Патенты с меткой «пленок»

Номер патента: 1724744

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Лиманов, Молоствов, Пашкуденко

МПК: C30B 13/00, C30B 29/06, H01L 21/20 ...

Метки: боковой, кремнии, кремния, методом, окисленном, ориентированных, пленок, эпитаксии

...глубину. В случае использования в окрестности затравочных окон пленок кремния толщиной более 0,8 мкм плавление подложки практически не имеет места. Если ширина участка с повышенной толщиной пленки кремния меньше 10 мкм (по 3 мкм с двух сторон затравочного окна и 4 мкм ширина окна), теплоотвод от затравочного окна осуществляется недостаточно эффективно. Увеличение ширины затравочного окна также приводит к снижению эффективности способа, Толщина пленки на этих участках выбирается исходя из того, что, если она превышает толщину пленки на рабочих участках менее, чем в 1,5 раза, не удается избежать локального плавления подложки. Максимальное значение отношения толщин пленки кремния используется для пленок толщиной около 0,2 мкм и...

Номер патента: 1725156

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Гришин, Николаенко, Усов

МПК: G01R 27/00

Метки: пленок, проводимости, тонких

...усилитель 8, компенсирующий мост 10, синхронный1725156 а Ох В Оо интегратор 11, широкополосный усилитель12, синхронный детектор 13, аналого-цифровой преобразователь 14, ЭВМ 15 и двафазовращателя 16 и 17,При оптимальной настройке фазовращателем 17 фазы опорного сигнала, подаваемого на опорные входы синхронногоинтегратора 11 и синхронного детектора 13,балансируется компенсирующий мост 10путем подбора оптимальной фазы с помощью фазовращателя 16 и амплитуды дополучения на выходе детектора 13 нулевыхпоказаний, Датчик металлическими площадками 1 через тонкое диэлектрическоепокрытие 3 прикладывается к проводящему 15слою 4 гибридной структуры 4, 5. Удельнаяпроводимость слоя в локальной областиприложения датчика определяется расчетным путем на...

Номер патента: 1725157

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Иваницкий, Часовитин, Чкалов

МПК: G01R 27/00

Метки: пленок, проводящих, сопротивления

...3 токовые электроды, первый 4 и второй 5 потенциальные электроды и измерительный блок 6, направление тока 1, пропускаемого через электроды 2 и 3, и измеряемая между электродами 4 и 5 разность потенциалов ЬО, а также геометрические размеры: 01 - внешний диаметр электрода 4, 02 - внутренний диаметр электрода 5.Устройство работает следующим образом.Проводящая пленка, сопротивление которой необходимо измерить, покрывает равномерным по толщине и сопротивлению слоем подложку 1 и находящиеся на ней плоские, выполненные в виде замкнутых концентрических фигур электроды 2 - 5. От источника постоянного тока в измерительном блоке 6 токпропускается от электрода 2 к электроду 3, Разность потенциалов Л О электродов 4 и 5, равная падению напряжения,...

Номер патента: 1726572

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Старостин, Турецкий, Чебаненко, Чемересюк

МПК: C30B 25/08, C30B 29/46

Метки: пленок

...10 установлена регулирующая шторка 12 для сужения канала прохождения пара. Путь прохождения газа-носителя в объеме реактора 1 и парогазовой смеси в объеме кассеты 6 на фиг, 1 обозначен стрелками. Кювета 13 с испаряемым соединением установлена на плоскости перегородки 9 у открытого в сторону фланца 3 торца кассеты 6. Подложка 14 расположена над перегородкой 9 в области щели 10. Для дополнительного подогрева подложки 14 до температуры реакции осаждения пленки кассета 6 снабжена нагревателем.15, Подложка 14установлена в обойме 16, связанной через шток 17 с механизмом возвратно-поступательного перемещения. Механизм возвратно-поступательного перемещения (фиг. 2) содержит электрический двигатель 18 с редуктором, Двигатель 18 укреплен на стойке...

