Патенты с меткой «пленок»

Номер патента: 774462

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Асадов, Бахышев, Исмаилов, Максимов, Марончук, Соловьев

МПК: H01L 21/365

Метки: галлия, пленок, полупроводниковых, халькогенида

Способ получения полупроводниковых пленок халькогенида галлия в открытой газотранспортной системе с использованием жидкого источника галлия, включающий взаимодействие галогенсодержащего вещества с галлием, транспортирование галогенида галлия в зону роста, подачу в зону наращивания элемента VI группы потоком газа-носителя и наращивание монокристалла на подложку, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества пленок, наращивание осуществляют в системе HCl-Ga-Se-H2 при температурах зон источников галлия и селена 400 - 600oC и 230 - 300oC соответственно, температуре зоны наращивания 700 - 750oC, потоке водорода над источником...

Номер патента: 1127483

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Колоскова, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/316

Метки: алюмосиликатного, осаждения, пленок, раствор, стекла

Раствор для осаждения пленок алюмосиликатного стекла, содержащий растворитель - этиловый спирт 96o, тетраэтоксисилан, катализатор и азотнокислый алюминий(гидрат) с концентрацией в растворителе более 0,15 г/см3, отличающийся тем, что, с целью увеличения маскирующей способности пленки при диффузии бора и фосфора с поверхностной концентрацией более 1019см-3, отношение массы азотнокислого алюминия к массе тетраэтоксисилана берут равным 1,5 - 4,0, а компоненты в следующем количественном соотношении, мас.%:Этиловый спирт 96o - 60 - 80Азотнокислый алюминий, гидрат - 15 - 32Тетраэтоксисилан - 5 - 10.

Номер патента: 1225273

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Гусев, Елисеев, Калинкин, Щеголев

МПК: C23C 14/32

Метки: напылением, плазменным, пленок, тонких

1. Способ получения тонких пленок плазменным напылением, включающий зажигание дугового разряда в атмосфере инертного газа между анодом и термокатодом, формирование контрагированной плазменной струи, введение в нее наносимого материала и конденсацию его паров на подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет улучшения их электрофизических свойств и повышения производительности процесса, наносимый материал вводят в плазменную струю в виде порошка с размером частиц 30 - 45 мкм со скоростью 8 - 10 г/мин при скорости истечения плазменной струи 8 - 9 м/с, давлении инертного газа 5,3 - 8,0 Па и потенциале на аноде 300 - 400 В, затем плазменную струю подвергают...

Номер патента: 1412367

Опубликовано: 27.08.2000

Авторы: Гусев, Елисеев, Калинкин, Щеголев

МПК: C23C 14/32

Метки: нанесения, напылением, плазменным, пленок, тонких

Способ получения тонких пленок плазменным напылением по авт.св. N 1225273, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей процесса при изготовлении ГИС, перед нанесением токопроводящего слоя формируют диэлектрический слой путем подачи в плазменную струю смеси испаряемого порошка и кислорода при степени двухфазности потока (0,3 - 0,5), причем в качестве испаряемого порошка используют кермет.

Номер патента: 1292464

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Вавуленко, Лифшиц

МПК: G01R 33/05

Метки: дефектов, магнитных, одноосных, пленок, плотности, ферромагнитных

Устройство для измерения плотности магнитных дефектов одноосных ферромагнитных пленок, содержащее оптически последовательно расположенные источник света и поляризатор, оптически последовательно расположенные анализатор и передающую телевизионную камеру, усилитель-формирователь, видеоусилитель, синхрогенератор и видеоконтрольное устройство, вход которого через видеоусилитель подключен к выходу усилителя-формирователя, первый и второй входы которого соединены соответственно с передающей телевизионной камерой и первым выходом синхрогенератора, а также блоки перемещения X и Y, графопостроитель, первый одновибратор, счетчик и блок индикации, вход которого через счетчик соединен с выходом...

