Патенты с меткой «пленок»

Номер патента: 766876

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Абрамов, Будько, Дьяченко, Ишевский, Мжельский, Пашинин, Пешковский, Райз, Романов, Фридман

МПК: B29D 7/24

Метки: двухосной, ориентации, пленок, полимерных, рукавных

...установлен охлаждающий калибр 6, зажимные валки 7 и намоточное приспособление 8. Камера 3 противодавления может быть снабжена устройством 9 тормостатирования.Устройство 5 выполнено с кольцевой щелью с постоянным или регулируемым проходным сечением, сообщающимся через дополнительную камеру 10 и вентиль 11 с атмосферой. 3Регулирование щели осуществляется путем продольного перемещения охлаждающего калибра 6 относительно дополнительной камеры 10, соединенных между собой, например, резьбовым соединением.Камера 3 противодавления может быть выполнена в двух вариантах.1 вариант: участок а - цилиндрический;участок б - конусный с ди- маМетром на выходе- = 1,6 - 5,0А11 вариант: участок а - цилиндрический;участок б - цилиндрическ й с диаметром...

Номер патента: 771121

Опубликовано: 15.10.1980

Авторы: Вольф, Полищук, Седов

МПК: C08L 1/12

Метки: пленок, раствор, формования

...Ч о м о и с с ОС М СЧ ос 3 ФЛсС 3 С-л м м Ю СЧ с (О с 3 О О 1 Ф О с 333 Л СО О м %Р а О М 3 г 3 с с а сО М СЧ ЧР Ю Ю о м о о о о с с с о о о О 3 Ом3о о ос с со о ю с ппаД НэицБоооХ О п 3 О ид Цх ад 3 1 о э 6 Х ц х об о И с Ч .3 т- Ю Ю с с Ю Ю О С 3 О 3+в о о ю с с с о ю о сГ %- О о б Е Яп 3 о х Цб ХО ео х ц Ц о Х 1 о о е Ц х х 6 п 3 Х П 3 Цб 1Оое3хэх6 бХ П 3Цб1 Е о х Е х б оХбае оЦХМ",ХХО 1 ХбЕ х=хдО Х сч ЭбЫЗС 1 ЕЕ.х х о,О 1 ХЦОС.33: 1 Е оХб Оэ ос; хмЕ хО Хсчххф ххиЦ 1 1 п 3 л о хм О 1 х= х (ч Х 1х 1аЭД 1 1 -ЮЭХ 1 А НЭЦх 1:К Ц Е ОООО п 3О Х Об О иО и е и ц х о д Е б х з о 3 3 н э 33 ф о о о Е о 1 о о в а а а а а а а а асса а ал ал а а а с 3 Л с 3 а аЛ су с 3 Л Гс 1" Г Рщ 1 ъ Сс Сс 11 1 1 3 с 1 1 Г 3 1 1СОО,О Ю 0 О МС 3 3 3 3 с щъ1 1 1 1...

Номер патента: 781726

Опубликовано: 23.11.1980

Авторы: Айзенберг, Малышев, Штин

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитных, параметров, пленок, тонких, цилиндрических

...момента, пока величина внешнего поля не достигает критической ве 35личины (Н о), перемагничивание происходит эа счет вращения вектора намагниченности, В момент достижения ннешним полем величины Но происходит срывдоменных границ и вектор намагниченности занимает положение, параллельное касательной к астроиде, проведенной через точку пересечения астроидыс вектором внешнего поля (устойчивое .состояние, момент временив , фиг.36)При дальнейшем увеличении внешнего 45поля вектор намагниченности МЭ поворачивается в обратном направлении истремится занять полбжение параллельное внешнему полю Н , - момент времени с .Потери на перемагничиваниев интервале времени с- с характеризуют величину скоса оси легкого намагничивания.Устройство работает...

