Патенты с меткой «пленок»

Номер патента: 1578019

Опубликовано: 15.07.1990

Авторы: Жидонис, Забукас, Качергюс, Милашаускас

МПК: B29C 65/38

Метки: загрязненных, пленок, полимерных, соединения

Номер патента: 1326119

Опубликовано: 23.07.1990

Автор: Шкляев

МПК: H01L 21/31

Метки: кремния, оксида, пленок

...с давлением остаточных газов - 10 Па. В качестве источника Б).О используют пластины кремфния с,ориентацией поверхности (100),удельным сопротивлением .1 Омсм иразмерами 20 50,6 мм. Пластины устанавливают в танталовые зажимыи нагревают пропусканием тока. Напротивпластин на расстоянии 120 мм на одномиэ электродов устанавливают подложку.Осаждение пленок прОводят при температуре подложки 300-350 К, Кислороднапускают в реакционную камеру с помощью, вентиля-натекателя, содержаниепримесей в нем менее 13, ПроводятОсаждение пленки в следующем режиме:мощность высокочастотного разряда И=2= 4 Па. Пленка растет со скоростью:86 А/мин.П р и м е р 2. Осаждают пленкив режиме Ч = О,З,Вт/смф Т = 1550 Кк Р = 1 15 Па, Скорость ростапленки .40 А/мин.П р.и...

Номер патента: 1579572

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Антипова, Камирная, Кудрина, Мальковский, Пухов, Шерстяков, Юдкин

МПК: B05D 1/38, C08F 2/48

Метки: пленок, полимерных

...светового некогерентного излучения от ксеноновых ламп накачки типа И Н П/250 А с плотностью потока энергии 4 Дж/см и длительностью импульса 2 мс. После последующей технологической операции (покрытие компаудом ЭК- 1) конденсаторы подвергают испытаниям на влагостойкость, Испытание подтвердили хорошие влагозащитные свойства полученной пленки ТАЭ БТК,П р и м е р 2. Кремнийорганический компаунд 159 - 167 наносят тонким (10 - 20 мкм) слоем на металлическую пластинку, После нанесения материала на пластинку ее подвергают 7 - 10 - кратному воздействию мощного импульса светового некогерейтного излучения с плотностью потока энергии 10 Дж/см и длительностью импульса 1 мс.2Пленка компаунда заполимеризовалась полностью.1579572 Составитель...

Номер патента: 1581592

Опубликовано: 30.07.1990

Авторы: Герасимов, Дулевич, Заногин, Иванов, Оленин

МПК: B29C 55/06

Метки: одноосной, ориентации, пленок, полимерных

...ведут в оленни при комнатной тескоростью 10 мм/мин дотяжки пленки 3=4,2, Попленку освобождают отнивают однородность свнию пленки, измеряя еепень локальной деформацориентации макромолекувеличине двулучепрелопень ориентационной непленки по сечению А раформуле 2 2 Л центра пленки1581592 Формула изобретения А, 7. Р опыта Толщина растянутой пленки, мкм Двойное лучепреломление пленки Ширина пленки Степень вытяжки крайпленки после растяжения мм центрпленки крайпленки кр ай пленкиЗаказ 2059 Тираж 531 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 П р и м е р 2. Из промышленной рулонной пленки...

Номер патента: 1581787

Опубликовано: 30.07.1990

Авторы: Бакшеев, Воронков, Гриншпан, Ирклей, Лущик, Фингер, Цыганкова, Чеголя

МПК: D01F 2/08

Метки: ванна, волокон, гидратцеллюлозных, осадительная, пленок, формования

...целлюлозы в 657-ном хлориде цинка, формование волокна осуществляют на лабораторной прядильной установке МУЛсо скоростью 9 м/мин через фильеру с 40 отверстиями диаметром 0,08 мм с отрицательной (-50) фильерной вытя кой в осадительную ванну с температурой 30-60 С. Пленки получают путем полива горячего (65-75 С) раст 2(54) ОСАДИТЕЛЬНАЯ ВАННА ДЛЯ ФОРМОВАНЯ ГИДРАТЦЕЛЛЮЛОЗН 11 Х ВОЛОКОН И ПЛЕ10 К воров целлюло Изобретение и ко-механическ КОН И ПЛЕНОК для формовани держащей 5-418,0-25,5 мас спирт. 1 таблвора целлюлозы на полированную ст лянную поверхность с последующимосаждением. качестве осадительных ва уют Водные растворы спир овый, изопропиловый, и О этиленгликоль, глицерин) хлоридом цинка. Регенери на и пленки отмывают от растворителя,...

