Патенты с меткой «пленок»

Номер патента: 1750270

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Коржавый, Кучеренко, Цымбаревич

МПК: C23C 14/32

Метки: пленок

1. Способ получения пленок, включающий формирование электронного пучка в вакууме, воздействие на него ускоряющим напряжением, испарение материала мишени электронным пучком, частичную ионизацию испаряемого материала и его осаждение на подложку, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей способа и его упрощения, ускоряющее напряжение выбирают большим величины второго критического потенциала.2. Устройство для получения пленок, содержащее кольцевой накаливаемый катод с металлическим экраном, тигель с мишенью из испаряемого материала и кольцевой электрод с источником питания, расположенный между тиглем и катодом соосно с последним и соединенный с положительной клеммой источника питания, отличающееся тем, что...

Номер патента: 1658656

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Рубан, Свиридович, Точицкий

МПК: C23C 14/28

Метки: высокотемпературных, металлооксидных, пленок, сверхпроводников

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК МЕТАЛЛООКСИДНЫХ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ, включающий испарение мишени из наносимого материала в атмосфере кислорода импульсным лазерным излучением, осаждение его на нагретую подложку и охлаждение подложки в два этапа в атмосфере кислорода, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок и повышения технологичности процесса, испарение материала осуществляют при плотности мощности лазерного излучения 107 - 108 Вт/см2, частоте следования импульсов не более 15 Гц и давлении кислорода (0,13-13)Па, температуру подложки в процессе осаждения поддерживают в диапазоне (853-1023)К, охлаждение подложки на первом этапе проводят со скоростью не более 35 К/мин до температуры...

Номер патента: 1584433

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Грицкевич, Зыль, Точицкий

МПК: C23C 14/24

Метки: вакууме, осаждения, пленок

СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ, включающий испарение осаждаемого материала в тигле, инжекцию пара в вакуум с образованием кластеров, их ионизацию, ускорение и конденсацию на подложке, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, перед инжекцией пара в вакуум внутреннюю полость тигля герметично соединяют с внутренней полостью замкнутой инжекционной камеры, затем внутреннюю полость тигля отсекают от инжекционной камеры и осуществляют сжатие пара.

Номер патента: 1163656

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Колесов, Сейдман

МПК: C23C 14/32

Метки: вакууме, нанесения, плазменного, пленок, реактивного

СПОСОБ ПЛАЗМЕННОГО РЕАКТИВНОГО НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ, включающий напуск потоков инертного и реактивного газов при содержании реактивного газа более 10%, регулирование тока разряда путем изменения напряжения разряда и потоков газов, распыление мишени ионами из плазмы разряда с наложением магнитного поля и осаждение материала на подложку, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости свойств пленок от процесса к процессу, при регулировании тока разряда сначала определяют экстремальные значения тока изменением напряжения, после чего устанавливают минимальное значение тока путем изменения потока реактивного газа и максимальное значение тока путем изменения потока инертного газа.

Номер патента: 1297504

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Колесов, Сейдман

МПК: C23C 14/36

Метки: пленок, соединений, химических

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ХИМИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ, включающий распыление металлической или полупроводниковой мишени в смеси инертного и активного газов плазмой разряда, имеющего вольт-амперную характеристику с динамическим сопротивлением, большим статического при стабилизации тока и напряжения разряда в процессе распыления, причем один из параметров стабилизируют источником питания, а другой - посредством регулировки потока активного газа, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости свойств пленок за счет повышения устойчивости режима разряда, источником питания стабилизируют ток разряда, а регулировкой потока активного газа - напряжение разряда, при этом в процессе распыления поток инертного газа поддерживают постоянным.

Номер патента: 1760776

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Вильде, Макейчев, Шофман

МПК: C23C 14/35

Метки: магнетронного, напыления, пленок, тонких

СПОСОБ МАГНЕТРОННОГО НАПЫЛЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК, включающий формирование в магнетронном источнике магнитного поля электромагнитом переменного тока, зажигание разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях, распыление материала катода и осаждение его на подложку, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, перед осаждением осуществляют нагрев подложек магнетронным источником, причем нагрев подложек осуществляют потоком электронов, бомбардирующих подложку при выключении электромагнита на время изменения направления переменного тока.

