Патенты с меткой «ионно-плазменного»

Номер патента: 885347

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Волков, Малышева, Трофимова

МПК: C23C 15/00

Метки: ионно-плазменного, нанесения, покрытий

...являются отрицательное свечение и темное катодное пространствоПри анодном напряжении 800-1500 В и разрядном токе 170-260 мА происходит интенсивное распыление катода. Процесс нанесения покрытий в данном устройстве осуществляется следующим образом. Поскольку режим разряда при работе устройства является аномальным, каждый ниток катода 2 участвует в разряде и имеет свое отрицательное свечение и темное катодное пространство. Вследствие этого каждый виток подвергается распылению под действием положительных ионов. Витки катода отделены друг от друга малым шагом, в результате чего все отрицательные свечения сливаются в одно общее свечение. Экспериментально установле" но, что при этом слиянии в общем свечении проявляется эффект полого катода,...

Номер патента: 1414878

Опубликовано: 07.08.1988

Авторы: Балыкин, Баркдон, Домрачев, Минкин, Петраков, Шагун

МПК: C23C 14/32

Метки: ионно-плазменного, напыления

...инертного газа аргона до давления 0,7-0,9 Па производят, откачку активных газов посредством магнетронного насоса с титановой мишенью. Для этого на магнетрон подают рабочее напряжение 400-500 В и устанавливают ток разряда 1-1,2 А,Так как титан обладает геттерирующимдействием по отношению к активнымгазам, в течение 30-40 мин обеспечивается откачка вСех остаточных газов,кроме аргона, при этом о степениоткачки судят по цвету разряда в магнетроне. Зелено-голубой цвет плазмыразряда свидетельствует о полномпоглощении остаточных газов, кромеаргона, после чего ток разряда целесообразно понизить до 0,2-0,3 А дляобеспечения экономичного иснользова"ния татановой мишени. Если послеудаления активных остаточных газовдавление в вакуумной камере...

Номер патента: 1139170

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Какурин, Минайчев, Одиноков

МПК: C23C 14/00

Метки: ионно-плазменного, нанесения, покрытий

...магнитную систему с ую с нерабочи, подложкоую магнитнаконечниками ЪУй стороны под. одноименных гнитной сиснаконечниками, размещенн чай стороны катода-мише. держатель и дополнительн ную систему с полюснымиустановленную с нерабоче ложкодержателя напротивполюсных наконечников матемы.В данном устройстве этронов снижается за счет:Редактор Л.Письман Техред Л.Олийнык Корректор Л.Патай Заказ 4343 Тираж 825 ПодписноеВНИИПИ Государств нного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 жения магнитным полем дополнительноймагнитной системы, однако мишень распыляется неравномерно из-за сужениязоны эрозии встречными...

Номер патента: 1580866

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Жданов, Рубанов, Сордия, Суладзе

МПК: C23C 14/32

Метки: ионно-плазменного, распыления, ферромагнитных

...материкобальта, закрепленную вемом держателе 2. Мишеньвненей тонкостенной втулединенной с мишенью с образухого замкнутого паза 4, Вой части мишени выполненовгрстие 5, соосно с которым лена в отвго кранавой цели 8срез экранне, а рябонадторцом(анода ) 9и 11, Подлдля закрепл ишень установлектроизолированн зованием кольцеторец втулки 3 дятся на одном ур ь мишени выступае Снаружи корпусаны соленоиды 1012 служит15808 б 5 Составитель С.МирсшкинРецахтор И.Кузнецова Техред И,Ходаич К.рректор С,Черни Заяз 1 303 ВНИ 1 ПИ Гссудар Подписноетета по изооретениям и открытиям при ГКНТ СЧСРква, И, Раушская наб., д. 4/5 Тира, нного ко 3035, Мо Проиэводстэенноательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул, Гагаргна 101Ф 10 н 11 обеспечивается формироваиие и...

Номер патента: 1385639

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Кричков, Подсухин, Савостиков

МПК: C23C 14/36

Метки: ионно-плазменного, мишени, распыления

...смеси.Поджцг осу 1 ествлялся путеи разряда конденсатора,емкостью 200 мкф, заряженного до 3 кВ, через изолированныйтокопвод 1 в верхнем пуансоне 3Сразу же после подачи поджигающего импу 1 ься ця электрод и воспламенениесмеси лоро)пковых компонентон осуществляпц прессовяцие под давлением(.О - 500) кгс/си . После оксГнчация реакции высокотемпературного синтеэ продолжительностью не более"пп 1 ГГГец 1 иэвлекалясь иэ раэборцой прессформы, Общее время изготовления иии.еци момента формовянияЭЯГОТ 011 К 11 ПОДЖЦГс 1С 1 ЕКЯЦ 1%Я Ц ГГЭНЛР" чецця мишецц иэ прессформы состаВГГяло це более 10 миц, Образцы спеченного мате риала ис следов алис ь на дифрактомере ДРОНс целью определения фазового состава.ДГГяпаэон давления 30 - 200 кгс/см н момент...

