Патенты с меткой «пленок»

Номер патента: 552577

Опубликовано: 30.03.1977

Авторы: Валитов, Вальтас, Маргайтис

МПК: G01R 33/095

Метки: насыщения, пленок, потока, ферромагнитных

...идентичные участки обоих магнитопроводов, а полупроводнцковые потокочувствительные элеменгы установлены в симметричных зазорах магнцтопроводов.На чертеже представлена функццональцая схема устройства для измерения потока насыщения ферромагнитных пленок.Устройство содержит иерем агнцчцвающую обмотку 1, соединенную с источником 2 переменного тока ц нанесенную ца цдснтичцыс552577 Составитель С. ЛукинскаяТехрсд А. Камышникова Редак Заик оррект лова Заказ 677/16ЦНИ Изд,312И Государственного комит по делам изобретен 113035, Москва, 7 К, Р Тираж 1054та Совета Министров Сй и открытийушская наб., д. 45 сно Типография, пр. Сапунова,магнитопроводы 3 и 4, жестко связанные между собой и противоположно ориентированные, а в их зазорах установлены...

Номер патента: 554514

Опубликовано: 15.04.1977

Авторы: Лысый, Штельмахов

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитных, однородности, пленок, способа, тонких, цилиндрических

...измеряют амплитуду (Е,) и фазу (ф) напряжения третьей гармоники вторичной э.д.с.; из выражений (5) и (6) определяют требуемые значения Лд и ЛВ которые могут быть определены из графического построения (фиг, 1). Для этого измеряют амплитуды и фазы напряжения третьей гармоники вторичной э.д.с, в соответствии с выражениями (15) для вычисления коэффициентов.По измеренным значениям амплитуд ц фаз напряжения третьей гармоники вторичноц э,д.с. в выбранном масштабс ца график наносят точки О, В и С. Через точки О и В, О и С проводят отрезки прямых, которые являются направлениями изменения малых приращений толщин (Лд) магнитного слоя и индукции насыщения (ЛВ,) участков образцов ЦТМП; измеряют амплитуду (Ет,) и фазу (ф) напряжения третьей...

Номер патента: 555278

Опубликовано: 25.04.1977

Авторы: Александров, Голованова, Кацнельсон

МПК: G01B 11/06

Метки: вакууме, испарением, нанесения, оптического, пленок, покрытия, процессе, толщин

...ПЛОСКОСТЬ Г;ЦВНОГО СЕг 1 ЕНИЯРЕШСтКН; ПЕРПЕНДИКУЛЯРНЯЯ К СЕ 1 г 1 т 12 нкам, ОРИЕ 1 П 1.рована под углом 40 50 к падающему световомуПуЧКу ЛуЧЕй, ВХОдНОй ЛЮК ОГрапнг 1 ЕН КраяМИ Иэаб.раженвятела какалаисточника света, а вь 1 ходнойЛЮК ВЬгПОЛНЕН В ВИДЕ ДнафРаГМЫ СРаЗМЕРамн, НЕПрЕВЫШаЮщИМИ ВЕЛНгл 1 НЬ 1 уКаза ЕНОГО ИЗОбражЕНИяв мопохроматическом свете,На чертеже дана схема предлагаемого устройства.Оло содержит источник света 1 (источниксплошного спектра), формирующую оптику,СОСЬящу 1 О из объективов 2,3 и 4, вакуумноплотных фотометрических окон 5 и 6 и фильтра 7, Входе луча внутри формирующей оптики установпе.на диффакционная решетка 8. Плоскость главногосечения решетки, перпендикулярная к ее штрихам,на которых происходит дифракция,...

Номер патента: 555355

Опубликовано: 25.04.1977

Автор: Лысый

МПК: G01R 33/12

Метки: коэрцитивной, магнитных, пленок, силы, тонких, цилиндрических

...Приэтом индукция (В) в пленке изменяетсяв соответствии с кривой намагничиванияпо гармоническому закону только на ли- нейном участке кривой. На втором участке кривой индукция в пленке не изменяеъся по гармоническому закону и в ее составе появляются высшие нечетные гармоники, из которых максимальной амплитудой обладает третья гармоника. В составевторичной э.д.с. перемагничиввющего токатакже появляются гармонические составляющие. Выражение для амплитуды напряжения третьей гармоники вторичной э.д.с.имеет вид:2 3/2Е, =6 1 О фБРф (д)э Ыгде Е -амплитуда напряжения третьейзгармоники;-число витков вторичной обмоткинамагничивающего устройства;-толщина слоя магнитной пленки;Н -поле внизотропии пленкиН -амплитуда перемвгничивающего...

