Патенты с меткой «пленок»

Номер патента: 288717

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Иностранец, Иностранна

МПК: D02G 3/06

Метки: каиатов, пленок, подобных, полимерных, синтетических, тому

...канатов и тому подобных изделий из синтетических полимерных пленок, например из изотактического полипропилена, путем вытягивания пленки в горячем состоянии, разрезания на отдельные полосы, расщепления, скручивания одной или нескольких полос и последующей термофиксации.Предлагаемый способ проще и его отличие заключается в том, что расщепление пленки производят обжатием ее в натянутом состоянии в направлении ширины при одновременной резкой смене направления ее движения путем пропускания пленки сквозь веретено ложной крутки.Для осуществления способа выдавливают пленку из изотактического полипропилена, вытягивают ее в горячем состоянии между роликами, предпочтительно до толщины от 0,01 до 0,15,ил и затем разрезают на отдельные полосы...

Номер патента: 320519

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Пейзнер, Цукерман

МПК: C09D 1/02

Метки: пленок, поверхностей, полимеров, соприкасающихся, хлоропреном

...облегчить путем обогре опорожненных аппаратов горячей в температуре 90 С,рировано еризации проведе- защищене пленка гко, в то ащптного полимера ва свеже- одой при едмет изобретен 15ПрСпособ очсностсй, сопрпример повеот,ичасосссссй20 очистки, нарастворимоеСТОЛ 5 РНОГОстекла, как снеральными25 лями,Предлагается способ очистки поверхностей, соприкасающихся с хлоропреном в производстве СК-совпрен, от пленок полимера путем применения защитного покрытия, нераствори. мого в хлоропрене и растворимого в воде, состоящего из столярного клея, различного вида желатины как в отдельности, так и вместе с органическими или минеральными наполнителями (например глицерином, тальком, жидким стеклом, солями и окислами металлов), а также жидкого стекла в...

Номер патента: 322273

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Лукач, Петухов, Сенатос

МПК: B29C 47/00, B29C 47/20, B29C 47/88 ...

Метки: пленок, рукавных, термопластов

...осуществлении описываемого способа расплав полимера непосредственно после вылода из кольцевой головки пропускают через жидкость с низким поверхностным натяжением, благодаря чему улучшается качество изготавливаемых пленок.Выходящий из кольцевой головки 1 расплав (см. чертеж) перед формованием пленки пропускают через жидкость с незначительным поверхностным натяжением, например воду, обработанную сульфанолом и находящуюся в ванне 2, установленную непосредственно на головке экструдера. При прохождении расплава через жидкость происходит предварительное снижение температуры расплава, а также смачивание поверхности расплава жидкостью, Нанесенный таким образом па расплав слой 3 жидкости затем в процессе растяжения (формования) расплава...

Номер патента: 322420

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Войтович, Полищук, Сосницкий

МПК: B05D 3/00

Метки: металлических, пленок, поверхности

...Катодом служит держатель 3 подложки.5 Держатель сделан так, что существует надежный электрический контакт между ним и очищаемой пленкой. Для того, чтобы заряды не скапливались на подложке и эффективно шла очистка, пленка обязана быть катодом, 10 поэтому полученный на подложке рисунок недолжен содержать участков, не связанных с катодом. Если по схеме такие участки необходимы, то предусматривают временные связи их с выводными контактами. При фотолп тографировании следующего слоя эти связивытравливают, Перед очисткой вакуумную камеру 2 обезгаживают и откачивают диффузионным насосом с азотной ловушкой до максимального вакуума (10 -мм рт. ст.), Затем 20 промывают инертным газом и снова откачивают до предельного вакуума. Тщательная...

Номер патента: 322608

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Андрющенко

МПК: G01B 11/06

Метки: пленок, толщины, тонких

...момент прекращения напыления даже при напылении первого слоя. Точность последующих слоев прогрессивно ухудшается.Цель изобретения - повысить точность контроля.Это достигается тем, что для контроля толщины напыляемой пленки фиксируют изменение интенсивности прошедшего через напыляемую пленку или отраженного от нее света длиной волны точек пересечения спектральных характеристик отражения или пропускания системы слоев с напыляемой пленкой и той же системы без нее. Например, для контроля толщины второго напыляемого слоя используют свет длиной волны точек пересечения спектральных характеристик пропускания или отражения одного и двух слоев, для контроля толщины третьего слоя - свет длиной волны точек пересечения спектральных...

