Способ получения высокоомного кремния
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Способ получения высокоомного кремния, включающий облучение нейтронами слитка кремния р-типа проводимости и отжиг радиационных дефектов, отличающийся тем, что, с целью получения кремния с удельным сопротивлением, превышающим 50 кОм·см, контрольную часть исходного слитка кремния отжигают при температуре, соответствующей температуре отжига радиационных дефектов, и измеряют в ней изменение концентрации электрически активных центров N, причем для облучения используют слитки с величинами концентрации акцепторной примеси на торцах
и
удовлетворяющих условию
облучение ведут в однородном нейтронном потоке с интегральной дозой по тепловым нейтронам
отжиг радиационных дефектов ведут в хлорсодержащей атмосфере, а высокоомный участок кремния выбирают в области р-n конверсии слитка.
Заявка
3933552/26, 19.07.1985
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе
Вербицкая Е. М, Гринштейн П. М, Гучетль Р, Еремин В. К, Соболев Н. А, Строкан Н. Б, Шек Е. И, Шлимак И. С, Шокина Е. В
МПК / Метки
МПК: C30B 29/06, C30B 31/20
Метки: высокоомного, кремния
Опубликовано: 10.06.2007
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-1331140-sposob-polucheniya-vysokoomnogo-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения высокоомного кремния</a>
Предыдущий патент: Центробежный экстрактор
Следующий патент: Профилегибочный стан
Случайный патент: Устройство для осушки сжатого газа