Номер патента: 783323

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Гожельник, Гольдштейн, Козлов, Саврасова, Фишбейн, Яворовская

МПК: C09D 11/10

Метки: ацетатных, краска, офсетной, печати, пленок, поливинилхлоридных

...от- ная пентаэритритом в тисков 1 месяц). тунговом Яаспе- -БиклопентадиеновыйБель изобретения - повышение стабййь- " алкйдФности красочных оттисков при испожзова- Пигмент голубой фтании их в условиях химических производств лоциайиновый 20,0 .Данная цель достигается за счет тбго - Сиккатив нафтенатночто иэвестная краска в качестве цикло-кобальтовыйъ3323 4МилориСиккатив нафтенатнокоба ль товыйСиккатив смешанныйКраска по изобретениютечение 5-6 месяцев. 5,0 3,05,0стабильна в 48,0 25,0 15,0 Составитель А. ТимаковРедактор Т. Никольская Техред М.Гопника, Корректор Ю. Макаренко. Заказ 8473/29 Тираж 725 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР поб делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП...

Номер патента: 783328

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Блинов, Зимин, Купцов, Ряшенцев, Ряшенцева, Трофимова

МПК: C09J 5/06

Метки: гетероцепных, основе, пленок, полимеров, соединения

...при данной температуре.Предел прочности соединительногошва при сдвиге; 1,4 кгс/смйП р и м е р 5. Процесс проводятпо примеру 4, но температура термокамеры 350 С. Нахлесточные соединениясохраняют 100-ную прочность, приданной температуре.Предел прочности соединрельногошва при сдвиге 1,0 кгс/смП ри м е р б. Процесс проводятпо примерам 4 и 5, но температура термокамеры 400 С. Нахлесточныесоединения сохраняют 100-ную проч-ность при данной температуре. Наступает разрушение полиимидиой пленки,а не соединений,П р и м е р 7. Куски пленки из фенилона шириной 20 см сшивают внахлестку с промежуточной поликарбонатной пленкой на швейной машине швом "зигзаг" нитками чз фенилонафенилоновую пленку пропускают через ванну с фторопластовой суспенэией с...

Номер патента: 783374

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Гольцман, Комиссарчик, Кутасов, Смыслов, Соколова, Степанов, Язовцев

МПК: C30B 23/00

Метки: вакууме, пленок

...отверстие б. Надцилиндром 4 в стакане 2,установленакрышка 7 с отверстием по цилиндру8, диаметр которого равен диаметрувыемки. Над крышкой установлена обрабатываемая подложка 9, Для загрузкиисходного материала в цилиндрическойемкости 4 имеется отверстие и шлиф 10.Устройство работает следующим образом.Для получения пленок многокомпонентных разлагающихся соединений стехиометрического состава в выемку 5 перед. испарением помещают материал, по составу смещенный в сторону избытка труднолетучего компонента этих соединений, При испарении такого соединения в первый момент испаряются компоненты соединения в отношении, соответствующем стехиометрическому составу пленок (затем будет испарятся материал, обедненный легколетучими компонентами), Чтобы...

Номер патента: 785790

Опубликовано: 07.12.1980

Авторы: Бондаренко, Лыньков, Паркун, Суходольский

МПК: G01R 27/02

Метки: пленок, проводящих, сопротивления

...с входамиблока измерения, снабжено заслонками и дополнительным слоем диэлектрика, укрейленным на поверхности токоведущих электродов, а заслонки закреплены над поверхностью дополнительного слоя диэлектрика и токоведущими и измерительными электродами,На чертеже представлена конструктивная схема предлагаемого устройства.Оно содержит подложкодержатель 1 с диэлектрической подложкой 2, ад 4 езионный:подслой 3, металла, токо- ведущие 4 и измерительные 5 электроды, блок 6 измерения, дополнительный слой 7 диэлектрика, например из двуооставитель А, Изюмов ехред Т.Маточка Кор тор В. Синиц ор Ж к Подписн а СССР крытий наб., д. 4/ 835/49 Тираж 1019 ВНИИПИ Государственного комитепо делам изобретений и о 113035, Москва, Ж, Раушская ака роектная, 4...