Номер патента: 322729

Опубликовано: 01.01.1971

МПК: G01R 27/00

Метки: пленок, электропроводноститонких

...- к вольтметру (зажимы в-г). Размеры обмоток и расстояния между ними выбраны таким образом, что взаимо. ицдукцпя обмоток равна нулю. Соогветствеццо напряжение ца выходгных зажимах в-г датчика равно нулю при наличии напряженя ца входе датчика (зажимы а-б), Если обмотки расположены в одной плосКости, то расстояние между их цетпрами должно равнять. ся / Г( + г 2, где г, и г, - радиусы входной и выходной обмоток датчика соответственно.Датчик находится вне вакуумной камеры. С цим ицдуктивцо связана обмотка, расположенная в вакуумной камере и подключенная к контролируемой пленке, Если проводимость пленки равна нулю, напряжение на выходе датчика отсутствует. При увеличении проводимости пленки ца выходе датчика появляется напряжение, зависящее...

Номер патента: 290324

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Власов, Зайцев, Паинт, Соколова

МПК: H01C 7/06

Метки: пленок, резистивных, состав

...при пониженном температурном коэффициенте удельного сопротивления,указанные компоненты взяты в следующихвесовых процентных соотношениях: кадмий5 - 10, олово 95 - 90,Изобретение относится к составам для получения резистивных пленок и может быть использовано в качестве материала для металлопленочных переменных резисторов,Известные составы для получения пленок переменных резисторов содержат или чистый кадмий или нихром.Недостатком известных составов, в частности кадмия,. является недостаточно высокое удельное сопротивление и сравнительно большой температурный коэффициент удельного сопротивления.С целью увеличения удельного сопротивления и уменьшения температурного коэффициента удельного сопротивления в предлагаемый состав дополнительно...

Номер патента: 292120

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Институт

МПК: G01R 27/26

Метки: датчик, емкостный, пленок, тонких

...тем, что датчик содержит не менее двух пар высокопотенциальных и низкопотенциальных электродов, образующих два накладных конденсатора, из,которых один расположен на исследуемой пленке, а 10 другой - против него на диэлектрическом основании.Диэлектрические характеристики исследуемого объекта определяются по разности измеренных значений параметров обоих конденса торов.На фиг, 1 представлена электрическая схема датчика; на фиг. 2 - график зависимости сигналов от диэлектрической проницаемости тонкой пленки.20 Емкостный датчик состоит из низкопотенциальных (заземленных) 1 и 2 и высокопотенциального 3 электродов, которые помещаются на пленку 4, нанесенную на диэлектрическое основание 5, и аналогичных низкопотенциаль ных б и 7 и...

Номер патента: 295071

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Егоров, Кондратенков, Фонд

МПК: G01N 25/18

Метки: жидкости, пленок, теплопроводности

...прп Ская иаб., д. 4/5 гпоГрафп, пр. Сапунова, 2 капилляров и оболочку. Для стеклянных капилляров отношение тепловых потоков, проходящих через жидкость, к тепловому потоку, проходящему через материал капилляров, составляет 30 - 50%. Так как боковые потери тепла в обоих слуд 1 аях одинаковы, то устройство не требует сложных охранных приспособлений. Измерение коэффициента теплопроводности может производиться как в стационарном, так и динамическом режимах. Для расчета используются обычные уравнения теплоп роводности. Устройство для определения теплопроводности пленок жидкости, содержащее камеру, 5 расположенную между нагревателем и холодильником, и датчики температуры, отличаюиееся тем, что, с целью повышения точности, камера выполнена в...

