Патенты с меткой «пленок»

Номер патента: 1774230

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Николаев, Чечель

МПК: G01N 13/02

Метки: давления, измеритель, лэнгмюровских, пленок, поверхностного, сжатию, сопротивляемости

...пластину вынимают из жидкости и дают свободно повисеть в течение 1-2 мин. После этого пластина Вильгельми приобретает постоянную массу и готова к работе. Затем на поверхность жидкой субфазы в специаг ьной ванне 18 наносчт исследуемую пленку 19, например лэнгмюровскую пленку, Пластину Вильгельми частично погружают в жидкость, так чтобы плоскость пластины была перпендикулярна направлению движения барьера 20, сжимающего пленку, Перемещая регулируемый зажим 17 вдоль плоской пружины 1, а.также перемещая светодиод 9 и фотодиоды 11,12, установленные на одном двухкоординатном юстировочном устройстве, добиваются того, чтобы оптическая щель пластины 5 совместилась с оптической осью между светодиодом 9 двумя парами фотодиодов 11,12. При...

Номер патента: 1774283

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Ануфриев, Гасанов, Титов, Филимонов

МПК: G01R 27/02

Метки: бесконтактного, пленок, полупроводниковых, удельного, электросопротивления

...в том,что при погружении в диэлектрическуюинертную жидкость полупроводниковаяпленка термостатируется при заданной 30температуре, кроме того, поверхностныесостояния ряда последовательно измеряемь 1 х полупроводниковых пленок идентичны,так как определяются не свойствами измея ю щейся воздуш ной среды, а свой".таам и 35диэлектрической инертной жидкости, которые при измерениях постоянны.На фиг,1 и 2 приведено устройство, реализующее способ, где 1 - измерительнаякювета, 2 - измеритель добротности, Измерительная диэлектрическая кювета 1 состоит из корпуса 3, крышки 4 с прорезью дляобразца и градусником 8, В кювете находится неиагнитная диэлектрическая жидкость5, в которую помещены катушки Гельмгольца б и измеряемый образец 7. Выводы...

Номер патента: 1775491

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Бирковый, Ван-Чин, Гаврилив, Гутор, Кочубей, Цьолковский

МПК: C23C 16/18

Метки: окиси, пленок, цинка

...60 - 80 мм рт,ст,Существенными отличительными признаками способа являются проведением 20процесса при низких температурах 20 -50 С, что предотвращает термическуюдеформацию подложек, уменьшает термодиффузию примесей в слой получаемойпленки окиси цинка; использование в качестве окислителя водород-кислородной смеси при низком давлении. Реакцию проводят в горизонтальной кварцевой трубе с внешним обогревом. Ис пользуют предварительно приготовленную смесь алкилпроизводных цинка с водородом и кислород, Давление в реакторе составляет 60 - 80 мм рт.ст, С помощью генератора искрового разряда зажигают ре акционную смесь внутри реактора. Вследствие прохождения реакции окисления на поверхности пластин осаждается слой окиси цинка. Время реакции...

Номер патента: 1407012

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Бобров, Ворожейкин, Кабанов, Коцага, Лиакумович, Прудников, Савельев, Сахапов, Сметанюк

МПК: C08F 255/06, C08F 4/02

Метки: гелеобразного, гранул, пластин, пленок, полимера-носителя, форме, цилиндров

...диаметром 2 мм. Получают184,3 г полимера-носителя, содержащего по анализу, мас.%: ПВП 19,7,ПМЛК 19,9, остальное - СКЭПТ, массовое отношение 1 И 1:1 МА: О, 99, степеньнабухания 4,8 г раствориселя на 1 гполимера-носителя,П р и м е р 2. В реактор иэ нержавеющей с.тали объемом 8,0 л снабженный якорной мешалкой, рубашкой дляобогрева, заливают 5,0 кг экстракци"онного бензина, продувают азотом втечение 2 ч, при перемешивании загружают 0,75 кг иромышленного СКЗПТ,включают обогрев и перемешивают подазотной подушкой при 50 С до полногорастворения каучука, вводят 7,5 гДИНИИЗ, перемешивают в течение 1 ч,затем добавляют еще 15,0 г ДИНИИЗ,перемешивают 30 мин, после чего вводят 37,5 г МАК и ведут прививочнуюсополимериэацию при 60 С в течение5 ч....