Номер патента: 1727040

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Архипова, Глудкин, Гуров, Конюхова, Назаренко

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезии, диэлектрической, металлических, пленок, подложке, тонких

...техническому рЕшению является способ контроля адгезии тонких металлических пленок к диэлектрическому основанию, заключающийся в том, что пленку,1727040 35 40 45 50 Составитель И.КонюховаТехред М.Моргентал Корректор Н.Ревская Редактор В,Трубченко Заказ 1275 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 нанесенную на диэлектрическое основание,помещают в электромагнитное поле сверхвысокой частоты, увеличивают мощностьполя и определяют адгезию по уровню мощности поля в момент отслаивания пленки. 5Недостатком прототипа является то, чтоданным способом возможно контролировать...

Номер патента: 1729777

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Антипов, Кондратенко, Моисеенко

МПК: B29C 47/16

Метки: листов, пленок, плоских, полимеров, расплавов, фильера

...13 для ввода расплава полимера в фильеру. В крышке 4 выполнен соединительный канал 14, сообщающий подающий канал 8 с распределительным каналом 6. Полуформа 1 имеет упругодеформируемую губку 15, В этой же полуформе 1 установлены регулирующие винты 16 и 17.Между полуформами 1 и 2 установлена шпонка 18.Фильера работает следующим образом.Расплав полимера подается в отверстие 13, а затем в канал 8, В этом канале расплав взаимодействует с элементами 12 и 11 статического смесителя 10. На элементе 11 по ток расплава делится на две части, разворачивается вокруг собственной оси на 180 и подается на элемент 12, На этом элементе поток вновь делится на две части и поворачивается на 180 в противополож ную сторону, при этом ранее разделенные части...

Номер патента: 1730098

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Абаляева, Винаров, Гартштейн, Захидов, Коган, Ли

МПК: C08J 5/18

Метки: пленок, тонких

...0 5 - 10 6) мм рт. ст,На чертеже изображено устройство для осуществления способа,Устройство включает в себя металлический желоб 1, закрепленный на электромагнитном реле 2, воронку 3 для подачи порошка ППФ, упирающуюся в желоб, испаритель 4 из тугоплавкого металла, подложкодержатель 5 с нагревателем. Температура испарителя и подложек измеряется калиброванными термопарами,В результате подачи на реле 2 переменного напряжения с частотой 50 Гц и амплитудой, равной напряжению срабатывания реле, происходит вибрация желоба 1 и воронки 3, благодаря чему происходит постепенная подача отдельных частичек порошка ППФ из воронки в испаритель,В воронку загружают 0,7 г порошка ППФ. Кварцевые подложки и подложки из КВг закрепляют в держателе. Систему...

Номер патента: 1730218

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Конников, Улин, Шайович

МПК: C30B 23/08, C30B 25/02, C30B 29/08 ...

Метки: монокристаллических, пленок, полупроводниковых

...превышения (сфалерит- вюртцит) а = а р/3, где р - наблюдаемая линейная плотность дефектов упаковки относительно кубической фазы, в обратных нм,Вторым необходимым условием реализации предлагаемого способа является выбор подложки, ее ориентации, Этот выбор должен обеспечить на поверхности кристалла - подложки высокую плотность центров адсорбции с максимальной глубиной потенциальной ямы для адатомов (адмолекул) кристаллизируемого вещества, и, главное, - отсутствие к нее подобия по потенциальному рисунку плоским сеткам кубического кристалла. Это обуславливает необходимость использования в качестве подложки монокристалла гексагональной симметрии со структурным типом вюртцита, а выбор ориентации подложки в соответствии с приведенными выше...

Номер патента: 1625295

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Богданов, Кунин, Малюгин, Подругина, Соколов

МПК: H01L 31/18

Метки: активации, пленок, свинца, сульфида, фоточувствительных

...участвовало неменее четырех штук пленок, результатыизмерения фотоэлектрических параметрон (ФЗП), которых усреднялись,Для измерения ФЭП на поверхностьактивированных пленок наносились тонкопленочные золотые электроды термическим испарением золотой проволочки в накууме. Золотые электродыобеспечиналп омические контакты сокисленной пленкой сульфида свинца.Одинаковые размеры фоточунстнительных площадок обеспечивались с помо- щью маски при нанесении золотых электродов,Проводилц измерения следующих ФЭП 1темновое сопротивление; среднеквадратичное напряжение шума Ц, напряженйесигнала ЕЕс, Измерения ФЗП пленок проводили при комнатной температуре науниверсальной измерительной установкеК 54.410 при следующих условиях; температура АЧТ 573 К,...