Номер патента: 556313

Опубликовано: 30.04.1977

Авторы: Левин, Соскин

МПК: G01B 11/06

Метки: пленок, прозрачных, толщины, тонких

...дифракционных максимумов,Дифракционная картина регистрируется прп помощи микроскопа 7, в плоскости пространственного спектра 8 совпадающей с задней фокальной плоскостью линзы. Пространственный спектр представляет ряд узких дифракционных максимумов на темном фоне. ОтноСггтЕЛЬЕгая ВЕЛИЧина МВКСИагУгОВ ОПРЕДЕЯЕТСЯ измеряемой разностью фаз и значением параметра растра, в соответствии с уравнениемвпа lг -- х- максвгп 9Й ( -- х)х+" ,Х( ИвпаЮ згп 0)зпазгп 6)2где- интенсивность света ь пространственном спектре;1 - период растра;Л - число периодов растра;О - угол дифракции;Й - волновое число;огр - разность фаз лучей, прошедших через выступы и выемки дифракционной решетки;х - значение параметра растра.Б уравнении 12) член характеризует функцию...

Номер патента: 556949

Опубликовано: 05.05.1977

Авторы: Жидонис, Паулаускас, Паулюс, Станявичус

МПК: B29C 27/02

Метки: газообразным, пленок, сварки, теплоносителем, термопластичных

...сварки,На фиг. 1 показано предлагаемое устройство в момент сварки; на фиг, 2 - то же, в момент выбрасывания газа в окружающую среду,Устройство содержит корпус 1, размещенное внутри него подвижное сопла 2, соединенное с трубкой 3 для подачи сжатого газа, уствновленнь,1 накорпусе соосно соплу диффузор 4 с запорной иглой 5, жестко связанной тягой 6 с соплом, за. слонку 7, установленную на сопле 2 вне корпуса, укрепленный на корпусе наконечник 8 с отверсти. ями 9 для подачи газа к месту и размещенные внутри наконечника нагревательные элементы 10.Для более эффективной герметизации заслонка снабжена мягкими прокладками 11.Устройство работает следующим образом.Сжатый гаэ воздух) по трубке 3 поступает и сопла 2 и при закрытом иглой 5 диффузоре 4...

Номер патента: 558976

Опубликовано: 25.05.1977

Авторы: Гальченко, Ин, Калонтаров, Махкамов, Полянская, Румянцева, Соболев

МПК: D01F 1/10

Метки: волокон, пленок, прядильный, раствор

...прядильного раствора Остальн О,у 2 4 0,6 0,01 0,3 Соединения общей формулы 1 хорошо растворяются в растворителях для ацетипцеппюпозы и совмещаются с нею в растворе, не ухудшая свойств поспедней. Небо ьшое количество карбонипьного соединь. ния вводят непосредственно в прядипьный 5.50 60,35 4,12 35,53 раствор ацетипцеппюпозы, используемый дпя формования ацетатноговопокна по.сухому ипи мокрому способу. Фипьтра цию прядильного раствора, обезвоздушивание и формование ацетипцеппюлозных изделий проводят известными способами.558976 050 1,25 2,50 3,75 Таблица 3. Изменение удельной вязкости ацетоновых растворов обпученных ацетипцеппюпоэных пленок 1. Исходная ацетипцеппюпоэная 100 О, 12 14,2 0,84 пленка 2. Ацетипцеппюпоэная пленка содержащая...

Номер патента: 562432

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Бойко, Иванов, Корб, Терентьев

МПК: B29C 27/02

Метки: пленок, сварки, термопластичных

...и резки. Отвсрстпя 4 являются од "1 ой из,стано 1 амсры 6 для подач 1 Воздуха. Непсл":нжна 1 гбка 2 имеет камеру 6 отсоса, которая 1 мает отгерстпя 7 в сте 1 ке 1 амеры. Отве стия 7 находятся напротив отверстий 4, но сдвинуты относительно них в шахматно.;1 порядке. 1 ежду свароными г) бками 1 и 2 размещается сварвлваемгя пленка 8.Устройство для сварки термопластичных пленок работает следующим образом.Подвижная губка 1, опускаясь, зажимает пленку между сварочным элементоми неподвижной губкой 2. После прижима пленки на сварочный элемент подается импульс, кото. рый производит сварку пленки. Камера 6 связана с системой нагнетания, а камера 6 с системой отсоса воздуха. В процессе сварки и отрезки термопластичного материала продукты...

