Патенты с меткой «индия»

Номер патента: 1551411

Опубликовано: 23.03.1990

Авторы: Большова, Брыкина, Довгилевич, Жданов, Козырева, Крысина, Макарова, Смирнов

МПК: B01J 20/10

Метки: алюминия, индия, концентрирования, микроколичеств, последующего, сорбент

...5,1 25 25 18,5 8,9 зпритертыми пробками, встряхивая на механическом вибраторе 0,1 г сорбента с 50 мл раствора, содержащего исследуемые элементы в определенной концентрации. Нужную кислотность устанавливают безбуферным ме 5 тодом, добавляя рассчита ь ное количество кислоты или щелочи.В стакан емкостью 150 мл вносят исследуемый раствор с заданной кислотностью и определенной концентрацией элемента, К раствору быстро добавляют 0,1 10 сорбента. Раствор перемешивают на вращающемся столике с частотой 500 об/мин. Через определенные промежутки времени (2, 5, 10, 15 мин и т. д,) столик останавливают на 50 с и отбирают пробы по 2 мл раствора, в которых определяют содержание элементов, Рассчитывают степень достижения сорбционного равновесия...

Номер патента: 1627519

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Менчук, Нилова, Скрылев

МПК: C02F 1/24

Метки: выделения, индия, разбавленных, растворов

...0,35 0,10 0,6 10 10 60 35 5 70 3 3 5 4 2 б 1,0 1,0 2,5 1,25 0,5 ,5,0 Как видно из табл.1, предлагаемый способ позволяет в 6 раз повысить степеньизвлечения индия и за счет значительногоуменьшения объема верхнего продукта на4-5 порядков увеличить коэффициент концентрирования пс сравнению с известнымспособом.Кроме того, продолжительность процесса сокращается в 3 раза и верхний продукт получается в виде пленки (по 10известному способу в виде пены), что облегчэе его отделение,В табл.2 представлено влияние исходной концентрации Д 2 ЭГФК в эмульсии настепень выделения индия. 15Как следуеттабл.2, введение в индийсодержащий раствор эмульсииД 2 ЭГФК с исходной концентрацией2%приводит к образоганию устойчивой коллоидной системы, дисперсная фаза...

Номер патента: 1679249

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Кроик, Куликова

МПК: C01G 15/00, G01N 31/00

Метки: индия

...8-меркаппри рН 1-3. овышается до сть по отношеющих элемен- , 3 табл,1679249 Таблица 1 Соотношение индий: металл Увеличение кратности по предложенному методу1:250 1:10 1:101:100 1:10 1:501:100 1:50 1:10 1;1 1:1 1:1 1:1 1:1 11 1:1 1;1 1:1 Алюминий Галл ий Олово Висмут Медь Железо (П) Ванадий(Я Молибден Никель250 10 10 100 10 50 100 50 10 меди, никеля, олова, сурьмы, галлия, германия, однократный избыток кобальта.Предел обнаружения 0,004 мкг/мл.П р и м е р, К аликвотной части пробы воды объемом 100 мл, помещенной в дели- тельную воронку, добавляют 5 мл 1 н. раствора соляной кислоты, 5 мл 1 10 М раствора 8-меркаптохинолина в амилацетате, Содержимое воронки встряхивают в течение 3 мин, отделяют органическую фазу. Экстракт...

Номер патента: 1687592

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Абдинов, Абуталыбов, Гусейнов, Ларионкина, Рагимова

МПК: C09K 11/62, C09K 11/88

Метки: индия, люминесцентный, материал, основе, селенида

...Яе, Но в кварцевой ампуле вертикально в печи при 1000 К и из полученных поликристаллов выращивают монокристаллы методом Бриджмена в виде слитков длиной 45 - 50 мм, диаметром 8 - 40 мм, которые скалывают по плоскостям спайности. 1 табл 1 ил. высокой частоты:1 п марки В-З, Яе марки В,Но-ГО М.99.71.Монокристаллы люминесцентного материала выращены из полученных поликристаллов методом Бриджмена: скоростьперемещения ампулы 1,6 мм/ч, скорость падения температуры вдоль слитка 4 - 5 град/ч,температура зоны перемещения ампулы1000 - 450 К, отжиг при 450 К в течение нескольких часов и последующее охлаждениедо комнатной температуры с указанной выше скоростью, время всего процесса около5 сут. Выращенные монокристаллическиеслитки длиной 45-50 мм,...

