Способ получения сегнетоэлектрических пленок на диэлектрической подложке
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
d = (0,1 - 0,0025)h,
где d - диаметр частиц порошка;
h - толщина полимерной пленки,
а термообработку осуществляют однородным скользящим по поверхности подложки разрядом с объемной энергией (2 - 3) х 105 Дж/м3, числом импульсов 5 - 6, частотой следования импульсов 5 Гц и длительностью импульса не более 2 мкс.
Заявка
4495814/21, 11.07.1988
Куйбышевский авиационный институт им. акад. С. П. Королева
Журавлев О. А, Кислецов А. В, Кусочек А. П, Яббаров Н. Г
МПК / Метки
МПК: H01G 4/08
Метки: диэлектрической, пленок, подложке, сегнетоэлектрических
Опубликовано: 27.05.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1600564-sposob-polucheniya-segnetoehlektricheskikh-plenok-na-diehlektricheskojj-podlozhke.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения сегнетоэлектрических пленок на диэлектрической подложке</a>
Предыдущий патент: Способ получения углеродного ионообменника
Следующий патент: Гусеничная машина
Случайный патент: Автопоилка для животных