Номер патента: 1776567

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Зейгермахер, Микуленок, Пономаренко, Рощупкин

МПК: B29C 41/26

Метки: пленок, полимерных

...осушающего агента, Коллектор 4 установлен на корпусе 5 с возможностью свободного подъема над поверхностью барабана 3 при подаче осушающего агента. Подъем коллектора 4 осуществлен на поворотных рычагах 6. закрепленных на торцах коллектора 4, Поооротныо рычаги 6 установлены на осях 5 10 15 40 45 50 55 7, смонтированных на стенках ванны-корпуса 2, Поворотные рычаги 6 снабжены противовесом 8. При ручной регулировке усилия прижима коллектора 4 к барабану 3 (фиг,2) противовес 8 выполнен в виде резьбовой штанги с гайкой 9, При автоматической регулировке (фиг.5) на резьбовой штанге 8 смонтирован поршень с грузом 10, установленный в стакане 11. Поршень поджат пружиной 12, Усилие прижатия пружины 12 регулируется гайкой 13, Полость стакана 11...

Номер патента: 1777582

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Воробьев, Дидык, Кузнецов, Шестаков

МПК: B01D 67/00, B29C 71/04

Метки: изготовлении, мембран, облучения, пленок, полимерных, фильтровальных

...установленными на входе через щельв камеру облучения 1 пучка ионов от ускори 25 теля 8 тяжелых ионов азотными экранами 9,выполняющими роль диафрагмы для огра-.ничения зоны облучения. В камере облучения 1 по ходу пленки размещеныохлаждающий агрегат 10 контактного типа30 с линиями подачи жидкого азота, узел 11отогрева пленки и узел регулирования температуры пленки при облучении (на фиг. непоказан),Охлаждающий агрегат 10 выполнен в35 виде металлического сосуда с полированной рабочей плоской (фиг.2) или цилиндрической (фиг,1) боковой поверхностью дляконтакта с полимерной пленкой, заполненного хладагентом.в виде жидкого азота или40 его паров и расположенного вблизи азотных экранов 9 с возможностью размещенияего рабочей поверхности или...

Номер патента: 1575856

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Котелянский, Лузанов, Магомедов

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: оксидных, пленок, сверхпроводящих

...соотношений плотностей потоков этих компонент.П р и м е р 1. Пленку оксидного материала с высокотемпературной сверхпроводимостью У 1 Ва 2 СизОт-х с температурой Тф структурного фазового перехода в кристал лическую фазу, обладающую высокотемпературной сверхпроводимостью Тф= 1023 К, наносят на подложку из фианита. Для этого откачивают рабочий обаем вакуумной установки электронно-лучевого распыления до 45 предельного вакуума 2 10 Па, нагреваютподложку до температуры 1020 К Тф, включают источник потока ионов кислорода и устанавливают режим его работы, обеспечивающий получение плотности потока 1015 50 ионов см 2 с и энергией 50-150 эВ, направленного в зону осаждения, Включают электронно-лучевые источники распыления, с помощью которых получают...

Номер патента: 1589690

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Зосим, Пузиков, Семенов

МПК: C30B 23/02, C30B 29/22

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводящих

...6 высокотемпературной сверхпроводящей керамики УВа 2 Соз 07-х размером частиц 1-5 мкм под1589690 ают со скоростью 50 мкг/мин на испаритель3 вдоль поверхности на расстоянии 1-2 ммперпендикулярно потоку 7 испаряемого вещества, Поток бесконтактно испаренногопорошка в течение 4 мин осаждают на подложку 5, выполненную в виде диска диаметром 15 мм из мо окристалла ЯгТ 10 з,расположенную на расстоянии 3 см от испарителя и нагретую до 300 С. Охлаждение докомнатной температуры подложки с пленкой проводят естественным путем,В результате без дополнительного отжига получают высокотемпературнуюсверхпроводящую пленку УВа 2 Сцз 07-х диаметром 15 мм и толщиной 0,8 мкм. Поверхность пленки является зеркально гладкой ине содержит включений других...

