Патенты с меткой «пленок»

Номер патента: 1029043

Опубликовано: 15.07.1983

Авторы: Алексеев, Гитис, Карасик, Крагельский

МПК: G01N 3/56

Метки: граничных, пленок, смазочной, способности

...их, подают на них пос-. пленочного голодания, контробразецвыполнен в виде набора электрическиизолированных с помощью прокладоки установленных в держателе перпендикулярно поверхности трения образца пластин, толщины пластин и прокладок выбраны равными ооответственносреднему диаметру характерного пятна контакта и среднему расстояниюмежду пятнами, а зазор между прокладками и поверхностью трения образца - средней высоте микрорельефаповерхности трения. тоянное электрическое напряжение,перемещают контробразец относительнообразца, измеряют электропроводимостьконтакта, а о смазочной способностисудят по параметру, зависящему отэлектропроводимости контакта, электропроводимость измеряют в различныхсечениях контакта, перпендикулярныхнаправлению...

Номер патента: 1030380

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Евменов, Егоренков, Кузавков

МПК: C08J 7/12

Метки: модификации, пленок, полимерных

...их термостабиль- Введение стабилизатора в поверхность в 2-3 раза по сравнению с не- .ностный слой полимерной пленки, адгестабилизированным2 ), зионно связанной с подложкой, можноВыдержка в среде стабилизатора осуществлять как при температуреи последующая термообработка изделий. 50 ниже температуры плавления полимера,не изменяют их адгезию. Однако, ши- так и при температуре выше его темроко применяемые для изделий полиме пературы плавления,.например, исры (,полиэтилен, пентапласт н др.), пользуя.растворители с температуройобладают низкой адгезией к различным кипения, превышающей температуруподложкам. Поэтому после обработки плавления полимера. В последнем слупо известному способу они имеют низ- чае процесс стабилизации...

Номер патента: 1031976

Опубликовано: 30.07.1983

Авторы: Махкамов, Саркисов, Соболев, Швенглер

МПК: C08L 1/12

Метки: волокон, пленок, раствор, формования

...и серусодержащий светостабилизатор, в качестве светостабилиэатора содержит 4,4-диметил- -5-метилентиоазолидин-тион при следующем соотношении компонентов, вес.%: 4,4-Диметил-метилентиоаэолидин- -2-тион хорошо растворяется в растворителях для АЦ, хорошо совмешается с полимером. Получение светостойких пленок и волокон на основе АЦ может быть осуществлено на действующем оборудовании без изменения технологической схемы. В то же время срок службы изделий иэ АЦ заметно увеличивается, что дает большой экономический эффект. П р и м е р 1. Готовят четыре смеси ингредиентов, содержаших каждая4 вес.% ацетилцеллюлозы, ацетон иотличающиеся друг от друга содержанием стабилизатора 4,4-диметил-метилен-тиаэолидин-тиона по 0,04,0,08; 0,2 0,4 вес,%...

Номер патента: 1033937

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Архипова, Гуров, Суминов, Тучин

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезии, диэлектрическим, металлических, пленок, подложкам, тонких

...поглотитель мощностиэлектромагнитного поля, который размещают между источником электромагнитного поля и пленкой, уменьшаютобъем поглотителя до тех пор, покапленка не отслоится, и по изменениюобъема поглотителя судят об адгезиипленки к подложке,Способ осуществляют следующим образом.На диэлектрическую подложку наносят одним из известных методов металВНИИПИ Заказ 5615/4Филиал ППП Патент ,лическую пленку, Размещают подложку с пленкой в электромагнитном поле сверхвысокой частоты таким образом, цтобы поверхность металлической пленки находилась сб стороны источникаэлектромагнитного поляРазмещают между источником электромагнитного поля и поверхностью пленки поглотитель мощности электромагнитного поля, например, дистиллированную воду,и...

