Патенты с меткой «пленок»
Способ регенерации полиэтилентерефталатной основы фототехнических пленок
Номер патента: 1642439
Опубликовано: 15.04.1991
Авторы: Вашук, Ляшевич, Полозов, Терешкова
МПК: G03C 11/24
Метки: основы, пленок, полиэтилентерефталатной, регенерации, фототехнических
..."горит". Требуется дополнительная обработка,Продолжают обработку. Ленты вновь заливают 100 мл 0,5%-ного (5 г/л) водного раствора гидроксида натрия. Нагревают до кипения, 2 мин перемешивают при кипении,отключают подогрев и продолжают перемешивание еще 8 мин. Сливаю:, желатинсеребросодержащую пульпу, Ленты 2 - 3 раза промывают водой, Берут отдельную пробу. которую высушивают и расплавляют на плоском стекле при т"260 С, Плав пенится, "горит", имеет коричневые оттенки цвета. Использован в промышленности быть не может.Продолжают обработку, Основу вновь заливают 100 мл водного раствора серной кислоты при соотношении Н 250 и Н 20 1:25. Поднимают температуру до 60 С и в течение 2 мин проводят перемешивание при этой температуре. Основу...
Сплав на основе кобальта для магнитных пленок
Номер патента: 1643626
Опубликовано: 23.04.1991
Авторы: Дмитриева, Касютич, Малюш, Федосюк, Шелег
МПК: C22C 19/07
Метки: кобальта, магнитных, основе, пленок, сплав
...дисках с продольным способом записи, Цель - повышение магнитных свойств. Сплав содержит, мас,0 ь: вольфрам 18,0 - 23,0; никель 20,0 - 25,0; кобальтостальное, Сплав обеспечивает получение величины коэрцитивной силы в плоскости покрытия Нев =980 - 1350 Э и степени прямоугольности петли гистерезиса В( Вял = 0,82 0,85. 1 табл. йа 2 Я 04 2 Н 20ЙазСбН 507 ф 5,5 Н 20 3 НзВОзМ 904 ь 7 Н 20при Пк = 5 - 10 мА/см 2700Электролит готовят следующим образом,Берут навески Со 504 7 Н 20, СоС 2 6 Н 20, И 1504 7 Н 20, НзВОз и М 9 Я 04 7 Н 20 в количестве соответственно 30, 4,50, 7 и 23 г и растворяют в 500 мл дистилированной воды при 80 С и интенсивном перемешивании, навески Ка 2 В/04 2 Н 20 и ИазСбН 50 з 5,5 Н 20 в количестве соответственно 4 и 18 г...
Способ вытяжки пленок из термопластов
Номер патента: 1646889
Опубликовано: 07.05.1991
Автор: Иванов
МПК: B29C 55/04, B29C 55/12
Метки: вытяжки, пленок, термопластов
...100 С и затем подвергают растяжению со скоростью вытяжки, возрастающей от Уд1,2 м/мин до Ч, = 2,4 м/мин. При этом градиент скорости уменьшается по зависимости1,2 И= - 1 - 1 1/мин.1. 1,2Растянутую пленку охлаждают до комнатной температуры.П р и м е р 9. Двухслойную пленку ПЭТФ-ПЭ толщиной 150 мкм нагревают до 90 С и затем подвергают растяжению со скоростью вытяжки, возрастающей от И= 0,6 м/мин до М 1 = 2,1 м/мин. Пои этом градиент скорости уменьшается по зависимости( - ) 1/мин.0,6 у1, 0,6Растянутую пленку охлаждают докомнатной температуры.164 П р и м е р 10Двухслойную пленку ПА-ПЭ толщиной 110 мкм , нагревают до 100 С и затем подвергают растяжению со скоростью вытяжки, возрастающей от = 0,6 м/мин до М = 1,8 м/мик, При этом градиент...