Номер патента: 1782996

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Воеводин, Любимов, Романов, Тимофеев, Чмир

МПК: C23C 14/34

Метки: антифрикционного, ионно-плазменного, кольца, многослойного, нанесения, покрытия, поршневые

...величина искажений кристаллической решетки определяется соотношением радиусов атома примеси и поры, в которую он внедряется. В области упругих деформаций при малых концентрациях примеси внедрения (менее 0,81 ат.о. где с 1 и с 2- произвольные постоянные, определяемые из граничныхусловийО(I г-о=О Ог/(-ь =- Р, (18)где Ог =ОГ +оР,р-давление, сказываемоестенками цилиндра на кольцо.Используя формулы (11),(12)(18), имеемдля с и сздва уравненияС 1(1 + )Уо) С 2(1")Ио ) - 2 = 0110 а 2С 1(1 ;По ) С 2(1 - Яо ) - ж -р +1 1 Р 2 ооЬ 2 ЕоЬо - 2 Х Т(йг (1915 Ь аРешая проблему (19), получим6"о)(а)г,)(, (- .оТангенциальные напряжения имеютмаксимальное значение на рабочей поверх 2 б ности кольца, т.е. при г= Ь. Используя(17)и(20), имеем:.Е .6ярД а 4)1 Е...

Номер патента: 1816288

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Беришвили, Гадахабадзе, Схиладзе

МПК: C23C 14/35

Метки: вакууме, ионно-плазменного, многокомпонентных, нанесения, пленок

...систем ионна-плазменного напыления иэ заявки-прототипа,Остальные исходные данные (количественное соотношение компонентов в пленке) взяты иэ целей задачи получения многокомпонентнцх покрытий, либо являются справочными (1, 01, Р )Отметим также, что данные, приведенные в заявке в таблицах 1 и 2, подтверждены конкретнцми практическими расчетами и экспериментальными результатами.Ниже для наглядности приведен пример расчета возможных конструкций мишени с разной степенью дробления колец из одного и того же компонента для получения трехкомпонентной пленки с заданным стехиометрическим составом:А 158 Т 114 5128.Здесь за основу мишени был взят алюминий, Общие размеры мишени взяты прежними (В = 40 мм, го = 13,46 мм). Остальные исходные данные,...

Номер патента: 1821496

Опубликовано: 15.06.1993

Авторы: Кругленко, Семенюк, Трипута, Хоменко

МПК: C23C 14/32

Метки: ионно-плазменного, травления

...соединенный с электродпротивостоящим обрабатываемомулию 5, Между сетчатым экраном 4,иродом 2 возбуждается ВЧ разскрещенных переменном электричеспостоянном магнитном полях, которляется источником химически активндикалов, распространя ющихсясетчатый экран 4.в область пространэлектроду 3 с обрабатываемым изделЗатем включают источник. ВЧ напряжсоединенный с электродом 3. В обпространства у обрабатываемого издевозбуждается ВЧ разряд - источник иускоряющихся электрическим полем о дав- Напупаров. омагк ВЧ(71) Специальное конструкторско-тгическое бюро с экспериментальнымводством Института ядерных исследАН УССР(56) Заявка Японии Ь 60-293790,кл, Н 01 1. 21/302, 1985.Ж. Зевсопбп 1, 1989, 12, Ь 5,обьемного заряда,у электрода 3 и бомрующих...

Номер патента: 1818864

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Богатов, Бондарчук, Бунин, Касянин, Левашов, Мамян, Питюлин

МПК: B22F 1/00, C22C 1/05

Метки: ионно-плазменного, мишеней, напыления, основе, преимущественно, резисторов, титана, тонкопленочных, шихта

...готовят шйхту состава: 72 Т+4 С+24ство веществ, чем суммарно высокодиспер В, Термопрочность мишени 4. ТКС пленкисные соответствующйе порошки сажи и 5,О х 10 1/К, временная нестабильностьаморфного бора. Использование, в шихте 0,75.порошков карбида и диборида титана.по- П р и и е р 4. В условиях прототипазволяет повысить йористость мишеней доготовят шихту 57 Т+ 17 Сг+ 16 С+10-150 ь, что приводит к повышению термо 10 Й. Термопрочность мишени составпрочности ляла 2 цикла до разрушения. ТКС пленки,Отклойение состава шихтй за указан-: 9 х 10, временная нестабильность 1,2.ные пределы приводит к нарушению состава синтезированных продуктов и; П р и м е р 5. В условияхпримера 1ухудшению электрофизических характери готовят шихту состава 75 Т+ 9...