Номер патента: 1840172

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Алехин, Белотелов, Емельянов, Солдак

МПК: H01L 21/316

Метки: арсенида, диэлектрических, индия, мдп, основе, пленок, растворов, структур, твердых

Способ получения диэлектрических пленок для МДП структур на основе арсенида индия и его твердых растворов, включающий погружение полупроводниковой пластины в первый электролит, содержащий органический растворитель, электропроводящий компонент и галогеносодержащую добавку и подачу на пластину электрического напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения обнаружительной способности МДП структур путем снижения величины встроенного заряда и плотности ловушек в диэлектрических пленках, в качестве галогеносодержащей добавки используют аммоний фтористый в количестве 1,6-1,8 вес.%, после анодирования в первом электролите, полупроводниковую пластину погружают во второй электролит,...

Номер патента: 1396449

Опубликовано: 27.07.2006

Авторы: Гавлин, Ефремов, Мочалов, Осипов, Расулова

МПК: B29C 51/10

Метки: вакуумного, пленок, полиимидных, формования

Установка для вакуумного формования полиимидных пленок, содержащая установленную на основании форму и зажимное приспособление, выполненное в виде горизонтально расположенных соосных верхнего и нижнего колец, отличающаяся тем, что, с целью производительности, зажимное приспособление снабжено по крайней мере двумя установленными в направляющих, жестко связанных с основанием, с возможностью вертикального перемещения пневмоцилиндрами, штоки которых шарнирно соединены с верхним зажимным кольцом по крайней мере двумя вертикально расположенными, жестко связанными с основанием пневмоцилиндрами, штоки которых шарнирно связаны с нижним зажимным кольцом и компенсационным устройством, выполненным в...

Номер патента: 1840204

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов

МПК: H01L 21/316

Метки: aiiibv, диэлектрических, мдп-структур, основе, пленок, полупроводниковых, соединений

1. Способ получения диэлектрических пленок для МДП-структур на основе полупроводниковых соединений AIIIBV путем анодного окисления полупроводниковой пластины, погруженной в электролит, отличающийся тем, что, с целью получения диэлектрических пленок с заданным по величине и знаку встроенным зарядом, полупроводниковую пластину погружают последовательно в два электролита, первый из которых характеризуется величиной вводимого в пленку заряда на 0,5-10 В меньше заданной, второй - на 0,5-10 В больше заданной. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что для МДП структур на основе JnSb в качестве первого электролита используют электролит состава, вес.%:Аммоний...

Номер патента: 1600191

Опубликовано: 10.10.2006

Авторы: Ефремов, Малозёмова, Мочалов, Осипов

МПК: B29C 43/20, B29L 9/00

Метки: многослойных, пленок, полиимидофторопластовых

Способ изготовления многослойных деталей из полиимидофторопластовых пленок, включающий сборку пленок в пакет, последующее прессование пакета в оснастке при нагреве с выдержкой и охлаждением под давлением, отличающийся тем, что, с целью изготовления деталей профильной формы и увеличения из межслоевой прочности, сборку пакета проводят таким образом, чтобы толщина его составляла 1,03-1,13 от величины толщины изготавливаемой профильной детали, прессование осуществляют при 350-360°С и давлении 3-7 МПа в течение 20-25 мин и охлаждение детали производят до 120-150°С.

Номер патента: 1286026

Опубликовано: 27.12.2006

Авторы: Веденин, Досюкова, Липницкая, Осинский, Сурвило, Трофимов

МПК: H01L 31/18

Метки: активации, пленок, полупроводниковых, растворов, соединений, твердых, типа, фоточувствительности

Способ активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа AII BVI AIV BVI и их твердых растворов в шихте, включающий приготовление активирующей шихты, погружение подложек с нанесенными пленками в объем шихты, термообработку пленок в шихте, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет улучшения однородности фотоэлектрических свойств по поверхности пленок, при приготовлении шихту фракционируют, затем в процессе термообработки шихту подвергают воздействию вибрации при частоте 50-100 Гц и амплитуде 1-2 мм, причем используют фракцию шихты с однородным гранулометрическим составом.

