Патенты с меткой «пленок»

Номер патента: 1812125

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Давыдов, Моисеев, Панферов, Яруллин

МПК: B29C 55/14

Метки: двухосной, ориентации, пленок, полимерных

...которая связана с датчиком углового перемещения компенсатора 5, являющегося средством синхронизации скоростей устройств ориентации.Установка работает следующим образом,Исходная полимерная пленка 17 подается в устройство продольной ориентации 1, где вытягивается в продольном направлении.После устройства 1 посредством группы зажимных быстровращающихся валков 2 продольноориентированная пленка через валок 5 компенсатора и дополнительную группу зажимных валков 8 и 9 подается в устройство поперечной ориентации 7, где она с помощью перемещающихся от привода 15 двух бесконечных ветвей клуппных цепей 14 последовательно транспортируется через функциональные зоны и вытягивается в поперечном направлении,После устройства 7 двухосноориентированное...

Номер патента: 1813057

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Йозеф, Норберт, Райнер

МПК: B65B 53/06

Метки: кожухов, которыми, обернут, пленок, предметов, рама, термоусадочному, термоусадочных, устройству, штабель, электрообогревом

...стержня лежат примерно в той же плоскости поперечного сечения поперецины 1 рамы. Униполярные соединительные концы 14 или 15 нагревательных стержней, расположенных в участках 8, 9 шахтного ствола 4, соединены друг с другом шинами 16, Электроснабжение шин проис браженном исполнении вниз под углом 55 около 30 к горизонтали, Верхний направляющий щиток 24 короче нижнего направляющего щитка 25, Не изображено, что угловое положение по крайней мере одного из направляющих щитков 24, 25 может быть изменяемым, В данном случае и щелевое 10 1520 2530 354050 ходит по проводам, проложенным в кабельном канале 17, расположенном с внешней стороны на поперечине 1 рамы,Нагревательные стержни укреплены с помощью своих О-образных колен 12, 13, на...

Номер патента: 1814665

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Багмут, Николайчук

МПК: C23C 14/28

Метки: аморфных, металлических, пленок

...эффекта (получение и стабилизация аморфной фазы) в изобретении,заключается в том, что испарение и конденсация осуществляются в среде малоактивного по отношению к распыляемомуметаллу газа.Предварительно в испарительной камере создают высокий вакуум (давление 10-5Па), что исключает загрязнение рабочей газовой среды нежелательными примесямивоздуха, Далее в испарительную камеру напускают газ до давления Р=90 - 130 Па. Газ не должен образовывать химсоединения с распыляемым металлом. Выбор газовой среды определяется способностью металла к хемосорбции. Классификация металлов по их способности к хемосорбции приведена в таблице,Согласно таблице при напылении Со для получения аморфной пленки такие газы, как 02; Й 2, Нг не подходят,...

Номер патента: 1816288

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Беришвили, Гадахабадзе, Схиладзе

МПК: C23C 14/35

Метки: вакууме, ионно-плазменного, многокомпонентных, нанесения, пленок

...систем ионна-плазменного напыления иэ заявки-прототипа,Остальные исходные данные (количественное соотношение компонентов в пленке) взяты иэ целей задачи получения многокомпонентнцх покрытий, либо являются справочными (1, 01, Р )Отметим также, что данные, приведенные в заявке в таблицах 1 и 2, подтверждены конкретнцми практическими расчетами и экспериментальными результатами.Ниже для наглядности приведен пример расчета возможных конструкций мишени с разной степенью дробления колец из одного и того же компонента для получения трехкомпонентной пленки с заданным стехиометрическим составом:А 158 Т 114 5128.Здесь за основу мишени был взят алюминий, Общие размеры мишени взяты прежними (В = 40 мм, го = 13,46 мм). Остальные исходные данные,...