Номер патента: 787942

Опубликовано: 15.12.1980

Автор: Шереметьев

МПК: G01N 3/08

Метки: испытания, пленок, полимерных, сжатие

...помецением образца между плитами испытательной машины на одной иэ его нагружаемых поверхностей или на обеих выполняют отверстия, причем, если отверстия выполняют на обеих сторонах образца, то оси их.должны совпадать, т.е. отверстию (или выступу) на одной поверхности образца должно соответствовать отверстие (или выступ) на дру.ой. Отверстия также можно выполнять сквозными Их располагают на. равном расстоянии друг от друга таким образом что получаемые в результа. те выступы имеют плоские вершины. Отверстия выполняют, например, травлением при непосредственном изучении влияния растворителя на прочность полимера, Поверхность образца при этом аналогична поверхностям растровых пластинок.Выполнение отверстий в обраэце увеличивает его...

Номер патента: 789278

Опубликовано: 23.12.1980

Автор: Левушкин

МПК: B29D 7/20

Метки: пленок, полимерных, разделения, рукавных, слипшихся, слоев

...приемными эластичньлми (гуммированными)Валками 1,при этОм длинсе ВалкОВ должна быть больше или по. крайней мереравна суееемарной ширине сплющенныхрукавоь 9 а и 9 б, так как в противном случае в Выступающей части рукавов 9 а и 9 б Образуется воздушнаяподушка, которая будет препятствовать качественной намотке рулона.На одном из приемных эластичных Валков 1 расположены выступы 2, которыемогут быть выполнены путем наклеивания по окружности Валка 1 липкойпленки из полимерного материала, на пример полявинялхлорида. Высота выступов выбирается равной 0,5-2,0 толЕВЕНе сплюще:ного рукава 9. В местахнетличЕН выступОВ 2 рукаВа 9 а и 9 бсжимаются более плотно, в результате чего образуется полоса плотногосжатля, а воздух, отжимаясь,...

Номер патента: 789555

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Злотский, Имашев, Рахманкулов, Сыркин, Узикова

МПК: C08K 5/1575, C09J 127/24, C09J 7/02 ...

Метки: клей, липких, пленок

...клей пере. мешиванием в клеемешалке при комнатной температуре следующей смеси .компонентов, вес,ч.: Перхлорвинильная смола ПСХ - СКаучук СКИ - 26 - 1Бутилфенолформальдегидная смолаКанифольХлорпарафин2.метил. 24- (4-метилдиоксан.2 ил) Содержание сухого остатка, % Сопротивление отслаиваниюот различных материалов, кг/см:Сталь 3 КерамикаДеревоЛипкость композиции, с,через, ч:24-этил 1,3.диоксоциклан 4 Ацетон 80 Клей готовят аналогично примеру 1.Полученная клеевая композиция образуетлипкий слой, который при выдерживании в течение 500 ч в открытом виде не высыхает, при этом адгеэионные свойства слоя почти не ухудшаются,В табл. 3 приведены показатели клеевой ком.1 О позиции. известный предлагаемыйТаблица 4. их пленок Своиства...

Номер патента: 789556

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Сметанина, Чаннова

МПК: C09J 3/14

Метки: клей, липких, пленок

...водную дисперсию сополимерабутилакрилата и метакриловой и 25 о-ную аммиачную воду при следующем соотношении компонентов, вес.ч:Латекс карбоксилатногоакрилового сополимера 87,6-94,8Неорганическая антипире.новая добавка18 - 2 ная водная дисперсия сополимера бутилакрилата и метакрнловой кисло.ты 1,0-2,925% аммиачная вода 0,3 0,9Вода 2,6-7,0Клей для липких пленок содержит в качестве полиакрилового загустителя 18 - 20 о-нуюдисперсию сополимера бутилакрилата и метариловой кислоты, взятых в соотношении 1: 1,4Клей готовят просты.1 перемешиванием компонентов.П р и м е р 1. Клеевую композицию готовят в закрытой емкости, снабженной мешалкой, при 200 - 500 об/мин, следующим образом: в емкость загружают 94,8 вес, ч 50%-ного латекса сополнмера...

