Способ выращивания монокристаллов тугоплавких материалов и устройство для его осуществления

Номер патента: 1624063

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Багдасаров, Кеворков, Сытин

МПК: C30B 11/00

Метки: веществ, выращивания, кристаллов, тугоплавких

...с возможностью осевого перемещения. Под нагревателем расположены система горизонтальных экранов и гистел 1 а до- -,О, НитЕЛЬНЫХ ЭКраНОВ, ВЫПОЛНг.ННя В форме усеченных конусов с углол 1 раскрытия 9 - 11, установленных на вепем горизонтальном экране раструбами вверх, Получены кристаллы иттрий-алюминиевого Я граната и его модификации. 1 ил,Контеинер 4 с исходным материдгом пол 1 ещают в рабочее пространство коаксиально нагревателю 2 В камере роста 1 создают необходимые температурные условия и давление Выращивание кг)исталлов осуществляют опусканием контейнера 4 через температурный градиент, создаваемый диафрагмой (не указано) нагревателя 2. Часть энергии, излучаемой нагревателем 2, попадает нд внугреннюю повеохносгь конусов 7 и...

Номер патента: 127171

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Бухавцев, Сибилев

МПК: F27B 3/10, F27D 3/02

Метки: вертикальным, каменного, каркасом, кристаллизации, литья, металлическим, обогревом, печь, футеровкой, шамотной

...цель увеличения срока службы желобов, сокращения расхода жаропрочных сталей, а также получения возможности производст. ва кристаллизации при повышенных температурах.Достигается это тем, что печь выполнена с направляющими бами из шамотного кирпича и горизонтальными газопроводящи налами для обогрева изделий.На чертеже показана печь в вертикальном разрезе,Печь, имеющая металлический каркас 1, полностью выполнен щамотного кирпича, включая направляющие желоба 2, которые о но изготовлялись из жаропрочных сталей. При этом, для обогрев делиИ устроены горизонтальные газоподводящие каналы 3. Такое ройство позволяет производить кристаллизацию каменного литья повышенных температурах. желоми каа из быча из- уст- при Предмет изобретения...

Номер патента: 245819

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Ашихмин, Куфтин

МПК: F27B 1/10, F27B 5/10

Метки: вертикальной, внутренний, печи, экран

...приспособление 2 цилиндрической конусообразной формы снабжено ребрами жесткости 3. Внутренний кожух 4 имеет направляющие 5, которые служат для направления введения экрана 1 во внутреннее пространство печи. Нагревательные элементы б закреплены так, что между ними и экраном 1 сохраняется зазор, В верхней части остается свободное пространство между экраном 1 и крышкой 7.При указанной форме внутреннего экрана, как показали промышленные испытания, создается надежная и быстрая загрузка садки в рабочее пространство печи. Воздух засасывается в нижнюю часть печи вентиляторами и прогоняется между экраном 1 и внутренним кожухом 4, нагревается от нагревательных элементов б и поступает в рабочее пространство между крышкой 7 и экраном 1....

Номер патента: 778363

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Зелигман, Малахова, Сытин, Циглер

МПК: C30B 11/10, C30B 29/16

Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методом, окислов, тугоплавких

Способ выращивания кристаллов тугоплавких окислов методом Вернейля, включающий подачу кислорода по внутренним, центральному и соседнему с ним каналам и последующее чередование раздельных потоков водорода и кислорода, отличающийся тем, что, с целью обеспечения более широкого фронта кристаллизации и увеличения за счет этого диаметра выращиваемых кристаллов, скорость истечения кислорода по внутренним каналам поддерживают равной 0,5 - 3,0 м/с, а в каждом последующем внешнем потоке в 1,5 - 4,0 раза большей.

Номер патента: 1496325

Опубликовано: 27.11.2000

Авторы: Детков, Киржайкин, Лебедева, Скачкова, Чунтонов, Яценко

МПК: C30B 11/02

Метки: выращивания, монокристаллов, раствора-расплава

Способ выращивания монокристаллов из раствора-расплава нормальной направленной кристаллизацией, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени процесса, кристаллизацию ведут с переменной скоростью R = min {R1, R2},где R1 - максимально допустимая скорость кристаллизации с устойчивым плоским фронтом, м/с;R2 - максимально допустимая скорость кристаллизации, когда концентрация на фронте ниже эвтектической, м/с,удовлетворяющие выражениямгде G - осевой градиент температуры, К/м;