Устройство для контроля параметров полупроводниковых диодов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 773536
Автор: Хотько
Текст
О и -И"Е"А Н И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 220676 (21) 2374411/26-25с присоединением заявки Йф(51)М, Кл 3 С 01 К 31/26 Государственный комитет СССР по делаю изобретений н открытий(088.8) Дата опубликования описания 25108 0(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВИзобретение относится к контролю параметров полупроводниковых диодов, преимущественно к одновременному контролю прямого,надения напряжения и обратного тока силовых полупроводниковых диодов.Известно устройство для одновременного контроля прямого падения напряжения и обратного тока полупроводниковых диодов на переменном токе, включающее трансФорматор со вторичными обмотками и измерители контролируемых параметров 1. Измерения средних значений контролируемых параметров производятся,со сдвигом во време ни на один полупериод переменного тока, питающего схему.Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является устройство для контроля параметров полупроводниковых диодов, содержащее трансформатор со вторичными обмотками, одна из которых через диод и измеритель обратного тока подсоединена к одному из выходных зажимов, диоды, 25 резистор и измеритель прямого падения напряжения 2.Основным недостатком известных устройств является высокая потребляемая мощность, рассеиваемая на по следовательном сопротивлении при пропускании через контролируемый диод тока в прямом направлении.,Цель изобретения - уменьшение потребляемой мощности при одновременном контроле прямого падения напряжения и обратного тока. Поставленная цель достигается тем, что вторичные обмотки трансФорматора выполнены в виде двух пар секций, каждая из пар состоит из последовательно соединенных низковольтной и высоковольтной обмоток, одноименные выводы низковольтных обмоток соединены между собой и через первый резистор подключены ко второму выходному зажиму, точка соединения одной пары обмоток через последовательно соединенные тиристор и первый диод подсоединена к первому выходному зажиму, точка соединения другой пары обмоток через второй диод подсоединена ко второму выходному зажиму, а свободный конец высоковольтной обмотки через третий диод и второй резистор подсоединен к точке соединения тиристора н первого диода.На чертеже приведена принципиальная схема устройства.Устройство состоит из трансформатора Т, с первичной обмоткой 1 и с четырьмя вторичными обмотками 2-5, 3 и4 из которых низковольтные, а 2 и 5высоковольтные; диодов Д 1-Д 4, тиристора Т, резисторов В, измерителейобратного тока А и прямого падениянапряжения Ч . Испытуемый диод подключается к выходным зажимам б и 7так, что прямое направление тока соответствует направлению от зажима бк зажиму 7. При положительной поляр- фности на началах обмоток (обозначенцточками) производится измерение прямого падения напряжения. В этот полупериод тиристор Т открыт, в результате создается цепь протекания прямого тока через испытуемый диоц - начало обмотки 3, тиристор Т, диод Д 1,испытуемый диод, резистор В 1, конецобмотки 3. Токи в остальных обмоткахотсутствуют (обратными токами диодов 2 ОД 2, ДЗ, Д 4 пренебрегаем). Прямое падение напряжения измеряется приборомУ . При смене полярности на вторичных обмотках происходит измерение обратного тока, В данном случае, как ив схеме известного устройства, создаются две цепи тока. Первая цепь - этоцепь, создаваемая низковольтной обмоткой 4 через диод Д 2 и резистор В 1,которая устраняет постоянную составляющую подмагничивания сердечника Мтрансформатора от прямого тока испытуемого диода (определяет симметричную работу трансФорматора). Втораяцепь - цепь измерения обратного токадиода ИД, В эту полуволну напряжения 35тиристор Т закрыт. Напряжение с обмотки 5 через измеритель обратного токаА, диод Д 4, с одной стороны, поступает на анод и через резистор В 1, сдругой стороны,. - на катод испытуемо- Ого диода. Этим напряжением определяется ток циода, фиксируемый измерителем обратного тока А,Для устранения ответвления измеряемого тока через диод Д 1, которыйнаходится в проводящем положении дляобратного напряжения в данный полупериод, служит цепь, состоящая из обмоток 2, 3, диода ДЗ и резистора В 2.Отрицательное напряжение с этих обмоток с амплитудой, равной обратному напряжению, через диод ДЗ и резисторВ 2 подается на анод диода Д 1 и запирает его,Сравнительные испытания данногоустройства. с известным показывают,что потребляемая устройством мощностьснижается вследствие использованиядля формирования измерительных импульсов напряжения различных обмоток(низковольтной и высоковольтной)трансформатора более чем на порядок,Формула изобретенияУстройство для контроля параметровполупроводниковых диодов, содержащеетрансформатор со вторичными обмотками, одна из которых через диод и измеритель обратного тока подсоединенак одному из выходных зажимов, диоды,резистор и измеритель прямого падения напряжения, о т л и ч а ю щ ее с я тем, что, с целью уменьшенияпотребляемой мощности при одновременном контроле прямого падения напряжения и обратного тока, вторичные обмотки выполнены в виде двух пар секций, каждая иэ пар состоит из последовательно соединенных низковольтной.и высоковольтной обмоток, одноименные выводы низковольтных обмоток соединены между собой и через первыйрезистор подключены ко второму выходному зажиму, точка соединения однойпары обмоток через последовательносоединенные тиристор и первый диодподсоединена к первому выходному зажиму, точка соединения другой парыобмоток через второй диод подсоединена ко второму выходному зажиму, асвободный конец высоковольтной обмотки через третий диод и второй резистор подсоединена к точке соединениятиристора и первого диода,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Авторское свидетельство СССРР 114215, кл. С 01 В 31/26, 02.07.57.2. Методы измерения электрическихпараметров полупроводниковых диодови транзисторов на АО 336.006, Отраслевой руководящий технический материал. Иэд-во Гос, комитета по электронной технике СССР, М., 1964 (прототип).773536 в ктор С. Щомак Тираж 1019 Подпи ВНИИПИ Государственного комитета С ло делам изобретений и открытий 113035, МосКва, Ж, Раушская наб., каз 7494/57 д. 4/ нлиал ППП фПатентф, г, Ужгород, ул. Проект Составитель А. ОжередРедактор Т, Кугрышева Техред Е.Гаврилешко
СмотретьЗаявка
2374411, 22.06.1976
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8772
ХОТЬКО ВЛАДИМИР СТЕПАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, параметров, полупроводниковых
Опубликовано: 23.10.1980
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-773536-ustrojjstvo-dlya-kontrolya-parametrov-poluprovodnikovykh-diodov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для контроля параметров полупроводниковых диодов</a>
Предыдущий патент: Устройство для измерения расстояния до места короткого замыкания в электрической сети
Следующий патент: Устройство для определения тока удержания силовых тиристоров
Случайный патент: Разбросная сеялка центробежного типа