Патенты с меткой «индия»

Номер патента: 1017122

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Дубровская, Коршунов, Старикова

МПК: H01L 21/268

Метки: антимониде, индия, п-слоев

Способ получения n-слоев в антимониде индия, включающий ориентированную резку слитка, шлифовку и полировку подложек и облучение подложки импульсным лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств слоя, облучению подвергают поверхность (100), (100), (111) или (211).

Номер патента: 660499

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Коршунов, Тихонов

МПК: H01L 21/265

Метки: антимонида, индия

Способ обработки антимонида индия облучением ионами, отличающийся тем, что, с целью обеспечения регулируемого по глубине увеличения скорости электрохимического травления без изменения типа проводимости и уменьшения подвижности носителей заряда, антимонид индия во время облучения подвергают нагреву от 100 до 290oC.

Номер патента: 665611

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Коршунов, Миркин, Тихонов

МПК: H01L 21/265

Метки: антимониде, индия, структур, электронно-дырочных

1. Способ получения электронно-дырочных структур в антимониде индия, включающий легирование исходного материала, изготовление подложек, облучение ионами и создание инверсионного слоя последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью упрочнения имплантированного слоя, облучение проводят при температурах подложек от 0,6 Tпл до 0,95 Tпл дозами от 6 1014 до 6 1017 см-2 и греющими плотностями ионного тока от 10 до 50 мкА/см2.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью увеличения...

Номер патента: 708792

Опубликовано: 10.11.2001

Авторы: Коршунов, Морозов, Тихонов

МПК: G01N 21/21

Метки: антимонида, вырожденного, индия, концентрации, п-типа, приповерхностном, слое, электронов

Способ определения концентрации электронов в приповерхностном слое вырожденного антимонида индия, n-типа, включающий освещение монохроматическим поляризованным светом образцов исследуемого и взятого в качестве эталона невырожденного полупроводника, многократное измерение эллипсометрического параметра и соответствующих ему длин волн, определение энергетического сдвига края полосы собственного поглощения, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа перенесением измерений в видимую область спектра, перед освещением поверхности исследуемого образца и эталона аморфизируют с сохранением исходной концентрации электронов, при...

Номер патента: 1538491

Опубликовано: 27.08.2002

Авторы: Балакин, Быдрина, Ильичев, Коленко, Меньшиков, Петров, Родионов, Теслер

МПК: B01J 20/26, C08F 212/14, C08F 8/40 ...

Метки: винилбензиламин-n-метиленфосфоновой, индия, качестве, кислоты, концентрированных, растворов, сернокислых, сетчатый, сополимер, сорбента

Сетчатый сополимер винилбензиламин-N-метиленфосфоновой кислоты общей формулыгде молярное соотношение x : a : b : c = 1 : 2,8 - 3,9 : 0,5 - 1,6 : 4,в качестве сорбента индия из концентрированных сернокислых растворов.

Номер патента: 1279279

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Браташевский, Васильков, Дорошенко, Ковалев, Стоян

МПК: C30B 13/10, C30B 29/40

Метки: insb, антимонида, висмутом, индия, кристаллов, легированного

Способ получения кристаллов антимонида индия InSb, легированного висмутом путем направленной кристаллизации из раствора - раствора исходных InSb и In2Bi, отличающийся тем, что, с целью получения высокоомного антимонида индия, исходный InSb берут с содержанием не более 4,6 1015 см-3 фоновой примеси, раствор-расплав содержит 2,6-22,5 мол.% In2Bi и кристаллизацию ведут со скоростью 0,8-3,2 мм/ч.

Номер патента: 1625024

Опубликовано: 27.05.2003

Авторы: Бирман, Гаас, Гиршенгорн, Гузаиров, Казанбаев, Козлов, Куленова, Лейцин, Лубошникова, Никифорова, Пашков, Сердюков, Флейтлих, Холкин

МПК: C22B 58/00

Метки: извлечения, индия, растворов, сульфатных, цинковых

Способ извлечения индия из сульфатных цинковых растворов, включающий экстракцию металла органической фазой, содержащей ди-2-этилгексилфосфорную кислоту и анионообменный азот, содержащий экстрагент, и реэкстракцию индия раствором серной и фосфорной кислот, отличающийся тем, что, с целью повышения степени концентрирования индия в реэкстракте и упрощения процесса за счет сокращения числа ступеней экстракции и реэкстракции, экстракцию ведут с использованием в качестве анионообменного азотсодержащего экстрагента триалкиламина с дополнительным введением в органическую фазу ,