Номер патента: 1033993

Опубликовано: 07.08.1983

Автор: Беренштейн

МПК: H01L 21/66

Метки: пленок, резистивных, свойств, тонких

...остаточных газов пленкой вследствие физической и химической сорбции, то электрические свойства напыленных ,резистивных пленок (удельное поверхностное сопротивление, температурный коэффициент сопротивления и др.) зависят от степени их окисления.Степень окисления пленки (при фикси. рованной температуре подложки) однозначно определяется отношением количества молекул газов к количеству молекул испаряемого вещества, попадающих на единицу поверхности пленки за единицу времеви. Степеньокис ления пленки будет постоянной, если стабилизировать отношение давления остаточных газов в камере напыления к скорости напыления пленки.Цель изобретения - упрощение контроля процесса напыления и повышение60 Этот сигнал может быть использован для...

Номер патента: 1035016

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Кузнецов, Сироткин, Хитров

МПК: C04B 41/06

Метки: неорганических, пленок, стеклообразных

...спекания или плавления компонентов под-. ложки, а отделение пленки осуществляют охлаждением со скоростью не менее 200 С/мин.П р и м е р 1. В качестве твердой подложки используют таблетку размером 30.10 1 мм, отпрессованную при 650 МПа из порошка оксида кальция. Таблетку обрабатывают в течение 1 ч при 800 С газообразным оксиодом фосфора в присутствии паров воды после чего, не производя охлаждения, таблетку извлекают из высокотемпературной зоны (Т СаО 2580 С). При остывании таблетки со скоростью 300 С/мин происходит отслоение обраозовавшейся на поверхности стеклообразной пленки полифосфата кальция. Послойный анализ пленки на время-пролетном лазерном масс-спектрометре показывает следующее распределение элементов то толщине пленки:...

Номер патента: 1036811

Опубликовано: 23.08.1983

Авторы: Карсова, Ханжин, Яковлев

МПК: C25D 1/08

Метки: алюминия, окиси, пленок

...При последующемохлаждении подложки сдвиговые натяжения усиливаются за счет различиякоэффициентов термического расширения окиси алюминия и подложки, врезультате чего анодная окиснаяпленка самопроизвольно отделяетсяот подложки.Поскольку анодирование проводитсяне на всю толщину фольги, то в качестве подложки можно использоватьне только вентильный металл, но илюбой другой металл, образующий интерметаллическое соединение с алюминием, например железо.Анодирование алюминиевой фольгиможно осуществлять на любую глубину,меньшую толщины фольги, поэтому накатав на подложку алюминиевую фольгутолько одной какой-либо толщины,можно получить свободные окисныепленки различных толщин.Прианодировании алюминия границы раздела анодная окисная пленкаалюминий...

Номер патента: 1037065

Опубликовано: 23.08.1983

Авторы: Пунько, Тиханович

МПК: G01B 11/06

Метки: пленок, толщины, тонких

...нарушенного полного внутреннегоотражения излучающего блока и на фиксированном расстоянии от нее и, второй поляриэующей решеткой, установ 25 ленной в приемном блоке между призмой полного внутреннего отраженияи анализатором.На чертеже изображена блок-схема устройства для контроля толщинытонких пленок.Устройство содержит излучающийблок, состоящий из последовательнорасположенных источника 1 линейнополяризованного излучения, поляризующей решетки 2, призмы 3 ПВО (пол 35ного внутреннего отражения) и призмы Й НПВО, и приемный блок, состоящий из последовательно расположенных призмы 5 НПВО, призмы 6 ПВО,4 втоРой поляризующей решетки 7, анализатора 8 и приемника 9 излучения,Предлагаемое устройство работаетследующим образом.45Линейно...

Номер патента: 890907

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Колпаков, Контуш, Сердюк, Турецкий, Чемересюк

МПК: H01L 31/18

Метки: кадмия, пленок, сульфида, фоточувствительных

...супьфица кацмия.При нагревании пленки испопьзуютинтервал температур поцпожки 380-500 С,Гленка, нанесенная на подложку, нагретуюцо температуры, меньшей,389 С,мапо прозрачна и имеет низкую фоточувствитепьность. Это объясняется присутствием в обьеме пленки кпористогоаммония, образующегося в процессехимической реакции наряду с образованиемсупьфида кадмия. При температуре поцпожки из указанного выше интервапаН 4 СЕ попностью субпимирован.Испопьзование в данном способе спиртного раствора хпорица кацмия и тиомочевины взамен трациционного водногораствора, применявшегося в процессереактивного распыпения, способствуетбопее стабипьному режиму образованиямонописперсного аэрозопя, что в конечном счете привоцит к образованию напоцпожке более...

