H01G 4/08 — неорганические диэлектрики

Номер патента: 390044

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Андреева, Вител, Дубовик, Куценок, Серебр

МПК: C04B 32/00, H01G 4/08

Метки: i-iajr, конденсаторный, материалвсг, с.и, союзндйшгчтчп-гу=т"кдп

...конденсаторный материал, содержащий нитрид алюминия и борид одного изэлементов четвертого ряда периодическойсистемы.Однако взвестный конденсаторный материал обладает низкой термостойкостью и недостаточно высокой диэлектрической проницаемостью.С целью повышения термастойкости и диэлектрической проницаемости в предлагаемыйкондесаторный материал введена алюминиевая пудра при следующем содержании исходных компонентов, вес. %:Нитрид алюминия 55 - 94Бород титана 5 - 35Алюминиевая пудра 1 - 10,Технологический процесс изготовления конденсаторного материала состоит в прессования заготовок из смеси 55 - 94 вес, % порошка нитрида алюминия, 5 - 35 вес. % порошка борида титана и 1 - 10 вес. % алюминиевой пудры и их последующем опекании при 5 1900...

Номер патента: 399925

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Кузьмин, Сковорода

МПК: H01G 4/08, H05K 13/02

Метки: пластин-заготовок, подачи, радиодеталей

...установлен электромагнит 10, катуш ка которого подключена к генератору 11 перестраиваемой частоты, а выступ 9 имеет воз.вратную пружину 12.В процессе работы на столбик пластины 3 15 воздействует механизм перемещения пластини рычаг 6, который своими выступами 8 и 9 оказывает тормозящее действие, обеспечивая необходимое усилие сжатия пластин на участке между рычагом 6 и приемным механиз мом 5. Это усилие намного меньше усилия,создаваемого механизмом перемещения пластин.При включенном электромагните 10 выступ9 рычага 6 прижат к пластинам 3 столбика.25 При этом на участке аб пластины сжаты усилием, создаваемым механизмом перемещения пластин, а на участке бг столбик находится под усилием, определенным собственными упругими свойствами...

Номер патента: 1104595

Опубликовано: 23.07.1984

Авторы: Готра, Лозинский

МПК: H01G 4/08

Метки: конденсатора, тонкопленочного

...с верхнимэлектродом.Целесообразно аналитически оценитьвозможности предлагаемого способа сточки зрения обеспечения требуемойточности компенсации уменьшения емкости тонкопленочных конденсаторовпосле их тренировки.Для удобства представим тонкопленочный конденсатор (ТПК) в виде егоэлектрической модели - плоского конденсатора с площадью перекрытия обкладок 3 , толщиной диэлектрика Й диэлектрической постоянной Г(фиг. 2),В процессе электрической тренировки, как было сказано, происходит взрывообразное испарение части верхнегоэлектрода ТПК и диэлектрика, расположенного под ней ( д Б - общее уменьше"ние площади перекрытия).Если провести напыление защитногодиэлектрика и пленки металла, соединенной с верхним электродом ТПК, тоисходный...

Номер патента: 1600564

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Журавлев, Кислецов, Кусочек, Яббаров

МПК: H01G 4/08

Метки: диэлектрической, пленок, подложке, сегнетоэлектрических

Способ получения сегнетоэлектрических пленок на диэлектрической подложке, включающий нанесение на подложку слоя порошка сегнетоэлектрика и последующую термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и упрощения процесса, в качестве диэлектрической подложки используют полимерную пленку, при этом, порошок используют с размерами частиц, выбранными из соотношенияd = (0,1 - 0,0025)h,где d - диаметр частиц порошка;h - толщина полимерной пленки,а термообработку осуществляют однородным скользящим по поверхности подложки разрядом с объемной энергией (2 - 3) х 105 Дж/м3, числом импульсов 5 - 6, частотой следования импульсов 5...