Номер патента: 1818362

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Авербах, Князьков, Скуратов, Яценко

МПК: C30B 29/50, C30B 7/14

Метки: кадмия, пленок, сульфида

...такие частицы, для которых свдиментация еще очень мала, свойства раствора еще близки к свойствам истинных растворов и условия зарождения, адгезии и роста пленок оптимальны: пересыщения невелики, зародыши малы поразмерам и равномерно распределены вобъеме раствора и по поверхности подложки, что и способствует повышению адгезии и качества пленок. Такие условия создаются как бы самопроизвольно в той части реакционного объема, который находится под подложкой в случае ее горизонтального илинаклонного расположения, т.е, защищен подложкой, Аналогичное воздействие на процесс роста пленок, по мнению заявителя, можно создать путем наложения на реакционный объем центробежного поля с определенной величиной ускорения на начальном этапе процесса...

Номер патента: 1820304

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Рыжиков, Скарлыгина, Фискинд

МПК: G01N 17/00

Метки: заданной, конденсатных, осаждения, пленок, толщины

...и емкостью.Способ реализован на установке, принципиальная схема которой приведена на чертеже,На внутреннюю сторону предварительно снятой крышки 1 с помощью микропидетки наносили рассчитанную порцию воды 2, после установки крышки на основание 3 из гидрофобного материала (фторопласт) крышку нагревали электронагревателем 4, а образец 5 охлаждали до температуры ниже соответствующей точки росы с помощью пропускаемой через него воды с заданной . температурой. Температуру испарителя и(57) Изобретение относится к осаждению конденсатных пленок заданной толщины на поверхности исследуемого обьекта, установленного в герметичной емкости с водой в атмосфере ее паров и охлаждаемого ниже температуры точки росы. С целью сокращения трудоемкости в...

Номер патента: 1822504

Опубликовано: 15.06.1993

Авторы: Гаврилюк, Кошкина

МПК: H01F 10/06, H01F 10/08

Метки: магнитостатически, пленок, связанных

...подложку методом термического испарения сплава.70 Ге - 30 й получают пленку толщиной 0,1 мкм, являющуюся однофазной(а- фаза). Микроструктура таких пленок представляет собой конгломерат разориентированных кристаллитов размером 50 - 100 А. Последующая термическая обработка приводит к образованию некоторого количества у ферромагнитной фазы в виде областей размером 1500-7000 А, Варьировать условия формирования у фазы. которые определяют размеры этих областей, можно, используя различные скорости нагрева пленок и длительности их отжигав, Ка полученный магнитожесткий слой нвпь зяют слой магнитомягкого материала ионно1822504 Формула изобретенияСпособ получения магнитостатически связанных пленок, включающий нанесение на диэлектрическую...

Номер патента: 1825805

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Дубицкий, Жубанов

МПК: C08G 61/12, C08G 73/00, C08J 5/18 ...

Метки: пленок, полимерных, электропроводящих

...ведут 24 ч, после чего мембрана становится черного цвета за счет полимеризации пиррола в ее порах.После этого мембрану многократно промывают дистиллированной водой для удаления избытка солей железа и непрореагировавшего пиррола и сушат 8 часов при комнатной температуре в закрепленном состоянии для предотвращения сморщивания. Удельная электропроводность полученной композиционной пленки 4 з/см. +5 при 20 С.Г р и м е р ы 2-6. Способ осуществляют по методике примера 1 с различными окислительными агентами. Свойства пленок представлены в табл,1.П р и м е р 7. В тефлоновом диализном устройстве закрепляют круглую мембрану из ацетата целлюлозы диаметром 5 см, предварительно набухшую в воде, В нижнюю часть диализного устройства заливают 10 мас.,ь...

Номер патента: 1040980

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Бутырин, Дикарев, Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: диэлектрических, ионно-химического, кремниевых, кремнийсодержащих, пленок, подложках, травления

...перехода парагелия из состояния (1 Я - 8 ) в метастабильное состояние 2 Я (Я ) или 19,82 эВ для перехода в состояние 2 Б (3 Я) -для ортогелия, а также для атомов неона - 10,30 эВ при переходе2 р - 8 о -+ 3 р 1/21Для других инертных газов энергия тушения возбужденных атомов значиЬтельно ниже 1 б эВ и недостаточна для ионизации молекул Фтористого водо". рода.Таким образом, введением во входящии газовый поток, содержащий фтористый водород и водород, неона или гелия обеспечивают увеличенное образование ионов НР" в общем ионном потоке.5 104409В дальнейшем положительные ионы переводят преимущественно в молекулярное состояние путем соэрания объемного отрицательного заряда электронов в пространстве реакционной камере между плазменным разрядом.и...