Номер патента: 1733516

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Бойков, Грибанова

МПК: C30B 29/22, C30B 33/02

Метки: пленок, системы

...обогащенной20 висмутом, а также пленка становится неоднократной по толщине. Отклонения составапрослоек между кристаллами от стехиометрического проявляются, таким образом, привыходе времени отжига как за верхнюю, так25 и за нижнюю границы заявляемого диапазона, что влечет за собой снижение критического тока,. Также необходимым признаком предлагаемого способа является величина пар 30 циального давления активных компонентоватмосферы, в которой производится обработка, Парциальные давления кислорода -Ро и паров В 1-Рв должно находится в интервалах 1,5 - 15 и 0,1 - 1,5 Па соответствен-35 но. При величинах Ро1,5 Па происходитобеднение приповерхностного слоя пленкии областей вблизи границ кристаллитов кислородом и вследствие этого падение 1 кр,...

Номер патента: 1734058

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Грязев, Нестеренко, Талуц

МПК: G01R 33/05

Метки: исследований, магнитооптических, пленок, температурных, феррит-гранатовых

...работе устройства в режиме низких температур (от -50 С до комнатных) вентиль 11 открыт, а вентиль 12 закрыт. Газообразный криоагент, полученный, например, испарением жидкого азота, под действием избыточного давления поступает по трубоп роводам 13 и 9 в термостат 5, обтекает сверху и снизу образец 3 и выходит через отверстия в верхней и нижней стенках термостата (на фиг.1 показано стрелками). При непрерывной подаче криоагента воздух из 10 промежутка между объективом микроскопа2 и верхней катушкой, а также между конденсатором и нижней катушкой источника 6 вытесняется быстрее, чем объектив и конденсатор успеют охладиться до температу ры ниже точки росы. Это предотвращаетобмерзание объектива и конденсатора микроскопа. Регулируя ток...

Номер патента: 1735712

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Путилин, Столов, Эльгарт

МПК: G01B 21/08

Метки: многослойных, напыления, пленок, покрытий, процессе, толщины

...с длинами волн Л 1 и А 2, удовлетворяющими соотношению1 Э + 12 =2 Яз,ГДЕ П 1 б = 4 И,К=1,2,;где й 1 б - заданная оптическая толщина пленки.По ходу лучей между выходной щельа 5 и фотоприемником 12 расположен модулятор 10, приводимый во вращение двигателем 11, Модулятор 10 поочередно закрывает при вращении верхнюю и нижнюю половины щели 5. При этом на выходе фотоприемника 12 возникает сигнал, переменная составляющая которого может быть выражена зависимостьюЛОФ=МфЬ Ы 1 Й - фА 2 ТкЛ,8 ггде ФА 1 и ФЛ 2 - световые потоки, излучаемые источником на длинах волн 4 и А 2;Т,Я и Тк, - коэффициенты пропускания оптических каналов для длин волн Л 1 иА 2;и 3 - чувствительность фотоприемника на длинах волн А 1, л 2;М - коэффициент усиления...

Номер патента: 1738872

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Денисенко, Мещеряков, Перфилов, Поздняков, Сарин, Храмов

МПК: C23C 16/50

Метки: двуокиси, кремния, пленок

...потока паров тетраметоксисилана (ТМОС), обеспечивающую установление в реакционном (поуколпачном) объеме давления (1,80,1) 10 мм рт.ст. После установления необходимого давления паров ТМОС с помощью натекателя устанавливают величину потока воздуха, обеспечивающую установление в реакционном объеме давления (4,5 + 0,1) 10 мм рт,ст., причем воздух в подколпачный объем поступает через фильтр, обеспечивающий его очистку от пыли. Затем на электроды подают переменное напряжение частотой 1000 Гц и устанавливают плотность тока разряда 0,34 +. 0,03 МА/см, Скорость роста пленки двуокиси кремния в этих условиях 0,230,25 мкм/ч. При достижении необходимой толщины пленки процесс осаждения и рекращают.Контроль толщины пленки осуществляют с помощью...