Номер патента: 297709

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гскнвг, Корнеев, Тюнькин, Чернышев

МПК: C23C 14/36

Метки: ионного, напыления, пленок

...полюсу источника напряжения, а широкая часть трубы служит анодом и может быть либо заземлена, либо находиться под небольшим относительно земли смещением. Подложкодержатель электрически нейтрален и в поддержании разряда не участвует. Расстояние между трубой и боковой поверхностью катода 4 выбрано таким, что разряд здесь це возникает и возникает лишь тогда, когда до -- 4,. В этом случае труба перестает служить экраном ц становится анодом.Для интенсификации разряда служит магнит 4, который одновременно играет роль магнитного затвора для заряженных частиц, Магнитное поле не пропускает к поверхности297709 Предмет изобретения Составитель Н, Герасимова Редактор А, В. Корнеев Техрсд 3. Н, ТараненкоКорректоры; В. Петрова и Е. Ласточкина Заказ...

Номер патента: 297910

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гординский, Украинский, Шиманский

МПК: G01N 19/04

Метки: пленок, полимерныхпокрытий, прочности

...Усиме роиство для пых покрыти тельно опра ю повышени верхность оп для образца переменного пирали Арх определения й и пленок ме вки, отлича)ощ я точности изх равки снабже и выполнена в радиуса крив имеда. рочности потодом изгиба еая тем, что, ерения, рабоа направляю виде поверхзны, наприотнос с цел чая п щими ности е Известно устроиство для определения прочности полимерных покрытий и пленок, состоящее из набора оправок цилиндрической формы и различного диаметра, относительно которых изгибают испытываемые образцы. Известное устройство содержит оправки, каждая из которых имеет постоянный радиус кривизны, что не позволяет точно определить, при каком именно радиусе разрушается образец из-за значительного разброса диаметров. 1Предлагаемое...

Номер патента: 300912

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Ануфриенко, Стременов, Шутилин

МПК: H01L 21/00

Метки: нанесения, пленок, полимерных, тонких

...наружным кольцом подшипника 11, Полость 12 соединена с системой сжатого воздуха через управляемый клапан 13 и стабилизатор давления 14.Нижний конецвакуумную камеру 1 ннпусе б, не касаяськамера имеет лабиринтные уплотнения и соединена трубопроводом с вакуумной системойчерез клапан 1 б, На верхнем конце шпинделярасположен столик 17 для установки подложки. Пружина 18 служит для прижима 5малоинерционного диска 7 к тормозному кольцу 19, укрепленному в корпусе б,Сцепление малоинерционного диска с маховичком может осуществляться также сообщенивм полости 12 с атмосферой и,соединением полости 20 с вакуумной системой черезклапан 21.Описа ихное устройство работает следующи,м образом,Подложка укладьивается на столик 17, открьввается клапан 1 б,...

Номер патента: 302250

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Зинковецкий, Московский, Трост, Царахов

МПК: B29C 65/02

Метки: пленок, соединения, термопластичных

...повышения качества соединений, в полпэфцр вводят сшивающий р =агент.2. Способ соединения термопластичных пленок по п, 1, отличающийся тем, что максимальное соотношение количества полцэфцра и сшивающего реагента выбирают равным 10:1.3. Способ соединения термопластичных пленок по п. 1, отличающийся тем, что в качестве сшггвающего реагента цспользугот оргггцггескце перекггсгг.4. Способ соединения термопластичных пленок по п. 1, отличающийся тем, что в ачестпе сшивающего реагента используют ангидриды многоосновных кислот. гм 2 гг Заявлено 01.Ч 11.1969 (х" с присоединением заявк Изобретение касается сварки пластмасс.Известен способ соединения термопластичных пленок путем нагрева и сдазлцванця с применением полцэфира в качестве промежуточного...