Номер патента: 1828455

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Максимов, Соловьева

МПК: C03C 3/07, C03C 8/24

Метки: ионноплазменного, напыления, пленок, подложки, стекло, тонких, ферритовые

...0,1 - 0,3 мкм в рабочем зазоре шириной 0,3 мкм на участке его длины в 100 мкм,Стекло синтезируется при температуре 1300 С в платиновом тигле, Обладает хорошими варочными свойствами. Отлитые из него диски - мишени содержат незначительное количество пузырьков, однородны, не растрескиваются при их распылении. Стекло химически устойчиво, обладает высокой адгезией к ферриту и напыляемой на него пленке Я 02. Температура спаивания ферритовых элементов посредством напыленной пленки этого стекла, не превышает 720 С,Кроме того, достигается существенное повышение однородности, Как видно из таблицы, полости (пузырьки) в зазоре совершенно отсутствуют, чего нельзя сказать в отношении прототипа. Исследование пленки под микроскопом показалотакже...

Номер патента: 1828878

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Белянин, Бесогонов, Ефремов, Пащенко

МПК: C23C 14/56

Метки: вакуумная, камера, нанесения, пленок

...что оптимальная жесткость создается именно таким расположением ребер жесткости и соотношением толщин,Устройство работает. следующим образом,При закрывании крышки ее внутренняя поверхность, имеющая радиус Р 1, прилегает к эластомерному .уплатнениа, внешняя кромка которого имеет радиус йз, и при дальнейшем закрывании дефоамирует уплотнение до достижения им 0,72 первоначальной толщины, что обеспечивает качественное уплотнение, Для придания крышке жесткости и устойчивости при а 1- качке иэ нее воздуха на ней установлены ребра жесткости. При этом жесткость центральной части крышки. выполненной в виде части цилиндрической панели, повышается при помощи трех ребер жесткости, причем одно из них проходит через центр контура, ограниченного г 1...

Номер патента: 1832135

Опубликовано: 07.08.1993

Авторы: Горшков, Павлов, Романов, Царева

МПК: C23C 14/48

Метки: пленок, сверхпроводящих

...стимулируется воздействием упругих волн, сопровождающих ионное облучение, Уменьшение энергии ионов ниже 30 кэВ не позволяет получать упрочненный аморфный слой в сверхпроводящей пленке достаточной толщины. При увеличении энергии ионов выше 80 кэВ сверхпроводящие свойства пленок ухудшаются, что связано с значительным увеличением толщины аморфного несверхпроводящего слоя и вследствие этого уменьшением толщины сверхпроводящей пленки.1 Я 32135 Составитель О. ГоршковТехред М,Моргентал Корректор Н. Ревская Редактор Заказ 2604 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035,Москва.Ж-З 5, Раушская наб., 45 Производственно-издательский комбинат "Пвтент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 П р и м е р,...

Номер патента: 1832136

Опубликовано: 07.08.1993

Авторы: Егоров, Темиров

МПК: C23C 16/40

Метки: ванадия, двуокиси, диэлектрической, пленок, подложке

...температура Т 2 На фиг.2изображена кривая гистеразиса коэффици.ента отражения от нагреваемой пленки.Способ реализуется следующим образом,40Предварительно подготовленные подложки помещаютсл в зону осажденил реактора, а необходимое количествометаллоорганическоо со дине иил ванадия- в зону испарения, Геатор откаливается,устанавливаются необходимые потоки смеси инертного газа и кислорода, устанавливаетсл рабочее давление в реакторе,Вклкчаетсл печь эоны осаждения и проводится предварительнал термообработкаподложек, Устанавливается необходимаятемпература подложек Т 2, при которой проводят процесс осаждения Ч 601 з, Включается печь зоны испарения, устанавливаетсянеобходимал температура Т 1 и проводитслпроцесс выращивания пленок Чв 01 з....

