Патенты с меткой «этингсгаузена»

Устройство для измерения эдс поперечного эффекта нернста этингсгаузена в полупроводниковых материалах

Загрузка...

Номер патента: 767870

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Сабо, Титаренко

МПК: H01L 21/66

Метки: материалах, нернста, полупроводниковых, поперечного, эдс, этингсгаузена, эффекта

...по ним практически полностью подавлен, так какблок в целом однороден по тепловымсвойствам, что обеспечивается оптимальным соотношением толщин пластиндиэлектрика и металла (10 к - 20).Наличие большого .количества зондов,контактирующих с образцом по двумего оппозитивным граням, позволяетисследовать микронеоднородности вполупроводниках, измеряя распределение четырех кинетических коэффициентов (ЭДС Нернста-Эттингсгаузейа,термо-ЭДС, постоянная Холла, Удельная электропроводность).Держатель с образцом 1 монтируютв вакуумной камере, находящейся взазоре электромагнита. Внешний нагреватель (на чертеже не показан), управляемый автоматическим регулятором, задает требуемую температуруизмерений. Измерения кинетических коэффициентов проводят...