Номер патента: 976733

Опубликовано: 27.12.2006

Авторы: Нестерович, Сурвило, Трофимов

МПК: C30B 29/46, C30B 31/02

Метки: aiibvi, активации, пленок, полупроводниковых, растворов, соединений, твердых, типа, фоточувствительности, шихта

Шихта для активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа АIIBVI и их твердых растворов, содержащая основу и легирующие примеси в виде галогенидов металлов общей формулы MeX, где Me - Cu, Cd, Bi, Pb, X - Cl, Br, J, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности активирующих свойств шихты, в качестве основы используют двуокись титана при следующем соотношении компонентов, вес.%: Me0,70 + 4,85 Х0,60 + 2,15 Двуокись титана

Номер патента: 1549411

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Воронов, Ковалевский, Красницкий, Турцевич, Цыбульский

МПК: H01L 21/316

Метки: борофосфоросиликатного, диэлектрических, пленок, стекла

Номер патента: 1568798

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Красницкий, Лесникова, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение при пониженном давлении на кремниевую подложку подслоя кремния толщиной 10-20 нм из газовой фазы, содержащей моносилан, проведение отжига в азоте при температуре выращивания подслоя в течение 10-30 мин и доращивание кремния до заданной толщины при 600-650°C, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок поликристаллического кремния путем повышения стабильности кристаллической структуры подслоя кремния, подслой осаждают из газовой фазы, дополнительно содержащей моногерман, при парциальных давлениях моносилана и моногермана 12-40 и 1-3 Па соответственно при температуре 600-650°C.

Номер патента: 1780461

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Кастрицкий, Козлов, Красницкий, Лесникова, Наливайко, Турцевич

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, легированных, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя поликристаллического кремния толщиной 10-50 нм при 560-580°С пиролитическим разложением моносилана при давлении не более 13,3 Па, доращивание слоя кремния при температуре осаждения подслоя при пониженном давлении из парогазовой смеси, содержащей фосфин и моносилан при соотношении ингредиентов 0,0008-0,0035, и последующую термообработку в среде азота и кислорода при 850-1000°С, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса при одновременном снижении удельного сопротивления пленок путем ускорения осаждения и улучшения структуры пленки,...

Номер патента: 1484193

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Красницкий, Крищенко, Лесникова, Турцевич, Шкуть

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, подложку, поликристаллического, полупроводниковую

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния на полупроводниковую подложку, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40,0-100,0 нм разложением моносилана при температуре 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига в течение 5-20 мин при температуре осаждения и доращивание пленки до требуемой толщины при температуре осаждения подслоя, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок путем повышения их термостабильности и увеличения дисперсности, доращивание пленки до требуемой толщины проводят послойно с толщиной каждого отдельного слоя, составляющей 20-30% от толщины доращиваемой пленки, последовательно чередуя операции...

Номер патента: 1715138

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Кастрицкий, Козлов, Красницкий, Макаревич, Турцевич

МПК: H01L 21/318

Метки: кремния, нитрида, пленок, формирования

Способ формирования пленок нитрида кремния, включающий осаждение на кремниевые подложки пленки нитрида кремния при температуре 650-900°С из газовой смеси дихлорсилана и аммиака при соотношении ингредиентов 1:(4-20) и общем давлении 13,3-133,3 Па, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет увеличения их электрической прочности и снижения дефектности, осаждение проводят послойно с толщиной каждого отдельного слоя не более 15 монослоев, последовательно чередуя операции осаждения и отжига в аммиаке в течение 2-10 мин при давлении 6,65-66,5 Па при температуре осаждения пленки нитрида кремния.

Номер патента: 1584641

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Гранько, Кабаков, Красницкий, Лесникова, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40-100 нм на полупроводниковую подложку разложением моносилана на 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига при температуре осаждения и давлении не более 13,3 Па, доращивание пленки при температуре осаждения подслоя до требуемой толщины послойно с толщиной каждого отдельного слоя 20-30% от толщины доращиваемой пленки, последовательно чередуя осаждение и отжиг, а отжиг каждого последующего слоя проводят при давлении не более 13,3 Па, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества осаждаемых пленок поликристаллического кремния путем подавления...