Номер патента: 1835522

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Ануфриев, Гасанов, Титов, Филимонов, Ходос, Чурин

МПК: G01R 27/02

Метки: бесконтактного, пленок, полупроводниковых, удельного, электросопротивления

...колебательного контура к вносимым потерям и повысить точность измерения удельного электросопротивления полупроводниковых пленок. Полупроводниковая пленка, расположенная на обкладках измерительного конденсатора, представляет собой дополнительную обкладку, обладающую своим удельным сопротивлением,Существенными признаками данного способа являются помещение измеряемой пленки на дополнительный измерительный конденсатор, выполненный в виде двух обкладок, расположенных в одной плоскости с небольшим зазором; измерение добротности колебательного контура с образцомнастроенного в резонанс; сравнение добротностей колебательных контуров с образцом и без, настроечных в резонанс; выбор частоты измерения в области максимальной чувствительности...

Номер патента: 1836487

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Витторио, Джанфранко, Джованни

МПК: C23C 14/00

Метки: вакууме, гидрида, металла, металла,полученной, нанесения, пленки, пленкой, пленок, полученной, применение, способом, субстрата

...образец4 +с энергией 2,2 МеЧ и под углом 750. Как известно, эти два метода позволяют 50 определить концентрацию атомов в см, в результате чего можно сразу подсчитать стехиометрию гидрида, В данном случае получили величину соотношения Н/Т в интервале от 1,7 до 2. 55Анализ пленки при помощи малоуглового рентгеновского излучения подтвердил присутствие одной фазы гидрида титана, тогда как негидрированный титан имеет гексагонал ьную кристаллическую решетку. Анализ с помощью Оже-спектроскопиипоказал, что кислород содержится только ввиде примеси с концентрацией менее 1 ф,П р и м е р 2. На субстрат, представляющий собой стеклянную пластину размерами 5 х 5 см, была осаждена пленка гидрида титана при помощи того же оборудования и тем же...

Номер патента: 1837361

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Грязев, Нестеренко, Талуц

МПК: G11C 11/14

Метки: гранатовых, границ, доменных, пленок, подвижности, феррит

...селектора 12 формируются строчныесинхроимпульсы (фиг,2 в) с периодом повторения 64 мкс, а на втором выходе - кадровые синхроимпульсы (фиг,2 б) с периодом 20 мс."5 Кадровый синхроимпульс устанавливает триггер 16 в единичное состояние(фиг.2 д) и одновременно перепадом Гзапускает одновибратор 23, на выходе которого формируется импульс низкого логического уровня 20 (фиг.2 г), длительность которого регулируется в пределах 0-20 мс. После окончания этого импульса на выходе одновибратора 23 появляется высокий уровень, разрешающий прохождение строчных синхроимпульсов 25 через элемент И 19. При этом первым жеимпульсом с выхода элемента.И 19 триггер 16 перебрасывается в нулевое состояние, в результате чего на выходе элемента И 19 формируется...

Номер патента: 1838130

Опубликовано: 30.08.1993

Автор: Гладилов

МПК: B29C 65/02

Метки: пакетов, пленок, сварки, термопластичных

...числа вариатора, количество элементов 19 взаимодействия с конечнымвыключателем 20 и количества импульсов,заданного нэ реле счета 31 можно получатьпакеты любой ширины,Требуемая ширина пакета рассчитывается по формулеС1 и К К Кипэгде Ь - требуемая ширина пакета,С - длина окружности ролика механизма подачи 7,Кп - передаточное отношение вариатора,К - количество элементов взаимодействия 19, установленных на шкиве 18,Ки - число импульсов, заданное на реле31 счета импульсов,П р и м е р 1. Нужно получить пакетшириной 450 мм.Длина окружности ролика механизмаподачи 7 постоянна и равна 300 мм,Вариант 1.Устанавливаем Кп =. 1: Кэ = 2; Ки = 3, тогда1 и -х 3= 450 мм3001 х 2Вариант 2,Устанавливаем Кп 2, Кэ = 1, Ки = 3, тогда1 и = х 3 = 450 мм3002 х...