Номер патента: 789682

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Ватулин, Тузов

МПК: G01B 11/06

Метки: вакууме, детали, интерферометр, нанесения, пленок, поверхность, процессе, толщины

...вы расположены софокусно между собой располагаемой под углом 45 е к поверх. оптический блок выполнен из последо ности детали.Рабочая ветвь интерферометра включает в себя верхние призму 3 и клин 5 и участок поверхности детали (точка Г;), на который напыляется пленка, эталонная ветвь - нижние призму 4 и клин 6 и участок поверхности (точка Е), свободный от напыляемой пленки благодаря экрану 11.Клинья 5 и 6 имеют Форму полудисков, попарно скрепленных вершинами, и могут разворачиваться вокруг оптической оси интерферометра на равные углы в противоположные стороны.Отражатели 12 и 13 склеены с объективами 8 и 9 и перемещаются поступательно вдоль оптической оси интерферометра.Интерферометр работает следующим образом.Пучок света от осветительной...

Номер патента: 791797

Опубликовано: 30.12.1980

Авторы: Артемьев, Клоков, Конев, Ланин, Левченко, Митрофанов, Моисеев, Суханов, Ястремский

МПК: D01D 5/00

Метки: волокон, пленок, процессом, химических

...производительности Я стадий кристаллизации и выпаривания осуществляют регуляторами 8, 11, которые подсоединены к соответствующим датчикам и исполнительнЫм механизмам.Расходомером 14 измеряют расход реагентов: воды - Я, едкого натра" на приготовление прядильного раствора.С помощью датчика запаса прядильного раствора, например измерителя уровня прядильного раствора с баках стадий подготовки его к формованию, измеряют запас прядильного раствора %, расходомером 13 измеряют расход прядильного раствора на формирование Я, а датчиком 16 его состав. 65 С помощью вычислительного блока 17 измеряют время Т пребывания прядильного раствора на стадиях подготовки его к формованию как отношение Т = Ю/ , а регулирование производительности стадий...

Номер патента: 687900

Опубликовано: 07.01.1981

Авторы: Аброян, Зиновьев, Подсвиров, Сидоров, Титов

МПК: G01B 15/02

Метки: измерениятолщины, неразрушающего, пленок, тонких

...пары подложка-пленка. Следуетподчеркнуть, что появляется воэможностьизмерения толщин аморфных напыленныхслоев того же материала, что и подложка, 15а также слоев, аморфизованных внедренными в кристалл ионами.Это достигается тем, что зондированиепроизводят под разными углами, регистрируют угловую зависимость потока неупруго отраженных электронов от подложки кэВ до ю 0,1 для Е в несколько десяти покрытия, определяют положение пика ков кэВ. С увеличением энергии первичтонкой структуры, по которому судят о ных электронов увеличивается и толщинатолщине пленки,На фиг. 1 представлены зависимостиЬ(Е) для аморфных пленок 3-х толщин.Экстраполируя начальный (ось абсцисс) ирастущий участки зависимости получаемЕ для данной толщины пленки. Подобные...

Номер патента: 796913

Опубликовано: 15.01.1981

Авторы: Курочкин, Петров, Темерти

МПК: G11C 11/14

Метки: дляего, коэрцитивности, магнитных, пленок, тон-ких

...датчика положения домена подключен к управляющему входу источника тока,На чертеже изображена принципиальнаясхема устройства, позволяющего осуществить предложенный способ измерения ко-эрцитивности ТМП.Предложенное устройство содержит поляризационный микроскоп, на котором установлено координатное устройство 1 сзакрепленной на нем ТМП 2. В поле зрения микроскопа неподвижно расположенатокопроводящая петля 3, подключеннаяк однопу выходу источника 4 тока, составляя;, вместе с ним ловушкообразующее устройство. Петля 3 выполнена иэпроводника и размещена вплотную к по,верхности ТМП. Неподвижно относительномикроскопа расположен блок 5 формирования магнитного поля смещения, служащий для создания поля смешения. Оптическая система микроскопа...