Номер патента: 1394742

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Веселов, Джумалиев, Котелянский, Крикунов, Лузанов

МПК: C23C 14/36

Метки: нанесения, окиси, пленок, пьезоэлектрических

...векторами магнитного поля, параллельно мишени на расстоянии 40 мм от нее. Рабочий объем вакуумной установки откачивают до предельного давления 2 10 Па, подложку1394742 Составитель В,ОдиноковТехред М.Моргентал Корректор Л,Пилипенко Редактор Т,Шарганова Заказ 561 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раун.скэя наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. ужгород, ул.Гагарина, 101 и поддерживают давление на уровне 0,2 Па. После этого на мишень подают отрицательное напряжение 450 В и устанавливают ток 1 А. При этом нэд поверхностью мишени образуется зона скрещенных электрического и магнитного полей, которые локализуют разрядную плазму в этой зоне. В указанных...

Номер патента: 1484191

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Гуляев, Котелянский, Лузанов, Тараканова

МПК: H01L 21/203

Метки: монокристаллических, пленок, полупроводниковых

...ЗО.адсорбиронанного атома.Энергияизлучения выбирается такой, чтобы хеиисорбнронанные атомы,находящиеся вне дна потенциальногорельефа поверхности, поглотив квант 35света с выбранной длиной волны, ииели воэможность эа счет поверхностнойдиффузии занять положения, соответствующие минимуиу потенциальной энергии, т.е. занять положения, соответ.стнующие наилучшему кристаллическомусовершенству структуры. Плотностьмощности излучения 1 г оценивается изЬс ц -йусловия ЧМ --- где Ю=О сма 45,по порядку величины составляет У в"-е -4 йл, 10 -10 ,Пж/см . Длина волны излу чения определяется для каждого компонента н отдельности. 50П р и и е р 1. Осаждение монокристаллической пленки СИТе .проводятна подложки СИТе ориентации (10)...

Номер патента: 1781074

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Берестовой, Стецко

МПК: B29C 41/26, B29D 7/01

Метки: пленок, формования

...4 закреплены опорные кронштейны 5, расположенные с"обеих сторон фильеры 3 и свободно опирающиеся своими концами на поверхность барабана 1. Концы кронштейнов 5 могут быть снабжены антифрикционными накладками 6. Устройство содержит также механизм перемещения фильеры, выполненный в виде двух рычагов 7, одни концы которых жестко закреплены на приводном валу 8, а другие концы свободно размещены на опорных кронштейнах 4 и жестко связаны с фильерой 3 посредством осей 9, 10, закрепленных на свободных концах рычагов 7, и одного жестко 11 и одного свободно 12 установленных на одном конце приводного вала 8 червячных колес, Причем свободно установленное червячное колесо 12 жестко связано с размещенной на приводном валу 8 шестерней 13, которая...

Номер патента: 1784908

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Демушин, Заворотный, Мухин, Шаблинская

МПК: G01N 27/48

Метки: защитных, ингибиторов, качества, коррозии, металла, оценки, пленок, поверхности

...10-4 моль/л) и йО 2 , (0,5 Н ЯаС 1, рН=7), г 1;е окислитель кислород, С= 5 .10 -ф моль/л. По" тенциал коррозии обычно устанавливался в электролитах У 1 и Ю 2 в те цение 15 е 20 мин, На изучаемую сис- . тему накладывалось напряжение от по. тенциостата Р 8-4, изменяющееся во 1 времени по закону треугольнйка и фиксировалось изменение во времени тока. Поляризация проводилась от потенциала коррозии со скоростью 50- 100 мВ/с с циклическим изменением потенциала поляризации. При скорости развертки 50 мВ/с при поляризации в катодную область потенциалов верхний предел устанавливался на РЯ- 50 мВ, при 100 мВ/с - 100 мВ для того, чтобы в этот предел укладывался одинг. цикл изменения потенциала, удобно регистрировать на экране осциллографа.При...

Номер патента: 1790515

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Горбачев, Панасюк

МПК: B29C 65/38

Метки: пленок, полимерных, сварки, термоимпульсной

...27 для соединения с кабельным выводом 28 импульсного трансформатора (на чертежах не показан) и стопорным винтом 29 для зажима вывода 20 нагревательного элемента, Пластина 21 также имеет дополнительный соединительный элемент 30, выполненный в виде Г-образной скобы, верхняя часть которой связана с токоподводящим винтом 27 и имеет паз 31 для вертикального перемещения относительно него,. а нижняя часть имеет воэможность одной стороной взаимодействовать с торцевым участком стопорного винта 29 и второй противоположной стороной - с выводом 20 нагревательного элемента равномерно по всей его контактной поверхности (фиг.З), увеличивая контактную поверхность и токопропускную способность, снижая падение напряжения в местах соединения, гарантируя...