Номер патента: 303202

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Государственное, Новохатский

МПК: B29C 17/10

Метки: перфорации, пленок, полимерных

...содержит рабочий барабан 1,выполнешый в виде труоы 2, на коорую наораны игольчатые диски д с закрепленными по диаметру иглами 1. 1 аоочпс игольчатые диски зажнмаюся на труое ганками д, на которых закреплены кольцевые изоляторы о и токопроводящпс кольца /. Для кокенсацнп О лшеиного расширения при нагревании натруое между гаикамп и стальными дисками б у станавливаются пружины У, Рабочий бараоан с помощью зуочатой передачи 10 (с передаточных числом 1: 1) передает вращение на бараоан-матрицу 11. 1 оследний имеет одинаковыи с раоочим барабаном диаметр (размер по иг;ах) и выточки по периметру, причем шаг между выточками бараоана-матрицы равен шагу между иглами раоочего бараоана.Для нагревания рабочего барабана внутритрубы 2 находится...

Номер патента: 303556

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Матвеев, Федорин

МПК: G01N 3/00

Метки: пленок, прочности, сцепления, токонепроводящимоснованием, токопроводящих

...для отключения питания от усилителя в периоды снятия металла с образца.Работает устройство следующим образом.15 Реле времени 1 циклически переключаетузел реверсирования тока 2, благодаря чему также циклически меняет направление ток переноса, проходящий через ванну-ячейку 4, При этом на образце осуществляется цикли ческое нанесение и снятие металлическогослоя, который создает на испытуемой пленке механические напряжения. При прохождении тока переноса через ванну-ячейку 4 в период нанесения слоя блок отключения 11 подклю чает питание к усилителю 8, который черезрезистор 12 подает напряжение на вход триггера 9, обеспечивая его работу в режиме ждущего мультивибратора. При неизменной величине тока переноса напряжение на входе триг...

Номер патента: 306342

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Московское, Ордена, Пур, Савостин

МПК: C01B 11/06

Метки: детали, интерферометр, нанесения, пленок, поверхность, процессе, толщины

...призмы блока 5, ова 7 и небольшого участка детали 12т), на которой наносится пленка. Эталонная ветвь включает в с угольую призму блока 5, объектив 6 детали 12 (точка б), свободный от пленки благодаря действию экранаРаботает предлагаемый интерфер дующим образом. При отсугствцц цацосцмоц пленки оптические пути в эталонной и рабочей ветвях постояш 1 ы, и в плоскости фотоэлемента 11 возникает ицтерфереццноцная картина в виде колец. При нанесеьцш пленки в точке т происходит изменение разности хода в ветвях интерферометра, что вызывает изменение освещенности в центре интерференционной картины. При измецешш расстояния вдоль оси между когерентцымц источниками, расположенными вблизи заднего фокуса объектива 9, на величину 0,5 Л (Л -...

Номер патента: 306427

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Баталов, Линник

МПК: G01R 29/00, H01L 21/00

Метки: активации, диффузии, пленок, тонких, энергии

...толщины. Зависимость коэффпцг числа и, продиффундир в скин-слой толщиной Л мени Л 1 выражается фор Энергия активизации диффузии Еляется из соотношения:Заказ 2030/4 Изд. Мо 858 Тираж 473 ПодписноеЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская нгб., д. 4,5 Типография, пр. Сапунова, 2 Для определения энергии активации диффузии из исследуемого материала изготовляют образец в виде полого резонатора. Необходимую для измерений толщину скин-слоя, в которой диффундируют частицы газа, выбирают, варьируя геометрические размеры резонатора и величину частоты, на которой проводят измерения. После этого поддерживают неизменным давление исследуемых газов над напыляемой поверхностьо, изменяют...

Номер патента: 307909

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Лобанов, Погодин, Уральский, Штерензон

МПК: B29C 71/00, C08J 5/18

Метки: пленок, полимерных, термообработки, термопластичных

...просеянодной соды и нагревают в и при 150 С. Длина пленки % от исходной, а толщина 170%. После охлаждения Известен способных термопластичнком подслое.С целью равнопленки в качестприменяют мелкореагирующий с покальцинированнуюрий, с последующиполимерной пленкрошка жидкостью,нию к пленке. П р и м е р 1. Пленку из фторопласта подвергают термообработке при 150 С в течение 2 час на тонком слое порошка (просеянная безводная кальцинированная сода) на противне и помещают в печь. После усадки пленки на 20% противень извлекают из печи и охлаждают, Пленку промывают в разбавленной соляной кислоте, в воде, затем сушат.Получают гладкую, прозрачную бездефект ную пленку.П р и м е р 2. Пленку из фторопласта-ЗМдля проведения усадки помещают на подслой из...