Номер патента: 1588759

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Гуджабидзе, Кошоридзе, Ломсадзе, Муджири, Русиеишвили, Царцидзе

МПК: C12Q 1/00

Метки: биоповреждения, пленок, полиимидных, степени

...полиимидных пленокприведены в табл,1:Как видно иэ данных табл.1, весовым метоДом биоповреждение полимера 30не обнаруживается перные 1 О дней,Определение разности спектров поглощения образцов при 430 нм уже на 5день позволяет установить измененияв оптической плотности полиниднойпленки и оценивать степень повреждения пленок.В табл.2.приведены данные по биоповреждению полиимидных пленок в условиях влажных субтропиков, определенные по бальной шкале и по разности спектров поглощения при 430 нм.Образцы лежали на складе и микологической площади Колхидского центраклиматических испытаний, 45Результаты проведенной оценки (табл.2) степени биоповреждения полиимидных пленок показывают, что способ определения повреждения по разности спектров...

Номер патента: 1597368

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Варламов, Куница, Мнацаканов, Романова, Сидорова, Смаглова

МПК: C08J 5/18, C08L 1/12

Метки: пленок, раствор, триацетатцеллюлозных, формования

...выбранный иэ грулпы 1 дибутилфталат 0,4-1,6, или трифенилфосфат 0,5-2,0, или нх смесь 1,6-2,0 (при массовом соотношении дибутилфталата и трифенилфосфата (0,4-1,5) :(0,5-1,2); метиловый, этиловый или бутиловый спирт -5,0-10 О; фторид натч=рия или хлорид алюминия 0,01-0,5; метиленхлорид остальное, 3 табл,С:". ол, гексанол, фт идрид алюминия.Пленкообразующие раств,ле смещения компонентов вподвергают фильтрации и дВязкость растворов опредду падающего шарика,Пленки отливают на нистекла при комнатной те ла изобретени р для формования триацета ых пленок, содержащий три1597368 тат целлюлозы, пластификатор, спирт,выбранный из группы, включающей метиловый, этиловый, бутиловый, метиленхлорид, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью снижения...

Номер патента: 1597401

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Логинов, Рандошкин

МПК: C30B 19/04, C30B 29/28

Метки: выращивания, пленок, феррит-гранатов, эпитаксиальных

...этого температуру снижают до значения Т= 865-900 Со расплав помещают подложку из гад ний-галлиевого граната с ориентаци К 1597401(111) диаметром 20 мм, предварительно прогретую до той же температуры, Под- е ложку приводят во вращение со скоростью 120-180 об/мин. Наращивание пленок проводят в течение 1-30 мин, после чего подложку извлекают из раствора-расплава, приводят ее в ускоренное вращение для стряхивания капель раствора-расплава и охлаждают.Параметры пленок скорость движения доменных стенок, коэффициент опти- СР ческого поглощения гленок, выращенных при разных составах раствора-расплава и температуре роста, даны в таблице,1597401 Ф ор м у л а и з о б р е т е и и я СоставСодержание компонентов, мол.7) Вьоа Тт Оа Реоа Сатори т, фС...