Номер патента: 1838359

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Аверченко, Алякринская, Залесская, Ибрагимова, Кузьмин, Февралев

МПК: C09J 175/08

Метки: алюминиевой, композиция, пленок, полимерных, полиуретановая, склеивания, фольгой

...1,8-6,0Растворитель 45-50Использование клеевой композиции форполимера на основе 4,4-дифенилметан 1диизоцианата и полиоксипропиленгликоля позволяет получать более низковязкую клеевую систему эа счет чего снижается количество растворителя с 65-75 мас,ч. (как в прототипе) до 45-50 мас.ч. без увеличения условной вязкости клея.В изобретении используется новый компонент - форполимер с концевыми изоцианатными группами, который получают взаимодействием 4,4-дифенилметандиизо 1цианата и полиоксипропиленгликоля с1838359 Состав Наименование дифенилметандиизоци сложных полиолов, лиоксипропиленглико мас. ч.44,06,0 45,0 енгликоль, мас итель этилацемас.ч.я вязкость клее иции по ВЗ2,8 аство словн 0 вои ко 13,5 15,0- свежеприготовленн - через 24 часа...

Номер патента: 1838455

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Гнеденков, Гордиенко, Скоробогатова, Хрисанфова

МПК: C25D 11/02

Метки: бария, нанесения, пленок, титаната

...проницаемости пленки в целом, что вносит свой вклад в повышение сегнетоэлектрических свойств пленки.45 После вакуумно-термической обработки значения диэлектрической проницаемости увеличиваются до 1108, проводимость с 5 10 до 1,8 104 (Ом см), при этом на материале полученной пленки наблюдается 50 диэлектрическая петля гистерезиса, являющаяся наиболее важноф характеристикой сегнетоэлектрика, При температуре Кюридиэлектрическая проницаемость таких пленок возрастает до 11000 (соответственно улучшаются их сегнетоэлектрические свойства).Нижний предел температуры вакуумнотермической обработки обусловлен значением энергии связи кислородсодержащихионов на поверхности пленки. При температуре отжига в вакууме меньше 300 С десорбция ионов...

Номер патента: 2000209

Опубликовано: 07.09.1993

Автор: Васильев

МПК: B29C 65/18

Метки: пленок, полимерных, портативное, сварки

...во время контакта нагревателя с прижимным элементом) с последующей выдержкой до затвердевания материала шва под давлением без подвода тепла(когда нагревателы е контактирует с прижимным элементом). При этом исключается перемещение при:кимногоэлемента при движении нагревателя и уменьшается непроизвольный нагрев прижимного элемента, что не требует специальной системы охлаждения,На фиг.1 изображено устройство, общий вид; на фиг.2 - кинематическая схема устройства; на фиг.3 - вид по стрелке А на фиг.2 (крепление прижимного элемента).Портативное устройство для сварки полимерных пленок содержит электронагреватель 1, подключаемый к внешнему источник питания (на черт. не показан) через соединитель 2. Электронагреватель 1 закреплен на рычаге 3,...

Номер патента: 2000308

Опубликовано: 07.09.1993

Авторы: Баранова, Моругина, Сергеева

МПК: C09J 131/04

Метки: бумаге, клей, пленок, полимерных, припрессовки

...припрессовки полимерных пленок к бумаге, содержащий 48-51-ную водную дисперсию поливинилацетата идибутилфталат, дополнительно содержитглицерин при следующем соотношениикомпонентов, мас.: 48-51 водная дисперсия поливинилацетата 85,5-91,0, дибутилфталат 6,0-8,5, глицерин 3 - 6.В качестве поливинилацетатной дисперсии применяют водную дисперсию марок ДФ 48/5 С, ДФ 49/2,5 Н, ДФ 51/10 С поГОСТ 18992-80.В качестве дубитилфталата используютдибутилфталат по ГОСТ 8728-88.В качестве глицерина применяют глицерин дистиллированный по ГОСТ 6824 - 76и глицерин сырой по ГОСТ 6823-77.Клеевую композицию готовят в смесителе с числом оборотов 30 - 60 об/мин. Вводную дисперсию поливинилацетата четырьмя порциями, через 1 ч каждую последующую, вводят при...

