Способ измерения модуля и фазы коэффициента отражения полупроводниковых и диэлектрических материалов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 748283
Авторы: Бахтин, Дунаевский, Епишин, Ягудин
Текст
Союз Сфеетскик Социалистических Республик(51)М. Кл.2 С 01 К 27/06 с присоединением заявки Йо(23) Приоритет Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытийДата опубликования описания 150780(71) Заявитель Харьковский ордена Трудового Красного Знамени Государственный университет им. А.М. Горького(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МОДУЛЯ И ФАЗЫ КОЭФФИЦИЕНТАОТРАЖЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХМАТЕРИАЛОВ и Р-(Ь, 1)%-21(Ь гд нимал ко огоАи А ьное экстФфициента двухзероответствен эного дейотверстия,или Ц= 2 соЗмаксимальноеремальные знпрохождениякального резно, т 1 -коэффиствия осесимм 2 кб ;ми чения ткрыт натор иент етрич сполеого Изобретение относится к технике радиоизмерений.Известен способ измерения модуля и фазы коэФфициента отражения полу- проводниковых и диэлектрических материалов путем возбуждения сверхвысокочастотных колебаний в открытом двухзеркальном резонаторе, с внешней стороны одного из зеркал которого, напротив осесимметричного отверстия, размещен исследуемый образец, и из-. мерения коэффициента прохождения указанного резонатора 11 .Недостатком известного способа является большая продолжительность измерений в связи с раздельным определением различными устройствами модуля и фазы коэффициента отражения, а также в связи с необходимостью применения в процессе измерений эталонных образцов.Цель изобретения - сокращение времени измерения.Для этого в способе измерения мо ,дуля и фазы коэффициента отражения полупроводниковых и диэлектрических материалов путем возбуждения сверх- высокочастотных колебаний в открытом двухзеркальном резонаторе, с внешней 30 стороны одного из зеркал которого,напротив осесимметричного отверстия,размещен исследуемый образец, и измерения коэффициента прохождения указанного резонатора, фиксируют двапоследовательных экстремальйых значения коэффициента прохождения приперемещении исследуемого образцавдоль оси открытого двухзеркальногорезонатора и.соответствующие им расстояния.от исследуембго образца доточки пересечения оси указанного резонатора с поверхностью, совпадающейс мнимой отражающей поверхностьюзеркала с осесимметричным отверстиеМ,а модуль й и фазу Ч коэфФициентаотражения определяют по формулам:74828.3 30/32 1 ираж 1019 ЦНИИПИ Государственного комитета СС по делам изобретений и открмтий 113035, Москва, Ж, Раушская наб.
СмотретьЗаявка
2338929, 26.03.1976
ХАРЬКОВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. А. М. ГОРЬКОГО
ЕПИШИН ВЛАДИМИР АНДРЕЕВИЧ, БАХТИН ВИТАЛИЙ ДАВИДОВИЧ, ЯГУДИН ГАДИЙ ХАСЬЯНОВИЧ, ДУНАЕВСКИЙ ГРИГОРИЙ ЕФИМОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 27/06
Метки: диэлектрических, коэффициента, модуля, отражения, полупроводниковых, фазы
Опубликовано: 15.07.1980
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-748283-sposob-izmereniya-modulya-i-fazy-koehfficienta-otrazheniya-poluprovodnikovykh-i-diehlektricheskikh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения модуля и фазы коэффициента отражения полупроводниковых и диэлектрических материалов</a>
Предыдущий патент: Цифровой омметр
Следующий патент: Устройство для измерения добротности магнитнострикционных преобразователей
Случайный патент: Устройство для крепления уголковойнаправляющей противовеса лифта