Номер патента: 1499573

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Акашкин, Ветошкин, Печенкин

МПК: C23C 14/34

Метки: индия, оксидов, олова, основе, пленок, проводящих, прозрачных

...приводит к росту удельногосопротивления, т,е, в данных режимахстановится существенным процесс трав эления пленки. Так как выдержать время обработки с точностью до секундзатруднительно, то в этих режимахнаблюдается невоспроизводимость повеличине полученного значения удельного .сопротивления до минимальнойвеличины в течение нескольких секунд.В качестве рабочего газа используют азот и/или аргон, которые не, образуют летучих соединений с окислами индия и олова. Использованиедругих газов не обеспечивает достижение положительного эффекта ввидуих реакционной способности; сопровождающейся травлением и образованием летучих соединений, загрязняющихокислы индия-олова.При давлении рабочего газа ниже1 Па происходит. существенное увеличение...

Номер патента: 1756392

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Векшина, Нагибин, Пепик, Попков

МПК: C30B 15/00, C30B 29/40

Метки: антимонида, индия, монокристаллов

...эффективного коэФФициейта распределенияпримесей от величинымагнитного поля,воздействующего на расплав, При этом легирование проводят на концентрации носителей заряда (3 - 6)10" см . В работе сиспользованием критериев тепломассопереноса объясняются причины возрастаниякоэффициентов распределения указанныхвыше примесей, 8 данном случае исследования по влиянию магнитного поля на электрофизические параметры получаемогоматериала не проводились,Целью изобретения является увеличениявыхода монокристаллов с подвижностью носителей заряда более 5 10 см /В с ч,э 2Поставленная цель достигается с помощью МГД устройства "поперечйого магнитного поля, позволяющего получать в"центре тигля магнйтное поле с индукциейдо 0,3 Тл.После наложения...

Номер патента: 1758511

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Драгомерецкий, Кива, Ковалюк, Середюк

МПК: G01N 11/00

Метки: деформации, индия, исследовании, качестве, кристалла, полупроводникового, применение, селенида, слоистого, смеси, твердеющей, тензодатчика

...бетонной смеси в процессе непрерывного и неразрушающего контроля путем применения слоистого полупроводникового кристалла 1 пЯе. В ходе исследований получена временная зависимость сопротивления электрическому току моноселенида индия помещенного в бетонную массу, При этом высокая чувствительность при разделении фаэ замерзания и схватывания твердеющих смесей достигается за счет использования эффекта, возникающего в результате объемных деформаций ЧЭ, Поскольку, а отличие от прототипа, где сущность способа контроля заключалась в использовании классического тензоэффектг. для моноселенида индия,погруженного в твердеющую массу. существенным является всестороннее сжатие, чувствительность к которому в псе достигаег значений -10 Па что на...

Номер патента: 1669337

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Мироненко, Налькина, Нестеров, Хрящев

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонида, индия, полирования, приготовления, раствора

...супермедленным трввителем состава МВТВК1:50 по приведеннойвыше методике в течение 30, 60, 90 с.Часть образцов, облученных той аедозой, обработана при соОтношенииМВТ ; ВК " 1:100 в течение 2 н 3 мин.Результаты определения средней скорости травления сведены в таблицу,-раздел 111.Пример 4, В раздел 1 Ч таблицы сведены результаты по определению средней скорости травления присоотношении МВТ : ВК = 1:100 образцов внтимонида индия, нмплантированных большей дозой ионов магния,Из сравнения результатов разделов111 и 1 Ч таблицы видно, что даае приодинаковых степени разбавления и времени травления на скорости травлениясказывается степеньарушения струк-туры материала при р.зпичных дозахоблучения. Из результатов т;блицы следует, что...

