Драгомерецкий
Применение слоистого полупроводникового кристалла селенида индия в качестве тензодатчика при исследовании деформации твердеющей смеси
Номер патента: 1758511
Опубликовано: 30.08.1992
Авторы: Драгомерецкий, Кива, Ковалюк, Середюк
МПК: G01N 11/00
Метки: деформации, индия, исследовании, качестве, кристалла, полупроводникового, применение, селенида, слоистого, смеси, твердеющей, тензодатчика
...бетонной смеси в процессе непрерывного и неразрушающего контроля путем применения слоистого полупроводникового кристалла 1 пЯе. В ходе исследований получена временная зависимость сопротивления электрическому току моноселенида индия помещенного в бетонную массу, При этом высокая чувствительность при разделении фаэ замерзания и схватывания твердеющих смесей достигается за счет использования эффекта, возникающего в результате объемных деформаций ЧЭ, Поскольку, а отличие от прототипа, где сущность способа контроля заключалась в использовании классического тензоэффектг. для моноселенида индия,погруженного в твердеющую массу. существенным является всестороннее сжатие, чувствительность к которому в псе достигаег значений -10 Па что на...