Номер патента: 805141

Опубликовано: 15.02.1981

Авторы: Комраков, Шапочкин

МПК: G01N 21/45

Метки: дляизмерения, интерференционное, переменнойтолщины, пленок, показателя, преломлениядиэлектрических

...оси каналов наблюдения и линии, соединяющие точку пересчения этих осей и центры вторичных источников света 3 и 4. Оптические длины путей вдоль оптических осей каналов от точки 0 их пересечения до точки О соединения в призме должны быть равны. Это обеспечивает равенство увеличений в обоих каналах наблюдения. Главное сечение собирающей призмы, состоящей из элементов 9 и 10, должно лежать в плоскости, образованной оптиескими осями каналов набщодения, а частично отражакзпая граница 11 собирающей призмы допжна находиться э плоскости, проходящей через точку пересечения оптических осей каналов. При таком расположении элементов устройства и исследуемой пленки наблюдаемое смещение интерференционных полос обуславливается только изменением...

Номер патента: 806445

Опубликовано: 23.02.1981

Авторы: Бойгель, Мозговой, Соколов, Финаев, Шестель

МПК: B29C 27/08

Метки: непрерывной, пленок, сваркиполимерных

...Рабочий торец ультразвукового сварочного инструмента 1 выполнен вогнутой формы и охватывает часть поворотной роликовой опоры 3. Прижимные ролики 4 и 5 расположены под опорой 3 симметрично относительно продольной оси устройства. Нагреватель 2 предназначен для подогрева ультразвукового инструмента 1 для80 Ь 445 исключения теплоотвода в холодныйинструмент, Стрелками А и Б указанонаправление действия сил прижимныхроликов.Устройство работает следующим образом,5Свариваеьые пленки 8 помещают между прижимными роликами 4 и 5, ультразвуковым инструментом 1 и роликовойопорой 3, разогревают до температурысварки фторопласта, равной 380390 С, после чего включают приводвращения роликовой опоры 3 и ультразвуковые колебания. В результате действия...

Номер патента: 810512

Опубликовано: 07.03.1981

Авторы: Гдалин, Клочков, Лернер, Панферов, Попов, Спорыхин

МПК: B29D 7/24

Метки: ориен-тации, пленок, полимерных, продольной

...ориентации полимерных пленок с приводным устройством.Установка для продольной ориентации полимерных пленок состоит нз группы приводных медленно вращающихся греющих валков 1, группы ориентирующих свободновращающнхся греющих валков 2, охлаждающего валка 3 и группы приводных охлажлающих быстровращающихся валков 4. Между ориентирующими валками 2 и 3 в контакте с медленновраща".ощимся валком 1 установлено приводное устройство 5, выполненное в виде фрикционных дисков б, причем нх диаметр 0 превышает зазор гг между указанными валка 1,.Устройство 5 снабжено механизмом сго 1 О 15 20 25 30 35 40 45 50 50 05 Отклкчения, выполненным в виде пневмо. цпд 11 ндра 7 для ввода 1 ьзвс),а устройст ва пз контакта с валкам. Даетр дисков 1. выбран с...