Номер патента: 308395

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Малахов

МПК: G01T 1/36

Метки: многокомпонентных, парциальных, пленок, толщин

...е. отделенных от подложки, пленок, поскольку при наличии толстой подложки возникает необходимость измерять площадь непрерывного спектра от ядер подложки вплоть до малых энергий в условиях, когда часть рассеянных на большой глубине частиц затормозится и не выйдет наружу. Следовательно, эта часть рассеянных частиц вообще не может быть зарегистрирована, Введение же необходимой поправки сильно снижает точность определения парциальных толщин.Цель изобретения - упрощение и повышение точности измерений как свободных пленок, так и пленок, рассеянных на толстые подложки. Это достигается тем, что измеряют ширинупика, соответствующего какой-либо компоненте, и сдвиги пиков от ядер подложки или какого-либо слоя и по результатам измерений определяют...

Номер патента: 309416

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бубнов, Лурье, Токарев

МПК: H01L 21/00

Метки: вакуул1ного, нанесения, пленок, полупроводниковых, соединений

...изобретения состоит в разработке устройства для нанесения в вакууме пленок полупроводниковых соединений, которое позволило бы получить пленки стехиометрического состава и структуры.Поставленная цель достигается тем, что в устройстве, содержащем замкнутую камеру, подложку и нагреватель, выбираются такие соотношения геометрических размеров камеры и температурных режимов, которые обеспечивают осаждение пленок из газодинамического потока в условиях малого пересыщения пара и интенсивного реиспаренич ма ас подложки и стенок камеры.Согласно теоретическому расчету и экспериментальной проверке, для полупроводниковых5 соединений групп АпВ" и Ап Б отношениедлины камеры к ее диаметру составляет 0,5 -1,5 при градиенте температуры вдоль...

Номер патента: 311136

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гусев, Попов, Урывский

МПК: G01B 11/02, G01B 11/06

Метки: пленок, прозрачных, толщины, тонких

...зависимостям между положением интерференционных экстремумов и толщиной пленки для различных порядков интерференции. Число токопроводящих кривых соответствует числу измеряемых интерференционных экстремумов, Приставка снабжена кареткой 12, несущей электрические контакты 13 и управляемый привод (на чертеже не показан) для перемещения этих контактов вдоль оси а.33ДругОЙ упраеляеъы привод (на черте)ке не показан) может перемещать каретю 12 вместе с контактами 13 вдоль коордипатноп оси д, па которой нанесена шкала 14, Градуированна 51 и значениях толщины пленки, 1 аретка несет указатель 15, позволяющий отсчитывать ее положение по шкале 14.Устройство работает следующим образом. Лспытуемьп образец устанавливают в держатель 2, расположенный на...

Номер патента: 311767

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Ануфриев, Иванченко, Кузнецов, Ножненко, Петухов, Сенатос

МПК: B29C 47/90, B29C 55/28, B29D 23/00 ...

Метки: двухосного, пленок, полимерных, растяжения, рукавных

...жидкос ти и ее отвод.Температура охлаждающей жидкости иглубина ванны, определяющая ее объем, устанавливаются в зависимости от механических свойств перерабатываемого материала, 15 толщины экструдируемого рукава и возможной степени вытяжки. Изменение глубины ванны приводит к изменению суммарного угла охвата пленочным рукавом колец 2 и 4, определяющего величину силы трения пленки о 20 поверхность этих колец. Сила трения в данном способе, с одной стороны, определяет степень ориентации охлажденной рукавной пленки в продольном направлении, с другой стороны, при работе с тонкими пленками уве личение силы трения может привести к обрыву рукава. Поэтому при получении тонких рукавных пленок (менее 60 лк) предусматриваются ориентация и...