Номер патента: 2002629

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Кисель, Котов, Мозырский, Сенатос

МПК: B29D 7/01, B65H 18/00

Метки: намотки, пленок, полимерных, приемно-тянущее, рулонов

...с возможностью реверсивного поворота относительно центральной оси 8 устройства. Прамежутачнал катанга 7 жестко закреплена на нижней платформе 4, нижняя штанга 6 шарнирно закреплена на верхней платформе 2, а верхняя штанга 5 шарнирна закреплена с неподвижной плитой 1.Верхнлл 5 и нижнлл 6 штанги, установленные на гцарни рах 9 и 10 соответственно на равном расстоянии от центральной оси устройства 8 и установлены с возможностью их вращения о горизонтальных плоскостях,Вертикальные аси 11 и 12 шарниров 9 и 10 пересекаат наиболее удаленные от центральной оси 8 устройства образующие верхней 5 и нижней 6 штанг,Нижняя платформа 4 установлена с возможностью поворота о направлении поворота верхней платформы 2 с частотой вращенил, равной 1/2...

Номер патента: 2002783

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Батизат, Жадова, Иванова, Карп, Кузнецова, Новиков, Тиме

МПК: C09J 133/04, C09J 7/02

Метки: клеевая, композиция, лент, липких, пленок

...отвердителей получать частично сшиваемый липкий45 клей, чем достигается его работоспособность в интервале температур от -60 до+160 С при сохранении баланса адгеэионных и когезионных свойств. Существеннымпреимуществом предлагаемого решения яв 50 ляется возможность в случае необходимости варьировать баланс адгезионных икогезионных свойств путем изменения соотношения низкомолекулярного каучука скарбоксильными группами и эпоксидной55 смолы в составе композиции.Примеры приготовления клеевых композиций, Готовят клеевые композиции 1-12,составы которых приведены в таблице.П р и м е р 1, 100 г каучука СКБЭВЦрастворяют в 200 г этилацетата, затем до,О 02783 Составм н свосстла липких на основе преллагаемьх компоапцио контрольных и прототипа...

Номер патента: 2003200

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Джон, Зорина, Иванов, Кулик

МПК: H01L 21/203

Метки: алмазных, алмазоподобных, газовой, пленок, фазы

...поскольку длина пробега для неупругих 20 взаимодействий много больше толщины пограничного слоя, Однако, в результате упругих столкновений в пограничном слое активные частицы теряют кинетическую энергию, Таким образом, при очень высокой 25 плотности потока активных частиц и, следовательно, большой скорости Физико-химических процессов на поверхности радиационные нарушения практически исключены, чем и достигается высокое качество ЗО обработки. В силу того, что тепловой потокк поверхности велик (температура плазмы достигает (10-15) 10 К), обработку такой, плазмой можно проводить только в режименестационарнойтеплопроводности,т,е. при З 5 кратковременном воздействии плазмы наповерхность, Толщина осаждаемого на поверхность слоя определяется...

Номер патента: 2004449

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Волчек, Иванов, Королев

МПК: B29C 65/18, B29C 65/30

Метки: пленок, полимерных, сварки

...и соединяют с начальным участком армирующегокорда,На фиг, 1-3 изображены стадии технологического цикла изготовления зубчатых50 55 Затем осуществляют отвод опрессовочной ленты 7, ножа 8, сближение барабанов для снятия напряжений у викелей 13 и 14 и полученный участок викеля смещают в аксиальном направлении вдоль оси барабановбез отрезки армирующего корда 1 на заданное расстояние, не превышающее ширину формующей камеры 5(конец 15 корда перемещается совместно с участком викеля 13 и осуществляют в последней изготовление аналогичным образом следующего участка ремней; на фиг. 4 - вид по стрелке А на фиг, 2.Способ изготовления бесконечных армированных зубчатых ремней осуществля 1 от следующим образом.Перед началом работы начальный...

