Акашкин

Номер патента: 1812237

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Акашкин, Ветошкин, Мандрыгин, Русинов

МПК: C23C 14/24

Метки: вакуумных, испаритель, резисторов, сухих

...ребра на дне тигля относительно температуры в основании ребра, Анализ результатов расчета показывает, что температура в основании . четвертого ребра (точка 4 на графике) отличается от температуры в точке О не более чем на 20, а температура вершины ребра не более чем на 0,20/, отличается от температуры в основании ребра..Тепловая расчетная схема испарителя представлена на фиг.7. На ее основе математическая модель описывается линейным уравнением теплопроводностиСк Ъ - = Ьс( - + - + - -), 1=1,2 (13).(Я СТ 1 ДТ С 2 Тс 1 г (г 2 г ог д 2Используя численный метод решения, получим результаты перепада температуры по толщине резиста вдоль радиуса. При расстоянии между ребрами более 4 мм перепад температур превышает 50 С, Расстояние между ребрами...

Номер патента: 1499573

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Акашкин, Ветошкин, Печенкин

МПК: C23C 14/34

Метки: индия, оксидов, олова, основе, пленок, проводящих, прозрачных

...приводит к росту удельногосопротивления, т,е, в данных режимахстановится существенным процесс трав эления пленки. Так как выдержать время обработки с точностью до секундзатруднительно, то в этих режимахнаблюдается невоспроизводимость повеличине полученного значения удельного .сопротивления до минимальнойвеличины в течение нескольких секунд.В качестве рабочего газа используют азот и/или аргон, которые не, образуют летучих соединений с окислами индия и олова. Использованиедругих газов не обеспечивает достижение положительного эффекта ввидуих реакционной способности; сопровождающейся травлением и образованием летучих соединений, загрязняющихокислы индия-олова.При давлении рабочего газа ниже1 Па происходит. существенное увеличение...

Номер патента: 1467387

Опубликовано: 23.03.1989

Авторы: Акашкин, Ветошкин, Приходько

МПК: G01B 11/06

Метки: нанесения, пленок, процессе, толщины

...нагрева на управляющийвход блока 5 импульсного нагрева исигнал на сиену подложки, С блока 5импульсного нагрева выдается импульстока, раэогревающнй нагревательныйэлемент 6. Свидетель 2, находящийся в контакте с нагревательным элементом 6,нагревается до температурысублимации нанесенной пленки резиста 7 и охлаждается вследствие нагрева пленки реэиста со свидетеля 2,испаряется и полностью удаляется,возвращая тем самым свидетель 2 кисходному состоянию, Нагрев импульсами тока 5-10 А обеспечивает удаление резиста 7 со свидетеля 2 в течение 20-30 с так как температура ихФосублимации не превышает 100-150 С.После нагрева свидетель 2 охлаждает ся к началу нового цикла напыления,С целью снижения инерционноститеплоемкости нагревательного...

Номер патента: 116201

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Акашкин, Змиевский

МПК: B01F 5/04

Метки: газов, жидкостей, смеситель

...жидкость (или газ) ц контактируемая с ней жидкость (или газ) поступают под давлением в кольцевые каналы 1 и 2, проходя которые смешиваются. При дальнейшем движении жидкостей (или газов) с определенной скоростью, в труос 3 благодаря специальному поднутрению торцов тел 4 и 5 завихрения имеет место срыв струи, что приво дит к интенсивному перемешцванию смеси и раздробленшо частиц смешивающихся веществ. Качество смешения определяется ксличе. твом ступеней смесителя. Скорость движения жидкостей (газов) в смесителе регулируется как в щелях корпуса 6 так ц в трубе 3.Изменение скорости движения смсшцваемых веществ в щелях, образованных корпусом кольцевого смесителя 6. конусом 7 ц наконечником 8, осуществляется ввинчиванием...