Номер патента: 1610949

Опубликовано: 15.10.1994

Автор: Тарасенко

МПК: C30B 23/02, C30B 29/04

Метки: алмазоподобных, пленок

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АЛМАЗОПОДОБНЫХ ПЛЕНОК путем распыления мишени из графита импульсным лазером и осаждения паров на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения однофазных и бездефектных пленок, стойких к лазерному излучению, распыление ведут с помощью ТЕА СО2-лазера с плотностью мощности излучения 1 107 - 5 108 Вт/см2 при расстоянии от мишени до подложки не менее 7 см и вакууме в камере не менее 10-5 торр.

Номер патента: 1769615

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Грязев, Талуц

МПК: G11C 11/14

Метки: визуального, доменной, пленок, структуры, феррит-гранатовых

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВИЗУАЛЬНОГО КОНТРОЛЯ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ ФЕРРИТ-ГРАНАТОВЫХ ПЛЕНОК, содержащее последовательно оптически связанные осветитель, поляризатор, объектив и делитель изображения, анализатор, две телевизионные камеры, первая из которых оптически связана с делителем изображения через анализатор, а вторая - непосредственно, причем вход синхронизации первой телевизионной камеры подключен к выходу синхронизации второй телевизионной камеры, видеоконтрольный блок, отличающееся тем, что, с целью увеличения разрешающей способности устройства за счет исключения фоновых составляющих изображения доменной структуры, в него введены четыре одновибратора, три элемента И, два ключа, инвертор, дифференциальный усилитель, схема фиксации уровня,...

Номер патента: 1736312

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Блаут-Блачев, Чубаров

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературной, обладающих, пленок, сверхпроводимостью, толстых

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОЛСТЫХ ПЛЕНОК, ОБЛАДАЮЩИХ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ СВЕРХПРОВОДИМОСТЬЮ, на основе соединений Bi Sr Ca Cu O, включающий нанесение смеси из окислов и карбонатов элементов, входящих в соединение, на подложку, нагрев и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью расширения класса используемых подложек, нагрев осуществляют 1 20 мин при 910 950oС, а последующий отжиг проводят при 840 890oС в течение более 3 ч.

Номер патента: 1823732

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Скутин, Сычев, Тихомиров, Югай

МПК: H01L 39/24

Метки: y-ba-cu-o, высокотемпературных, пленок, сверхпроводящих, травления

...на фиг.3 - зависимость среднего числа молекул Н 20 в кластере воды от давленияар воды Рно; на фиг.4 - завсоссреднего числа молекул воды и в кластереНС пН 20; на фиг,5 - зависимость скороститравления от парциального давления кластеров воды РнотоРеакционная камера 1 представляет собой вакуумированный насосом 2 сосуд, в15 которем помещается стравливаемая пленка У-Ва-Си-О 3, напыленная на подложкуиэ ЯгТОз или сапфир, Реакционная камера1 изготавливается иэ материала химическинейтрального к хлористому водороду (молибденовое стекло, кварц, полимер и др,).В начале эксперимента в предварительно откаченную камеру 1 напускают парыводы из емкости 4 до получения давленияРн,о =7 - 11 Торр, что при температуре 17 Ссоставляет (0,5-0,7)Рнонасы,ц....

Номер патента: 1829818

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Григорашвили, Сотников, Фомин

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводящих

...узла на расстояние свыше 8 200 пленка обладает плохими свойствам, ввиду малой толщины и снижения эффективности использования распылительного материала, а также нестабильности работы распылительного устройства.На чертеже показано устройство для осуществления способа получения ВТСП- пленок; 1 - подложки; 2 - нагреватель; 3 - мишень; 4, - область разряда; 5 - вакуумная камера.П р и м е р 1, В качестве распылительного узла используют систему встречно размещенных магнетронов. Подложки Ег 02 или ЗгТОз диаметром до 30 мм в количестве 10 шт, нагревают до 700 С и зажигают разряд. Выходные отверстия системы напуска аргона и кислорода, нагреватель 2 подложки и входное отверстие вакуумной откачной системы, размещают на оси симметрии...