Номер патента: 1793371

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Балусов, Верещагина, Зельцер

МПК: G01N 31/22

Метки: индия

...переводили в делительную воронку, ополаскиваястенки стакана 5 н Н Вг, Приливали к раствору 10 мл бутилацетата и экстрагировали втечение 1 мин. Экстракт после отделенияпромывали 2 раза (по 2 - 3 мл) 5 н НВг, встряхивая по 10-15 с. Индий реэкстрагировалидвумя порциями 6 н хлористоводороднойкислоты(по 20 мл) с добавлением 1 - 2 капельперекиси водорода. Реэкстракт выпаривалидосуха. добавляли к остатку серную кислотуи нагревали раствор до появления белыхпаров. Сухой остаток растворяли в 50 млдистиллированной воды.П р и м е р 1. Определение индия врудах,Сульфидные и полиметаллические рудыразлагали хлористоводородной кислотой споследующим введением азотной кислоты,Силикатные породы разлагали фтористоводородной кислотой с добавлением...

Номер патента: 1213723

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Жукова, Коршунов, Ласкорин, Филиппов, Царенко, Якшин

МПК: C07D 323/00, C22B 3/00

Метки: галлия, диалкилдициклогексил-18-краун-6, железа, индия, калия, растворов, ртути, свинца, стронция, таллия, экстрагенты

...с чистотой 94,5 о .Получено 13,8 г ди(2-хлорэтилового)эфира 4-изопропилциклогександиола,2 (И 25а), выход 92,2 о , содержание С 23,6 о(теор.25,03). Аналогично получают ди(2-хлорэтиловые) эфиры 4-бутилциклогександиола 1,2 (И б), 4-пентилциклогександиола,2 (Ив), 4-гексилциклогександиола,2 (И г), 4-октилциклогександиола,2 (И д), 4-децилциклогександиола,2 (И е), 4-додецилциклогександиола,2 (11 ж),Ч 1, Получение диизопропилдициклогексил-краун. 35Смесь 5,5 г соединения 1 а, 6.8 г соединения 1 а, 0,4 г 18-крауни 25.мл 40-ноговодного раствора КОН нагревают при интенсивном перемешивании при 80 С в течение 7 ч. После охлаждения добавляют 40 мл 40воды для полного растворения осадка, органический слой отделяют, водную фазу экстрагируют...

Номер патента: 1335056

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Авдеев, Зотов, Колмакова, Матвеев

МПК: H01L 21/28

Метки: барьером, индия, полупроводниковых, приборов, фосфиде, шоттки

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ НА ФОСФИДЕ ИНДИЯ, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, напыление в вакууме неактивного металла и формирование контактов, отличающийся тем, что, с целью увеличения пробивных напряжений за счет увеличения высоты барьера Шоттки, химическую обработку пластин фосфида индия осуществляют в плавиковой кислоте при температуре от 80 до 106oС в течение не менее 5 мин, а испытание неактивного металла производят через время, не превышающее 60 мин на...

Номер патента: 1373232

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Авдеев, Колмакова, Матвеев, Пащенко

МПК: H01L 21/20

Метки: индия, локальных, структур, фосфида, эпитаксиальных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР ФОСФИДА ИНДИЯ, включающий создание защитной маски, формирование углублений в подложке, удаление защитной маски и эпитаксиальное заращивание углублений в подложке, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества локальных эпитаксиальных структур за счет устранения высокоомного слоя в переходной области подложка - эпитаксиальный слой, перед эпитаксиальным заращиванием углублений подложку обрабатывают в плавиковой кислоте при 80 - 106oС в течение 5 - 15 мин.