Номер патента: 813128

Опубликовано: 15.03.1981

Автор: Устинов

МПК: G01B 7/06

Метки: пленок, толщинынапыляемых

...устройстводля контроля толщины напыляемых пленок на основе свидетеля на диэлектрической непрозрачной подложке.На поверхности свидетелея 1 на 15основе подложки 2 из ситалла на некотором расстоянии друг от другананесены пленочные металлическиеэлектроды 3, соединенные через выводы 4 с измерителем 5 электрическо Ого сопротивления. Над поверхностьюсвидетеля 1 на расстоянии и установлена металлическая маска 6 с расположенными вдоль оси свидетеля отверстиями 7Маска Фиксирована наподложке 2 с помощью опорных прокладок 8 и пружинных зажимов 9. Намежэлектродную зону 10 на участках11, находящихся под отверстиями 7маски б напылен толстый слой 12пленки, а на участках 13, закрытыхмаской 6 - тонкий слой 14 боковогоподпыла под маску.Устройство...

Номер патента: 813129

Опубликовано: 15.03.1981

Автор: Лаанеотс

МПК: G01B 7/06

Метки: мера, пленок, толщины

...паз,а верхняя поверхность пленки совпадает с верхней поверхностью подложки.На чертеже изображена мера толщины пленок.Она содержит. подложку 1, на верхней поверхности которой имеется участок 2 для настройки на ноль толщино меров. На этой же поверхности подложкивыполнены паз, дно 3 которого удаленоот верхней поверхности на величину Ь,равную требуемой толщине пленки. Пленка 4 заполняет паэ так, что ее верхняя 15 поверхность совпадает с верхней поверхностью подложки 1. Прочие размерымеры определяются исходя из размеровизмерительных головок толщиномеров.При изготовлении мер верхнюю по верхность подложки 1 и дно 3 паза доводят до высокого класса шероховатости, что позволяет с высокой точностьюаттестовать его глубину, например...

Номер патента: 828057

Опубликовано: 07.05.1981

Авторы: Жигальвай, Звягин, Зуев, Назаров

МПК: G01N 27/60

Метки: диэлектри-ческих, качества, пленок

...высокочастотного сигналаобъясняется разрядом между щупом и подложкой,Указанный способ, принятый за прототип, 10позволяет вьявлять дефекты, вызыва 1 ощиепротекание токов утечки через диэлектрическую пленку.Однако точность оценки дефектности чевелика из-за несовершенства контакта 15щуп-пленка. Скорость процесса контроляограничена скоростью механического перемещеня гцупа(,роме того, существует возможность механических повреждений пленки перемещающимся щупом. 20Цель изобретения - повышение точностии скорости процесса контроля качества диэлектрических пленок за счет осуществления бесконтактпого контроля протекающегочерез пленку тока, о,Это достигается тем, что псоед регистрацией тока диэлектрическую пленку облучают импульсным...

Номер патента: 840217

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Волохина, Коган, Куличихин, Окромчедлидзе, Охотников, Панкина

МПК: D01F 6/74

Метки: воло-koh, пленок, полифениленоксадиазольных, раствора, формо-вания

...,11, И ПОЛИМЕРНОГОзз, "эг аа; 11 д в полимерном раство. ре составляет 3,2 а после фор 1,хвания пленки в водную ванну (температура . = 10-15 ОС) т составляет 2,7.П р и м е р 2, (1 сходную реакционную смесь готовят аналогично примеру 1. Охлаждение реакционной зоны проводят при 5 С в течение 20 МИН. ПОСЛЕ СНяТия ОХЛсаждЕНИя рЕаК- цию олигомеробразования проводят при 90 С в течение 1 ч и дальнейшую поликонденсацию с образованием высоксмолекухярного 1-.оли-п-фени;1.;:н-3 4-оксадиазола завершают :1 ри 125"С в течение 25 мин, Р этом случс 1 полимерного раствора составх 1 е: 27, а после формования пленки в воднуо ванну - 220.П р и м е р 3. Исход 1:Ую реак- ЦОННУЮ СМЕСЬ ГОТОВЯ- РнаЛОГИЧНО ЛОИ 1:.Ер", 1.;.с(Л;-.ждЕНИЕ Х ;.Нсйг (с....