Номер патента: 1653484

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Будянский, Гомжин, Ефремов, Лебедев, Покроев

МПК: H01L 21/306

Метки: плазмохимического, пленок, удаления, фоторезиста

СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО УДАЛЕНИЯ ПЛЕНОК ФОТОРЕЗИСТА с образцов, имеющих диэлектрические слои, включающий непрерывный напуск рабочего газа и откачку продуктов реакции, активацию потока рабочего газа плазмой ВЧ-разряда, отделение зоны активации газа от зоны обработки образца, размещение образца в зоне обработки в потоке активированного разрядом газа и удаление полимерной фоторезистивной пленки под действием химически активных частиц, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годной продукции путем сокращения числа электростатических пробоев тонких диэлектрических слоев обрабатываемых изделий, определяют напряжение пробоя диэлектрического слоя V* и в процессе удаления фоторезиста контролируют потенциал плазмы в зоне...

Номер патента: 668337

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Джулакян, Марашлян, Мовсисян, Устян, Фиговский, Шахвердян

МПК: C08L 67/02, C09J 7/02

Метки: адгезионный, пленок, подслой, полиэтилентерефталатных, светоотражающих

АДГЕЗИОННЫЙ ПОДСЛОЙ ДЛЯ СВЕТООТРАЖАЮЩИХ ПОЛИЭТИЛЕНТЕРЕФТАЛАТНЫХ ПЛЕНОК, включающий полиэфир на основе этиленгликоля, терефталевой и себациновой кислот и растворитель, отличающийся тем, что с целью увеличения светопропускания и адгезии к полиэтилентерефталату и последующему слою на основе сополимеров бутилметакрилата, он дополнительно содержит полиэфирацетальуретан при следующем соотношении компонентов, мас.Полиэфир на основе этиленгликоля, терефталевой и себациновой кислот 13 16Полиэфирацетальуретан 3 10Растворитель Остальное

Номер патента: 772192

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Айрапетян, Вартанян, Джулакян, Мовсисян, Фиговский, Харатян

МПК: C08L 67/02, C09J 167/02

Метки: дублирования, клей, пленок, полиэтилентерефталатных

КЛЕЙ ДЛЯ ДУБЛИРОВАНИЯ ПОЛИЭТИЛЕНТЕРЕФТАЛАТНЫХ ПЛЕНОК, включающий полиэфир на основе этиленгликоля, терефталевой и себационной кислот, полиэфирацетальуретан и растворитель, отличающийся тем, что, с целью повышения электрической прочности пленок, он дополнительно содержит полиуретановый сложноэфирный каучук и имидазолин на основе полиэтиленполиамина и синтетических жирных кислот С6 С12 при мольном соотношении 1 1 2 при следующем соотношении компонентов, мас.Полиэфир на основе этиленгликоля, терефталевой и себационной кислот 17 22Полиэфирацетальуретан 1,2 4,0Полиуретановый сложноэфирный каучук 1,0 3,0Имидазолин на основе полиэтиленполиамина и синтетических жирных кислот С6...

Номер патента: 1415670

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Васильев, Духанова

МПК: C03B 8/04, C03C 17/09

Метки: пленок, стекла, фосфоросиликатного

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ФОСФОРОСИЛИКАТНОГО СТЕКЛА путем нагрева подложки до 200-500oС и осаждения пленок из парогазовой смеси, состоящей из моносилана, кислорода, триметилфосфата и аргона, с откачкой продуктов реакции со стороны, противоположной вводу смеси, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок за счет стабилизации содержания в них фосфорного ангидрида, осаждение ведут при пониженном давлении из смеси состава, об.Моносилан 2,0-8,0Кислород 5,0-50,0Триметилфосфат 0,02-2,0Аргон Остальноепричем пары триметилфосфата подают в горячую зону реактора, моносилан и кислород в холодную.