Номер патента: 1332866

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Сейдман, Смирнов

МПК: C23C 14/36

Метки: вакууме, ионно-плазменного, распыления

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО РАСПЫЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, содержащее катод с дисковой мишенью, магнитную систему с концентричными полюсными наконечниками, расположенными с зазором один относительно другого с нерабочей стороны мишени и эксцентрично оси симметрии мишени, перпендикулярной ее плоскости, отличающееся тем, что, с целью повышения воспроизводимости процесса распыления мишени, мишень установлена с возможностью периодического поворота относительно ее оси симметрии на угол , определяемый из выражения = , при этом уголa...

Номер патента: 1240076

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Дудкевич, Клевцов, Мухортов, Свиридов

МПК: C23C 14/36

Метки: вакууме, ионно-плазменного, распыления

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО РАСПЫЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, содержащее рабочую камеру с окном, катодным узлом, содержащим электрод с закрепленной на нем диэлектрической мишенью, соединенный с ВЧ генератором и подложкодержатель, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения надежности в работе, мишень закреплена герметично в окне, а электрод расположен вне рабочей камеры.

Номер патента: 1697453

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Левченко, Недыбалюк, Одиноков

МПК: C23C 14/35

Метки: вакууме, ионно-плазменного, распыления

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО РАСПЫЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, преимущественно на вращающуюся вокруг своей оси подложку, содержащее магнетронную систему, состоящую из катода с мишенью и полюсных наконечников, подложкодержатель и анод, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента полезного использования распыленного материала, оси симметрии подложкодержателя и мишени образуют угол 18 26o, а центр мишени смещен от оси подложкодержателя на величину (0,18 0,27) D мм, причем средний диаметр зазора между полюсными наконечниками равен 0,75 D мм, где D диаметр подложкодержателя, мм.

Номер патента: 1644551

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Калинин, Нефедов, Питиримов, Рубанов, Скуднов, Чиненков

МПК: C23C 14/32

Метки: ионно-плазменного, нанесения, покрытий

Устройство для ионно-плазменного нанесения покрытий преимущественно на мелкоразмерный инструмент, содержащее вакуумную камеру, в которой размещены электродуговой источник плазмы и держатель инструмента, расположенный от источника на расстоянии Lэ, равном расстоянию l0,1 десятипроцентной плотности ионного тока на держатель, отличающееся тем, что, с целью улучшения качества покрытий путем уменьшения капельной фазы, держатель снабжен экраном, край которого удален от источника на расстояние l0,1 и размещен на уровне края рабочего торца катода источника, а расстояние H заглубления инструмента от края экрана выбрано из соотношения Lэ/H 12,5 31.

Номер патента: 1135223

Опубликовано: 27.06.1999

Авторы: Веревкина, Субботин, Табатадзе

МПК: C23C 14/00

Метки: ионно-плазменного, металлических, нанесения, пленок, тонких

Способ ионно-плазменного нанесения тонких металлических пленок преимущественно на полиэтилентерефталатную подложку путем распыления ионами аргона в вакууме материала мишени и осаждения его на движущуюся подложку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет улучшения их оптической прозрачности, электропроводности и адгезии к подложке, осаждение ведут при плотности тока разряда 0,8 - 1,2 мА/см2 и скорости осаждения распыляемого материала 0,37 - 2,1 10-7 г/см2 с, при этом скорость движения подложки составляет 1...

Номер патента: 1383842

Опубликовано: 27.12.2013

Авторы: Антоненко, Ломец, Михель, Мрочек, Пителько

МПК: C23C 14/32

Метки: ионно-плазменного, коррозионно-стойких, нанесения, нитридосодержащих, основе, покрытий, титана

Способ ионно-плазменного нанесения коррозионно-стойких нитридосодержащих покрытий на основе титана, преимущественно на хромированные изделия из сталей, сплавов на основе меди и алюминия, включающий импульсную очистку изделий в вакууме потоком ускоренных ионов и последующее осаждение покрытия в азотсодержащей среде, отличающийся тем, что, с целью повышения коррозионной стойкости за счет предотвращения трещинообразования в слое хромового покрытия, импульсную очистку осуществляют в течение времени , определяемого из выражения где Q - плотность...