Патенты опубликованные 10.03.2013
Способ выращивания слоев алмаза
Номер патента: 987912
Опубликовано: 10.03.2013
Авторы: Смольянинов, Спицын
МПК: C01B 31/06, C30B 25/02
Метки: алмаза, выращивания, слоев
1. Способ выращивания слоев алмаза на поверхности затравочного кристалла разложением паров углеродсодержащих соединений в потоке водорода, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса и получения монокристаллических слоев, пары углеродсодержащего соединения получают непосредственно в процессе выращивания нагреванием твердого материала, например, графита, расположенного рядом с затравочным кристаллом.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс ведут при нагревании твердого материала до температуры 1500-2500°С, температуре затравочного кристалла 500-1500°С и температурном градиенте между ними 103-107 град/см.
Способ электролитического рафинирования благородных металлов
Номер патента: 1840853
Опубликовано: 10.03.2013
Авторы: Барабошкин, Бычков, Пирогов, Салтыкова, Смирнов, Тимофеев
МПК: C25C 3/34
Метки: благородных, металлов, рафинирования, электролитического
Способ электролитического рафинирования благородных металлов в расплаве хлоридов щелочных металлов, содержащем 1-8 вес.% благородного металла, при 400-850°C, с использованием в качестве анода рафинируемого металла, отличающийся тем, что электролиз ведут в герметичных условиях, в электролите, взятом в количестве 0,5-100 весовых частей на 1 весовую часть анода, при этом соотношение общего количества примесей в аноде (в г-атомах) к общему количеству ионов металла в расплаве (в г-ионах) поддерживают в пределах 0,001-0,4.
Способ упрочнения стекол и стеклокристаллических материалов
Номер патента: 254731
Опубликовано: 10.03.2013
Авторы: Абросимов, Богуславский, Лубочнов
МПК: C03B 27/02
Метки: стеклокристаллических, стекол, упрочнения
Способ упрочнения стекол и стеклокристаллических материалов путем нагрева их до температуры закалки и последующего резкого охлаждения в жидкости, отличающийся тем, что, с целью увеличения охлаждающей способности закалочной жидкости и повышения степени упрочнения, охлаждение ведут в ультразвуковом поле.