Номер патента: 1840172

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Алехин, Белотелов, Емельянов, Солдак

МПК: H01L 21/316

Метки: арсенида, диэлектрических, индия, мдп, основе, пленок, растворов, структур, твердых

Способ получения диэлектрических пленок для МДП структур на основе арсенида индия и его твердых растворов, включающий погружение полупроводниковой пластины в первый электролит, содержащий органический растворитель, электропроводящий компонент и галогеносодержащую добавку и подачу на пластину электрического напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения обнаружительной способности МДП структур путем снижения величины встроенного заряда и плотности ловушек в диэлектрических пленках, в качестве галогеносодержащей добавки используют аммоний фтористый в количестве 1,6-1,8 вес.%, после анодирования в первом электролите, полупроводниковую пластину погружают во второй электролит,...

Номер патента: 1840205

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов, Лаврищев

МПК: H01L 21/306

Метки: анодного, антимонида, индия, окисления, электролит

Номер патента: 1132562

Опубликовано: 27.06.2011

Авторы: Дьяков, Корюков, Никитина, Соловьев, Яковлев

МПК: C22B 58/00

Метки: извлечения, индия, свинцово-оловянного, сплава

1. Способ извлечения индия из свинцово-оловянного сплава, включающий обработку расплавом хлористого цинка с получением индийсодержащего расплава, отделение его и последующую переработку, отличающийся тем, что, с целью повышения степени извлечения индия и снижения расхода реагентов, переработку индийсодержащего расплава осуществляют с введением цинкового сплава.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что переработку индийсодержащего расплава осуществляют с введением сплава цинка с 2-30% магния. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что переработку индийсодержащего расплава осуществляют с введением сплава цинка с 1-10% алюминия.

Номер патента: 753154

Опубликовано: 27.06.2011

Авторы: Дьяков, Никитина, Яковлев

МПК: C22B 25/08, C22B 58/00

Метки: извлечения, индия, свинцово-оловянных, сплавов

1. Способ извлечения индия из свинцово-оловянных сплавов хлорированием расплавом флюса, содержащим хлористый цинк, отличающийся тем, что, с целью повышения степени извлечения, хлорирование проводят в присутствии органических веществ.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве органического вещества используют уксуснокислый натрий.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве органического вещества используют хлопковое масло.4. Способ по пп.1-3, отличающийся тем, что процесс осуществляют с введением в расплав хлорида аммония.

Номер патента: 1334737

Опубликовано: 27.06.2011

Авторы: Галкин, Дугельный, Дьяков, Корюков, Новопашин, Стекленев

МПК: C22B 58/00

Метки: аппарат, извлечения, индия, металлов, расплава

1. Аппарат для извлечения индия из расплава металлов, содержащий ванну для расплава, отстойную камеру с сифоном, реакционную камеру, насос, размещенный в ванне для расплава, и диспергирующее устройство, соединенное с насосом и реакционной камерой, отличающийся тем, что, с целью повышения степени извлечения индия, он снабжен направляющими пластинами, расположенными в реакционной камере с зазором в два ряда по высоте камеры, при этом пластины обоих рядов отклонены на острый угол к поверхности реакционной камеры в противоположные одна относительно другой стороны. 2. Аппарат по п.1, отличающийся тем, что реакционная камера выполнена в виде цилиндра или усеченного конуса с меньшим...

Номер патента: 1111498

Опубликовано: 27.06.2011

Авторы: Дугельный, Дьяков, Зыкус, Корюков, Несмелов, Никитина, Новопашин, Соловьев, Яковлев

МПК: C22B 58/00

Метки: аппарат, извлечения, индия, свинцово-оловянных, сплавов

Аппарат для извлечения индия из свинцово-оловянных сплавов в солевой расплав, содержащий обогреваемую реакционную камеру, снабженную патрубками для подачи металла, солевого расплава и слива расплава и сифоном для слива металла, отличающийся тем, что, с целью повышения степени насыщения расплава индием, аппарат снабжен неподвижными перегородками в виде полых усеченных конусов, закрепленных на стенке камеры меньшими основаниями вверх, и вращающимся валом с конусными тарелями с осевыми ребрами, закрепленными на нем меньшими основаниями вверх, осевые ребра установлены на внутренней поверхности тарели, а патрубок для подачи солевого расплава размещен под конусом тарели.