Номер патента: 1599238

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Белый, Булавка, Гришачев, Желудик, Конончук, Кузовков, Курченко, Танцюра

МПК: B29C 65/14

Метки: пленок, полимерных, сварки, термопластичных

...= 190 С, Тем.пература начала термической деструкции Т 4 = 350 С, При световой сваркепрямым нагревом полиэтиленовых ненаполненных пленок скорость сварки мо"жет достигать 0,5 м/с, Пусть исходная скорость сварки Чо = 0,5 м/с.Увеличение скорости сварки (производительности технологического процесса) обусловлено увеличением площадиповерхности теплопередачи по сравнению с исходной площадью Б О, т.еЧ:Чо = Б:Бо где Ч - скорость сварки,соответствующая площади поверхноститеплопередачи Б, сформированной послестадии импульсного облучения пленок,В качестве светопоглощающего порошка выбран технический углерод(СТ СЭВ 3766-82) со среднеарифметическими радиусами частиц г = (1,5-5,4)х 10 мм, Поверхностную плотность инанесения частиц варьируют в пределах...

Номер патента: 1599415

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Сидоренко, Чайкина, Шапиро, Яковлева

МПК: C09J 4/00

Метки: клей, композиционных, основе, пленок, полимерных

...направлении.Тепловое старение проводят в термошкафах, снабженных системой принудительной вентиляции при 180- 2 С.Оценивают также изменение внешнегонида образцов материала, фиксируяслучаи отслоения бумаги от пленки,чзменение цвета клея и другие пРизнаки потери однородности композиционного материала,П р и м е р 2, Аналогично примеру 1 растворяют 250 г 100 мас.ч.)полиэфира ТФи 150 г (60 мас,ч.)эпоксидной смолы ЭД(ГОСТ 1 058772) н 1250 г (500 мас.ч.) формальгликоля (ТУ 6- 02-871-74). Затем попримеру 1 изготавливают материал, ис"пользуя в качестве подложек электРоизоляционную бумагу из лавсановоговолокна (ТУ 13-04-361-75).П р и м е р 3, Аналогично примеру 1 растворяют 250 г (100 мас,ч,)полиэфира ТФи 250 г (1 00 мас.ч,)эпоксидной смолы...

Номер патента: 1608066

Опубликовано: 23.11.1990

Автор: Лангин

МПК: B29C 33/60

Метки: антиадгезионных, пленок, состав

...На ОСНОВЕ ЭПОКСс 1 с 3;)1 Смо; . И аИИН НОГО ОТВЕРДИТРЛЯ,3 СС,)-, 1)ГГ)(г 333 И 18 ХНО, П И 53 ИЗГОтОВЛЕ 35 г,1".,03 ич, ые " рилеру 1,О; 30" 1 Исг 333 РНИС И 1 ВРЭО ОРЗ.3(.3,3 Ь ИВЕОХНОС ГЪИ Лг)сдгз)ЬЕЙ ИЗ(ОтОВ, Е-(.Ь Хв вас гичггь 3 Х ,Ор, ах с(эо-Ветствуе пзГа3 рзм цлзс.массового изделия. используЕМО;а В КасЕС ТБЕ ЗтаЛОННОГО ДЛЯ33,33,) г ОБ)383глЯ ЭЛВ ТИЧг 10 И фоом Ы,бг г., ДЭЛЬН РИЗ1 Р;На Г)ОБВОХНОС ГЬ ИЭГОТОБле 3,3 ьх л)одееи 3 - з 3 Ося) токопроводя(нийСЛОЙ (Г)ОСР 81)Ссво г ХИЕИЧЕ(,К 010 гяедНБНЗИЯнэ с;льфида л Вди) и Оса,.;дзот в гальвзнс, -33 г З 1 3 И 38( КОИ уСг.:; 3 )Б 3 3 1;.) Мо)геЛ Ь СГЗЛЗВк(Л3(обгл) ТЗ 1 3 ЛВИ 1 Э С ,г 1 Ь(Э-".111",3301)1)ИС,3 ЫХ ЗЛК 3 Г)О)ЬИ 3 3:,: 3 ОЛг ГС)я ТЕМ СЗЛ" Ь 313ф гГ ,г) У ДЛ Я Л И т Ь...