Номер патента: 312193

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Ершов, Лифшиц

МПК: G01N 27/72

Метки: магнитных, однородности, пленок, тонких, цилиндрических

...же частоты, но разной амплитуды, измеряют амплитуды третьих гармоник вторичной э.д.с., составляют из них отношение, позволяющее определить величину поля анизотропии, по которому судят об однородности пленок, причем амплитуда намагничивающего поля должна быть заведомо больше поля анизотропии.Это позволяет повьсить точность контроля, так,как подавляется влияние колебаний потока насыщения через контролируемый участок пленки.Сущность способа заключается в следующем.Тонкую магнитную пленку намагничивают переменным полем определенной амплитуды и частоты, определяют амплитуду третьей гармоники Е з вторичной э.д.с., затем определяют амплитуду третьей гармоники Е з,п при другом значении амплитуды намагничивающего поля той же частоты, причем...

Номер патента: 316572

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Ашихмина, Коженов, Котова, Позамантир, Шалун, Юдина

МПК: B29D 7/01

Метки: пленок, полимерных

...Полиэтилен с мол. в. 20000 (и вестиый метод) Триаце - 22тат цел; 200 Бумага коидеиаториая,18 лис То же довлетво дтельиая лоз 300 0,5 - 1,0 50 же одукт терм ическои деструкцид полиэтилена с вязкостью распла а при 140 оС 100 в 3 спз и твердостью по пенетрации 2 - 5 (предлагаемый метод) Оченьхороша Известен способ получения тонких (до 6 мк) полимерных изолирующих пленок путем нанесения раствора пленкообразующего полимера на подложку, которая предварительно покрыта (пропитана) пол ддэтддледдохд. Однако высокая вязкость расплава полиэтилена не позволяет наносить равномерный подслой на подложку, вследствие чего затруднено получение пленок с гладкой поверхностью, однородных по толщине. Снижедддде вязкости расплава полиэтилена путем...

Номер патента: 317689

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Берлин, Дулов, Институт, Лиогонький, Шамраев

МПК: B29C 71/02

Метки: пленок, полимерных, термостабильных, электропроводных

...сильное фоновое поглощение. Они не показывают экого сигнала электронного пармагнитного резонанса, По результатам элеПредмет изобретения Составитель О, Рокачевская Техред Л. КуклинаРедактор Е. Горбунова Заказ 3779,19 Изд.1469 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж.35, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова 2 ментарного анализа некоторые пленки, полученные из полимеров, состоящих только пз уг. лерода и водорода (полифенилены, полифенилацетилены), имеют повышенное количество углерода и пониженное - водорода (соотношение С/Н зависит от температуры получения пленок), а пленки, полученные из ПСС, содержащих гетероатомы или гетероциклы (полназофенилены, поли-...

Номер патента: 323808

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Митникова, Новиков, Прихидько, Рачеева, Трошнна

МПК: H01G 4/20

Метки: диэлектрических, пленок

...эфира ортокремииевой кислоты с простыми спиртами, В котор) 10 Вводят дзОтиокислую соль металла 111 группы периодической таблицы. После этого илспку подвергают тсрмодеструкции ири температуре 700 - 800 С в течение 30 - 60 сек.Способ иоясияется примерами.П р и м е р 1, Стекловидную диэлектрическую пленку, содержащую 25 вес. % 1 зОз и 75 вес, % ЯО, получают путем иаесеиия илеикообразующего раствора, содержащего:тетраэтиловыи эфир ортокремииевой кислоты 10,0 лл этиловыи спирт или смесь егобутиловым спиртомдистиллирОВзиихю Водуазотнокислый иттрий323808 Предмет изобретения Составитель Н, Степанов Тскрсд Л. Куклина Корректоры: В, Петрова и А, АбрамоваРедактор Т. Орловская Заказ 1877 Изд. ЪЪ 1836 Тираж 448 Подписное 1 Ц 1 И 1 П 1 Комитета но...