Номер патента: 917546

Опубликовано: 27.06.2011

Авторы: Алексеев, Алексеева, Дьяков, Завозин, Мухин, Черешнев

МПК: C22B 58/00

Метки: извлечения, индия, пылей

1. Способ извлечения индия из пылей электроплавки оловосодержащих материалов, включающий окатывание пылей в гранулы, введение флюса и восстановителя, расплавление шихты при 1150-1300°C, выделение индийсодержащего оловянного сплава и извлечение индия из сплава, отличающийся тем, что, с целью концентрирования индия в черновом олове и повышения степени его извлечения, шихту перед расплавлением выдерживают при 700-900°C.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве флюса используют соду и известь, взятые в соотношении (0,1-0,7):1 соответственно. 3. Способ по пп.1-2, отличающийся тем, что в пыль перед окатыванием вводят соду, а после расплавления шихты в расплав...

Номер патента: 538575

Опубликовано: 27.06.2011

Авторы: Дьяков, Никитина, Туманова

МПК: C22B 58/00

Метки: извлечения, индия, свинцово-оловянных, сплавов

1. Способ извлечения индия из свинцово-оловянных сплавов, включающий обработку расплавленного сплава солевым расплавом хлоридов цинка и свинца, отличающийся тем, что, с целью повышения извлечения индия, в солевой расплав последовательно вводят 5-20% от веса солевого расплава хлористого кальция и хлористого магния. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что хлористый магний вводят в виде кристаллогидрата.

Номер патента: 1469911

Опубликовано: 27.06.2011

Авторы: Дугельный, Дьяков, Зарубицкий, Корюков, Мелехин, Яковлев

МПК: C22B 58/00, C25C 1/22

Метки: индия, рафинирования, электролит

Электролит для рафинирования индия, содержащий хлориды цинка, индия, натрия, калия, отличающийся тем, что, с целью снижения шламообразования и повышения извлечения индия, он дополнительно содержит хлорид аммония при следующем соотношении компонентов, мас.%: Хлорид индия25-40 Хлорид натрия 3-8 Хлорид калия3-10 Хлорид аммония 1-5 Хлорид цинкаОстальное...

Номер патента: 1039231

Опубликовано: 10.11.2011

Авторы: Дугельный, Дьяков, Корюкова, Яковлев

МПК: C22B 58/00

Метки: извлечения, индия, свинцово-оловянных, сплавов

Способ извлечения индия из свинцово-оловянных сплавов по авт. св. СССР 753154, отличающийся тем, что, с целью повышения степени концентрирования индия в расплаве, в качестве органического реагента используют поливинилхлорид или анионообменную смолу в хлороформе.

Номер патента: 1457418

Опубликовано: 20.04.2012

Авторы: Дугельный, Дьяков, Зарубицкий, Корюков, Мелехин, Омельчук, Петухова, Яковлев

МПК: C22B 58/00

Метки: извлечения, индия, отходов, свинцово-индиевых

Способ извлечения индия из свинцово-индиевых отходов электролизом в расплаве на основе хлоридов цинка и индия, отличающийся тем, что, с целью повышения степени извлечения индия, электролиз осуществляют с введением в исходный продукт олова или олово-индиевого сплава до достижения соотношения олова и свинца 0,07-0,15.

Номер патента: 786369

Опубликовано: 20.04.2012

Авторы: Будник, Волков, Глушков, Горбач, Делимарский, Дьяков, Зарубицкий, Корюков, Мальцев, Мелехин, Омельчук, Семенов, Сутурин, Яковлев

МПК: C22B 58/00, C25C 3/00

Метки: индия, рафинирования, электролит

Электролит для рафинирования индия, содержащий хлорид индия, хлорид аммония и хлорид цинка, отличающийся тем, что, с целью повышения степени чистоты индия, он дополнительно содержит хлорид лития при следующем соотношении компонентов, мас.%: хлорид индия30-55 хлорид аммония 3-10 хлорид лития2-5 хлорид цинка остальное