Номер патента: 1608253

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Антонов, Беланович, Голосов, Коледа, Селянинов, Щукин

МПК: C25D 11/14

Метки: алюминии, анодных, изоляционных, пленок, сплавах, термостойких

...менее 40 В и более 80 В, а также при темпео оратурах менее 42 С и более 46 С. Примеры осуществления способа представлены в таблице,Покрытия получали на образцах алюминия или его сплавов И 1 Г 2 АМГЗ,Предварительно образцы обрабатывали алмазным резцом до 10-1 класса шероховатости поверхности, обезжиривали кипячением в хлороформе в течение 15 - 20 мин, промывали 3-5 мин в дистиллированной воде, Повторное анодирование осуществляли при 2 А/дм2отемпературе 40 С в течение 60 мин в электролите, содержащем, г/л: щавелевая кислота 30-70; борная кислота 40 50 нее 3 мкм при 42-46 С и напряжении 0-80 В, а затем в электролите на основе щавелевой, борной и лимонной (виннои, яблочнои) кислот прп плотности тока 1-4 А/дм и температуре 35-43 С в...

Номер патента: 1609795

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Прокопов, Седунов, Шульгина

МПК: C08B 37/08, C08F 120/06, C08J 5/18 ...

Метки: пленок, хитозановых

...30. 11, 90. Бюл, М 44 (71) Ленинградский техноло институт им, Ленсовета (72) А,А, Прокопов, О,Н, С и Э.С, Шульгина (53) 677,473(088.8) (56) Николаев А.ф., Прокоп и Шульгина Э.С, Влагопрони влагопоглощение хитозаноны Журнал прикладной химии, 1 с. 1676-1679. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ХИТО ПЛЕНОК (57) Изобретение относитсягии получения полимерных м Изобретение относится к технологии полимеров, н частности к получению пленок на основе аминополисахарида хитозана, которые могут применяться в технике н качестве пленок оптического назначения и гидрофильных прозрачных покрытий по деталям оптики,Целью изоИретения является получение водонерастворимой пленки и повышение ее прочности при сохранении высокого светопропускания.П р и м е р 1, 0,3 мас,ч,...

Номер патента: 1609796

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Дергунова, Зырянов, Махкамов, Насыров, Салитра, Шанявский

МПК: C08L 1/12, D01F 2/24

Метки: волокон, композиция, пленок, формования

...из раствора отливают пленки. 20П р и м е р 8. Раствор готовят аналогично примеру 7, изменяя количествареагентов, Получают раствор, содержащий 25 мас,Х ацетата целлюлозы,0,75 мас.И 1,4-дигидро,3-бензодитии на.П р и м е р 9.(сравн) . Готовятсмесь состава, мас.Б: ацетат целлюлозы 4; диметил-метилентиазолидин-тион 0,4-4,4; ацетон 96, перемешнвают и отливают пленки,1П р и и е р 10 (сравн, ) . Раствор готовят аналогично примеру 9, изменяя количество реагентов.Состав композиции и свойства пленок представлены в таблице. формула из обретения при массовом соотношении ацетата целлюлозы и указанного сгетостабилизатора 100 ф(2-3) при следующем соотношении компонентов, мас.Е:Ацетат целлюлозы 5-25 1,4-Дигидро,3-бензодитиин указанной формулыАцетон...

Номер патента: 1616831

Опубликовано: 30.12.1990

Автор: Нитковских

МПК: B29C 41/26, B29C 43/46

Метки: барабан, пленок, полимерных, формования

...35, сальниковые набивки 36, ,грундбуксы 37.Система циркуляции теплоносителя включает емкости 38 и 39, насосы 40 и 41, вентили 42 и 43, теплообменники 44 и 45 соштуцерами 46 и 47, регулируемые клапана 48 и 49, датчики 50 и 51 температуры. Система теплоносителя снабжена задатчиками температуры (не показано).Нагрев барабана осуществляют следу ющим образом,Система циркуляции теплоносителя за полняется водой, а в теплообменники 44 и45 подается пар. Задатчик температуры теп лоносителя устанавливается на требуемой температуре нагрева барабана, например , 85 С, после чего включаются насосы 40 и 41.По командам датчиков 50 и 51 температуры открываются клапана 48 и 49, и теплоноситель (горячая вода) через штуцера 28, кольцевой зазор, образованный...