Номер патента: 1530013

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Веселова, Гусев, Космодемьянская, Прокофьев, Слесарева

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонида, индия, поверхности, состав

СОСТАВ ДЛЯ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, содержащий поверхностно-активное вещество, гексаметафосфат натрия и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения качества очистки поверхности, в качестве поверхностно-активного вещества используют оксиэтилированный моноалкилфенол формулы RO6H4O(CH2C2H4O)nH, где n = 9 - 12, при следующем соотношении компонентов, мас.%:Оксиэтилированный моноалкилфенол формулы RC6H4O(CH2C2H4O)nH - 0,18 - 0,22Гексаметафосфат натрия - 0,65-0,85Вода - До 100

Номер патента: 1480674

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Веселова, Гусев, Космодемьянская, Слесарева

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонида, индия, раствор, травления

РАСТВОР ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, включающий органическую кислоту, перекись водорода, азотную кислоту, отличающийся тем, что с целью улучшения качества травления за счет повышения его равномерности, раствор дополнительно содержит фторид аммония и алкилсульфонат натрия, а в качестве органической кислоты винную или лимонную кислоту при следующем соотношении компонентов, об.Винная или лимонная кислота (30%-ная) 66,7 72,7Перекись водорода (30%-ная) 15,5 23,3Азотная кислота (65%-ная) 3,3 5,7Фторид аммония (40%-ный) 2,9 6,2Алкилсульфонат натрия (1%-ный) 1,7 2,9

Номер патента: 1589963

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Астахов, Борисов, Варганов, Демидова, Дудкин, Ежов, Зигель, Колбин, Мирошников, Мозжорин, Пасеков, Просветова, Савельева, Таубкин, Фадеева, Цепов

МПК: H01L 31/18

Метки: n-типа, антимониде, индия, проводимости, фотодиодов

Способ изготовления фотодиодов на антимониде индия n-типа проводимости, включающий подготовку поверхности исходной пластины антимонида индия, формирование легированных областей p-типа проводимости, анодное окисление в электролите, содержащем раствор электропроводной добавки в глицерине и органический растворитель в объемном соотношении 1 1, нанесение пассивирующего диэлектрика и формирование контактной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных фотодиодов, пробивных напряжений фотодиодов и их стабильности за счет формирования в анодной окисной пленке отрицательного стабильного встроенного заряда, анодное окисление проводят в электролите, содержащем в качестве электропроводной добавки сернистый натрий в количестве 0,1,...

Номер патента: 1338423

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Галкин, Дугельный, Дьяков, Корюков, Новопашин, Стекленев

МПК: C22B 58/00

Метки: аппарат, извлечения, индия, металла, расплавленного

Аппарат для извлечения индия из расплавленного металла, включающий реакционную камеру, снабженную сифоном с трубой и соединенную с диспергирующим устройством, тангенциально соединенным с насосом, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы аппарата и улучшения условий труда, он снабжен центральной трубой с насадкой с тангенциально направленными соплами и отстойной камерой, диспергирующее устройство соединено с насосом через центральную трубу, а труба сифона расположена в отстойной камере и соединена через отверстия в ней с верхней частью отстойной камеры.

Номер патента: 1401903

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Алексеев, Галкин, Дугельный, Дьяков, Корюков, Новопашин, Стекленев

МПК: C22B 58/00

Метки: аппарат, извлечения, индия, металлов, расплава

Аппарат для извлечения индия из расплава металлов, включающий ванну для расплава, реакционную камеру, насос с всасывающим патрубком, сифон для слива расплава и диспергирующее устройство, соединенное с насосом и реакционной камерой, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы аппарата и улучшения условий труда, он снабжен воронкой с патрубком, установленной на входе всасывающего патрубка насоса с возможностью ограниченного осевого перемещения в вертикальном направлении относительно всасывающего патрубка насоса, при этом ниже воронки выполнены сквозные отверстия.