Номер патента: 1716813

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Жиляков, Кириллин, Костановский

МПК: C23C 14/08

Метки: алюминия, нитрида, пленок, тонких

...подложки выбрана в области 150-200 фС, так как при температуре ниже 18 ООС ухудшается адгезия и прочность пленки на подложке и реальное использование пленки представляется затруднительным. Выше 20 ОС адгезия пленки удовлетворительная и ее величина с температурой практически не изменяется. Что касается скорости образования пленки нитрида алюминия, то при скорости выше, чем 400 А/мин, на подложке образуется пленка с избытком алюминия. При скорости образования пленки менее 300 А/мин уменьшается производительность способа,П р и м е р. В рабочей камере универсального вакуумного поста ВУПзакрепляют подложку, например из кварцевогостекла, в виде диска диаметром 18. мм в5 нагревателе-держателе, который установлен над...

Номер патента: 1415804

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Жиляков, Кириллин, Костановский

МПК: C23C 8/24

Метки: алюминия, нитрида, пленок, тонких

...азотом высокой чистоты додавления выше атмосферного; подложка салюминием прогревается при температурене более, чем на 5 - 10 С ниже температурыплавления алюминия в течение 10-12 мин,после чего течперэтуру повышают до 1200; 0 С,1 выдерживают 5-10 мин.Результ.ты исследований по нагреву,м элю,.очи,д толщин.)й 7000 А в печиГВВ 4 при раСочем давлении аэст высокой. с с-. (99.9990 ) 1,5 атм (0,15 МПа) предстаалгны В таблице,ИЗ анализа полученных результатов: е,.уе- гго оптимальными режимными параметрами длл образования пленки нитрида алюм:ния является: 650"С 1660 С (тпл А), т 1-10 - 12 мин, т 2=1200-1250 С.т 2 =5- -10 мин, где с 1 - температура предварительного прогрева: т 1- время выдержки при с 1; т 2 - верхняя температура...

Номер патента: 2005103

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Байдаков, Блинов, Громова, Каратаев, Оркина, Прокофьев

МПК: C03C 3/32

Метки: основе, пленок, полупроводников, стеклообразных, халькогенидных

...в газовую фазу, Металлы остаются в исходном материале, не расходуясь,В таблице приведены конкретные составы исходных сплавов и свойства полученных пленок,Равномерное распределение атомов металла, находящегося в исходном стекло- образном материале на уровне размеров молекулярных форм газовой фазы, более надежно и эффективно регулирует состав компонентов паровой фазы. чем порошки серебра и меди в известном способе получения пленок, Наличие в исходном материале химически чистого металла позволяет получить пленку высокой стенки чистоты и однородности, не содержащую оксидных и оксихалькогенидных соединений, от которых ухудшаются свойства пленок, получен ных по известному техническому решению.,Материалы выполняют роль своеобразного...

Номер патента: 1766210

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Дорофеева, Комов, Кричевская, Ленивкин, Ленивкина, Стольниц

МПК: H01L 21/268

Метки: металлов, осаждения, пленок, полупроводниковых, халькогенидов, химического

СПОСОБ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ, включающий размещение подложки в электролите на основе халькогенсодержащего соединения, нагрев электролита с подложкой до температуры осаждения, формирование на подложке центров кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости осаждения, улучшения электрофизических свойств и получения локальных пленок, формирование центров кристаллизации осуществляют одновременно с нагревом электролита и подложки путем импульсного лазерного облучения с длиной волны излучения из области поглощения молекул халькогенсодержащего соединения, плотностью мощности на подложке 104 - 107 Вт/см2, длительность импульсов 10-5 -...

Номер патента: 1753700

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Бобров, Быков, Ворожцов, Игнатов, Корнюшина, Попов, Родина, Хан, Шишкина, Эль

МПК: C07D 241/38, G02B 5/30

Метки: 3-хлориндантрон-4, 4-дисульфокислота, области, основа, пленок, поляроидных, сверхтонких, селективных, термостабильных, формирования

3-Хлориндантрон-4,41-дисульфокислота формулыкак основа для формирования сверхтонких термостабильных поляроидных пленок, селективных в области 620 - 680 нм.