Номер патента: 1044973

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Введенский, Эльгарт

МПК: G01B 21/08

Метки: вакууме, напыляемых, оптической, пленок, толщины, фотометрического

...характеризуемыеоптическими свойствами покрытия и зависящие от Ипоказателя преломления осажденного вещества, от Ио -показателя преломления подложки и Ъ - показателяпреломления среды, в которойпроисходит процесс нанесенияслоя;В - коэффициент, зависящий отсветового потока на входеоптической схемы устройства,от пропускания оптическоготракта и от чувствительности.Фотоприемника 3.Иэ выражения (1) видно, что функция О(т,) будет принимать свои экстре-, мальные (О(+) =В/А+Э 1 В/я-Э значения в случае, когдачто соответствует моментам времени,когдаий иг.-а=К 4 где К =0,1,21А - длина волны излучения;д - геометрическая толщина.Известно, что при достижении функцией экстремума ее первая производная.д 0(1) /Ю равна нулю. В моменты времени, когда...

Номер патента: 1046722

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Долинина, Машкович, Штин

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитных, пленок, цилиндрических

...элемента 3, а выход интегратора 1 подключен к перемагничивающей обмотке 7, Наконец, выход логического элемента б подключен к входу стробирования блока 10 регистрации.Пороговые элементы 3 и 4 выполнены в виде триггеров Бритта с симметричной гистерезисной характеристикой, а логический элемент б - в видесумматора по модулю 2, формирующеговыходной Уровень 1 при нечетномчисле единичных уровней на входах.В момент времени 13 срабатывает элемент 3, напряжение на выходе генератора 5 эталонного напряжения 04 меняет знак, и выходное напряжение, интегратора 1 снова начинает уменьшаться со сравнительно большой скоростью, поскольку коэффициент передачи делителя 2 возрастает и т,д.В результате на выходе интегратора 1 формируется характерный...

Номер патента: 1047911

Опубликовано: 15.10.1983

Авторы: Белогородская, Бондаренко, Браттер, Николаев, Новоженец, Яковлева

МПК: C08F 8/42

Метки: водонерастворимых, кислоты, основе, пленок, полиакриловой, солей

...водой и сушат,Использование высокомолекулярнойполиакриловой кислоты обусловленоменьшей скоростью процесса набухания по сравнению с низкомолекулярной,что исключает возможность эФФектанысаливания.Применение для обработки пленоктолщиной менее 30 мкм не обеспечивает достаточных Физико-механическихснойств пленок, а использование образцон толщиной свыше 80 мкм приводит к неоднородности пленки в массеи сохранении большого количестванепрореагиронавших карбоксильныхгрупп.Применение для обработки растворов солей менее 5-ной концентрациине обеспечивает достаточного количества металла н пленках, а использование растворов более 10-ной концентрации экономически нецелесообразно.Обработка пленок водными растворами солей менее 15 мин не позволяет...

Номер патента: 1049573

Опубликовано: 23.10.1983

Автор: Котелянский

МПК: C23C 15/00

Метки: окиси, основе, пленок, пьезоэлектрических, цинка

...мишени из окиси цинка. Распыление окиси цинка предпочтительнее,чем распыление металлического цинка,так как позволяет получать пленки окисицинка с большим коэффициентом электромеханической связи (К=0,8-1%), близкимк значению для монокрцсталлов окиси цинка, за счет упрощения поддержания условий получения стехиометрцческцх по составу пленок, Создание над распыляемойповерхностью цинковой мишени зоны скрещенных электрического и магнитного полейпозволяет почти на порядок увеличитьскорость распыления, а следовательно, искорость осаждения, что способствуетуменьшению угла разориентациц текстуры,При температуре распыляемой поверхности цинковой мишени ниже 200 С и скоростях распыления, необходимых для обеспечения малого угла разориентации...