Номер патента: 1793197

Опубликовано: 07.02.1993

Автор: Гузенко

МПК: G01B 7/06

Метки: граничных, зубчатых, испытаниях, передач, пленок, смазочных, толщины

...скольжения зубча тых передач пропорционально толщине обтых и редач, полученные последовательно разования граничных смазочных пленок в нач льный момент подачи парафиновых при смазке образцов бензолом (кривая 1), углев дородов в зону контакта вращающих- толуолом (кривая 2), о-ксилолом (кривая 3), ся об азцов (кривая 1) и через 50 - 60 мин триметилбензолом(кривая 4),дифенилметапосле подачи в зону их контакта н-гесана 15 ном(кривая 5) идикумилметаном(кривая 6). при т мпературе смазки 233 К (кривая 2), Способ определения толщины граничн-окт на при температуре смазки 243 К ных смазочных пленок при испытаниях ма(крив я 3), н-декана при температуре смаз- териалов зубчатых передач осуществляют ки 29 К (кривая 4), н-додекана при темпе- ....

Номер патента: 1794033

Опубликовано: 07.02.1993

Автор: Вольфганг

МПК: B29C 43/24

Метки: каландровая, пленок, производства, термопластичных, тисненых

...з,п.ф-лы, 2 ил. еет три валка 19-21, устэнад другом, и валок 22, усд прямым углом к ним. редназначены для регулиия валков 19, 22, 2.1, аликов 2 установлено 12ждый второй валик имеетикального перемещения, а1794033 20 валики 26 и 27 являются первым и последним соотвественно среди выпускных валиков 2,Привод для перемещения гнезд 12 подвыпускные валики 2 и приема их выполненв виде шарнирно-рычажного параллелограммного механизма 28 с двумя плечами 29,соединяющимися стержнем 30, Одно изплеч 29 связано со штоком 31 гидроцилиндра 14,Муфты 32 предназначены для подсоединения выпускного валика 26 к средствамподачи теплоносителя,Установка работает следующим образом.Шток 31 вдвигается в гидроцилиндр 14, выпускной валик 27 отсоединяется от подФормула...

Номер патента: 1796886

Опубликовано: 23.02.1993

Автор: Лаанеотс

МПК: G01B 7/06

Метки: мера, пленок, толщины

...с окружающейсредой, совпадает с цилиндрической поверхностью покрытия 2, соприкасающейся с окружающей средой, Кроме того, на внутренней поверхности покрытия 3 выполнен второй кольцевой паз, однородный с основным, дно 6 которого удалено от цилиндрической поверхности покрытия 3, соприкасающейся с окружающей средой, на величину п 2, равную требуемой толщине пленки или покрытия 7 меры. Пленка 7 заполняет второй паз так, что ее поверхность, соприкасающаяся с окружающей средой, совпадает с цилиндрической поверхностью покрытия 3, соприкасающейся с окружающей средой. Прочие линейные размеры меры толщины пленок определяются исходя из размеров и характеристик датчиков поверяемых толщиномеров, а также исходя из кривизны поверхностей...

Номер патента: 1797628

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Джон, Юджин

МПК: C23C 14/00

Метки: вакууме, осаждением, плазменным, пленок, тонких

...с основного энергетического квантового уровня п=1 на более высокий энергетический квантовый уровень п=З. Когда этот возбужденный электрон переходит на соседний, более низ.кий энергетический квантовый уровень п=2, испускается фотон на волне альфа-водорода. Аналогично фотон на волне бета-водорода испускается, когда возбужденный водородный атом после столкновения с 45 электроном, энергия которого больше 12,73 эВ, сходит со своего возбужденного п=4 квантового уровня обратно на энергетический квантовый уровень п=2, Как результат, интенсивности этих эмиссионных линий во дорода оказываются связанными с плотностью электронов в плазме, обладающей этими энергетическими уровнями. Отношение этих интенсивностей водородных эмиссионных линий дает...