Устройство для выращивания монокристаллических пленок
Номер патента: 1647042
Опубликовано: 07.05.1991
Авторы: Ганин, Лиманов, Лифшиц, Мусатова
МПК: C30B 1/08, C30B 13/22
Метки: выращивания, монокристаллических, пленок
...поликремниевой пленкой 5, Размеры зоны нагрева определяют с одной стороны длиной и диаметромспирали источника 1, а с другой стороны - условиями фокусировки. Подложку 4, установленную нэ подложкодержателе 3 с вмонтированным в него нагревателем 7, перемещают со скоростью 5 10 м/с. При этом для компенсации ассиметрии теплового распределения в зоне нагрева собирающую линзу 2 смещают в направлении перемещения подложки 4 с держателем 3 на 1,5 10и, что удовлетворяет соотноше,Чнию Лх = А . Для осуществления смеащения собирательной линзы 2 в системе фокусировки последнюю закрепляют в каретке, установленной на направляющей типа "ласточкин хвост" (не показано). Величина смещения регулируется дифференциальным винтом. Переводной коэффициент А...
Способ определения толщины смазочных пленок при испытаниях материалов зубчатых передач
Номер патента: 1649250
Опубликовано: 15.05.1991
Автор: Гузенко
Метки: зубчатых, испытаниях, передач, пленок, смазочных, толщины
...образцов при образовании между ними гидродинамической смазочной пленки(фиг, 1, кривая 2) и через 50-60 мин после подачи смазки в зону контакта образцов, когда смазочная пленка достигает максимальной толщины при образовании на трущихся поверхностях твердообразных и самогенерирующихся в процессе трения граничных смазочных пленок (фиг, 1, кривая 3), Общую толщину смазочной пленки вместе с гидродинамической и граничной ее составляющими оценивают по разности измерений падения электрического напряжения, произведенных до подачи смазки в зону контакта вращающихся образцов и через 50-60 мин после подачи ее в зону их контакта (фиг. 2, кривая 1, которая получается путем вычитания кривой 1 из кривой 3 на фиг. 1), Толщину гидродинамической...
Способ определения параметров эпитаксиальных магнитных пленок
Номер патента: 1649479
Опубликовано: 15.05.1991
Авторы: Гайович, Зависляк, Романюк
МПК: G01R 33/05
Метки: магнитных, параметров, пленок, эпитаксиальных
...м щий воздействолновод, эле нной частоты ансного погл полем постоянной частоты в. Далее прикладывают постоянное магнитное поле к пленке, ориентируют его перпендикулярно плоскости ЭМП и измеряют амплитуду резонансного поглощения электромагнитной 5 энергии в пленке при различных значениях величины этого магнитного поля (Ноп), которое следует изменять в пределах- + 2 й б 4 ( Ноп- + 4 Л Ма где Ма - предполагаемая величина намагниченности насыщения (например,для ЖИГ- пленки 4 д,Ма = 200 э)Затем ориентируют постоянное магнит ное поле параллельно плоскости пленки вдоль одного из ребер и измеряют амплитуду резонансного поглощения электромагнитной энергии в пленке при различных значениях величины этого магнитного поля 20гд 0Нов -- 2,7 г Ь...
Электрохимический способ контроля пористости термически выращенных пленок диоксида кремния на кремнии
Номер патента: 1649616
Опубликовано: 15.05.1991
Авторы: Горбань, Завадовский, Тягушева, Шаповалов, Ясинский
МПК: H01L 21/66
Метки: выращенных, диоксида, кремнии, кремния, пленок, пористости, термически, электрохимический
...не происходит. Для увеличения разрешения способа площадь рамки ограничивающая электролит, составляет 6 см. В замкнутую2цепь включают миллиамперметр. От источника питания подают напряжение из расчета 3 В на 0,01 мкм толщины окисла. Во время исследования напряжение в цепи ПДЭ-системы поддерживают постоянным. Через 40-50 с производят измерение тока, протекающего в замкнутой цепи ПДЭ-системы при нормированной площади структуры Б-БхО, ограниченной рамкой, Легко определить предельно допустимую площадь всех пор на исследуемой поверхности окисла. Так, предельно допустимая пористость БхО принята 15 см , следовательно на площади 6 смколичество пор составляет 90. Предельно допустимая площадь пор 649616 4определяющей предельно...
