Способ очистки пленок оксидных материалов от углеродсодержащих примесей
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1447182
Авторы: Александров, Селиверстов
Формула
Способ очистки пленок оксидных материалов от углеродсодержащих примесей, основанный на обработке изолирующей подложки с пленкой оксидного материала в озонокислородной смеси, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры очистки, устранения твердофазного легирования материалом подложки и улучшения диэлектрических свойств, одновременно с обработкой изолирующей подложки с пленкой оксидного материала в озонокислородной смеси проводят ее облучение УФ-светом с длиной волны 240 290 нм под углом 5 90o к подложке, причем концентрацию озона в озонокислородной смеси поддерживают в диапазоне 0,01 - 11,0 об.
Описание
Целью изобретения является снижение температуры очистки, устранение твердофазного легирования и улучшение диэлектрических свойств пленок оксидных материалов, что позволяет улучшить качество покрытий из этих материалов и повысить выход годных изделий, изготовляемых на их основе.
Примеры выполнения, иллюстрирующие особенности осуществления предлагаемого способа и свойства полученных пленок оксидных материалов, приведены в таблице.
Очистке подвергают такие оксидные материалы, как оксиды алюминия, индия, кремния, олова, титана, циркония, вольфрама, полученные термическим разложением металлоорганических соединений (алкильных и алкоголятных производных, ацетилацетанатов, пероксидов и карбонилов).
На чертеже графически показано отсутствие твердофазного легирования пленок оксидных материалов.
По данным Оже-спектров, обезуглероживание оксидных материалов протекает с сохранением бездефектной структуры оксидных пленок и отсутствием твердофазного легирования пленок материалом подложки: Оже-спектры пленок на металлическом кремнии до (а) и после (б) обработки озонкислородной смесью при 18oC в условиях облучения уф-светом, что ширина переходной зоны пленка-подложка остается постоянной

Изобретение позволяет снизить температуру очистки с 60 150oC до 18 25oC, устранить твердофазное легирование пленок оксидных материалов материалом подложки и улучшить такие их свойства, как диэлектрическая проницаемость, электрическая прочность и диэлектрические потери, что дает возможность улучшить качество покрытий из этих материалов и повысить выход годных изделий, изготовляемых на их основе.
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании просветляющих, изолирующих и полупроводниковых структур на основе высших оксидов металлов. Цель изобретения - снижение температуры очистки, устранение твердофазного легирования и улучшение диэлектрических свойств пленок. Изолирующие подложки обрабатываются в окислительной озонкислородной среде в присутствии УФ-излучения. Облучение УФ-светом проводят с длиной волны 240-290 нм под углом 5-90o к подложке. Концентрацию озона в озонкислородной смеси поддерживают 0,01-11,0 об.%. Использование способа позволяет снизить температуру очистки до 18-25oC и улучшить такие свойства пленки, как диэлектрическая проницаемость, электрическая прочность и диэлектрические потери. 1 табл., 1 ил.
Рисунки
Заявка
4075957/21, 15.05.1986
Научно-исследовательский институт химии при Горьковском государственном университете им. Н. И. Лобачевского
Александров Ю. А, Селиверстов Н. Н
МПК / Метки
МПК: H01G 4/10
Метки: оксидных, пленок, примесей, углеродсодержащих
Опубликовано: 20.03.1997
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1447182-sposob-ochistki-plenok-oksidnykh-materialov-ot-uglerodsoderzhashhikh-primesejj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ очистки пленок оксидных материалов от углеродсодержащих примесей</a>
Предыдущий патент: Твердотопливный ракетный двигатель
Следующий патент: Способ защиты металлических конструкций от почвенной коррозии
Случайный патент: Автоматический подсекатель