Номер патента: 1803828

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Макарова, Шаронова

МПК: G01N 21/43

Метки: дисперсии, диэлектрических, пленок, показателя, преломления

...угле падения р излучения на образец,Г 3 р и м е р, Образец энодно окисленного арсенида галлия с толщиной окисла б= 760-ф.20 Д устанавливэется нэ предметный1803828 3столик эллипсометра, дополненного арго- новым лазером, излучающим на длинах волн 4765, 4880, 4965, 5017 и 5145 А. Спектральные линии лазера пространственно разделены с помощью дифракционной решетки,Полагая и = 1,8 . 0,2, получим нижележащих слоев определяет преимущества способа при исследовании пленок на малоизученных веществах, Способ отличается простотой матемаческой обработки ре зультатов. При вычислении по приведеннойформуле определяется также дисперсия йокаэателя преломления.Апп = 4765 А/2 1,8 = 645 А,Лщах = 5145 А/2(1,8 - 1) = 826 А.Лазерное излучение с длиной волны...

Номер патента: 1803892

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Семенцов, Семенцова, Сидоренков, Тимченко

МПК: G01R 27/00, G01R 33/05

Метки: магнитных, пленок, тонких, электросопротивления

...анизотропии пленкиН(Н Н),ориентируют вдоль тока (соответствует /ъ = 0), Используя скользящиетоковые и измерительные контакты, вращают пленку в ее плоскости (изменяют угол ре).Максимальное значение О (О, О)/ (т,е, Е/при фиксированном(т,е.соответствует20 ре = О. Величина падения напряжения в соответствие с (2) определяется двумя угламиО ( фе, /Ъ). При фИКСирОВаННОМ ЗНаЧЕНИИсилы тока измеряют напряжение для Ъ = О,25при ъ = л/2 и для уе = л/2 при уп = 0 иопределяют значения Л Вп и ЛВе по форму- лам Сущность предлагаемого способа заключается в следующем. Связь напряженности электрического поля Е с плотностью электрического тока ) для анизотропной ТМП может быть представлена следующим образом: Е = Р + 2 оп(йп ЛЪп + 2 пе (йе 1) ЛРе где...

Номер патента: 1806159

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Аверченко, Александров, Алякринская, Залесская, Ибрагимова, Кузьмин, Правдиченко, Февралев

МПК: C09J 175/04

Метки: алюминиевой, клеевая, композиция, пленок, полимерных, склеивания, фольгой

...или их смесей) и поликарбоновых кислот (ТУ 6 - 05 - 221 - 492-79 и ТУ 6-05-221-687-86). Растворитель - этилацетат, ГОСТ 2230-76,Для экспериментальной проверки заявляемой клеевой композиции было приготовлено 11 рецептур (см. таблицу).Клей получали смешением исходных компонентов в определенном соотношении, На алюминиевую фольгу толщиной 70- 110 мкм с грунтовочныгл слоем наносили с помощью аппликатора, ракли или др. приспособления клеевую ксмпозицию толщиной 8-12 мкм. После удаления раствооителя из клеевого слоя путем сушки нагретым воздухом фольгус клеевым слоем дублировали полипропиленовой пленкой толщиной 50 - 70 мкм с помощью обогреваемых валков (температура прикаточного валка 70+10 С).Отверждение проводили при комнатной температуре,...

Номер патента: 1806419

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Дехтяр, Квелде, Куницын, Маркелова, Носков, Сагалович

МПК: H01L 21/66

Метки: ионного, момента, окончания, пленок, процесса, травления

...образец. тонкой пленки сплава РС-ЗОООК толщиной300 Ао, нанесенной на термически окисленную кремниевую подложку, Фотоэлектрическая работа выхода электрона с подлокки -10 эВ. Образец подвергался ионна-химическому травлению в реакторе установкиУРМ.3.279,026. Травителем являлись ионыгаза ЯГ 6, образующиеся в источнике ионовИИ - 4-0.15 при давлении 10 Па.Контроль ионно-химического травленияосуществлялся каждые 2 минуты, при этомисточник ионов отключался,Образец с пленкой освещался ультрафиолетовым светом, пропускаемым черездифракционный монохроматор и фильтрБС. Энергия бомбардирующего фотонаравнялась, т,е. расположена в диапазоне9,84,954,5 эВ (фотоэлектрическая работа выхода электрона с пленки 4,5 эВ),В процессе освещения измеряли...