Номер патента: 1049970

Опубликовано: 23.10.1983

Авторы: Лобанов, Силантьев, Столяров, Тугарин

МПК: G11C 11/14

Метки: коэрцитивной, магнитоодноосных, пленок, силы

...и входом второго нормирующего уси- ,лителя, выход которого подключен к входам третьего и четвертого формирователей импульсов, выходы которых соединены с соответствующими входами второго элементам ИЛИ, выход которого подключен к входу первого счетчика и второму входу триггера, выход которого соединен с первым входом первого элемента И, второй вход которого подключен к выходу генератора опорной частоты, а выход - к входу второго счетчика, выход которого соединен с первым входом второго элемента И, выход которого подключен к первому входу блока индикации, регистр соединен с первым входом третьего элемента И, выход которого подключен к второму входу блока индикации, вход пятого Формирователя импульсов соединен с выходом первого...

Номер патента: 1052958

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Залетный, Малый

МПК: G01N 24/02

Метки: исследования, магнитных, пленок, тонких

...шкив 15,На резонаторе 2 закреплены направляющие 4 линейного движения,подвижная часть которых выполнена в виде несущей планки 5, которая при помощи пружины б поджата к наконечнику механизма 7 линейного перемещения, с двумя поддерживающими и направляющими роликами 9, направляющие 10, в которых установлен с возможностью перемещения поджимной ролик 11.Все три ролика расположены в одной плоскости, параллельной стенкам зкранирующей полости 3 (Фиг.2). На роликах 9 установлена обойма 12, выполненная в виде кольца, на которой закреплен исследуемый образец 13 так, что геометрические центры образца и обоймы совпадают. Обойма 12 поджата роликом 11 к поддерживающим н направляющим роликам 9 поджимной ролик 11 играет роль ведущего в Фрикционной паре...

Номер патента: 1054461

Опубликовано: 15.11.1983

Авторы: Комиссарчик, Мейкшанс

МПК: C30B 23/02

Метки: пленок, термоэлектрических

...охлаждения свежеосажденных пленок со скоростью 200-:300 град/ч и отжига пленок при 620 К,Параметры пленок, полученных известным способом, составляют: коэффици-.ент термо-ЭДС сС) 200 мкв/град.,удельная электропроводнссть(б)850 омсм , параметр мощноститермоэлектрических пленок(о, б), определяющий эффективность термоэлектрического споссба преобразованияэнергии ф 31 мВ/град 2 ом.см.Однако в полученных пленках, как ус 30 .тановлено экспериментально, возникаютзначительные термические напряжения, вызванные различием коэффициентов линейного расширения подложки и пленки, Знак ,термических напряжений, пропорциональных ЬйТ , определяется тем,какой из коэффициентов линейногорасширения:,.подложки или пленкибольше, где Ь Р - разность коэффициентов...

Номер патента: 1060486

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Вахрушина, Каган, Коган, Королев, Осипов

МПК: B29C 27/06

Метки: оболочки, пленок, полимерных, упаковочной

...(не показан) . Контакты3-12 вместе с контактами 13 и 14образуют два параллельных ряда контактов,Устройство содержит также комплект.сварочных закладных элементов 15различных размеров и конфигурации,на которых закреплены изготовленныеиз материала с повышенным электрическим сопротивлением ленточныенагреватели 16. Каждый ленточныйнагреватель 16 имеет по два контакта17 на обращенной к плите стороне,расстояние между которыми ранно расстоянию между замыкаемыми контактами днух токопроводов 2, образующихс этим нагревателем после замыканияединую электрическую цепь.На закладном элементе 15 закреплена антиадгезионная прокладка 18для предотвращения прилипания кнагревателю 16 свариваемых материалов. На закладном элементе 15 устанонлены также...

Номер патента: 1064255

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Коломыцев, Элеменкин

МПК: G01R 33/12

Метки: границ, доменных, магнитных, пленок, подвижности, тонких

...0 магнитного поля на доменные границы вызывает необходимость применения широкополосных регистрирующих устройств, Это приводит к тому, что отношение сигнал/шум имеет малую :величину (2-5). Препятствием на пу"ти применения данного способа для ромышленного автоматического контроля подвижности доменных границ тонких магнитных пленок являются также трудности реализации доста точно точного измерения времени (или частоты) релаксации доменных границ - промежутка времени, за который величина смещения доменных границ составляет 1-е от максимального смещения. Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ измерения подвижностй: доменных границ тонких магнитных пле нок, заключающийся в воздействии на тонкую магнитную...