Фильера для изготовления плоских пленок и листов из расплавов полимеров
Номер патента: 1650459
Опубликовано: 23.05.1991
Авторы: Антипов, Кондратенко, Моисеенко
МПК: B29C 47/16
Метки: листов, пленок, плоских, полимеров, расплавов, фильера
...с подающим каналом 9 в нено отверстие 10 для ввода расп полимера в фильеру, В крышке 4 выпо соединительный канал 11, сообщающидающий канал 9 с распределительным каналом 6, Полуформа 1 имеет упругодеформируемую губку 12 в зоне выходной формующей щели 8, 8 полуформе 1 установлены регулировочные винты 13 и 14. Между полуформами 1 и 2 установлена шпанка 15.Фильера работает следующим образом.Расплав полимера из фильтра в Фильеру подается через отверстие 10, откуда посту- ;ает е подающий канал 9, где происходит выравнивание температуры расплава с рабочей температурой фильеры, Затем расплав через соединительный канал 11 подается в распределительный канал 6, занимает весь его обьем и, пройдя выравнивающий канал 7, попадает в выходную Формующую...
Способ послойного анализа тонких пленок
Номер патента: 1651174
Опубликовано: 23.05.1991
Авторы: Будинавичюс, Пранявичюс, Тамулевичюс
МПК: G01N 23/227
Метки: анализа, пленок, послойного, тонких
...следующим образом.Послойный Оже-анализ двухслойной структуры А 9-Я производят в вакуумной камере при давлении остаточных газов 10 Па.-8 Облучение исследуемого образца пучком ионов, пучком электронов и регистрацию Оже-электронов осуществляют при помощи серийного Оже-анализатора, Облучение электронами производят с энергией 11 кэВ, Одновременно с регистрацией Оже-электронов производят регистрацию характеристического рентгеновского излучения с помощью пропорционального счетчика и1651174 Формула изоб ретения Составитель К,КононоТехред М.Моргентал Корректор О,Ципле едактор О.Голо каз 1603 Тираж 411 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5-издательский комбинат...
Способ увеличения адгезии тонких металлических пленок к подложкам
Номер патента: 1019965
Опубликовано: 30.05.1991
МПК: H01L 21/263
Метки: адгезии, металлических, пленок, подложкам, тонких, увеличения
...золота толщиной 40 нм напыляют на кремний (материал наиболее широко применяеьвй втвердотельной электронике) маркиКЭФ 0,3, а затем различные ее участ-ки размером 200 х 200 мкмжд облучаотсяпучком электронов с энергией .25 кэВдо различных доз в диапазоне от10 до ОК/см . Диаметр элект 20 ронного пучка равен 2 мкм. Облучениеучастков размером 200 х 200 мкм ведется в режиме строчного сканирования, Ток пучка равен 210 А. Разогрев кремниевой подложки в месте25 падения пучка по расчету не превышает 1 К. Изменение адгезии, связанноес электронным облучением, измеряется широко известным методом царапания иглой. В измерениях применяетсяЗО стальная игла с радиусом острия30 мкм.Результаты измерений показывают,что резкое повышение адгезиив- 800 раз...
Способ получения тонких пленок металлов хромового ряда и их окислов
Номер патента: 688009
Опубликовано: 07.06.1991
Авторы: Грибов, Попов, Родионов, Тихонов
МПК: C23C 14/14
Метки: металлов, окислов, пленок, ряда, тонких, хромового
...для легколетучих и ском нагревании испарителя давление в ка труднолетучих веществ); Такая ее скоростьпрактически не изменяется, что охлаждениявыдерживаетсявконцепроцеской . указывает на отсутствие перегретых участ.- са получения пленок. При более высоко ков и слаб ю десорбцию реактивных газов, скорости выхода на режим увеличивается Посколь степень дегазации технологиче- концентрация испаряемого вещества и ре-.ской оснастки зависит от интенсивности ее 20 активных газов, в результате чего образует- прогревания,предложенныйспособисклю- ся рыхлая крупнозернистая структура чает возможность образования перегретых пленки, которая трудно залечивается после- участков, Иэ результатов измерения темпе- дующими слоями. Таким образом,...