Номер патента: 1807102

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Варавин, Козырь, Сидоров

МПК: C30B 23/02, C30B 29/48

Метки: паровой, пленок, фазы, халькогенидов

...выходящей из горячей зоны в холодные части реактора. Величина зазора л 1 ежду источникол 1 ртути и стенками реактора равняетсч 1-2 мм, При расстояниях, больших 2 мм. источник ртути не является для реактора заглушкой и в холодных частях реактора происходит конденсация большого количества ртути, вышедшей из горячей эоны реактора. При расстояниях, меньших 1 мм, невозможно осуществить загрузку кварце- "0 вого источника ртути в кварцевый реакториз-за эллиптичности кварца, Конструкция источника ртути обесг 1 ечивает уплотнение выхода из реактора, достаточную вместимость по ртути и создание необходимого 15 давления паров ртути в реакторе.Давление паров теллура на два порядкаменьше, чем давление паров ртути, и перенос теллура в сторону...

Номер патента: 1807531

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Магомедов, Медведкин, Руд

МПК: H01L 21/203

Метки: пленок

...45однородностипо площади и низкого качества, т,е. нет воспроизводимости в свойствахпленки. Все это справедливо при Тл = 300430 С, а если установить Тл300 С, илиТл400 С, то опять-таки наблюдается образование в плбнках нескольких фаз и величина проводимости плбнок становится невоспроизводимой величиной;Для получения пленок вещества и-типапроводимости необходимо поддержание 55значения Ти =980-1130 С при Т=300-400 Сво время испарения, Действительно, еслиТи1130 С при Тл = 300-400 С, то мы начинаем получать пленку р-типа и, следовательно, цель не достигается, В случае Ти980 С и Т = 300 - 400"С, процесс образования пленки и-типа нарушается, так как она.становится неоднофаэной и неоднородной, Что касается значений Тл300 С и Тп400 С при Ти =...

Номер патента: 1610801

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Дубовик, Космына, Семиноженко

МПК: C04B 35/00

Метки: пленок, сверхпроводящих

...суспензию с взвесью мелкой фракции в исходный бюкс, После отстаивания суспензии в течение 3 ч раствор сливают, а мелкую фракцию ВТСП просушивают, Размер зерна такой фракции б - 1 - 5 мкм.Рассчитывают навеску мелкой фракции В 1-ВТСП и А 9202 по формуле, например, для состава В 25 г 2,БСаолСц 20 з (В 2-ВТСП): (1- х)ВЫг 2,БСаоБСО 20 в + хА 902 (В 123 г 2,БСао,5 Сц 20 в)1- х (А 9202)х при опреде;,1610801 Формула изобретения Свойства сверх проводящих пленок, полученных по заявленному способу и поспособу-прототипу,Способ (пример) Температ. обх ига, С Скорость Скоростьнагрева оклажд град/ч град/ч Соле рж;наполнит,АггО г,мас. % Время выдержки, мин Ха акте истика пленок Тс ТС) 1 К микротвердость,ГПаСпособ прототип (поткжкя моно. 11 ет Нет...

Номер патента: 1808409

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Горшков, Николаев, Панферов, Чечель

МПК: B05C 3/02, B29C 41/02

Метки: лэнгмюра-блоджетт, пленок

...барьера 2, в пределе преобразуя ее в ряд полуокружностей 13 диаметром б (фиг,3). Таким образом, периметр барьера О+ Хкб=(+1)О, где О = = (АБ) - диаметр первоначальной полу- окружности, не изменяется в процессе сжатия, а площадь рабочей зоны 13 уменьшается, Так, для случая (п) равноотстоящих на расстояние б стержней 10 начальнаяд пс площадь рабочей зоны равна " а4.,7 гп бконечная, т,е, рабочая зона сжимается в и раз. Меняя количество стержней и соответственно расстояние между ними, можно получить любую степень сжатия, Отметим, что до самого последнего момента сжатия (до приближения стержней 10 к неподвижной части барьера 2) в данной конструкции отсутствуют узкие проливы, что обеспечивает изотропное сжатие лэнгмюровской...

Номер патента: 1809810

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Заренин, Мжельский

МПК: B29C 55/06, B29D 7/01

Метки: микропористых, пленок, полипропиленовых

...полипропилен с индексом расплава 2,0 г/10 минэкструдируют при температуре 200 С черезплоскую щель зазором 2,5 мм. Прием пленочного полотна проводят на поливиной барабан при температуре 95 С, Получаютпленку толщиной 25 мкм. Пленку наматывают на втулку и помещают в термостат притемпературе 150 С на 3 ч для термооб работки. Отожженную пленку вытягивают в продольном направлении на валковойустановке с относительной деформацией на50%, затем на 35% и затем на 20% в тристадии,После каждой стадии продольной вытяжки пленку, намотанную на втулку, помещают втермостат при 150 С на 3 ч, Полученная пленкаимеет толщину 21 мкм, пористость 45%, эффективный размер пор 0,03 мкм,П р и м е р 2. Пленку по примеру 1подвергают дополнительно четвертой стадии...