Номер патента: 1620983

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Алехин, Калиниченко, Лебедь, Федотов, Хакимьянов, Чабуркин

МПК: G03D 13/00, G03D 13/08

Метки: катушек, обойма, пленок, светочувствительных

...пленками 5.Катушки 2 заряжают поочередно с применением для зарядки каждой из нихпары съемных дисков 7, Для этогодиски 7 насаживают на очередную катушку 2 слева и справа с погружениемспиц 4 Фланцев в радиальные пазы 9до упора в тело дисков 7 При этом перед насаживанием поворотом фланцев 7 осуществляют такой подбор положеканин в тубус 22 катушек 2 имеется 5возможность их расположения на опо.- рах-зацепах 23. Подводилгый воздушный поток свободно проходит между спицами 4 фланцев катушек 2, но упирается в поршень 17 на оси 1, создавал турбулентное движение, что резко ускоряет процесс сушки,Формула из обр ет ения 1. Обойма катушек для обработки светочувствительных пленок, содержащая Ось с ндбарсы съемгьх кдту 1 це 1 р каждая цз которых...

Номер патента: 1517558

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Бурым, Дубинко

МПК: G01R 33/04

Метки: легкого, намагничивания, ориентации, оси, пленок, прозрачных

...с поляризатором положении, и далее - нафотоприемник 8, Затем измеряот сдвигфазы между сигналом с фотоприемникаи сигналом с резистора 9, пропорщональным току катушек, создаощих поле,параллельное плоскости образца, с помощью днухлученого осцллографа 10,На вход внешцей скролздции осциллографа подается сгнал с формрователя прямоугольных импульсов 11, цакоторый поступает сцгцап с резистора 9, Вращая лимб с образцом, отыски"наот положеие 3 о Гда сдвиг фазы мак 20сималец, На фиг, 2 схемдтчески изображены доменная стрчктура и различныефазы вращения поля 1 Т ОЛН лежит нвоскост, которая совпадает с плоск, остьюо вращения цол. Н направлениеОЛН составляет угол Оо с нормалью кпленке, Стрелками ца фцг, 2 показанынаправления некто ров и...

Номер патента: 1624067

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Семенюк, Скобеева

МПК: C30B 19/02, C30B 29/48

Метки: выращивания, пленок, теллурида, цинка

...С, Эту смесь загружают в ячейку кассеты, в другую помещают подложку из 2 п 5 е, Кассету устанавливают в кварцевый реактор, нагревают до 650 С при непрерывном пропускании водорода и выдерживают при этой температуре в течении времени, достаточного для насыщения раствора-расплава(20 мин), Контакт раствора-расплава с подложкой осуществляют поворотом кассеты на 180 вокруг своей оси, при этом раствор-расплав располагают над подложкой. Для осаждения пленки проводят охлаждение системы до 450 С. При этой температуре проводят отделение раствора-расплава с поверхности выращенной пленки путем возвращения кассеты в исходное положение. После охлаждения печи до температуры эвтектики подложку с осажденной пленкой извлекают иэ ростового реактора, В...

Номер патента: 1625869

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Гершенович, Горбачева, Качурина, Полозов, Стефанович, Торяник

МПК: C07C 211/62, C11D 1/88

Метки: пленок, полиамидных, полиэфирных, смачивателя

...95,62/ сульфоокиси алкилдиэтиламина и 2,ОЭХ сульфоокиси ди(алкилдиэтиламина), остальное - примеси.П р и м е р 4. В 200 г промышлен ной фракции алкилдиметиламина с длиной алкильного радикала СЯ- С 4 Ну с содержанием 4,9 г (2,45/) высокомолекулярных простых эфиров с длиной алкильного радикала СН- С 4 Н 25 при 18 С вводят 67,0 г двуокиси серыов течение 2 чИзбыток двуокиси серы направляют во второй реактор, который расположен последовательно. В процессе реакции температура поднимается до 59 С. По завершении реакции получают 254,2 г (99,9 Х от теории) светло- желтой подвижной прозрачной жидкости, состав которой определяют по примеру 1: 96,8 Е сульфоокиси алкилдиметиламина и 1,27 Х сульфоокиси ди(алкилдиметиламина), остальное - примеси....