Способ получения хитозановых пленок
Номер патента: 1654309
Опубликовано: 07.06.1991
Автор: Прокопов
МПК: C08J 5/18
Метки: пленок, хитозановых
...И ОТНРЫТПРИ ГКНТ СССР(56) Николаев А.Ф Прокопов АЯулы ина Э.С. Получение хитозапленок, - ЖПХ, 1985, т, 58,Р 7, с. 1677.(57) Изобретение относится к техноло Изобретение относится к технолои пленочных светофильтровобретения является повышение процесса.П р и м е р 1. 0,8 мас,ч. хитозана растворяют в 20 мас.ч. 2%-ного водного раствора уксусной кислоты при 20 С в течение суток. Затем в раствор хитозана добавляют 0,08 мас.ч. Си(Ю), раствор фильтруют, обезвоэдушивают, наносят ровным слоем нао стеклянную подложку и сушат при 20 С в течение 2 сут, Получают однородную прозрачную голубого цвета пленку хитоэана толпыной 100 мкм с поверхност 1 их пленок и покрытии по еталям. Изобретение поз поверхностную твердост йкость их к запотеванию процесс за...
Способ определения физико-механических характеристик тонких пленок
Номер патента: 1657954
Опубликовано: 23.06.1991
Авторы: Джураев, Резник, Хакимов
МПК: G01B 17/02
Метки: пленок, тонких, физико-механических, характеристик
...образец 5 между двумя ультразвуковыми преобразователями 2 и 3 таким образом, чтобы рабочие поверхности преобразователей 2 и 3 и образца 5 были па ралл ел ьн ы между собой.Изменяя частоту колебаний ультразвука с помощью генератора 1, добиваются условия резонанса, при котором в данной акустической системе с образцом возникает стояние волны, и частотомером,9 по входу б измеряют первую резонансную частоту 12, для которой из условия резонанса следует Затем возбуждают в акустической системе импульсы ультразвуковых колебаний и, изменяя частоту ВЧ-заполнения УЗ импульсов, добиваются условия прозрачности образца 5 и частотомером 9 измеряют соответствующую этому условию частоту 13. Так как при условии прозрачности образца по толщине...
Способ оценки распределения по размерам пор толстых диэлектрических пленок на металлическом основании
Номер патента: 1659826
Опубликовано: 30.06.1991
Авторы: Лещенко, Мишева, Шеремет
МПК: G01N 27/24
Метки: диэлектрических, металлическом, основании, оценки, пленок, пор, размерам, распределения, толстых
...данной вязкости.Процедуру измерения начинают с заполнения ячейки электролитом максимальной вязкости. Далее последовательно измеряют емкость, заполняя ячейку электролитом меньшей вязкости. Таким образом получают зависимость с = 1 (ф где ю - вяз 1659826кость электролита. Ячейку заполняли электролитом на основе глицерина, последовательно уменьшая его вязкостьпутемразбаВления ВОДОЙ От Рмас = 6,05 10 Пас до ммин= 1 005 10 Па с. Зависимость 5-3С = 1(ю) можно перестроить в зависимостьчисла пор определенного диаметра, заполняемых электролитом выбранной вязкости, й = 1(О), учитывая удельную емкость двойного электрического слоя С, = 0,2 Ф/м . 102Указанное преобразование выполняетсячерез ряд функциональных зависимостей:ЛС 1 = ( и), М = 1( Р ), б...
Устройство для измерения константы магнитострикции тонких магнитных пленок
Номер патента: 1659930
Опубликовано: 30.06.1991
Авторы: Гришин, Дроботько, Усов, Шаповалов
МПК: G01R 33/05
Метки: константы, магнитных, магнитострикции, пленок, тонких
...обьема, имеет форму сегмента сферической поверхности со сквозными отверстиями 6. При снижении давления тонкая магнитная пленка прогибается и прилегает к сферической поверхности, обеспечивая плотный термический контакт, исключающий градиент температур по поверхности пленки.1 ил. На чертеже показанмерения константы маких магнитных пленок,Устройство содержит корпус 1, кольцевую опору 2, крышку 3 корпуса, перфорированную отверстиями 4, исследуемую пленку 5 и датчик 6, При измерении константы магнитострикции индуктивно-частотным способом в качестве датчика использовалась выносная индуктивность колебательного контура автодина,Устройство работает следующим обраке газа из вакуумированн дуемая пленка начинает и риводит к появлению меха жений в...