Номер патента: 1809840

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Либерто, Франческо

МПК: C23C 14/32

Метки: вакууме, нанесения, пленок, тонких

...и направляются к противоположной стенке под углом, ограниченным 30 градусами. Атомы доходят до противоположной стороны катода и возвращаются в обратном направлении, но при этом они не сталкиваются с другими частицами,При таком рикошете атомы с большей вероятностью сталкиваются с электронами газа, образующего плазму, и в свою очередь ионизируются. Между стенками катодов образуется большое количество ионов, которые под действием положительного заряда анода 5 устремляются к противоположному выходу и затем к подложкодержателю 8, на котором происходит осаждение требуемого покрытия,Для получения достаточной степени ионизации атомов и соответствующих ионов и для получения требуемой толщины тонкого слоя, расстояние между мишенями 1 и 3...

Номер патента: 1809846

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Конюшко, Малочко, Шадрин

МПК: C30B 29/16, C30B 7/00

Метки: диоксида, олова, основе, пленок, полупроводниковых, раствор

...в воде, растворяют 0,2 г ЯЬС 3, доводят объем до 50 мл. Далеекак в примере 1. Полученная пленка имеетследуощие характеристики:р=72 Ом см5 ТКС= 1,9 /Т=79 о Раствор сохраняет свои свойства не менее1 года.Состав раствора:10 ЯпС 204 100 гНг 02 18 гЯЬСз 4,1 гИ-оксид третичного амина 0,16 гН 20 до 1 л.15 П р и м е р 4. 6 г ЯпС 204 растворяют в 5мл 30 % раствора Н 202 в воде, растворяют0,38 г ЯЬСз и 0,5 мл 4 ораствора й-оксидатретичного амина в воде, доводят растворводой до 50 мл. Далее как в примере 1,20 Полученная пленка имеет следующие характеристики,р = 63 Ом смТКС = 1,6Т= 78 %Раствор сохраняет свои свойства не менее,.чем 1 годСостав раствора:Яп С 204 120 гН 202 . 30 г30 ЯЬСз 7,5 гИ-оксид третйчного амина 0,2 гН 20 до 1 л.П р и м е р 5. 6...

Номер патента: 1810942

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Кузьминых, Плотников

МПК: H01Q 17/00

Метки: пленок, радиопоглощающих

...зависит от сорта16 -2 ионов и вида диэлектрика, Доза 1 х 10 см соответствует минимальному поверхностному сопротивлению.При дозе 1 х 1019 см .в обьеме диэлектсоздается большое количество радианных дефектов, которые снижают ство покрытия,1810942 Формула изобретения Составитель СЛлотниковТехред М,Моргентал Корректор Н.Кешеля Редактор Заказ 1449Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035,Москва,Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Используя ускоритель ионов с изменяемой энергией или несколько ускорителей с разной энергией, создают многослойные покрытия, имеющие широкий диапазон поглощаемых волн. Так, например, ионами с...

Номер патента: 1651704

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Котелянский, Кравченко, Лузанов, Соболев

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводников

...высокотемператур, ного отжига пленка может быть охлаждена до более низкой температуры (от 500 С до комнатной) в инертной атмосфере, затем вновь нагрета до 830- 950 С и охлаждена уже в кислородсодержащей атмосфере.20П р и м е р 1. На подложку НГО/ /7 Оз (фианит) с ориентацией (111) с помощью магнетрона напыляют пленку УВаСцОтолщиной 0,8 мм. Структуру пленка - подложка нагревают винертной атмосФере до 950 Г, выдерживают при этой температуре 5 мин, заменяют азот на кислород и охлаждают структуру со сГсоростью 200 О/ч, Плен" ка имеет четко выраженную текстуру ЭО с осью перпендикулярно подложке (сильные отражения типа ООЕ), температуру перехода в сверхпроводящее состояние83 К и величину Л при 77 К 5 "х 10 з А/см. 35П р и м е р 2, На...