Номер патента: 1740185

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Аюпов, Лобанов

МПК: B29C 41/28, B29D 7/01

Метки: пленок, полимерных

...12, и движется в сторону ведомого барабана 6, огибает его и поступает в верхний сушильный канал 2, откуда отводится через патрубки 13 со стороны поверхности испарения сушимого слоя. Если нижний сушильный канал 3 аналогично верхнему 2 сушильному каналу снабжен патрубками 13 отвода теплоносителя от внутренней стороны металлической ленты 7, то подаваемый через патрубки 12 теплоноситель после прохождения газораспределительной решетки 11 и обдува внутренней стороны ленты 7, направляется к боковым кромкам ленты 7, а также к торцовым и (или) боковым стенкам 17 и (или) 18 и отводится от обратной стороны ленты 2 при помощи патрубков 15 отвода теплоносителя. При этом теплоноситель, подаваемый через патрубки 12, может быть разделен при отводе на...

Номер патента: 1740186

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Аюпов, Лобанов

МПК: B29C 41/28, B29D 7/01

Метки: пленок, полимерных

...8 и 9 в зоне ведущего и ведомого барабанов 3 и 4 обедненный теплоноситель опускается в нижний сушильный канал 7, Таким образом, дополнительная холодильная камера 2 верхнего сушильного канала 6 приближает поверхность конденсации к зоне наиболее активного испарения растворителей, т.е. повышает разрежение в верхнем сушильном качале 6; а следовательно, потенциал сушки, Отводя растворители непосредственно из верхнего канала 6, холодильная5 10 15 камера 2 существенно снижает эффект сообщающихся сосудов, препятствуя перетоку в нижний сушильный канал 7 высококонцентрированных растворителей, что, в свою очередь, повышает движущуюся силу процесса сушки в нижнем сушильном канале 7.Использование. предлагаемого устройства для получения...

Номер патента: 1740193

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Алещенко, Аюпов, Куницын, Осипенко

МПК: B29C 41/26, B29D 7/01

Метки: пленок, полимерных

...сокращает время процесса пленкообразования за счет увеличения 25 скорости испарения растворителей. Это позволит на нижней части ветви ленты 1, способной к деформации, закончить переход полимера из раствора в стеклообразное состояние без ухудшения свойств пленки по 30 физико-.механическим характеристикам, При равной скорости движения паровоз- душной смеси в канале верхней ветви : ленты 1 ч = 2,5 м/с интенсивность тепло- обмена определяется числом Нуссельта:35титаэкВМо - в -ат в . Отношение интенсианостеи теплообмена в канале с турбулизатором и без него составляет --- 3 работ б 300Кар 100 40 .за, при Яе = 6,3 10 для верхней ветви ленты41.Аналогично для нижней ветви ленты 1 при равной скорости движения потока и = 5,5 м/с,...

Номер патента: 1742238

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Паукш, Раман, Тымма, Шперберга, Экманис

МПК: C03C 8/16

Метки: керамических, пленок, шликер

...оксидов железа и марганца используют сыпучие материалы или пасты обогащенных продуктов, содержа1742238 щие оксиды железа или марганца соответственно. Ы качестве стекловидных отходов эмалевого производства на основе системы Я 02-А 120 з - В 20 зиспользуют указанные продукты следующего химического со става, мас.%: Ца 20 9,5-12,5: К 20 2,5-4,5; СаО 1,3 - 2,5; й 10 2,5-3,5; СО 20 з 02,-0,4 ГегОз 1,0 - 2,0; В 20 з 16,5-19,5; А 20 з 4,5 - 65;3102 49 - 53; Т 102 3 - 5,Предлагаемый шликер для изготовле ния керамических пленок готовят совместным помолом компонентов в шаровой мельнице, куда загружают все составляющие компоненть,. Пластичную огнеупорную глину, промышленные отходы производст ва с содержанием оксидов ГегОз и Мп 02 стекловидные...