Номер патента: 1137775

Опубликовано: 27.11.1995

Автор: Левченко

МПК: C23C 14/00

Метки: пленок, сегнетоэлектрических

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК, включающий распыление исходного материала в среде кислорода и осаждение его на нагретую подложку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических свойств пленок, процесс осаждения проводят циклично, при этом после каждого цикла осаждения температуру подложки и давление кислорода увеличивают до температуры не более 0,8 температуры плавления исходного материала и до давления не более 26664,4 Па соответственно, проводят термообработку пленки, снижают температуру подложки и давление кислорода до первоначальных значений и проводят следующий цикл осаждения.

Номер патента: 1077334

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Левченко, Тарасов

МПК: C23C 14/24

Метки: вакууме, нанесения, пленок

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ, содержащее подложкодержатель и испаритель направленного действия с выходным каналом, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения производительности, выходной канал выполнен в виде многоканального коллиматора, подложкодержатель расположен от коллиматора на расстояниигде l длина канала;d диаметр канала;b расстояние между соседними каналами.

Номер патента: 1271132

Опубликовано: 27.12.1995

Автор: Левченко

МПК: C23C 14/36

Метки: вакууме, ионно-плазменным, нанесения, пленок, распылением, сегнетоэлектрических

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК ИОННО-ПЛАЗМЕННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, содержащее диэлектрический держатель с дисковой мишенью, размещенную между ними дисковую электропроводную прокладку, токоподвод и узел разогрева мишени, отличающееся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет повышения равномерности распыления мишени, токоподвод выполнен в виде кольца, примыкающего к боковой поверхности мишени, а диаметр прокладки составляет 0,5-0,75 диаметра мишени.

Номер патента: 1805790

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Ефимов, Зуева, Карелин, Корсаков, Николаева, Плавич, Саратовских, Титков

МПК: H01L 21/312

Метки: основе, пленок, полианилина, формирования

...0,95 - 1, Эту величину можно регулировать, вводя неболь шое количество воды и изменяя тем самымфизико-механические свойства пленки, Композиционный материал характеризуется массовым соотношением компснентов поливинилформиат:полианилин=2,9 - 0,34:1,При добавлении поливинилового спирта менее чем 0,2 ч, на 1 ч, полианилина трудно добиться однородности пленки и наблюдается образование комет. Верхний предел введения поливинилового спирта 30 определяется его растворимостью в муравьиной кислоте (50 г/л). Образующийся поливинилформиат обладает хорошими пластифицирующими и стабилизирующими свойствами и улучшает однородность дис персии полианилина в своей матрице.В качестве материала подложки можноиспользовать стекло и кремний с хорошо...

Номер патента: 751256

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Чуйко, Якубинская

МПК: B04B 5/00, H01L 21/00

Метки: нанесения, пленок, тонких

СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК, например пленок фоторезиста на подложки, включающий нанесение на подложку раствора фоторезиста, центрифугирование подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества нанесения на подложку раствора фоторезиста, край стороны подложки, на которую наносят раствор, скругляют по всему периметру.

Номер патента: 1277654

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Бибер, Вирник, Деваев, Журавлев, Кильдеева, Красовская, Неклюдов, Ныс, Скворцова, Соломон

МПК: D01F 1/10

Метки: волокон, пленок, ферментсодержащих

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФЕРМЕНТСОДЕРЖАЩИХ ВОЛОКОН И ПЛЕНОК, включающий растворение триацетата целлюлозы в метинхлориде, введение растворимого в воде и метиленхлориде полимера с мол.м. 10000-200000, модифицированного глутаровым альдегидом фермента в фосфатном буфере и формование, отличающийся тем, что, с целью повышения термостабильности волокон и пленок, используют водную суспензию фермента в фосфатном буфере и диспергируют ее в растворе триацетата целлюлозы, а свежесформованные волокна и пленки продувают сжатым воздухом или инертным газом в течение 1,0-300 с до содержания растворителя 0,005-2,0 мас.%.