Номер патента: 1065750

Опубликовано: 07.01.1984

Авторы: Кожухарь, Линев, Фурса, Шагаев

МПК: G01N 24/10

Метки: исследования, магнитных, неразрушающего, пленок

...вводятдополнительный образец и располагаютего относительно исследуемого участка пленки на расстоянии магнитногодипольного взаимодействия, равном1-5 толщины исследуемой магнитнойпленки.Дополнительный образец выполнен изоднородной монокристаллической бездефектной магнитной пленки в формедиска с диаметром, меньшим в 2-10раэ размера отверстия связи в резонаторе спектрометра ЭПР,В отличие от известных технических решений,. в которы.; для увеличения пространственного разрешенияиа выделенном элементе" образца локализуют один из 1 резонансных параметров: СВЧ-поле (Н) или поляризующеемагнитное поле (Нз)тто достигается1065750аппаратурными методами предлагае- в резонаторе спектрометра ЭПР, и вы. ьнй способ состоит в.локальном изме- полнен из...

Номер патента: 1073113

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Ахрарходжаев, Вайсброт, Еременко, Каржавин, Саяпин

МПК: B29C 27/06

Метки: пленок, сварки, термопластичных

...и желоба с вильчатым пазом на конце для прохода штырей. На фиг. 1 приведено схематично устройство, общий вид в аксонометрии; на фиг. 2 - 6 поперечные сечения парных захватов в позициях 1 - 7; на фиг. 7 - поперечное сечение парных захватов в позиции 71 на выходе с транспортера (освобождение пакетов); на фиг. 8 - вид А на фиг, 1 (увеличено), один из парных захватов; на фиг, 9 сечение Б - Б на фиг, 8, сечение одного из парных захватов; на фиг. 10 - механизм для подачи термопластичной присадочной ленты; на фиг. 11 - то же, вид сверху. Устройство для сварки термопластичных пленок содержит транспортер 1 с парными захватами 2 для горловин 3 пакетов 4. Парные захваты 2 выполнены с подпружиненными губками 5. Над линией разъема губок 5...

Номер патента: 1076846

Опубликовано: 28.02.1984

Авторы: Аленин, Салахов, Службин, Темерти

МПК: G01R 33/12

Метки: доменной, магнитных, периода, пленок, структуры, тонких

...использован лазер. Соосно с источником 1 света установлены поляризатоп 2, служащий для поляризации света от источника 1, и анализатор 3, предназначенный для подавления лучей нулевого порядка дифракционной картины. Между поляризатором 2 и анализатором 3 размещена исследуемая магнитная пленка 4, Для фокусировки дифрагирующих лучей на фотоприемник 5 между исследуемой магнитной пленкой 4 и фотоприемником 5 соосно с источником 1 света установлен 5 полый цилиндр 6 с зеркальной внутренней поверхностью 7. Цилиндры 6 и 8установлены на вращающемся диске 9,имеющем ось 10 вращения, таким образом, что каждый иэ них может быть 10 зафиксирован фиксатором 11 сооснос источником света. Фстоприемник 5установлен соосно с источником 1света и соединен с...

Номер патента: 1076940

Опубликовано: 28.02.1984

Авторы: Горох, Солодков, Сурганов

МПК: G11B 5/858

Метки: магнитных, пленок

...ии,Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу получениямагнитных пленок путем электролитического осаждения на подложку пленки магнитного материала и термического отжига полученной пленки в магнитном поле, вектор напряженностикоторого параллелен плоскости подложки, в процессе термического отжигаподложку приводят в колебательноедвижение в направлении, параллельномвектору напряженности магнитного поля 40с амплитудой колебаний 0,4-1,0 мкми частотой колебаний 100-200 кГц,При введении ультразвуковых колебаний, направление которых совпадаетс направлением силовых линий магнитного поля, происходит более полнаяликвидация кристаллографических деффектов, Кроме того, происходит дополнительная механическая ориентация доменов и...