Номер патента: 1745558

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Космачевский, Сысоев

МПК: B29C 65/18

Метки: пленок, полимерных, сварки, термопластичных, электрод

...5 и металлическую Фольгу 4, и стенками паза.Электрод работает следующим образом,При подаче напряжения на нагревательный элемент 1 происходит его нагрев, после чего рабочую поверхностьнагревательного элемента прижимаютк свариваемому материалу, расположенному на рабочем столе (не показан).25 Формула изобретения Электрод для сварки термопластичных полимерных пленок, содержащийметаллический ленточный нагревательный элемент, установленный в пазудиэлектрического основания и выступающий над его поверхностью, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с цельюповышения КПД электрода, ленточный 35 нагревательный элемент установленв пазу диэлектрического основанияс зазором и снабжен размещенной взазоре по контуру паза метацлическойфольгой, изолированной от...

Номер патента: 1745560

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Грищенко, Землицкий, Неелов, Овсиенко, Свидзинский, Якубов

МПК: B29B 17/00

Метки: линия, отходов, переработки, пленок, полимерных

...3 1 материала, соединенный с воздуховодом 29 устройства пневматической транспортировки. В меньшем основании пирамиды 30 выполнены два люка 32 и 33 с крышками 34 и 35 соответственно, установленными с возможностью откидывания вниз на угол1 не меньший угла естественного откоса материала.Под накопителями размещено устройство агломерации, снабженное основной 36 и дополнительной 37 вертикальными цилиндрическими емкостями с размещенными внутри них соответственно лопастными валами 38 и 39 с режущими элементами 40 и 41 на концах лопастей, Основная 36 и дополнительная 37 емкости связаны с отдельными основ р ным и дополнительным приводами (не показаны). Емкости 36 и 37 повернуты одна к другой выгрузочными отверстиями 42 и 43 и соединены общим...

Номер патента: 1754800

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Александрова, Ермоленко, Кусенко, Никуленок

МПК: C25D 11/18

Метки: алюминии, анодных, наполнения, пленок, раствор, сплавах

...заполненномабразивным материалом. Критерием оценки износостойкости покрытия является время, в течение которого произошло10 истирание до основного металла.. Толщину покрытия измеряли металлографическим методом.Внешний вид покрытия проверяли визуально, на расстоянии 25 см от контролируе 15 мой поверхности при освещенности неменее 300 лк методом сличения с контрольными образцами,Как видно из таблицы, оптимальными являются составы растворов, представленных в20 примерах 2.3,4,7,8,9,12.13,14,17,18,19.При использовании растворов, приведенных в примерах 5 и 10, анодная пленкапосле наполнения обладает достаточной иэносостойкостью, однако не выдерживает кор 25 розионных испытаний.Предлагаемый раствор на пол не н ияанодных пленок целесообразно...

Номер патента: 1755220

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Калиникос, Ковалева, Ковшиков, Кожусь, Панчурин, Север

МПК: G01R 33/05

Метки: анизотропии, констант, намагниченности, насыщения, неразрушающего, пленок, ферромагнитных

...значениям частот с помощью дисперсионных соотношений,2 ил.расстоянии. Измерительную секцию помещают в магнитную систему, создающую постоянное магнитное поле напряженностью Но, направленное вдоль оси антенн спиновых волн. При этом реализуется режим возбуждения поверхностной спиновой волны. С помощью СВЧ-генератора измеряют частотные зависимости отраженной мощности СВЧ-сигнала РО 2 р = фо) при двух различных направлениях магнитйого поля Но относительно кристаллографических осей пленки, что реализуется поворотом пленки относительно поля Но Как видно иэ фиг.2, зависимость Ротр, - 1 (в) имеет осциллирующий характер, а значения волновых чисел в точках минимумов зависимостей РО 2 р = 1 (в) определяются при Л р 2 = 0 иэ простого...