Установка для автоматизированной фотообработки рентгеновских пленок
Номер патента: 1659969
Опубликовано: 30.06.1991
Авторы: Касс, Мостовой, Непорожний, Парадеженко, Романенко
МПК: G03D 3/08
Метки: автоматизированной, пленок, рентгеновских, фотообработки
...ходового винта 19 использованы двигатели постоянного тока с планетарными редукторами.В состав фотопроявочного блока входиттакже система напорных и сливных коллекторов, предназначенных для соединениявсех элементов гидросистемы (камер, накопительных баков, насосов, теплообменников и т,д.), подключения ее к внешнеймагистрали водопровода и канализации (непоказаны), Вентиляционный блок (не показан), предусмотренный в установке, предназначен для подачи воздуха в сушильнуюкамеру 5Каждый из теплообменников 12 представляет собой конструкцию из трех прямоугольных стаканов, вставленных друг в друга с зазором. Средняя полость служитдля циркуляции жидкости (проявитель, вода, закрепитель), которую необходимо нагревать или охлаждать. Наружная...
Устройство для измерения параметров ферритовых пленок и пластин
Номер патента: 1666992
Опубликовано: 30.07.1991
Автор: Иванов
МПК: G01R 33/05
Метки: параметров, пластин, пленок, ферритовых
...устройство измерения параметров ферритовых пленок и пластин.Устройство содержит входной 1 и выходной 2 микрополосковые преобразователи МСВ на диэлектрических платах 3 и 4, Платы 3 и 4 закреплены на станине 5 и стойке 6, которая может перемещаться в направляющих пазах станины 5. Расстояние между преобразователями 1 и 2 регулируется микрометрическим винтом 7. Станина 5 и стойка 6 накрыты предметным столиком 8. В нем сделана прорезь под свободные, подпружиненные упругими прокладками 9 и 10 концы плат 3 и 4. Исследуемая ферритовая пленка 11 прижимается к поверхности столика 8 грузом 12. Входной 13 и выходной 14 коаксиально-полосковые переходы соединяются с преобразователями 1 и 2 микрополосковыми линиями 15 и 16. Устройство работает...
Устройство для неразрушающего контроля электрофизических характеристик магнитных пленок
Номер патента: 1666994
Опубликовано: 30.07.1991
Автор: Солоухин
МПК: G01R 33/05
Метки: магнитных, неразрушающего, пленок, характеристик, электрофизических
...кассет разной длины позволяет осуществить регистрацию ферромагнитного резонанса на двух частотах с последующим расчетом эффективного поля анизотропии Нфф и гиромагнитного отношения у по формулам1666994 И( йб 2 т 1Н 2 - Нгде б, Ь - частота СВЧ;Н 1, Н 2 - величина полей ФМР на частотах соответственно б и 12.На фиг. 1, 3 представлена конструктивная схема предлагаемого устройства; на фиг. 2, 4 - конструкция кассеты.Устройство содержит цилиндрический резонатор 1, размещенный между полюсами 2 источника постоянного магнитного поля так, что ось цилиндра совпадает с направлением постоянного магнитного поля. Резонатор 1 состоит из цилиндрического корпуса 3, к которому по направляющим 4 с одной стороны устанавливается кассета 5 для подложки, а...