Номер патента: 1715136

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Дикаев, Милявский, Яссен

МПК: H01L 21/306

Метки: индия, лазерно-стимулированного, травления, фосфида

Состав для лазерно-стимулированного травления фосфида индия, содержащий водный раствор плавиковой кислоты, отличающийся тем, что, с целью снижения мощности стимулирующего излучения при одновременном повышении скорости травления, состав дополнительно содержит бромат калия при следующем количественном содержании компонентов, моль/л:Плавиковая кислота - 0,045 - 18Бромат калия - 0,0008 - 0,32

Номер патента: 468522

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Варенцов, Гусарь, Мальцев, Сапрыгин, Успенская, Хан

МПК: C22B 58/00

Метки: индия, нейтрализацией, осаждения, растворов, сульфатных

1. Способ осаждения индия из сульфатных растворов нейтрализацией в присутствии одновалентных ионов щелочных металлов или аммония, включающий предварительное восстановление железа до двухвалентного, отличающийся тем, что, с целью повышения степени извлечения индия и получения кристаллического легкофильтруемого осадка, осаждение проводят при pH 2,5 - 3 и температуре 85 - 95oC.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение проводят при молярном отношении сульфатов индия и одновалентных ионов щелочных металлов или аммония не более 3,0.

Номер патента: 758783

Опубликовано: 27.09.1999

Авторы: Давидович, Ипполитов, Медков, Харламова

МПК: C22B 58/00

Метки: извлечения, индия, растворов

Способ извлечения индия из растворов, содержащих олово, осаждением, отличающийся тем, что, с целью повышения степени отделения от олова и упрощения процесса, осаждение проводят введением в раствор смеси, состоящий из 3 - 5 молей щавелевой кислоты и 1 - 3 моля фтористого калия на моль окисей индия и олова.

Номер патента: 1088586

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бакланов, Девятова, Журков, Репинский, Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, индия, травитель

Травитель для арсенида индия, включающий бром и органический растворитель, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности процесса травления и снижения токсичности, в качестве органического растворителя травитель содержит ацетонитрил при следующем количественном соотношении компонентов, об.%:Бром - 0,1-2,5Ацетонитрил - 97,5-99,9

Номер патента: 915684

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Вихрев, Герасименко, Лебедев, Ободников

МПК: H01L 21/425, H01L 31/18

Метки: антимониде, индия, создания, фоточувствительных, элементов

Способ создания фоточувствительных элементов, на антимониде индия p-типа проводимости, включающий операции фотолитографии, нанесения диэлектрических покрытий, облучения протонами для создания p-n-переходов, нанесения контактов к элементам на кристалле, присоединения кристаллов к основанию корпуса, отличающийся тем, что, с целью избежания деградации параметров p-n-переходов во время технологических нагревов, облучение проводят после всех технологических операций.

Номер патента: 1490998

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Волков, Дмитриев, Маковей, Смирнов

МПК: C22B 58/00

Метки: высокой, индия, чистоты

Способ получения индия высокой чистоты, включающий синтез низшего галогенида, его ректификацию, последующее диспропорционирование низшего галогенида индия с получением индиевой губки и расплавление индиевой губки под слоем растворителя, отличающийся тем, что, с целью повышения степени чистоты и выхода металла, в качестве растворителя при расплавлении используют эвтектические смеси моногалогенидов индия.

Номер патента: 1814442

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Галицын, Ковчавцев, Мансуров, Пошевнев

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, индия, поверхности

Способ обработки поверхности арсенида индия, включающий обезжиривание, травление в растворе, промывку, сушку и термообработку в условиях сверхвысокого вакуума, отличающийся тем, что, с целью повышения степени совершенства структуры поверхности за счет снижения температуры термообработки, травление осуществляют в насыщенном растворе паров соляной кислоты в изопропиловом спирте в течение 5 - 10 мин, а термообработку проводят при равномерном подъеме температуры до 200 - 230oC за время 1,5 - 2 ч и последующей выдержке при этой температуре в течение 20 - 30 мин.

