросхема памяти</a>
Предыдущий патент: Голографическое постоянное запоминающее устройство со сменным носителем голограмм
Следующий патент: Буферное запоминающее устройство
Случайный патент: Способ изготовления труб с винтовым гофром