Сливное устройство выпускного отверстия складывающегося мешка из пластиковой пленки или слоистых пластиковых пленок для коробок
Номер патента: 1667633
Опубликовано: 30.07.1991
Автор: Эрик
МПК: B65D 77/06
Метки: выпускного, коробок, мешка, отверстия, пластиковой, пластиковых, пленки, пленок, складывающегося, сливное, слоистых
...зазором 6 между собой на опорном элементе 7, при этом последний расположен поокружности вокруг выпускного отверстия 2наконечника 1, ребра 5 установлены радиально, а мешок 3 расположен в коробке 8изготовления из картона.Дренажное приспособление можетбыть выполнено из пластикового материала. например полиэтилена, эа одно целое снаконечником или укрепленное на нем. анаконечник может быть выполнен иэ полиэтилена.Устройство работает следующим образом,При сливе жидкости из мешка 3, дажеСогда он частично или почти полностью опорожнен, стенка мешка, противоположная- наконечнику 1, входит в соприкосновение сконцами ребер 5 и жидкость сливается через зазоры 6 в выпускное отверстие 2 наконечника 1, при этом ребра 5 обеспечиваютсвободное...
Способ измерения толщины тонких пленок
Номер патента: 1668858
Опубликовано: 07.08.1991
Авторы: Батище, Кузьмук, Мостовников, Татур
МПК: G01B 11/06
Метки: пленок, толщины, тонких
...толщину пленки контролируемого объекта. 2 ил,ботающего в непрерывном режиме, например, Не-Ме лазер с длиной волны 632,8 нм, Отраженное излучение измерительного пучка с помощью линзы 1:регистрируется детектором Д, выходной сигнал которого пропорционален интенсивности отраженного излучения (фиг.2). Под действием импульсного излучения зондирующего пучка слой пленки проплавляется на некоторую глубину. При охлаждении расплавленный слой рекристаллизуется. По структуре рекристаллиэованный слой аналогичен слою до воздействия излучения зондирующего пучка за счет быстрого эпитаксиального роста от непроплавленного слоя пленки. По мере увеличения энергии зондирующего пучка глубина проплавления пленки всэрастает, и при некотором значении энергии,...
Способ измерения толщины тонких пленок, нанесенных на подложку
Номер патента: 1670385
Опубликовано: 15.08.1991
Авторы: Рыков, Харионовский
МПК: G01B 11/06
Метки: нанесенных, пленок, подложку, толщины, тонких
...значенияющих соседнимэксционной картины втре,Из формулы (1) следует, что в спектрах прозрачности при длинах волнЯох = , пч = 2, 4, 6 (2) наблюдаются максимумы, а при длинах волн4 п 1 л =4 пб%=1,3,5гпнаблюдаются минимумы.Если показатель преломления пЯ) зависит от длины волны, то из интерференционных полос нельзя определить толщину пленки, однако, часто можно считать пЯ ) = сопзс, тогда на основании длин волн Ат, и А - 1, соответствующих соседним экстремумам в спектре прозрачности, может быть определено произведение пб из равенства 4 пб в Ьл = (гп - 1 Яг - 1, откуда Способ осуществляют следующим образом. На тонкую стеклянную подложку размерами 10"0,5"0,2 мм с одной стороны в качестве непрочного слоя наносят тонкую алюминиевую...
Способ получения ферритовых пленок
Номер патента: 839405
Опубликовано: 15.08.1991
Авторы: Вамберский, Кудинов, Нижельский, Полущенко, Фролов
МПК: H01F 10/20, H01F 41/18
Метки: пленок, ферритовых
...11,4 МГц. Кислород подается на вход разрядной трубки под давлением 1,2-2 атм. Напыляемый порошок грануляцией 10-40 мкм вводится в сопч5 ловои насадок (на выход плазмотрона). в низкотемпературную зону плазмы, что обеспечивает минимальное время нахождения материала в плазме и способствует устранению явлений диссоци ации. Разработанная конструкция плазмотрона позволяет в зависимости от состава феррита и дисперсности по" рошка выбирать температурную зону ввода порошка в пределами 1500-3000 С Подача порошка осуществляется транспортирующим .газом-кислородом с помощью питателя, специально сконструаированного для напыления мелкодисперсных порошков. Порошок приготовляется измельчением и смешиванием ферритообразующих окислов или помолом час" тично...
