Микросхема памяти

Номер патента: 883981

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Аснис, Ворона, Гуревич, Заболотин, Клименко, Нероденко, Пан, Сухушин, Шендерович

МПК: H01B 12/00

Метки: внутренним, жилы, интерметаллического, многосекционной, основе, расположением, сверхпроводящего, сверхпроводящей, слоя, соединения

...слоя заключается в том, что в шлюзовой напылительной камере наносятслой барьерного материала на концевые участки каждой заготовки, содержащей слой тугоплавкого компонентасоединения и лой стабилизирующегоматериала, на о,л альной части заготовок формиру;,. с.рхпроводящий слойс помощью термообработки в диффузионной камере в при утствии легкоплавкого компонента соединения, удаляютс полученных секций слой барьерногоматериала, располагают концы секций 1(фиг.1 и. 2 ) с зазором 2, в которомсверхпроводящие слои 3 обращеныдруг к другу размещают в нем встав 4 оку ч в области расположения сверхпроводящих слоев 3 и приводят еев контакт с укаэанными слоями 3, например с помощью контактной точечной сварки с ограниченным подводомтепла (конденсаторная...

Номер патента: 1429004

Опубликовано: 07.10.1988

Авторы: Байдуганов, Буленков, Нам, Потапов

МПК: G01N 19/04

Метки: биметаллического, между, прочности, слоями, соединения, сцепления

...параллельные на расстоянии Т друг от друга прорези б.и 7 глубиной А=В+2 Н-С, где В - толщина слоя 1 или 2, К концам пакета вне прорезей35 ,6 и 7 прикладывают растягивающую нагрузку Р, , которая вызывает срез в месте стыка слоев 1 и 3 или 2 и 4 :каждого соединения в .пакете. По величине нагрузки судят о прочности соединения.П р и м е р. Из биметаллической полосы (в качестве основы использовали сталь 11 кп, в качестве покрытия - латунь марки Л 90, толщина покрытия составляла 2,8 мм,) вырезали образцы размером АхВхС=100 х 15 х 6 мм.На слоях 3 и 4 покрытия на строгальном станке выполняли рифления, в сечении представляющие собой прямоугольный треугольник, один из катетов которого перпендикулярен зоне соединения, глубиной 1,0 мм, При этомо...

Номер патента: 1559383

Опубликовано: 23.04.1990

Автор: Маланкин

МПК: H01L 23/02

Метки: интегральной, корпус, микросхемы

...конструкцию корпуса от появления трещин, 3 ил, 1 табл. ВК, с припаянным к металлокерами ческому спаю 2 с образованием герме тицного шва металлическим ободком 3 из материала 29 НК или 12 Н и крышку 4 из того же материала. Между ободком 3 и основанием 1 по всему периметру ободка со стороны внешней бо" ковой поверхности имеется зазор 5. Кристалл 6 с микросхемой расположен на диэлектрическом основании 1 корп са и соединен с выводами 7 проволоч ными перемычками 81559383 Величина воздушного зазора для материала ободка, ммЙ 2 Н 29 НК 5 10 3 х 10 0,60 0,38 Корпус используется следующим образом,При выполнении в ободке корпуса зазора по его внешнему периметру гер" метизацию производят сваркой крышки к ободку корпуса, При этом возникает...

Номер патента: 863615

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Казачанский, Кретинин, Сергеев, Тихонов

МПК: C10B 55/00

Метки: внутренним, камера, коксовая, слоем, теплозащитным

...на фиг.1 (укрепляющее кольцо в плане и гофрированная обечайка, поперечный разрез); 40на фиг.4 - узелна фиг.1 (монтажобечайки на укрепляющее кольцо)на фиг.5 - узелна фиг.1 (монтажнижней обечайки с помощью двух несущих колец); на Фиг.б - узелнафиг.2 (узел несущего кольца в плане),Коксовая камера состоит из теплоизолированного корпуса 1, теплозащитного слоя 2 из коксовой прокаленной мелочи, защитного кожуха 3, 0выполненного из каскадно установленных друг в друге конических обечаек4, снабженных снаружи укрепляющими.кольцами 5 с отверстиями б и несущими кольцами 7 с прорезями 8 понаружной и внутренней сторонам.Конические обечайки 4 установленыдруг в друге с образованием кольцевых карманов 9, открытых внутрь коксовой камеры и вверх так, что...

Номер патента: 388375

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H05K 5/03

Метки: интегральной, корпус, микросхемы

...стеклянного основания с выводами и спаянный с коваровым колпачком. Интегральная микросхема основанием припаивается к колпачку и соединяется с выводами корпуса проволочными перемычками. Герметизация интегральной микросхемы осуществляется с помощью металлической крьтшки баллона, припаиваемого к колпачку.Однако,при монтаже интегральной схемы с объемными выводами групповым методом, например методом перевернутого кристалланадежность механического крепления интегральной микросхемы на основании недостаточко высока; недостаточно хорошие,и условия теплоотвода, так как механическое крепление и отвод тепла могут быть осуществлены только с помощью выводов кристалла.Цель изобретения - повышение надежности механического крепления интегральной...