Патенты с меткой «пленок»

Номер патента: 1820781

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Вискуп, Кабаков, Козлов, Красницкий, Петрович, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: двуокиси, кремния, пленок, формирования

...тем, чтопродувку реактора проводят кислородом ссодержанием озона 2-6 при давлении 5-60Па в течение 3-10 мин при температуре650-770 С,В предлагаемом техническом решенииповышение качества пленки двуокиси кремния обусловлено следующим. Перед осаждением пленки двуокиси кремния проводятпродувку реактора озонированным кислородом при температуре осаждения при соответствующих давлениях и длительности,происходит формирование более совершенного слоя термического окисла, чем припродувке просто кислородом. Кроме того,продувка реактора озонированным кислородом с указанными режимами способствуетболее полному, по сравнению с чистымкислородом, удалению, связыванию илипереводу в неактивное состояние рядапримесей, способствующих коллоидо-...

Номер патента: 1814468

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Кравцов, Лесникова, Макаревич, Сарычев, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического

...трудоемкость из-за необходимости изменения температуры при доращивании. При отжиге подслоя при температуре выше 650 С, давлении более 13,3 Па, времени более 1 мин при соотношении %Р -инертный газ более 1:20 происходит полное потребление 81 из зародьппа на восстановление %Р что впоследствии затрудняет процесс формирования рельефного микрорисунка в нихележащих слоях без масочным травлением и появляются отклонения от куполообразной формы зерен при доращивании, Кроме того, увеличивается трудоемкость процесса из-за необходимости изменения температуры при доращивании,П р и м е р. Осахдение пленок поликристаллического кремния осуществляли5 1814468 на установке Изотрон 4-150 с горизонтальным трубчатым реактором с горячими стенками,...

Номер патента: 1811217

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Кисель, Красницкий, Петрашкевич, Сахон, Турцевич, Шкуть

МПК: C23C 16/00

Метки: газовой, осаждения, пленок, фазы, химического

...паров воды и кислорода вреактор, возрастания неконтролируемогослоя двуокиси кремния и снижения качестваосаждаемых пленок нитрида кремния.При длине корпуса более 5 диаметровреактора не наблюдается дальнейшего улучшения качества осаждаемых пленок нитридакремния при увеличении габаритов установки.При высоте корпуса менее 2 диаметровреактора затруднена загрузка в реактор припомощи автоматизированных систем и обслуживание шлюзовой камеры.При высоте корпуса более 3 диаметровреакторов снижается эффективность затвораиз-за облегчения попадания паров воды икислорода в реакционное пространство и,следовательно, снижается качество нитридакремния, То, что шлюзовая камера выполнена высотой 2-3 диаметра реактора, позволяет...

Номер патента: 1786749

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Афанасьев, Винокуров, Егорова, Олеск, Пряжкин, Таллерчик

МПК: B22F 3/12

Метки: мишени, пленок, тонких

...по предлагаемому, где 1 - керамикаВТСП, 2 - медное основание, На границе между ними образуется тонкий слой 3, обеспечивающий хорошую адгезию мишени к основанию и отвод от мишени тепла в процессе распыления, На фиг,3 изображена конструкция магнетрона, где 4 - магнитопровод, 5 - охлаждающая вода, 6 - мембрана, 7 - прижимная рамка, 8 - области локализации плазмы,Рассмотрим процессы, протекающие при распылении мишени, изготовленной по предлагаемому способу, Плазма разогревает поверхность мишени неравномерно, что приводит к механическим напряжениям. Медное основание выравнивает тепловое поле и благодаря хорошему тепловому контакту к мембране охлаждаемого магнетрона отводит тепло, что позволяет уменьшить эти напряжения. Кроме того,...

Номер патента: 1820782

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Дударчик, Кабаков, Козлов, Красницкий, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: двуокиси, кремния, пленок, формирования

...моносилана при осаждении не превышала 50 см /мин, а закиси азота - 3000 см /мин, Величина давлениязпри осаждении составляла 133,3 Па. Температура при продувке реактора и осаждении составляла 800+1 С (пр, 24-7), 650 С (пр,1), 850 С (пр. 3); в примере 8 температура продувки реактора и осаждения составила 680 С, а в примере 9 - 820 С,Всего проведено 10 процентов.Процесс включал следующие стадии:ПР а ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ размещение кремниевых подложек в продуваемом азотом реакторе;- вакуумирование реактора;- продувку реактора закисью азота; - плавное установление потока моносилана, подачу его в реактор, осаждение 31 Ог;- прекращение осаждения, вакуумирование реактора;подача в реактор кислорода (при достижении необходимой температуры) и...