Номер патента: 1626243

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Ляшевич, Полозов, Продан, Терешкова

МПК: G03C 11/24

Метки: основы, пленок, полиэтилентерефталатной, регенерации, фототехнических

...1 редолжают обработку осгалшуося осоеУ здиедот 1 Г)0 1 л 3 у но о РгдстеОГ)гч ГдОН. Соде)жиглое емкости подоге)Гдог дц "8 С и оыдержиодют гри этой температуре 1.5 мин, ЩеГо ной фцльтраг сливают, Оссоу цромьваог 2-3, рдзд водой и сушат цд ог злухс.,суе 1 ук) Гснооу (пробу) рдсплдоляют д и;оском сто.ле гри 20" с. Плао не цснитсч, имсет розова)о - белое окрашивание. Г,1 ел сг бьп ь ИСГользо)до цоомышлен 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 ости.П р и с р 5, Г 1 роцесс проьодяг аналогично примеру 4. Отличие состоит в том, что псрердбогке подоергаегся крдсная лента на Г 1 ЭТч=-основе, ФТк - 10 П, ФТк - 11 П, Ф 1 к - 20 П,После первичной щелочой обработки плдо ПЭТФ=е,новы имеет коричневое окрашивдиие (" горит" ), после обработки рдствордми...

Номер патента: 1626244

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Кохановский, Ляшевич, Полозов, Терешкова

МПК: G03C 11/24

Метки: основы, пленок, полиэтилентерефталатной, регенерации, фототехнических

...при ЭЗ" С (без добавки ИдС, э затем в течение 17 мин при 63 С водой и ,83-ым водным раствором серпи кислоты при 85 ОС в течение 1 минПлав регэнерировэнного ПЭТФ продочжает оставаться "грязным", "горит" и пенися. В промыолености не используется.Г 1 риме р 5 Б сгекля;ныйстдкднс 100 л одпгретой до %" С воды насыпают 20 г измельноз (дчой в пгпГе ине 5 20 мл). зеле 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 ной фотоленты нэ ПЭТФ -основе, ФТкП, ФТкП и перемешивают в течение 15 мин. Останавливают перемешиоание и добавляют 1,5 г серной кислоты (1,5 -ный г.дный раствор Н 2:Оа), после чего включают перемешивание и нэчинают поднимать температуру со гкоростью нагрева 1 С/мин до достижения 91 С. Нагрев выключают и выдерживают содержимое стакана при этой...

Номер патента: 1627823

Опубликовано: 15.02.1991

Автор: Лаанеотс

МПК: G01B 7/06

Метки: мера, пленок, толщины

...кс итролируемых этими то;гомерлми ие гл:ей,ору иртов) 5 ют с:е уГм Обрл -зом, 1011,брлт ислый Ипр, обрябатывл и его илружиую и внутреннюю поверхс( ги необходимого диаметра, 11 я нлружи(н внутренней поверхности и говэ(г плзы в гиде кольцеых ка и; вок тлким образом, чтобы соблюдал;, т.гиил иочожс 11 в репеллх э-Р . м.раблтывлют цил;и;рические поверх о. т по;ож( 1 и донья 3 и э ил э в ; со-тие г( тг с требованиям 20Оу ков и:ос илрлетрос: . из,о" иих операций глубина сб(.; и,.о и( илирлнлегни радиуса 25 :рзи дои,си 3 э плзсв лттестус.гся с в:сокой точностью, лиример с о.",о ситических методов. 1 лееилиос.я в илръжый илз пе,; 4 тлк, гоб с с иобогнля поверхность сов и;дилл с лружиой цилиндрической поверхностью оложки 1, 11 роверяют...

