Люминесцентный материал на основе селенида индия

Номер патента: 1687592

Авторы: Абдинов, Абуталыбов, Гусейнов, Ларионкина, Рагимова

ZIP архив

Текст

(51)5 С 09 К 11/62, 11/88 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР фЕОЮЗНМ апитв-твецрцщ ЙЙБЛИЦТ., ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ф 2 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Институт физики АН АЗССР и Азербайджанский государственный университет им. С,М. Кирова(56) Курбатов Л.Н. и др. - ФТТ, 1970, М 12, вып. 12, с, 3634.Тадеа К, В.ОМЮечч О.М. апб Г. Яп, А 3 бсуеа ЯоИс 3 Ясаке Согпгтгвпсалопа, 1985, ч.53, М 10, р, 877 - 879. Изобретение относится к люминофорам, а именно к люминесцентному материалу на основе селенида индия 1 пЯе, используемого в оптической промышленности и квантовой электронике;Цель изобретения - повышение интенсивности фотолюминесценции 1 пЯе в области спектра 1,30 - 1,32 эВ при 77 К.Люминесцентный материал на основе 1 пЯе получен методом синтеза (вертикальный вариант) исходных компонентов - инд 4 ия, селена и гольмия в откачанных до 10 мм рт.ст. и запаянных кварцевых ампулах. Ампулы нагревают в печи с равномерным распределением температуры до полного сплавления содержимого, выдерживая при 1000 К (ТЫпЯе =960 К) в течение 7 - 8 ч с периодическим перемешиванием, после чего медленно (в течение нескольких часов) охлаждают до комнатной температуры. Для синтеза использованы элементы(54) ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА ИНДИЯ(57) Изобретение относится к люмиг 1 есцентному материалу на основеи Яе, содержащему Но, и позволяет повысить интенсивность фотолюминесценции. Осуществляют синтез материала сплавлением из элементовп, Яе, Но в кварцевой ампуле вертикально в печи при 1000 К и из полученных поликристаллов выращивают монокристаллы методом Бриджмена в виде слитков длиной 45 - 50 мм, диаметром 8 - 40 мм, которые скалывают по плоскостям спайности. 1 табл 1 ил. высокой частоты:1 п марки В-З, Яе марки В,Но-ГО М.99.71.Монокристаллы люминесцентного материала выращены из полученных поликристаллов методом Бриджмена: скоростьперемещения ампулы 1,6 мм/ч, скорость падения температуры вдоль слитка 4 - 5 град/ч,температура зоны перемещения ампулы1000 - 450 К, отжиг при 450 К в течение нескольких часов и последующее охлаждениедо комнатной температуры с указанной выше скоростью, время всего процесса около5 сут. Выращенные монокристаллическиеслитки длиной 45-50 мм, диаметром 8 - 10мм скалывают по плоскостям спайности.С помощью термограмм и дифрактограмм осуществляется контроль од нородности по составу, однофазности,монокристалличности и равномерного распределения по объему примесей, выращенных слитков,(орректор Л. Бескид Заказ 3677 Тираж 407 ВНИИПИ Государственного комитета по изоб 113035, Москва, Ж, РауПодписноеениям и открытиям при ГКНТ С ая наб., 4/5 роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 10 В таблице представлень данные по количеству исходных элементов и, Яе и Но для получения 1 г материала.На чертеже представлены спектры фотолюминесценции при 77 К материала на основе 1 пЯе и с различным содержанием Но. Кривые 1 - 5 соответствуют монокристаллам состава: 1 - 1 пЯе; 2 - 1 пЗе и Но - 0,00001 ат.; 3 - пЯе и Но - 0,0001 ат. о;4 - 1 пЯе.и Но - 0,005 ат,;5; 5-пЗе и Но - 0,01 атУказанные спектры зарегистрированы и ри стационарном возбуждении излучениоем лазера ЛГНБ Я =: 6328 А). Приведенные спектры показывают, чтоинтенсивность фотолюминесценции для1 пЯе с содержанием Но 0,0001 - 0,01 ат.;имеет величину.5 Формула изобретенияЛюминесцентный материал на основеселенида индия, содержащий редкоземельный элемент, отл и чаю щи йся тем,что, с целью повышения интенсивности фо 10 толюминесценции в области спектра 1,30 -1,32 эВ при 77 К, он содержит в качествередкоземельного элемента гольмий приследующем соотношении компонентов,ат,Д: селенид индия 99,99 - 99,9999; голь 15 мий 0,0001-0,0100,

Смотреть

Заявка

4715036, 07.07.1989

ИНСТИТУТ ФИЗИКИ АН АЗССР, АЗЕРБАЙДЖАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. С. М. КИРОВА

АБУТАЛЫБОВ ГАДЖИБАЛА ИБРАГИМ ОГЛЫ, ЛАРИОНКИНА ЛИЛИЯ СЕРГЕЕВНА, ГУСЕЙНОВ АЙДЫН МУСЕИБ ОГЛЫ, АБДИНОВ АХМЕД ШАХВАЛАД ОГЛЫ, РАГИМОВА НАИЛЯ АЛИ КЫЗЫ

МПК / Метки

МПК: C09K 11/62, C09K 11/88

Метки: индия, люминесцентный, материал, основе, селенида

Опубликовано: 30.10.1991

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1687592-lyuminescentnyjj-material-na-osnove-selenida-indiya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Люминесцентный материал на основе селенида индия</a>

Похожие патенты