Номер патента: 1678042

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Дуняткин, Иванова, Мелконян, Сарибекян, Шарай

МПК: C09J 133/08, C09J 7/02

Метки: клей, липких, пленок

КЛЕЙ ДЛЯ ЛИПКИХ ПЛЕНОК на поливинилхлоридной основе, включающий сополимер бутилакрилата с акрилонитрилом, содержащий 10 - 20% акрилонитрильных звеньев, полиметилфенилсилоксановую смолу и органический растворитель, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости липкого слоя к УФ-излучению и инертности к краскам полиграфического текста, пастам шариковых ручек и чернилам, он дополнительно содержит смесь сополимера 50 - 70% винилацетата с бутилакрилатом и сополимера бутилакрилата с метакриловой кислотой с содержанием связанной метакриловой кислоты 5 - 10% при следующем соотношении компонентов, мас.%:Сополимер бутилакрилата с акрилонитрилом с содержанием акрилонитрильных звеньев 10 - 20% - 9,2 - 14,3Полиметилфенилсилоксановая...

Номер патента: 1795829

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Кастрицкий, Козлов, Корешков, Красницкий, Турцевич, Химко

МПК: H01L 21/316

Метки: осаждения, плазмохимического, пленок, стекла, фосфоросиликатного

...более 2 ат. о, возрастает в 5 и более раз, что обуславливает улучшение пассивирующей способности пленки за счет повышения ее влагостойкости и повышение стойкости стекла к диффузии ионов металлов.Выбор отношения ингредиентов закись азота-аммиак при осаждении пленки ФСС сделан на основе экспериментальных результатов.При соотношении ингредиентов закись азота-аммиак менее 5 ухудшаются условия для введения фосфора в пленку, что обуславливает ухудшение качества ФСС из-за увеличения дефектности,При соотношении ингредиентов закись азота-аммиак более 25 ухудшается пассивирующая способность пленки из-за уменьшения количества азота в ней, что наряду с увеличением привносимой дефектности обуславливает ухудшение качества пленок ФСС.Возможность...

Номер патента: 1715152

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Кукуев, Попов, Харламов

МПК: H01L 39/22, H01L 39/24

Метки: пленок, сверхпроводящих

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ПЛЕНОК, заключающийся в плазменном напылении в инертной газовой среде порошкового материала YBa2Cu3O7 на разогретую подложку с последующей ее термообработкой в кислорде и охлаждением, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок путем уменьшения количества пор, величину гранул порошкового материала выбирают в пределах 80 - 150 мкм, напыление производят до толщины пленки 10 - 1000 мкм, при этом в зону образования пленки подают кислород, после чего в течение 2 ч производят нагревание пленки до 945 - 955oС с постоянной скоростью, выдерживают при этой температуре в течение 2,5 - 3,0 ч, а затем постепенно охлаждают в течение 4 ч.

Номер патента: 1739802

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Красножон, Фролов, Хворов

МПК: H01L 21/306

Метки: алюминия, плазмохимического, пленок, травления

СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОК АЛЮМИНИЯ, включающий размещение подложек со сформированной фоторезистивной маской на заземленном электроде-подложкодержателе и обработку в хлорсодержащей ВЧ-плазме при температуре подложек ниже температуры деструкции фоторезиста, но выше температуры, вычисленной по формулегде Q - расход газа, см3/мин;P - рабочее давление, Па;F - площадь поверхности алюминия, м2;V - скорость травления алюминия, нм/с,отличающийся тем, что, с целью улучшения качества получаемых структур за счет снижения загрязнения этих структур и внутренних поверхностей реактора продуктами полимеризации, перед...