Номер патента: 1756840

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Костюк, Матковский, Михалевич, Сыворотка, Убизский

МПК: G01R 33/04

Метки: iii», единицы, качества, магнитостатических, меньше, ориентации, параметров, пленок, фактором, феррогранатовых, эпитаксиальных

...изменяют напряженность магнитного поля всторону уменьшения до нуля с шагом намного меньшим поля насыщения. На каж дом шаге измеряют величину наведеннойЭДС Е и напряженность магнитного поля,При измерениях дайные заносятся в память 2микроЭВМ,Измеренная зависимость наведеннойпленкой ЭДС, пропорциональной магнит ному моменту пленки, от приложенного поля, всущности, кривая намагничивания 2(КН). Для контролируемых пленок в направлении, перпендикулярном к плоскостипленки, т,е, в направлении измерений онаявляется безгистереэйсной вшироком интервале полей и ее можно однозначно аналитически . описать в интервалеотносительной намагниченности от 0,2 до0,9 выражением, имеющим вид 10 15натовых пленок ориентации (111) с 35 фактором качества меньше...

Номер патента: 1758589

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Ануфриев, Гасанов, Титов, Филимонов, Чурин

МПК: G01R 27/02

Метки: бесконтактного, пленок, полупроводниковых, удельного, электросопротивления

...света, интенсивность и спектральная характеристика которого обеспечивают насыщение ловушек захвата в полупроводниковой пленке, формирующих глубокие уровни,Полученные значения усредняют.Сущность способа заключается в том, что при облучении светом полупроводниковой пленки происходит насыщение ловушек захвата, формирующих глубокие уровни в полупроводнике и искажающих истинное значение величины удельного электросопротивления. Применение ВЧ-контура специальной формы вместо СВЧ-резонатора значительно облегчит процесс измерения,позволит снизить требования к размерам иориентации образцов и применять недорогое оборудование,На фиг. 1 показано устройство, реалирующего способ; где 1 - осветитель, 2 -ВЧ-контур, 3 - измеряемый образец, 4 -...

Номер патента: 1760523

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Лебедь, Хакимьянов

МПК: G03C 11/24, G03D 3/00

Метки: пленок, радиографических

...1760523Кроме того, с целью повышения эффективности способа перед полной очисткой воды из нее выделяют серебро,На чертеже представлена схема устройства, позволяющего реализовать способ,Устройство содержит фотообрабатываемый материал, например, в виде рамок 1 с радиографическими пленками или в виде катушек 2 с рулонными радиографическими пленками, которые помещаются в емкость 3 с проявителем, После обработки проявителем пленки промывают водой в емкости 4, Затем пленки обрабатываются закрепителем в емкости 5, после чего следует их окончательная промывка водой в емкости б. Перед проявителем раствор проявителя проходит обработку ультразвуком, подаваемым с генератора 7. Рекомендуемые частоты обработки проявителя 15 - 40 кГц, время 3 - 5...

Номер патента: 1763886

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Кремков

МПК: G01B 15/02

Метки: островковых, пленок, толщины

...в материале подложки, на которой формируется пленка, а также к разрушению самой пленки под действием облучающих электронов за счет стимулирования облучающими электронами процессов перестройки ее структуры, радиационного дефектообразования и десорбции частиц с поверхности.Целью изобретения является повышение точности и чувствительности контроля толщины островковых пленок на различных стадииях их роста путем стабилизации энергии пучка первичных электронов.Указанная цель достигается тем, что в известном способе контроля толщины островковых пленок, заключающемся в том,что выбирают несколько образцов со сплошной и островковой пленками с разными их весовыми толщинами, направляют на них пучок моноэнергетических электронов заданной энергии,...

Номер патента: 1766698

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Зацепин, Третьяков, Шапошников

МПК: B29C 65/18

Метки: пленок, сварки, термопластичных

...губка 6, выполненная с выпуклой в продольном сечении рабочей поверхностью. Прижимная губка 6 установлена в опорах 7 каретки посредством шипов 8 с возможностью перекатывания по рабочей поверхности опорной сварочной губки 9, На рабочей поверхности прижимной губки 6установлен нагревательный элемент 10, имеющий выпуклую форму в продольномсечении. Нагревательный элементодним концом закреплен в зоне крепления гибкого элемента 11 на губке 6, а другим концом подпружинен пружиной 12 с противоположнойстороны губки 6 к корпусу последней,Рабочая поверхность опорной губки 9 имеет выпуклую форму в продольном сече.нии и антиадгезионное фторопластовое покрытие в виде ленты 13, закрепленной на губке 9 элементами 14,.Прижимная 6 и опорная 9...

