Способ получения высокоомного кремния

Номер патента: 1402291

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Михайленко, Мякишев

МПК: A01G 9/26

Метки: облученности, теплицах, температуры

...до 50 Е максимально возможной величины облученности, то дешифратор 25 запускает таймер 27, который формирует импульс соответствующей длительности, который на время своей длительности переводит ключевой элемент 14 в положение в, подключая к блоку 13 сравнения задатчик 15 с мень. шей величиной задающего сигнала по сравнению с задатчиком 16.За время длительности импульса, формируемого таймером 27, на выходе блока 13 сравнения формируется отрицательный сигнал как и в случае пре 1 вышения температуры воздуха в теплице 1 заданного значения. При этом за этот интервал времени уменьшается14022916 температура теплоносителя, поступаю- оперативных изменениях освещенности Щего в систему 2 отопления на величи" в теплице за счет влияния естествен....

Номер патента: 1117521

Опубликовано: 07.10.1984

Авторы: Фогель, Тищенко, Перегон, Коваль

МПК: G01N 27/20

Метки: радиационных, дефектов, точечных, материалах, конструкционных

...тонких пленках металла (конструкционного материала) с тапщинами, соизмеримыми с длиной пробега ионов облучающего потока, собственные и внедренные радиационные дефекты также не разделены.Целью изобретения является повышение точности определения радиационных точечных дефектов внедрения нконструкционных материалах,Указанная цель достигается тем,что согласно способу определения радиационных точечных дефектов в конструкционных материалах по измерению электросопротинления тонких пленок этих материалов н процессе облучения их потоком ионов, измерение 55электросопротинления ведут при температуре Т ц, лежащей в интервалеТ, сТсТ , где Т,- температура отжига дефектов типа Френкеля. Т 8, - температура отжига дефектов внедрения, а энергию облучающего...

Номер патента: 122904

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Глаголев

МПК: G01K 7/16

Метки: поля, условиях, температуры, воздуха, атмосферы, радиационного

...Гр. 171льский отдел Зак 834Подл. к печ, 8.Хг. ираж 890 Цена 25 коп, формационно-иъем 0,17 и, л. ипография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СС Москва, Петровка, 14.ф.,Способ измерения температуры воздуха в условиях радиационного и;ля атмосферы при помощи нескольких одинаковых термосопротивлений, включенных в измерительные мостовые схемы и закрепленных на рамках так, чтобы отвод тепла от них к рамкам через подводящие провода практически отсутствовал, отличающийся тем, что, с целью выяснения влияния на результаты измерений солнечной радиации и непостоянства коэффициента теплообмена между тремосопротивлениями и воздухом, истинную температуру воздуха определяют по температуре и степени подогрева электрическим...

Номер патента: 493660

Опубликовано: 30.11.1975

Автор: Саввакин

МПК: G01K 11/14

Метки: температуры

...линии рентгеновской дифракции, Экспериментальное 15 определение температуры основано на измерении ширины линии рентгеновской дифракции, характеризующей остаточную дефектность извлеченных из зоны измерений порошков,0 В качестве индикаторов служат порошкитугоплавких веществ (карбиды, нитриды, бориды, окислы тугоплавких металлов), у которых температурная область отжига структурных дефектов соответствует области измеряе мых температур, а фазовые превращения отсутствуют.Верхняя граница области измерений 3000 Ксоответствует температуре полного отжига структурных дефектов в наиболее тугоплавких 0 веществах.493660 Составитель В. Афонькин Техред Е. Подурушина Корректор Т. Гревцова Редактор И, Грузова Заказ 142/12 Изд.2016 Тираж 740...

Номер патента: 1728901

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Сагалович, Дехтяр

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводникового, кристалла, качества

...их становится больше, чем на уровнях вакансий, расположенных в запрещенной зоне, В этом случае ток из зоны проводимости, а не с уровней вакансий. В силу этого после достижения температуры Т ее поддерживают постоянной, и при этой температуре измеряют зависимость тока экзоэлектрон ной эмиссии от времени до тех пор, пока значение тока становится постоянным. Для того, чтобы отфильтровать вклад эмиссии электронов с глубоких локальных уровней разных дефектов (кроме вакансий), облучение ведут све 25 30 35 40 45 50 55 том с энергией фотона, необходимой для эмиссии электронов с вакансионных уровней.О концентрации вакансий судят по площади под кривой зависимости тока экзоэлектронной эмиссии от времени, ограниченной осями координат и...