Номер патента: 1831109

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Жаворонков, Зуев, Шабельников

МПК: G01N 23/223

Метки: анализа, пленок, рентгенофлуоресцентного, тонких

...из торцевого выхода является достаточным закрепление моноблока 11 на узле 13 с постоянной ориентацией оси выхода излучения, Линейное перемещение моноблока обеспечивает совмещение оси выхода с центром прохода между прокладками 9. Упрощение конструкции достигается также за счет прижима рефлектора 10 к рефлектору 7 с зазором, величина которого и находится в диапазоне 5-50 мкм, В предлагаемом устройстве й определяется толщиной прокладок 9, что делает ненужным использование прецизионных средств ориентации и перемещения рефлекторов, Размещение прободержателя 12 и рефлектора 10 в одной детали позволяет отказаться от узла перемещения и ориентации прободержателя,Закрепление рефлектора 7 на оправке 4 упрощает конструкцию за счет фиксации...

Номер патента: 1829760

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Баранов, Достанко, Казачонок, Попов

МПК: H01L 21/263

Метки: планаризованных, пленок, тонких, формирования

...частоты модуляции Гмг35 имеет значение порядка 4 МГц, Ограничение частоты модуляции определяется ограничением подвижности ионов вэлектрическом поле, которые за один период модуляции Тг=1 Рмг не успевают пере 40 сечь область катодного падения потенциалав плазме тлеющего ВЧ-разряда.Способ поясняется схемой, представленной на чертеже, где 1 - рабочая камера,2 - магнетронный источник распыления, 3 -45 блок питания магнетронэ, 4 - мишень, 5 -подложка с рельефной поверхностью, 6 -подложкодержатель, 7 - керамические элементы, 8 - ВЧ-генератор, 9 - согласующееустройство, 10 - генератор импульсов,50 Для реализации способа формированияпланариэованных тонких пленок была модернизована промышленная установка типа 01 НИ-006, предназначенная...

Номер патента: 1642741

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Агальцова, Архипова, Банников, Быков, Ворожцов, Игнатов, Масанова, Танунина, Хан, Шишкина

МПК: C09B 57/12, G02B 1/08

Метки: n-дифенилдиимидов, замещенных, качестве, кислоты, перилентетракарбоновой, пленок, поляроидных, сверхтонких, сульфокислоты, термостабильных, формирования

Сульфокислоты замещенных N,N - дифенилдиимидов 3,4,9,10-перилентетракарбоновой кислоты общей формулыгде R H, Br, Cl, OH, CH3, C4H9, COCH3, OC2H5;n 1 2,в качестве материалов для формирования сверхтонких термостабильных поляроидных пленок, селективных в области 480 550 нм.

Номер патента: 1598430

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Архипова, Банников, Быков, Ворожцов, Игнатов, Масанова, Танунина, Хан, Шишкина

МПК: C07D 471/04, G02B 5/30

Метки: дибензимидазолов, замещенных, качестве, кислоты, области, перилентетракарбоновой, пленок, поляроидных, сверхтонких, селективных, сульфокислоты, термостойких, формирования

Сульфокислоты замещенных дибензимидазолов 3,4,9,10-перилентетракарбоновой кислоты общей формулыгде R1 H, 3(4)-CH3, 3(4)-C2H5, 3(4)-Cl, 3(4)Br; R2 4(5)-SO3H,в качестве материалов для формирования сверхтонких термостойких селективных в области 550 620 нм поляроидных пленок.

Номер патента: 1635538

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Банников, Быков, Двуреченская, Игнатов, Левин, Танунина, Хан

МПК: C09B 57/12, G02B 1/08

Метки: дибензимидазолов, замещенных, качестве, кислоты, нафталинтетракарбоновой, пленок, поляроидных, сверхтонких, сульфокислоты, формирования

Сульфокислоты замещенных дибензимидазолов 1,4,5,8-нафталинтетракарбоновой кислоты общей формулыилигде R H, CH3, C2H5, OC2H5, Cl или Br;n 1 или 2,в качестве материала для формирования сверхтонких поляроидных пленок.