Патенты с меткой «высокоомного»

Номер патента: 220349

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Кибенко, Чернов

МПК: G01R 17/10, G01R 35/00

Метки: высокоомного, моста, одинарного, поверки

...и применить в качестве сопротивлений звезды серийно выпускаемые меры сопротивления.1-1 а чертеже представлена принципиальная схема устройства.Устройство содержит три меры 1, 2 и 3 сопротивления, звездообразно соединенные между собой. Меры 1 и 2, имеющие одинаковое сопротивление, присоединены к зажимам 4 и 5 измеряемого сопротивления поверяемого моста б, а мера 3 - ко второй заземленной вершине 7 измерительной диагонали моста б, К вершине 7 моста б подключены также экраны 8, 9 и 10 мер 1, 2 и 3 сопротивления.Процесс поверки моста сводится к установке на мерах сопротивления соответствующих значений сопротивления, уравновешиванию моста и сравнению показаний моста с расчетными значениями проводимости (эквивалентного...

Номер патента: 1029234

Опубликовано: 15.07.1983

Авторы: Безверхова, Демин

МПК: H01B 3/02

Метки: высокоомного, грунта, состав

...ионы хлора уничтожаютпленку окислов на стали, увеличиваютанодные повехности и при наличиихороших катодов железобетонныхфундаментов ), усиливают коррсзионные разрушения элементов заземляющих систем. Кроме того, зто довольносложный состав.Известен состав для обработки выоокоомного грунта на основе природногогипса, применяющийся для уменьшенияудельного сопротивления грунта икоррозионного воздействия на заэемпители из черной и оцинкованной стали 2 .Недостатком состава являетсянебольшой эффект снижения сопротивления грунта и антикорразионного .свойства. При добавлении гипса в30грунт сопротивление его уменьшаетсяв среднем только на 60, а защитаот коррозии увеличивается на 14.Пель изобретения - создание состава, обладающего низким сопротивле...

Номер патента: 1104442

Опубликовано: 23.07.1984

Авторы: Косякин, Пчельников, Суслов

МПК: G01R 27/04

Метки: высокоомного, датчик, микропровода, погонного, сверхвысокочастотный, сопротивления

...отверстия для ввода и выводамикропровода, к концам штырей подсоединены отрезки замедляющей линиитипа кольцо-стержень , которые установлены соосно с цилиндрическимкорпусом, причем размеры отрезковзамедляющей линии определяют соотношениямиВ,= - ; Е:(О 1-г)5; а:(О 4-,О,У,15 5 5:(0,-0,8) д, Ъ=(01-ОФ)5,где Г - длина отрезка замедляющейлинии типа кольцо-стержень;в ,расстояние между кольца"ми отрезка замедляющейлинии;внутренний диаметр колецотрезков замедляющей линии;5 - расстояние между.соосными круглыми диафрагмами;д 2 и Ъ - соотЬетственно диаметри толщина соосных круглых диафрагм;20 рабочая длина волны;коэффициент замедленияволны.На фиг.1 приведена конструкцияпредлагаемого датчика, на фиг.225:конструкция отрезка замедляющей линии типа...

Номер патента: 1168871

Опубликовано: 23.07.1985

Авторы: Гаврилин, Григулис, Порис

МПК: G01R 27/00

Метки: высокоомного, диэлектрической, поверхностного, подложке, покрытия, сопротивления

...для контроля и измерения сопротивления квадрата поверхности тонких высокоомных полупроводниковых и других проводящих покрытий на диэлектрических подложках.Цель изобретения - повышение точности путем исключения влияния нарезультат измерений толщины диэлектри 10ческой. подложки.На чертеже приведена структурнаяэлектрическая схема устройства дляизмерения поверхностного сопротивления высакоомного покрытия на 15диэлектрической подложке, реализующего предлагаемый способ.Устройство содержит СВЧ-генератор1, вентиль 2, открытый резонатор 3,образованный подвижным 4 и непод рвижным 5 зеркалами, детектор 6,индикатор 7, диэлектрическую пластину 8, соединенную с виброустройствомЧ, вспомогательный образец 10, выполненный в виде высокоомного...

Номер патента: 1665223

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Егоренков, Либерман, Лобанов

МПК: G01B 7/06

Метки: высокоомного, полупроводниковой, слоя, структуре, толщины

...дЧ/г 11) напряжение выброса не зависит от амплитуды импульсов.Реально существующие толщины 1- слоя, которые необходимо измерять, лежат -в пределах 5-200 мкм, Условно разобьем этот диапазон на 3 поддиапазона от 5 до 30, от 30 до 100 и от 100 до 200 мкм.При осуществлении способа верхнее значение крутизны Яц нарастания импульсов установлено равным 10 В/с(для поддиапазона толщин 1-слоя - равным 5-30 мкм). При больших значениях скорости нарастания напряжения, например, равных 10 В/с, напряжение выброса составит величину 300 В. Для надежного измерения таких сигналов, например, с помощью широкополосных осциллографов требуется не более десятков вольт. Кроме того, и это главное, для малых толщин 1-слоя напряжение выброса необходимо...

Номер патента: 1308076

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Белогуров, Гостило, Лаце, Юров

МПК: H01C 17/00

Метки: высокоомного, резистора, тонкопленочного

...пленку с дельным сопро 5 тивлением (0,3-0,6)10 Ом см, Иэполученной пленки на подложке вырубаютпри помощи фотолитограФии резистионыеэлементы, размеры которых выбирают в зависимости от требуемого номинала рези 10 стара. Та 2 длл резистора 1 ГОм размер3 .15 м 4,После этого проводят напыление подводящих контактов, состоящих из слоев хро.Ма, меди и никеля при температуре 200 С.Сразу после напыления температуру поднимают до 250 С и подвергают подложки изотермическому отжигу в течение 10 мин.После остыоанил подложек до комнатнойтемпературы производят изготовление подводящих контактов методом фотолитографии,. Затем проводят измерение параметроврезисторов: номинала сопротивления, зависимости активной саставляощей импеданса от частоты в...

Номер патента: 1331140

Опубликовано: 10.06.2007

Авторы: Вербицкая, Гринштейн, Гучетль, Еремин, Соболев, Строкан, Шек, Шлимак, Шокина

МПК: C30B 29/06, C30B 31/20

Метки: высокоомного, кремния

Способ получения высокоомного кремния, включающий облучение нейтронами слитка кремния р-типа проводимости и отжиг радиационных дефектов, отличающийся тем, что, с целью получения кремния с удельным сопротивлением, превышающим 50 кОм·см, контрольную часть исходного слитка кремния отжигают при температуре, соответствующей температуре отжига радиационных дефектов, и измеряют в ней изменение концентрации электрически активных центров N, причем для облучения используют слитки с величинами концентрации акцепторной примеси на торцах и