Номер патента: 663150

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Романченко, Стрекалев

МПК: B29C 27/00

Метки: пленок, сварки, термопластичных

...с прижимными:элементами,кромки деформируются, и шов получается16непрозрачным.Наиболее близким к изобретению является известный способ сварки термопластичщных пленок "1,включающий перемещение5свариваемых пленок по криволинейнойподложке с одновременным нагревом соединяемых поверхностей пленок и последующее охлаждение сварного шва Г 2.Недостаток указанного способа заклточается в том, что при перемещениисвариваемых пленок по неподвижной криволинейной подложке происходит,деформирование нагретых певерхностей в зоне 2шва за счет трения о подложку, и шовполучается непрозрачным,Целью изобретения является получениенедеформированного и светопрозрачногошва,Указанная цель достигается тем, чтов способе сварки термопластичных пленок, включающем...

Номер патента: 849057

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Кожухарь, Сиренко, Ходосов, Шкарь

МПК: G01N 27/78

Метки: исследованияферромагнитного, пленок, резонанса, тонкихмагнитных

...волновод 3 с отверстием 4 связи. На торце резонатора 1 установлена8490при помощи фланца 5 съемная металлическая диафрагма, выполненная в виДе сетки 6, .к поверхности которой примыкает, исследуемый образец 7, поджатый струбционной скобой 8.Устройство работает следующим образом.В волновод 3 подают сигнал СВЧ, который через отверстие 4 связи попадает в кристалл сапфира, где воз буждается мода колебаний Ц магнитная СВЧ компонента Нкоторой по амплитуде имеет резкий характер уменьшения во внешнюю сторону от поверхности. Компонента СВЧ Н проникает 15 в исследуемый образец 7 магнитной пленки через отверстия медной сетки 6 на глубину порядка размера отверстий. Регулируя величину ячеек сменой диафрагмы с наперед заданным шагом изменения...

Номер патента: 850738

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Непокойчицкий, Тукмачев

МПК: C23F 1/00

Метки: олова, основеокиси, пленок, травления

...хрома на поверхности пленйи,подложку помещают в 15-203-ный раствор соляной кислоты, где происходит 20растворение хромового покрытия и продуктов восстановления пленки, Данныерентгеноструктурного анализа показывают полное отсутствие пленки наподложке.П р и м е р 1, Подложку из окиси алюминия с пленкой из окиси оловас добавкой окиси сурьмы помещают всульфатный электролит хромированиясодержащий, г/л: СгО 110, Н 504 1,5. зоДля локального вытравливания отдельных участков пленки в соответствии с требуемым рисунком на пленкуустанавливают маску из диэлектрического материала (А 0) которая блокирует поступление ионов восстановителей (водорода, хрома) к участкампленки, не подлежащим травлению.На участки пленки, подлежащиетравлению, устанавливают...

Номер патента: 855073

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Бузмаков, Родичев

МПК: C23C 13/08

Метки: анизотропных, вакууме, магнитных, нанесения, пленок

...размеров подложки в плоскости, параллельной плоскости подложки 5.Устройство работает следующим образом.Испарение осуществляется одновременно из всех четырех испарителей или сначала иэ двух испарителей, расположенных на одной из сторон квадрата, в вершинах которого они размещены а затем из двух других испарителей. Во время осаждениявдоль одной из сторон указанного квадрата прикладывается магнитное поле.Экспериментально установлено, что аниэотропия наклонного осаждения компенсируется в тех случаях, когда производится осаждение двух потоков855073 1 а Формула изобретения Составитель С. Мирошкин Редактор М. Петрова ТехредМ.Рейвес КорректорМ,ДемчикЗаказ 6843/40 Тираж 1048 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений...