Номер патента: 1078237

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Ошеров, Хорошайло

МПК: G01B 7/06

Метки: металлических, пленок, толщины

...ширения пределов измеряемых параметров, например толщины металлических материалов, устройство снабжено четырьмя управляемыми ключами, образующими плечи мостовой схемы, в одну из диагоналей которой включен индуктивный возбудитель магнитного поля, а в другую " генератор намагничивающего тока, ключи противоположных плеч мостовой схемы попарно соединены между собой, включающий вход одной пары соединен с цепью сброса, выключающий вход - с включающим входом второй пары и выходом первой схемы временной задержки, а выключающий вход второй пары соединен с выходом третьей .схемы временной задержки 13.Недостатками способа являются узкий диапазон измеряемых толщин металлических пленок и его сложность.Целью изобретения является рас- З 5 ширение...

Номер патента: 1078371

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Глущенко, Зиновук, Коновалов, Лаптиенко, Манянин, Ходосов

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитных, параметров, пленок, тонких

...пленки из ненасыщенного состояния в насыщенноев области частот 10-100 мГц 1.Однако использование устройстватребует сложной и дорогостоящейаппаратуры, необходимости примейенияспециальных резонаторов, отстройкиот сигнала, получаемого от немагнитной подложки, а также характеризуется невозможностью проведенияизмерений при частотах свыше 100 мГц.Наиболее близким к изобретениюпо технической сущности являетсяустройство для измерения параметров 40тонких магнитных пленок, содержащеесоединенные генератор высокой частоты и высокочастотный контур, соединенные синхронный детектор и регистратор, генератор низкой частоты, 45электромагнит, катушку модуляции, расположенную на электромагните, и блок питания электромагнита, причем первый и второй...

Номер патента: 1080109

Опубликовано: 15.03.1984

Авторы: Владыченко, Журба, Касаева, Комарова, Рябинин, Сундукова, Уварова

МПК: G03C 5/30

Метки: галогенсеребряных, негативных, пленок, проявитель, черно-белых

...б мин.П р и м е р 5, Готовят проявитель подобно примеру 4, но вводят 4 г 5 и 7 мин,Готовят пронви 7, но добавлязц(СНз гс 8 СНгСНгОН би 8 мин.( с г,сонн(сн ) н(.сн,),3 сЕН 2 СН ОН и проявляют пленку б мий,П р и м е р 6. Готовят проявитель состава, г: МетолГидрохинон 2,2 8,8 Сульфит натриябезводный 96,0 15 Метол 8,0 Сода кальцинированная 48,0 125,05,752,5 углекислый натрийБромистый калий 20 Соединение формулыс,союн 1 сн ),сн ),Зсеснг сн гОН 2,0Вода дистиллированная До 1 л 25 и проявляют фотопленки Фотои Фото10, 14,6 и 8 мин.П р и м е р 7. Готовят проявитель как в примере б, но добавляют 3 гССАЖУ 1 ЗСОНН( СН 2) ЗИ( СНЗ )2СУ2 З ЗгСН 2 СН 2 ОН Фотографические характеристики Время проявления, мин Тип Фото- материала Э + о,в Пример, Р Н,...

Номер патента: 464081

Опубликовано: 23.04.1984

Авторы: Кенигсберг, Чернец

МПК: H04R 31/00

Метки: пленок, пьезопреобразователей, тонких

...не сориентирована. Это вызывает снижение достоверности в преобразовывае. мом сигнале, а также приводит к ма. лой эффективности самого процессаУпреобразования.Для осуществления возможности получения требуемой ориентации оси текстуры и повышения эффективности преобразования сигнала по предлагае-мому способу первоначально из порошка окиси цинка формуют цилиндрический стержень, который далее обжигают во внешней среде при температуре, не превышающей 1000 С, после чего его. помещают в вакуумную камеру и обрабатывают электронным пучком то ком 100-120 мА, полученным при ускоряющем напряжении 400-500 В, до температуры возгонки окиси цинка, при этом скорость нанесения пленки а основу выбирают в пределах 1-5 А/сНа чертеже показана схема...