Номер патента: 1649956

Опубликовано: 10.03.1997

Авторы: Александров, Баранов, Дягилева, Лебедев, Цыганова

МПК: H01L 21/205

Метки: кадмия, оксида, пленок

Способ получения пленок оксида кадмия путем осаждения из парогазовой смеси, содержащей элементоорганическое соединение кадмия и окислитель на поверхность подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности пленок за счет снижения температуры осаждения, в качестве элементоорганического соединения используют диметилкадмий, а в качестве окислителя пары воды, при этом осаждение пленок проводят при атмосферном давлении, температуре подложки 20 40oС, давлении паров диметилкадмий 28 87 мм рт.ст. и давлении паров воды 12 20 мм рт.ст.

Номер патента: 1447182

Опубликовано: 20.03.1997

Авторы: Александров, Селиверстов

МПК: H01G 4/10

Метки: оксидных, пленок, примесей, углеродсодержащих

Способ очистки пленок оксидных материалов от углеродсодержащих примесей, основанный на обработке изолирующей подложки с пленкой оксидного материала в озонокислородной смеси, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры очистки, устранения твердофазного легирования материалом подложки и улучшения диэлектрических свойств, одновременно с обработкой изолирующей подложки с пленкой оксидного материала в озонокислородной смеси проводят ее облучение УФ-светом с длиной волны 240 290 нм под углом 5 90o к подложке, причем концентрацию озона в озонокислородной смеси поддерживают в диапазоне 0,01 - 11,0 об.

Номер патента: 1822560

Опубликовано: 20.06.1997

Авторы: Мартынова, Никулина, Полянская, Семенов

МПК: C07F 3/00, H01B 12/00

Метки: бария, высокотемпературных, дикетоната, комплексы, пленок, полиэфирами, сверхпроводников, циклическими

Комплексы -дикетоната бария с циклическими полиэфирами общей формулыгде R1 R2 CF3, n 4; R1 R2 CF3, n 3;R1 (CH3)3C-, R2=CF3, n 4,для получения пленок высокотемпературных сверхпроводников.

Номер патента: 1737930

Опубликовано: 10.04.1998

Авторы: Носков, Орликов

МПК: C23C 14/32

Метки: вакууме, нанесения, пленок, тонких

Устройство для нанесения тонких пленок в вакууме, содержащее газоразрядную камеру, систему формирования и ускорения потока наносимого материала, импульсный источник питания и подложкодержатель с подложкой, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения надежности работы устройства, газоразрядная камера выполнена в виде спирали, охватываемой корпусом из немагнитного материала с профилем сверхзвукового сопла, открытого в сторону подложки, причем начальный участок спирали подключен к импульсному генератору источника питания, а конец спирали, размещенный у открытой части сопла, заземлен.

Номер патента: 1514046

Опубликовано: 27.11.1998

Авторы: Жижин, Силин, Сычугов, Яковлев

МПК: G01J 3/18

Метки: дифракционный, ик-спектрометр, исследования, пленок, тонких

Дифракционный ИК-спектрометр для исследования тонких пленок, содержащий оптически связанные источник зондирующего излучения, выполненный в виде преобразователя объемного излучения в поверхностную электромагнитную волну, держатель образца, решеточный диспергирующий элемент, выполненный в виде периодически гофрированного участка на металлизированной плоскости пластины и имеющий период, соответствующий условию отражения Брэгга, и приемник излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и уменьшения габаритов, спектрометр дополнительно содержит коллимирующую и фокусирующую системы, выполненные в виде цилиндрического вогнутого зеркала, через которое оптически связаны источник дозирующего излучения, решеточный диспергирующий...

Номер патента: 1600564

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Журавлев, Кислецов, Кусочек, Яббаров

МПК: H01G 4/08

Метки: диэлектрической, пленок, подложке, сегнетоэлектрических

Способ получения сегнетоэлектрических пленок на диэлектрической подложке, включающий нанесение на подложку слоя порошка сегнетоэлектрика и последующую термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и упрощения процесса, в качестве диэлектрической подложки используют полимерную пленку, при этом, порошок используют с размерами частиц, выбранными из соотношенияd = (0,1 - 0,0025)h,где d - диаметр частиц порошка;h - толщина полимерной пленки,а термообработку осуществляют однородным скользящим по поверхности подложки разрядом с объемной энергией (2 - 3) х 105 Дж/м3, числом импульсов 5 - 6, частотой следования импульсов 5...