Номер патента: 1627926

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Грицай, Кузнецов

МПК: G01N 15/08

Метки: диэлектрических, основании, пленок, площади, пористости, проводящем, распределения

...электролиза, когда замкнконтакты 8 и 9,и после, когдаты контакты 8 и 10. Источник 7ния создает необходимое напряждля проведения электролиза. Ионошению этих емкостей судят оделении пористости по площадиролируемой пленкиПри проведении электролиза происходит выделение газа из пор контролируемой диэлектрической пленки, который вытесняет электролит, находящийся между контролируемой и беспористой диэлектрическими пленками, врезультате чего уменьшается площадьпленки электролита между ними, а следовательио,и емкости конденсаторов,образованных металлическими электродами, покрытыми беспористой диэлектрической пленкой и слоем электролитамежду контролируемой и беспористойдиэлектрическими пленками, Таким образом, существует прямая связь...

Номер патента: 1627931

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Баязитов, Холопов

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезию, диэлектрических, испытания, пленок, подложках, токопроводящих

...обеспечивает усилие его отрыва в случае,когда сила прижатия превышает адгезию пленки 6 с подложкой 51 ил,", с 11)1 1 чЮТ р т(Г р и сРК У . ) 31ОН О Г Г Ь3 ) Менение наметитепя емкости в);Ч С Гпс- КОПтР с НО).О УС РОЙСТВа За ОГТ)Ы 13)М 1 ЕНК)1 т) 1 1)т)ц)г) И 10 ЭОТ" т по ТкЛе прибора впзуа,3) си ровать г омент отрыва пленки и сразу же проводить отбраковку негодных поп в и, наабо х д= галях, без присе:е (я гестовых образцов и приводит 10 К с КОРЕИЮ Л.,:ССО)Р(ДЕЛЕНИЯ, )(с О Нс ЛЬЛОжЕН 15 На ГР ." КИ ЕМКОСТЬэ)оденсатора "Зонд пленк" оста( тгяпо.тоянпой, ро прои ходит в случае,когда Р(1,. -. Рзс (Р,адгезия эек", к; с)5,н )т1 и)З, Р зГ : ондС П;)Л;К.П 1 И Нт р; Г.КИ ОГрмяартСяеФГ)ркСю) ис с) с,т13 Е Г ГОЧЦ ,ь к(нтроля,покры ия равныйсПрои...

Номер патента: 1633031

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Грошенко, Недвига, Пронина

МПК: C30B 19/00, C30B 29/28

Метки: пленок, феррит-гранатов, эпитаксиальных

...слоем расплава и происходит растворение остатков основного раствора-расплава.Вследствие этого при дальнейшем перемещении подложки в холодную зону печипредотвращается кристаллизация паразитного переходного слоя.Отсутствие остатков раствора-расплава на поверхности пленки определяют визуально. Отсутствие переходного слоя определяют по характеру кривой намагничивания материала пленки. При наличии переходных слоев на кривой намагничивания пленки наблюдают характерные "ступеньки". При отсутствии переходных слоев, то есть при равномерном химическом составе пленки, кривая гистерезиса имеет гладкий вид.На полученных пленках(УЪВ 1)(ГеСа) О 2 наблюдают отсутствие остатков раствора-расплава как на поверхности, так и в местах крепления к...

Номер патента: 1635064

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Анисимов, Колокольчиков

МПК: G01N 3/42

Метки: диэлектрических, испытания, пленок

...с зобрет ния - по ания под хност но поверхности пленк пленку, определяют с процессе которого изме емкости между индент пленкой и воздушного от перемещения инде сравнения их, определ ния индентора и с ее твердость, диэлектри мость, пористость, пл стные и вязкоупругие с осится к из нно к опр ких пленок ием известн св, М 12706 - повышен од поверхн ого напря мерительделению и являетго спосо, ие точностью инжен ного(Л О о Формула обре Способ испытания диэл пленок по авт. св. Гч. 1270638,щ и й с я тем, что, с целью точности, на поверхность плен контакта с индентором нанося сти с величиной диэлектрическктри ких отли пов ки в т слой ой иния лас идк иц Изобретение отн ной технике, а име свойств диэлектричес ся усовершенствован ба по основному...