Номер патента: 324256

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Виноградов, Жукова, Мурлычев, Непомн, Халверд, Шилов

МПК: C09D 133/10

Метки: пленок, светоотражающих, состав

...состав не позволяет ускорить технологическшг процесс изготовлснггя пленки, в частности процесс пленкообразоваиия, при сохранении ее высокой светоотражающей способности.С целью сокрашения времени высыхания пленки в состав вводят ацетобутират целлюлозы при следующем соотношении компонентов, вес. %:сополимер бутилметдкрилатас метакриловой кислотой 23 - 27ацетобутират целлюлозы 0,5 - 2 растворители 65 - 73 пластификатор 1 5 пигмент 1,5 - 4 Указанное сочетание термопластгнгиого сополимерд с ацетобутиратом целлюлозы в смеси растворителей (бутилацетат, ацетон, ксилол и диацетоновый спирт) обеспечивает высокую длястичность и оптическую прозрачность, ускоряет процесс плеикообразоваиия и весь техггологггчсский процесс изготовления...

Номер патента: 324258

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Веретенников, Казаковцев, Фирсова, Черепанов

МПК: C09J 5/00

Метки: пленок, полиимидных, склеивания

...клея применятьраствор продукта соп 1 дролиза и каталитиче 5 ской полимеризации дпметилдихлорсилана,фенилтрихлорсплана и впнилтрихлорсплана.Ниже приведена технологпя склеиванияполиимидных пленок.Раствор полимера с вязкостью 16 - 18 сек10 по вискозиметру ВЗнаносят па склеиваемыеповерхности тонким ровцым слоем, дают открытую выдержку на воздухе при комнатнойтемпературе в течение 15,чан. Покрытыеклеем поверхности пленок соединяют и поме 15 щают в пресс. Для более плотного прилегацияпленок друг к друту на них накладывают прокладки из термостойкой резины, Для предотвращения пршлепваппя и стешсам пресса ирезине пленки сверху и снизу прокладывают2 о пленками пз фторопласта. Установленныетаким образом пленки сжимают в прессе сусилием 1 - 2...

Номер патента: 324309

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Барановска, Логашев, Невский

МПК: C25D 7/06

Метки: ванна, гальваническая, магнитных, пленок, цилиндрических

...и на его,поверхности устасповлецы анодные кольца.На чертеже показана предлагаехая 1 альвацическая ванна.Она состоит из ацодной коробки 1, внутрикоторой размещен цилиндрический элемент 2 из гидрофильного материала соосцо с проволочной подложкой т. Нагнетательцая ц сливная камеры 4 и 6 имеют соответственно ш ,- цера 6 и 7.Элемент 2 герметично закреплен в анодной коробке при помоцц гаек 8 и резиновых прокладок 9. Ацодцая коробка устанавлцвается в ванне 10, снабжевымц уп:01 нециямц 11. Наности элемента 2,находятс12 из инертного материала.Ванна работает следующим образом.Электролит поступает в нагнетательную камеру 4 ванны 10 по штуцеру 6 и выходит цз сливной камеры 6 по штуцеру 7. Проволочца 51 10 д,10 ж 1.а 5 Входи Г ц выходит цз ванны...

Номер патента: 324594

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гончаров, Пискл, Полул, Раздовский, Харьковский

МПК: G01R 33/18

Метки: магнитных, магнитострикционных, пленок, свойств, тонких, цилиндрических

...магнитных 5 пленок заключается в следующем. Испытуемый участок пленки включают в контур 1.С-генератора последовательно с индуктивностью цлц емкостью контура. Ток контура 1.С-генератора, протекая по подложке 10 пленки, создает пробное высокочастотное поле, направленное вдоль осц легкого намагг;1- чцвянця илекц, т. с. По ок 1 ужностг 001)азц.Включенный таким образом участок пленки будет являться шгдуктцвностью, представляю щей часть индуктцвности контура генератора.Величина цндуктивности исследуемого участка образца пленки пропорциональна дцффсре 1- циальной магнитной восприимчивости пленки.При измерении подмагничивающего поля 20 вдоль осц трудного намагничивания пл икц будет изменяться величина дифферецциальцой восприимчивости...