Номер патента: 1816001

Опубликовано: 10.06.1999

Автор: Менцер

МПК: C23C 16/16, C23C 16/54

Метки: железа, магнитного, носителя, оксида, пленок, тонких

1. Способ получения магнитного носителя из тонких пленок оксида железа химическим осаждением из паровой фазы путем разложения пентакарбонила железа в окислительной среде на подложке при температуре 250 - 450oC при фиксированном отношении давления продуктов реакции разложения к парциальному давлению кислорода и давлении в камере осаждения 10-2 - 1,0 мм рт.ст. при непрерывном удалении из нее газообразных продуктов, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости, коррозионностойкости и магнитных свойств пленок, в паровую фазу дополнительно вводят летучее соединение кобальта, осмия или цинка, а в качестве окислительной среды используют влажный кислород и процесс...

Номер патента: 1135223

Опубликовано: 27.06.1999

Авторы: Веревкина, Субботин, Табатадзе

МПК: C23C 14/00

Метки: ионно-плазменного, металлических, нанесения, пленок, тонких

Способ ионно-плазменного нанесения тонких металлических пленок преимущественно на полиэтилентерефталатную подложку путем распыления ионами аргона в вакууме материала мишени и осаждения его на движущуюся подложку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет улучшения их оптической прозрачности, электропроводности и адгезии к подложке, осаждение ведут при плотности тока разряда 0,8 - 1,2 мА/см2 и скорости осаждения распыляемого материала 0,37 - 2,1 10-7 г/см2 с, при этом скорость движения подложки составляет 1...

Номер патента: 1400464

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Балмашнов, Голованивский, Иванов, Омельяновский

МПК: H05H 1/00

Метки: аморфного, гидрогенизированного, кремния, нанесения, пленок

1. Устройство для нанесения пленок аморфного гидрогенизированного кремния, содержащее магнитную систему, вакуумную систему, подложкодержатель, источник высокочастотной энергии и резонатор с отрезками запредельных волноводов, отличающееся тем, что, с целью увеличения скорости осаждения пленок при уменьшении энергозатрат на поддержание магнитного поля и повышения коэффициента использования исходного материала путем создания в резонаторе плазмы с плотностью выше критической и поддержания ее в условиях верхнегибридного резонатора, устройство дополнительно содержит диэлектрическую вакуумную трубу, охватываемую резонатором, расположенную соосно с последним, и коаксиальные относительно вакуумной...

Номер патента: 1227048

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Дроздов, Носков, Сухих, Цейтлин

МПК: H01L 21/26

Метки: двуокиси, диэлектрических, кремния, низкотемпературных, пленок

Способ обработки диэлектрических низкотемпературных пленок двуокиси кремния, полученных осаждением из газовой фазы, включающий отжиг при температуре роста пленки, не допуская контакта пленок с парами воды от начала отжига, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа при одновременном повышении качества, пленки облучают ионами дозой 5 - 1014 - 1016 cv-2 на глубину от 100 до h/2, где h - толщина пленки, не допуская контакта пленок с парами воды до конца ионного облучения.

Номер патента: 830962

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Герасименко

МПК: H01L 21/205

Метки: наращивания, пленок, полупроводниковых, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых пленок на монокристаллической подложке, включающий нанесение слоя металла на поверхность подложки, нагрев до температуры эпитаксии и введение компонентов ростового вещества в расплав из сепарированного ионного пучка, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок и предотвращения испарения летучих компонентов, наносят на слой металла защитную пленку, стабильную в условиях наращивания.

Номер патента: 1471900

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гершинский, Миронова

МПК: H01L 21/66

Метки: окисных, пленок, толщины, тонких

Способ измерения толщины тонких окисных пленок, включающий приведение исследуемой пленки в контакт с электролитом и пропусканием через образовавшуюся систему тока, отличающийся тем, что, с целью расширения класса исследуемых материалов, исследуемую пленку используют в качестве анода, подают на нее линейно изменяющийся во времени потенциал, измеряют вольт-амперную характеристику исследуемой пленки, определяют напряжение Uо, соответствующее началу скачкообразного возрастания тока, и рассчитывают толщину d исследуемой окисной пленки по формуле d = Uо/Еd, где Еd - дифференциальный напряженность электрического поля исследуемой окисной пленки.