Номер патента: 1638566

Опубликовано: 30.03.1991

Автор: Шенфельд

МПК: G01G 23/36

Метки: весы, массы, пленок, покрытий, потерь

...он посылает указанные токи.Центральный крючок 71 на измерительной подвеске 28 служит для навески парного образца-свидетеля 57 при поверке весов.Работа весов производится следующим образом,В исходном состоянии средняя часть 42 измерительной подвески 28 арретируется с помощью левого арретира 32, после чего с помощью конусного посадочного сочленения 41 производится установка нижней части 43 подвески 28 с крючками 47, ее разворот и ориентирование параллельно плоскости коромысла 1 с визуальным контролем по зеркалу 51, При указанной ориентации погрешность весов от перекоса подвески 28 за счет изменения центровки . по массе испытуемого образца 48 (вследствие изменения его массы) минимальна, поскольку разворот подвески 28 происходит в...

Номер патента: 1641835

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Матвелашвили, Островерх, Пономарев, Русанов, Тихонов

МПК: C08J 5/18

Метки: композиция, пленок

...Разнотолщннность - Разница между Йиакси амин.В табл. 1 и 2 величина разнотолщинно 9 ти пленки приведена в Й - Йик (мкм) с точностью + 0,01 мкм.Максимально допустимая величина разнотолщинности 0,03 мкм, т.е. Й(среднее) Ю,015 мкм, что составляет около 10% от средней. толщины пленки 0,12-0,15 мкм,б) Методика определения оптическихпараметров пленки.Основным критерием оценки качествапленки является ее оптическая плотность, отношение которой к толщинепленки должно оставаться постояннымпри постоянном значении коэффициентов К и и сополимера.Отношение О/Й (О - оптическаяплотность, Й - толщина пленки) резкоуменьшается, когда нарушается внутренняя гомогенность пленки. Оптическуюплотность определяют нанесением пленки сополимера на оптически...

Номер патента: 1641839

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Иванова, Лицов, Николаевская, Семенченко, Скубин, Яковлев

МПК: C08K 5/07, C08L 23/06

Метки: композиция, пленок, полимерная, сшитых, фотохимических

...и 9,10-дигидро-оксантрацен при , следующем соотношении компонентов мас.Е: полиэтилен 99,5-99,9; 9,10-дигидро-оксантрацен 0,1-0,5, 2 табл.(1,5-2,0) 10 Вт/м в течение от 0 до 2 мин. Стойкость композиции к термоокислительной деструкции харак-, теризуют периодом индукции поглощения кислорода в статической системе при 160 С и давлении кислорода равоном 300 корр (Ф).Способность стабилизатора к ьщграции из объема изделий на его поверхность оценивают путем измерения периода индукции .термоокисления пленок при 100 С в течение 100 ч (2 т).Способность стабилизатора к вьпыванию из объема изделий оценивают путем измерения периода индукции термоокисления до и после выдержки в листиллированной воде при 100 С Ж 6) в течение 48 ч и после выдержки в...

Номер патента: 1642410

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Ануфриев, Кожухарь, Костишин, Летюк, Титов

МПК: G01R 27/02

Метки: бесконтактного, пленок, полупроводниковых, удельного, электросопротивления

...при площадях образца, меньшихплощади контура); на фиг. 6 - график зависимости точности измерения Т (Оь) удельного электросопротивления четырех образцовКНС с различными р и толщиной П от частоты измерения (в качестве контрольного использовали четырехзондовый метод), изграфика видно, что наибольшая точность измерения достигается в диапазоне частот135 - 155 мГц,1642410 05 1 ОО 110 1 га 1 ЗО ЮО 15 а 1 бп 170 И 71.р Им см; бмкм; Р-рф 160 и.см 1 Кбмки3-р 11 юм сн;Ь ЗОвм;4-Р" 1 Я 10 м см;Ь=40 юм Способ осуществляют следующим образом,Колебательный контур измерительного устройства с помощью переменного конденсатора (не показан) настраивают в диапазоне частот 135-155 мГц в резонанс при настройке переменного конденсатора на...