Номер патента: 1089398

Опубликовано: 30.04.1984

Автор: Свиридов

МПК: G01B 7/06

Метки: датчик, емкостный, накладной, пленок, полимерных, толщины

...Расстояние между металлическими экранами 9и 10 должно быть примерно равно суммерасстояний от этих экранов до расположенных на периферии датчика низкопотенциальных электродов 4 и 6 конденсаторов 1 и 2. Экранирующие выступы 11 и 12 экранов должны дости-.гать внешней поверхности соседнихэлектродов датчика, т.е. имеют различную высоту: наименьшую на периферии датчика, наибольшую в его центре,Ширина экранирующих выступов 11 и 12составляет примерно половину суммыширины близлежащих низко- и высокопотенциальных электродов конденсаторов 1 и 2. Металлические экраны9 и 10 могут быть выполнены в видесеток. Накладной емкостный датчик работает следующим образом.Полимерная пленка, толщина которой контролируется в процессе изго" товления, накладывается...

Номер патента: 1090698

Опубликовано: 07.05.1984

Авторы: Аким, Голикова, Грачков, Иванова, Котельникова, Матвеева, Петропавловский, Рассказова, Сакован, Смирнова, Сорокин, Степочкина, Шраго

МПК: C09D 9/02

Метки: бумаг, графического, изображения, пленок, синтетических, состав, удаления

...спирт фракции С - С 18 со средней степенью оксиэтилирования 10 при следующем соотношении компонентов, мас,7:Мелкодисперсный мел 30-50Этиловыйспирт 18,5-33,8Аэросил илимикрокристаллическаяцеллюлозаОксиэтилированный первичный жирныйспирт фракцииС; С со средней степенью оксиэтилирования10 (препаратсинтанол ДС) 3,0-1,0Вода ОстальноеСостав готовят следующим образом. В смеситель заливают смесь растворителей, при перемешивании вводятсинтанол ДС, затем остальные компоненты, Перемешивание ведут до образования устойчивой йастообразнойдисперсии,Конкретная рецептура составовприведена в табл. 1,Таблица 1Состав Известный Предлагаемый Показатели 3 Удаленйе сзагрязнениемповерхности.Требуетсяповторноенанесение Полное удаление без нарушения...

Номер патента: 1090761

Опубликовано: 07.05.1984

Авторы: Ажогин, Воробьев, Высоцкая, Курилович, Особенкова

МПК: C25D 9/08

Метки: защитных, катодного, нанесения, пленок, раствор, сплавы, титановые

...нерастворимого фосфата цинка и железа (11).Содержание монофосфата цинка ниже 15 г/л приводит к образованию наповерхности титанового сплава тонкихнесплошных оксалатных пленок. Повышение концеитрации монофосфата цинка выше 20 г/л не улучшает качествооксалатных пленок.С целью окисления осаждающегосяна дне ванны избытка оксалата железа (11) - РеС 204 в ванну добавляютнерастворимую двуокись марганца,2 Ресг 04+4 Н 2 С 20 +Мпог+2 НР =:2 Н ( Ре (С 204) (+МпР 2+2 Н 20.Рекомендуемая концентрация двуокиси марганца (5-7 г/л) превышаетэквйвалентное количество (3 г/л) ирассчитана на длительное использование электролита т.е. повышает егоработоспособность,Получению качественных пленок способствует введение в раствор активаторов - фторида...

Номер патента: 1095234

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Афтеньев, Горшенин, Силантьев

МПК: G11C 11/14

Метки: исследования, источник, магнитных, магнитоодноосных, магнитооптического, пленок, полей, управляющих, устройства

...полей для исследования магнитоодноосных пленок, содержащий источник постоянного магнитного поля, выполненный в виде двух постоянных магнитов, и источник ортогональных магнитных полей, направленных 10 параллельно плоскости пленки, выполненный в виде двух катушек индуктивности 1.Недостатком этого источника управляющих магнитных полей является трудность магнитооптического исследования пленок,Наиболее близким техническим решением к изобретению является источник управляющих магнитных полей для устройства магнитооптического исследования магнитоодноосных пленок, содержащий две двухконтурные катушки для создания ортогональных 20 магнитных полей в плоскости пленки и двух- контурную катушку для создания магнитного поля, нормального к плоскости...