Номер патента: 1225431

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Могильников, Репинский

МПК: H01L 21/318

Метки: кремния, нитрида, осаждения, пленок

Способ осаждения пленок нитрида кремния, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование и подачу в зону осаждения парогазовой смеси тетрахлорида кремния и аммиака при пониженном давлении, отличающийся тем, что, с целью безотходного использования реагентов, исключения загрязнений атмосферы и исключения использования инертного газа-носителя, парогазовую смесь формируют, подавая пары тетрахлорида кремния в возвратно-циркулирующий поток аммиака, причем общее давление в зоне осаждения поддерживают постоянным подачей в нее аммиака.

Номер патента: 1127486

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Михайлов, Мищенко, Щекочихин

МПК: H01L 21/36

Метки: выращивания, пленок, полупроводниковых, соединений, эпитаксиальных

Способ выращивания эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений, включающий испарение соединения в вакууме с последующим адиабатическим расширением пара, ионизацию пара, его ускорение электрическим полем, осаждение пленки на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения эпитаксиальных пленок неконгруэнтно-испаряющихся многокомпонентных полупроводниковых соединений с заданным изменением стехиометрического состава по толщине пленки, пары испаряемых отдельно компонентов смешивают перед их адиабатическим расширением.

Номер патента: 1679915

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Балашов, Букин, Плесский

МПК: B05C 3/02, H01L 21/47

Метки: мономолекулярных, нанесения, пленок, подложку

1. Устройство для нанесения мономолекулярных пленок на подложку, содержащее ванну для рабочей жидкости, средства слива рабочей жидкости из ванны и держатель подложки, отличающееся тем, что, с целью повышения качества наносимых пленок, две противоположные стенки ванны выполнены наклонными к ее днищу, а две другие боковые стенки взаимно параллельны и перпендикулярны днищу, причем держатель подложки установлен на одной из наклонных стенок ванны с возможностью размещения подложки в плоскости этой стенки по всей ее ширине, а углы наклона стенок связаны между собой соотношениемcos +sin

Номер патента: 1485972

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Марченко, Никулов, Розенфланц, Старков

МПК: H01L 39/24

Метки: ниобия, пленок, сверхтонких

Способ получения сверхтонких пленок ниобия, включающий напыление и анодное окисление, отличающийся тем, что, с целью повышения временной стабильности пленок, анодное окисление первоначально проводят при плотности тока, не превышающей 0,3 мА/см2, до достижения заданной толщины пленки, а затем в режиме постоянного напряжения в течение 30 - 40 мин.

Номер патента: 1632313

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Касумов, Матвеев, Матвеева, Черных

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводников

Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников, заключающийся в нанесении на кристаллическую подложку пленки высокотемпературного сверхпроводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения структурных свойств, в качестве материала кристаллической подложки используют сплав висмута и сурьмы при следующем соотношении компонентов, ат. %:Sb - 10-5 - 23Bi - Остальное

Номер патента: 1593188

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Балыбердин, Кузнецов, Ларионов, Окунев, Покровский, Христофоров

МПК: C08J 9/00, C08K 13/02, C08L 23/06 ...

Метки: композиция, пленок, пористых

Композиция для получения пористых пленок, включающая полиэтилен, окись кремния и ксилол, отличающаяся тем, что, с целью повышения прочности и снижения электрического сопротивления пленок, она дополнительно содержит графит и бутилцеллозольв при следующем соотношении компонентов, мас.%:Полиэтилен - 18,6 - 19,5Окись кремния - 4,7 - 4,9Графит - 2,3 - 2,5Ксилол - 29,4 - 31,1Бутилцеллозольв - 42,9 - 44,1

Номер патента: 1389245

Опубликовано: 20.04.2000

Авторы: Балыбердин, Бессонова, Выборнов, Дамаскин, Кузнецов, Ларионов, Окунев, Покровский, Русин, Христофоров, Шиплецова

МПК: C08K 3/36, C08K 5/04, C08L 23/06 ...