Номер патента: 1588202

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Красницкий, Лесникова, Семенов, Турцевич, Шкуть

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, легированных, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку слоя аморфного кремния при 560-580°С при давлении 33,7-66,5 Па из парогазовой смеси, содержащей моносилан и фосфин при соотношении ингредиентов в смеси 0,0008-0,007, и последующую термообработку в среде азота и кислорода при 850-1000°С, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества осаждаемой пленки путем снижения уровня механических напряжений, перед осаждением аморфного слоя на подложку наносят подслой поликристаллического кремния толщиной 10-50 нм при температуре осаждения аморфного слоя пиролитическим разложением моносилана при давлении не более 13,3 Па.

Номер патента: 1597019

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Гранько, Лесникова, Семенов, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя кремния толщиной 30-50 нм пиролитическим разложением моносилана при температуре 550-600°С, последующее доращивание подслоя до получения пленки поликристаллического кремния при температуре 600-650°С до заданной толщины, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок путем снижения в них уровня механических напряжений при одновременном снижении трудоемкости, подслой осаждают при давлении 2,66-13,3 Па.

Номер патента: 1299397

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: двуокиси, кремния, плазмохимических, пленок

Способ получения плазмохимических пленок двуокиси кремния, включающий нанесение слоя двуокиси кремния в плазме ВЧ-разряда из смеси моносилан-аргон-кислород, отличающийся тем, что, с целью улучшения зарядовых свойств плазмохимических пленок за счет аморфизации их структуры, после нанесения пленок производят отжиг в атмосфере водорода, азота или инертного газа в диапазоне температур от 600 до 650 K или от 900 до 950 K в течение 10-90 мин.

Номер патента: 1840832

Опубликовано: 27.07.2012

Авторы: Ведерников, Липилин, Неуймин, Пальгуев

МПК: H01M 8/10

Метки: виде, газоплотных, пленок, твердого, тонких, устройств, электролита, электрохимических

Способ получения электролита в виде тонких пленок, в котором смесь порошков чистых окислов в нужном соотношении наносят на высокочастотный электрод распылителя слоем в 2-10 мм, затем осуществляют напыление, а образовавшуюся пленку подвергают термической обработке при температуре 600-1000°С в течение 1-20 часов.

Номер патента: 1281058

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Гурский, Жебин, Зеленин

МПК: C22C 1/02, C22C 3/00, H01C 7/00 ...

Метки: пленок, резистивных, сплав

1. Сплав для резистивных пленок, содержащий кремний, железо, хром и вольфрам, отличающийся тем, что, с целью снижения разброса удельного сопротивления и уменьшения температурного коэффициента сопротивления резистивных пленок, он содержит компоненты в следующем соотношении, мас.%: Кремний32,3-33,0 Железо35,7-37,2 Хром13,0-13,7 ВольфрамОстальное 2. Способ получения сплава, включающий плавление компонентов в...

Номер патента: 1345956

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Гурский, Зеленин, Конюшенко, Мелещенко, Скрипниченко, Чачин

МПК: H01L 21/268

Метки: мопи, мп-систем, пленок, проводящих, тонких

Способ обработки тонких проводящих пленок МОП- и МП-систем путем воздействия на них импульсным электромагнитным полем, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии пленок и снижения разброса ее величины по площади подложки, воздействие осуществляют при следующих параметрах электромагнитного поля:энергия в импульсе W = Kw (Дж),частота числом импульсов от 1 до 10,где Kw = 1,786·1011(0,1 - 1,2) Дж/Ом·м и K f = 26,79·1011(0,1 - 1,0) Гц/Ом - коэффициенты...

Номер патента: 1120706

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Гурский, Жебин, Зеленин

МПК: C23C 14/26

Метки: испаритель, нанесения, нихромовых, пленок

1. Испаритель для нанесения нихромовых пленок, состоящий из нихромовых проволочных элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы, он снабжен стержнем из нихрома, а проволочные элементы выполнены в виде спиралей, одна из которых навита на стержень и между ее витками размещена смесь из порошков хрома и никеля, а другая навита на стержень между витками первой, причем шаг t между витками первой и второй спиралей выбран из выражения 1,4 d t 1,9 d, где d - диаметр проволоки.2. Испаритель по п.1, отличающийся тем, что соотношение...