Способ получения оксидных пленок на алюминии и его сплавах для металлографических исследований
Номер патента: 1675401
Опубликовано: 07.09.1991
Авторы: Бурсук, Воронкова, Тевлин
МПК: C25D 11/26
Метки: алюминии, исследований, металлографических, оксидных, пленок, сплавах
...порошка графита (сажи), тщательно распределенного в клеящем веществе (раствор коллодия в амилацетате). Укрепляющий слой накосят несколько раз, создавая, тем самым, большую толщину и прочность пленки. После просыхания смонтированного слоя, с обратной, не защищенной стороны образца, механическим путем удаляют насколько возможно слой металла. Оставшаяся небольшая прослойка металла удаляется в растворе соляной кислоты, концентрация которой меняется в зависимос 1 и от металлаСоставитель Ч. ДудикТдхред М,Моргентал Корректор О.Кравцова Редактор Н. Рогулич Заказ 2979 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 11935, Москва, Ж, Раушская нэб 4/5 Производственно и:датдьский комбинат...
Способ измерения магнитных характеристик доменосодержащих пленок
Номер патента: 1677680
Опубликовано: 15.09.1991
Автор: Шелухин
МПК: G01R 33/05
Метки: доменосодержащих, магнитных, пленок, характеристик
...пленку 6, телевизионную передающую камеру 7, блок 8 анализа и импульсный источник 9 тока. 2 ил,не максимально возможного значения Н 1 =11= - Н макс. В случае, если первоначальнодоменная структура представляла собойрешеткуЦМД, то процесс измерения начнется с разрушения решетки ЦМД импульсами магнитного поля, направленногоперпендикулярно плоскости пленки, Циклически повторяют процесс образования иразрушения решетки ЦМД до тех пор, покас необходимой точностью не определят минимальную амплитуду магнитного поля, направленного параллельно плоскостипленки, достаточную для образования решетки ЦМД, по которой судят о напряженности поля одноосной анизотропии иминимальную амплитуду магнитного поля,направленного перпендикулярно плоскостипленки,...
Кассета для крепления рентгеновских пленок при фотообработке
Номер патента: 1677690
Опубликовано: 15.09.1991
МПК: G03D 13/08
Метки: кассета, крепления, пленок, рентгеновских, фотообработке
...и упрощение конструкции.На фиг. 1 показана кассета с планками для крепления пленок и обработки, главный вид; на фиг. 2 - вид сверху; на фиг, 3 - сечение А - А на фиг. 2.Кассета состоит иэ прямоугольной рамки 1 согнутой на полосы, снабженной пазами 2 на противоположных длинных сторонах, в которые устанавливаются планки 3 с ломаными пазами 4. На рамке 1 приварены заходные петли 5 для стыковки нескольких. кассет посредством установки одной на другую и образования легко разборных проявочных блоков. В зависимости от длины пленок 6 выбираются соответствующие пазы 2, В планках ломанные пазы 4 выполнены шириной,а, например 0,5 мм, вертикальная часть длиной например 2 мм, наклонная часть длиной С, например 5 мм, составляющей с вертикальной...
Способ получения пленок бактериородопсина
Номер патента: 1678919
Опубликовано: 23.09.1991
Авторы: Бандровская, Батори-Тарци, Корпош, Склянкин, Шаркань, Шершун
МПК: C30B 29/58, C30B 7/12
Метки: бактериородопсина, пленок
...подложки со скоростью большей, чем 720 мм/ч,не приводит косаждению пленки,Путем изменения скорости вытягиванияподложки из раствора и величины создаваемого постоянного электрического поляможно задавать толщину получаемых пленок от 5 мкм до 120 мкм,Степень ориентации молекул бактериородопсина контролируется по величинедихроизма, наводимого линейно-поляризованным светом, получаемым из лазера 8ЛГ - 126 длина волны излучения 0,6328 мкм),после прохождения через поляризационный фильтр ПФ,5 9, Регистрация сигнала осуществляется фотодиодом ФД - К - 15510, через вольтметр универсальный В 7 - 2111,П р и м е р 1, К подвижной электропроводящей подложке 3 подводится положительный потенциал, а к неподвижномуэлектроду -...