Номер патента: 1452404

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Курышев, Логвинский, Мараховка, Парм, Соловьев

МПК: H01L 21/318

Метки: антимонид, индия, кремния, нитрид, структур

1. Способ получения структур нитрид кремния - антимонид индия, включающий химическую очистку подложек антимонида индия, размещение подложек в камере плазмохимического осаждения, откачку камеры и нагрев подложек, напуск инертного газа, моносилана и азотсодержащего газа, осаждение нитрида кремния в плазме высокочастотного разряда, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет устранения окисного слоя на границе раздела нитрид кремния - антимонид индия и улучшения диэлектрических свойств нитрида кремния, нагрев подложек производят до 150 - 200oC, в качестве азотсодержащего газа используют аммиак, отношение газовых потоков моносилана и аммиака устанавливают в...

Номер патента: 1424643

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Балин, Гузев, Шкляев

МПК: H01L 21/316

Метки: антимонида, диэлектрик-полупроводник, индия, основе, структур

Способ получения структур диэлектрик - полупроводник на основе антимонида индия, включающий очистку поверхности полупроводниковой подложки, формирование потока молекул окиси кремния в атмосфере кислорода при давлении от 1,15 до 4,0 Па, зажигание ВЧ-разряда с плотностью мощности от 0,3 до 1,0 Вт/см2 на электроде с подложкой, охлаждение на подложке пленки двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств структур за счет уменьшения влияния высокочастотного газового разряда, перед зажиганием газового разряда осаждают подслой двуокиси кремния толщиной от 150 до при температуре от 293...

Номер патента: 1110222

Опубликовано: 20.12.2000

Авторы: Лебедева, Орлов, Чунтонов, Яценко

МПК: C30B 29/10, C30B 9/06

Метки: индия, металла, монокристаллов, соединения, щелочного

Способ получения монокристаллов соединения щелочного металла и индия, включающий нагрев смеси исходных компонентов в вакуумированной ампуле и последующую кристаллизацию расплава, отличающийся тем, что, с целью возможности получения кристаллов CsIn3 увеличенных размеров, исходные компоненты берут при соотношении In и Cs в смеси в мольных долях 0,83 - 0,88 : 0,12 - 0,17, нагрев ведут в ампуле, оснащенной воронкой, размещенной под поверхностью расплава основанием вниз, а кристаллизацию проводят со скоростью 7 - 17oC/ч вытягиванием ампулы вверх.

Номер патента: 1563510

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Белотелов, Коршунов

МПК: H01L 21/265

Метки: антимониде, индия, полупроводниковых, приборов

Способ изготовления полупроводниковых приборов на антимониде индия, включающий легирование исходного материала компенсирующей примесью до получения материала p-типа, изготовление из легированного материала подложек, имплантацию в них ионов и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения качества МДП-структур с инверсионным каналом и p-n-переходов за счет снижения токов утечки и повышения подвижности свободных носителей заряда, в качестве компенсирующей примеси используют германий, легирование осуществляют до концентраций дырок от 1012 до 1016 см-3, после изготовления подложек на них дополнительно наносят слои диэлектрика, в качестве...

Номер патента: 1149822

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Генералов, Зимаков, Коршунов, Орликовский, Соловьев

МПК: H01L 21/268

Метки: антимониде, индия, п-слоев

Способ получения n-слоев в антимониде индия, включающий компенсацию исходного чистого антимонида индия акцепторной примесью, изготовление из него подложек p-типа и облучение их лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности создания новых классов приборов за счет повышения подвижности электронов в слоях толщиной порядка 1 мкм, в качестве акцепторной примеси используют германий, а облучение ведут на длине волны 10,6 мкм в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 3 (10-6 - 10-4) с, количеством импульсов 10 - 50, длительностью пакета импульсов не более 0,5 с,...

Номер патента: 1005602

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Дубровская, Коршунов, Тихонов, Тихонова

МПК: H01L 21/324

Метки: антимониде, инверсного, индия, слоя

Способ получения инверсного слоя в антимониде индия, включающий облучение подложки ионами, нанесение защитной пленки и отжиг радиационных дефектов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, отжиг проводят одновременно с нанесением защитной пленки при температуре подложки от 100 до 300oC в течение времени от 10 до 30 мин.