Номер патента: 1767049

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Водолазский, Глыва, Кособуцкий, Хапко

МПК: C30B 23/02, C30B 29/02

Метки: пленок, теллура

...не менее 1 ч. Затем на нее проводят осаждение пленок теллура. Обеспечивается увеличение сцепления пленки с подложкой и повышение стойкости пленки,пленка; 2 - подложка), наличие которой не- З удовлетворительно сказывается на механи- у ческих свойствах пленок теллура, т.е. имеет место их отслаивание от подложек при тер- С. моударе,Цель изобретения - увеличение сцепления пленки с подложкой и повышение стойкости пленок к термоудару. -ФйСпособ осуществляют следующим образом, Поверхность подложки подвергают химико-динамической полировке, затем отмывают в деионизированной воде, сушат в потоке сухого азота, производят термоот- к, жиг в вакууме при температуре, при которой + происходит эФфективное испарение анион- сОной составляющей...

Номер патента: 1767457

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Гурзо, Прокушкин, Шараевский

МПК: G01R 33/04

Метки: линии, пленок, резонанса, свч, ферритовых, ферромагнитного, ширины

...переменным уровнем выходной мощности, микрополосковую линию(МПЛ) 2 с прилегающей к ней ферритовой пленкой 3, измерительное устройство 4, управляемый аттенюатор (тракт) 5, МПЛ с ферритовой пленкой помещена во внешнее магнитное поле Но,Устройство работает следующим образом,При подаче сигнала на МПЛ 2 возбуждается магнитостатическая водна (МСВ)(например, поверхностная (фиг.1. Если уровень входной мощности Рвх меньше порогового Рп 0 Р, то процессвозбуждения уМСВ линейный и сигйал на выходе МПЛ 2меняется пропорционально Рвх. В этом случае потери опорного сигнала в тракте с помощью управляемого аттенюатОра 5 ф устанавливак)тся равными потерям сигнала на выходе МПЛ. Если входной сигнал боль- - а ше Рпр, то МСВ параметрически возбуждают...

Номер патента: 1768465

Опубликовано: 15.10.1992

Автор: Фролов

МПК: B65B 51/26

Метки: пленок, полимерных, сварочное

...на направляющих 14, Основание 12 связано с йриводом его вертикального перемещения 15, На основании 12 также установлен привод 16 подъема терморолика, кинематически связанный с помощью шестерни 17 и зубчатой рейки 18 с термороликом 19 и ножом 20, установленными на верхнем конце зубчатой рейки 18, Зубчатая рейка 18 выполнена внутри полой и установлена в направляющей втулке 21, которая с возможностью качания на осях 22 шарнирно установлена на основании 12 и подпружинена относительно него пружиной 23. Через внутреннюю полость зубчатой рейки 18 к терморолику 19 подведен питающий провод 24. Нож 20 относительно терморолика 19 установлен с эксцентриситетом в горизонтальном и вертикальном направлениях относительно осей терморолика 19.Работает...

Номер патента: 1770145

Опубликовано: 23.10.1992

Автор: Петров

МПК: B29C 65/02, B29C 65/18

Метки: контактной, пленок, полимерных, сварки

...устройстбретения: вустройарки полимерных иде набора дисков, а равноурасстоянии нены с радиальныжен закрепленным кулачком и роликао краям сварочных стью взаимодейст.На фиг,1 изображен общий вид устройства; на фиг.2 - разрез А - А на фиг.1; на фиг.З - узел крепления кулачка и ролика на роторе,Устройство для контактной сварки полимерных пленок содержит ось 1 с валом 2, размещенном в подшипниках 3, на котором установлен ротор, выполненный в виде набора дисков 4, Диски 4 установлены на оси ротора на равном расстоянии друг от друга. Между дисками 4 установлены втулки 5. Диски 4 выполнены с радиальными вырезами 6, образующими продольные пазы 7 на образующей поверхности ротора, В пазах 7 ротора установлены сварочные инструменты 8,...