Метки: композиция, пленок, полимерная, пористых

Полимерная композиция для получения пористых пленок, включающая полиэтилен высокого давления и ксилол, отличающаяся тем, что, с целью увеличения общей пористости, прочности, снижения электросопротивления пленок, она дополнительно содержит осадитель - циклогексанол или циклогексанон и аэросил с удельной поверхностью 175 - 200 м2/г при следующем соотношении компонентов, мас.%:Полиэтилен высокого давления - 13,6 - 19,0Ксилол - 15,0 - 25,0Аэросил - 3,0 - 5,0Циклогексанол или Циклогексанон - 58,4 - 61,0

Номер патента: 1832699

Опубликовано: 27.04.2000

Авторы: Галямина, Христофоров

МПК: C08J 9/00, C08K 13/02, C08L 23/04 ...

Метки: композиция, пленок, пористых

Композиция для получения пористых пленок, включающая полиэтилен, о-ксилол, бутилцеллозольв, окись кремния и графит, отличающаяся тем, что, с целью повышения прочности, она дополнительно содержит сополимер этилена с винилацетатом при следующем соотношении компонентов, мас.%:Полиэтилен - 7,40 - 9,25Сополимер этилена с винилацетатом - 9,25 - 11,10Окись кремния - 4,60 - 4,80Графит - 2,70 - 2,90о-Ксилол - 26,60 - 29,60Бутилцеллозольв - 44,40 - 47,40

Номер патента: 615787

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Александров, Ловягин

МПК: H01L 21/31

Метки: пленок, твердых

Способ получения пленок твердых материалов путем распыления материала мишени ионами инертного газа с последующим осаждением на подложку в высоком вакууме триодной системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества наносимых пленок, на подложку подают потенциал термокатода, к мишени прикладывают напряжение 500 - 1000 В относительно подложки, а плазму формируют в области под подложкой, при расстоянии между подложкой и мишенью 0,5 - 1 см.

Номер патента: 1307905

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Васин, Неизвестный, Шумский

МПК: C30B 23/08

Метки: пленок, растворов, твердых

1. Способ получения пленок твердых растворов, включающий напыление на подложку из молекулярного пучка элементов твердого состава, образуемого при их нагреве в источниках, в сверхвысоком вакууме, отличающийся тем, что, с целью получения пленок с заданным профилем химического состава по толщине, на поверхность растущей пленки направляют монохроматический электронный пучок с энергией, в 1,5-3 раза превышающей энергию возбуждения характеристического рентгеновского излучения наиболее тяжелого химического элемента твердого раствора, под углом к поверхности подложки 1-5o, регистрируют возбуждаемый в поверхностном слое пленки спектр рентгеновского излучения, сравнивают отношение...

Номер патента: 1316304

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Богатырев, Щекочихин, Яценко

МПК: C23C 14/54

Метки: варианты, его, нанесения, пленок, тонких

1. Способ нанесения тонких пленок, включающий вакуумирование рабочего объема и формирование пучка атомов осаждаемого материала, отличающийся тем, что, с целью повышения чистоты пленок, пучок облучают монохроматическим световым потоком, резонансно-поглощаемым атомами осаждаемого материала или атомами примеси, причем, если длина волны светового потока соответствует резонансному поглощению атомами осаждаемого материала, световой поток направляют навстречу пучку атомов и облучение проводят в режиме, обеспечивающем соотношение Eu Ea

Номер патента: 1144566

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Берлин, Колоскова, Нисневич, Попова, Почуева

МПК: H01L 21/316

Метки: алюмосиликатного, локальных, пленок, создания, стекла

Способ создания локальных пленок алюмосиликатного стекла на поверхности кремниевой пластины, включающий осаждение пленки по всей площади пластины, формирование на пленке маски из фоторезиста, травление пленки при температуре 15 - 30oC в водном растворе фтористоводородной кислоты, фтористого аммония и ортофосфорной кислоты и удаление фоторезиста, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества рисунка пленок алюмосиликатного стекла толщиной 0,3 - 1,5 мкм при содержании в нем окисла алюминия 7 - 70 мас.%, травление проводят при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Фтористый аммоний - 13 - 18Фтористоводородная кислота 49o - 4 - 7

Номер патента: 1056815

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Бротиковский

МПК: H01L 21/316

Метки: защитных, кремния, пленок, поверхности, свинцово-силикатных

Способ изготовления защитных свинцово-силикатных пленок на поверхности кремния, включающий нанесение на поверхность кремния слоя порошка окиси свинца, оплавление порошка и последующий отжиг пленки при 500oC, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности свойств пленок путем управления их составом, порошок окиси свинца наносят слоем толщиной 0,06 - 0,5 мм, а оплавление проводят при 750 - 900oC в течение не менее одного часа.