Номер патента: 859394

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Муратова, Рахманбердыев, Садыков, Федоренко

МПК: C08K 5/5333, C08L 1/12

Метки: композиция, пленок

...Затухаетчерез 2 с 60 85(76,5)85(85) 11, 2 (10) 15 (13, 5) 320,0 70 336255 45 ТО же 0(0) 15(15) 619 Горит Формула изобретения 45 Показатели исходных ацетатных пленок приведены в таблице.П р и м е р 2. Отливают пленку иэ раствора, содержащего, г (вес,Ф); ацетона 85(82,5), ДИМФ 3(2,9) и диацетат целлюлозы 15(14,6), сушат сутки при комнатной температуре и сутки при 60 С. Полученная пленка имеет следующиепоказатели:Прочность приразрыве,кгс/см 661,0Удлинение,% 36Двойной изгиб,циклы Содержание компонентов в композиции, г(вес.Ъ) П р и м е р 4. Согласно примеру1 получают пленку иэ раствора, содержащего, г(вес.%) ацетон 85(76,5), диацетат целлюлоэы 15(13,5) и ДММФ11,2(10), со следующими показателями:Прочность приразрыве,кгс/см320Удлинение,Ъ...

Номер патента: 859890

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Колеров, Логвинов, Скрябин, Юшин

МПК: G01N 23/20

Метки: пленок, поликристаллических, толщины

...дифракционной картины, образец рентгенографируюг в неподвижном состоянии при значении угле наклона, соответствующем исчезновению дифракционных отражений от подложки, при этом перемещают детектор излучения по окружности фокусировки, а глубину .анализируемого слоя. определяют по формуле40 она 1а преломление ренггелучейскорость пеуемещенияизлучения;т линейного ослабле 50 Ьфния;Е - суммарная (интенсивность дифрагированных И;- мощность первиаого пучка;9 - доля дифрагированных лучей внаправлении даюого дифракционного отражения.Для несимметричного (Ы, с 9) ения рентгеновских луней ог исса и определяют глубину анализируема о слоя.П р и м е р 1, В качестве исследуемого образца берут алюминиевую фольгу толщиной 20+1 мкм и ренггенографируют ее...

Номер патента: 861080

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Заборская, Юркевич

МПК: B29C 27/06

Метки: излучением, пленок, полимерных, сварки

...поверхиости пленок, изменяя таким образом температурное поле по сечению нагреваемого пакета пленок.На чертеже схематично изображено п 1 редлагаемое устройство.Устройство содержит стержневой источ. ник 1 излучения, установленный в фокусе параболического отражателя 2, отражатель 3 и прижимной элемент 4, выполненный в виде двух подвижных клиновидныхпластин.Отражатель 3 соединен с отражателем 2 ярепекным приспособлением б, обеспечивающим их взаимное перемещенне. К элементу 4 отражатель 3 крепится лосредством фиксатора б. Опорная поверхность элемента 4 защищена антиадгезионной прокладкой 7 (например, из фторопласта), предотвращающей прилипание сварочного устройства к нагретой пленке и облегча:ощей перемещение устройства по ее...

Номер патента: 751062

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Береславский, Вишневецкая, Дунаевская, Зытнер, Лебедкина, Макаров, Тризно, Хацкевич

МПК: C08Z 5/18

Метки: антимикробных, пленок

...химического осаждения.Сущность способа заключается в следующем. В атмосфере воздуха при-, готавливают при перемешивании без нагревания раствор, содержащий 8 12 мас.Ъ псливинИлового спирта, 0,4- 0 6 мас. борной кислоты и 0,1 3,0 м:.с.В лекарственного вещества.751062 Полученные по изобретению антимикробные пленки на поверхности ме аллических имплантатов, содержащие в своей структуре антимикробные препараты, были подвергнуты бактериологи;екому исследованию в жидкой среде методом агаровых пластин, В качестве тестТаблица 2 Фурацилин 2 Левомицитиннатрия ипата 22 Мономендин Контрольный образецметалла без антимикного препарата ный образец попиртовоговосвязанным хи-нитрофурил- ом Контрол ливинил локна с мически акролеи в Физиолог результаты бак...