Устройство для напыления пленок
Номер патента: 1679568
Опубликовано: 23.09.1991
Авторы: Кобыляков, Костроменко, Лялько, Пластюк, Шелехов
МПК: G01B 11/06, H01L 21/02
Метки: напыления, пленок
...скорость движения свидетеля 5 с помощью регулятора 4 движения свидетеля, Оптимальной для проведения процесса измерения скоростью является такая скорость, при которой сигнал, регистрируемый усилителем 14 фотоприемника, является минимальным. После этого включается измерительная часть устройства, открывается подвижная заслонка кварцевого резонатора 2 и начинается процесс измерения толщины пленки. Иа кварцевом резонаторе 2 происходит рост пленки. В процессе осаждения пленки на кварцевом резонаторе 2 изменяется масса резонатора 2, возникает сдвиг резонансной частоты, который регистрируется измерителем 16 частоты кварцевого резонатора. Величина сдвига резонансной частоты передается измерителем 16 частоты на эадатчик 17 маркировочного...
Устройство для сварки термопластичных пленок
Номер патента: 1682199
Опубликовано: 07.10.1991
Автор: Грошев
МПК: B29C 65/02
Метки: пленок, сварки, термопластичных
...ПЛАСТИЧНЫХ ПЛЕНОК(57) Изобретение относится к обла ки пластмасс и может быть испо при сварке пленочных материалов повышение эксплуатационных во стей устройства, Для этого в устрой сварки термопластичных пленок тель установлен в кольцевом выступ совочного ролика. Герметичная о выполнена в виде двух камер, расп ных с торцовых сторон выступа рол виде проволоки, напри утопленной в кольцевом Нагреватель 3 может бы патрубка для подачи наг 4),В этом случае опрессовочный ролик состоит из двух дисков, образующих по рабочей поверхности кольцевого выступа щель 6, в которой размещен нагреватель, Эластичные камеры на одном опрессовочном ролике могут быть различных объемов,Устройство работает следующим образом,Нагреватель 3 нагревается до...
Электролит для катодного осаждения хромитных конверсионных пленок
Номер патента: 1682412
Опубликовано: 07.10.1991
Авторы: Грищук, Данилов, Лавриненко, Марк, Панасенко
МПК: C25D 11/38
Метки: катодного, конверсионных, осаждения, пленок, хромитных, электролит
...2;1.Скорость роста пленки зависит от плотности тока и замедляется в процессе ее образования, составляет 0,01 - 0,2 мкм/мин, Химический анализ пс верхности образцов с защитной пленкой, проведенный на рентгеноэлектрэнном спектрометре "Эскалаб" в условиях глубокого вакуума 10 - 10 мВт, показывает, что в состав пленки входят окись хрома, гидроокись хрома. а также следы молибдена в форме гидроксида молибдена.В таблице предс-авлены состав и свойства электролита,В ремя отверждения - перйод от момента образования покрытия до окончания его затвердевания и уплстнения определяют достижению полной защиты серебряной основы от потемнения при погружении на 15 мин в 2-ный раствор сульфида натрия.Все остальные характеристики хроматированных серебряных...
Травитель для эпитаксиальных пленок на основе железоиттриевого граната
Номер патента: 1682417
Опубликовано: 07.10.1991
Автор: Мальцева
МПК: C30B 29/28, C30B 33/08
Метки: граната, железоиттриевого, основе, пленок, травитель, эпитаксиальных
...с выдеуокиси азота, что обуславливает е скорости травления эпитакпленок толщиной 20 мкм до ин, При превышении данной кон- ф азотной кислоты скорость трав- растает еще более, но при этом ухудшаться качество границ вымых элементов,ники, таки нии задер ляется пов обеспечен лективно Для дости витель, со азотную к ту в соотн вен но, Т темп ерату ратуре азо лением дв повышени сиальных 3 - 4 мкм/м центрации ления воз начинает травливае Поставленная цель достига травитель для эпитаксиальных содержащий ортофосфорную полнительно содержит концен азотную кислоту при следующ нии компонентов, мас. ;Азотная кислота (концентрированная)ОртофосфорнаякислотаТравление производится туре около 175 С, близкой к кипения ортофосфорной кисло температуре...