Номер патента: 562755

Опубликовано: 25.06.1977

Автор: Волгин

МПК: G01N 15/08

Метки: пленок, полимерных, пористости

...двцжуцтцх сил процесса. т. е. предлагается вместо разности гидростатцческихдавлениГ прикладывать разность электрических потенциалов и наблюдать за проникновением через мембрану раствоэа электролита. Пористый материал ГГеобходим для того,тобы, не мешая подводу электролита к поверхности меморацы, осуществить механическое прижатие мембраны к металлическойповерхности. Величина тока и время его пропускания подбираются в завГГсцмости от типамембраны. Ток должен оыть направлсГГ так,чтобы ионы металла двигались от поверхностГ металла, . ". Гроцсходцло травление поверхности. В качестве и точ;".".;ка тока можноприменять сухие элементы,или акю муляторы с ЭДС 1 - 2 В. В качестве источника можно использовать и контактную разность потенциалов,...

Номер патента: 564317

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Айходжаев, Камалов, Шоходжаев

МПК: C08L 1/12

Метки: волокон, пленок, прядильный, растор

...ПВБ от веса полимера количество заряда в 1,7 раза ниже, чем количество его в пленке иэ чистойТАЦ. Снижение коли- честна зарядов иа триацетатной пленкепри добавлении ПВБ обьясняется тем, что при трении ТАЦ и ПВБ заряжаются зарядами различного знака, Следовательно, при трении модифицированной пленки на поверх 35 ности Ьбразуются заряды противоположного знака, эа счет чего происходит компенсация электрических зарядов, и общий заряд, такими образом, снижается, При повышении40 количества ПВБ в пленке повышается количество сгатическог о электричества, что, очевидно, связано с ггерезарядкой образцов и накоплением наних зарядов противоположного знака.1. Получение волокон по мокрому способу. Экспериментальные данные об изменении электризуемости...

Номер патента: 564817

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Вольфганг, Роланд, Ханс

МПК: C25D 11/18

Метки: анодных, водный, пленок, раствор, уплотнения

...при следуюпгем соотношении компонентов, вес.ЛАминосоединение 0,01- 5Загуститель 0 5 5 Вода Остальное564817 Соствви гель Р. Ухлиыова Техред Н, Андрейчук Корректор Б. Югвс Редактор О. Филиппова Тираж 646 Подписное 11 НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретекий и открытий13035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Заказ 2088/221 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород. ул Проектная 4 При обработке анодных пленок предложеннымраствором их коррозионная стойкость значительноповышается. На поверхности не образуется ника.ких налетов. Процесс уплотнения проводят при температурах от 90 С до температуры кипения раствораи рН 4,5 - 7. Значение рН устанавливают добавлениемслабых кислот или слабых оснований. Наиболее...

Номер патента: 567159

Опубликовано: 30.07.1977

Авторы: Овсянников, Рубинов

МПК: G03G 13/00

Метки: пленок, полупроводниковых, фотоочувствления

...кадмия, содержащую в своем составе связанные медь и кадмий в пропорции от 1; 20 до 1: 200, в ко личестве 1-о% массы пленки,Способ может быть реализован следующимобразом.11 ленки полупроводника наносят термичес.ким испарением СЙ 5 или Сй 5 е или их смеси 20 в вакууме на стекло, предварительно покрытое проводящим слоем двуокиси олова. 1 ол.щину пленок полупроводника выбирают 1 - 20 мк, Температуру подложек при напылении доводят до 1 б 0 - 200 С. 11 осле этого проводят 25 очувствление пленок одним из двух способов.1. 11 одложку с пленкой полупроводника нагревают до температуры 120 - 140 С и пульверизуют водным раствором солей СОС 12 и СнС 12, содержащих СдС 12 10%, СнС 12 от 0,1 ЗО до 1%. Пульверизацшо продолжают 1 - 5 секКорректор Л....

Номер патента: 567180

Опубликовано: 30.07.1977

Авторы: Вольфганг, Хайнрих

МПК: H01B 13/10

Метки: длинномерные, наложения, пленок, продольного, тела

...полаяными направляющположенными равсмещенными олнаугол, равный 2 п,зей.На чертежеустройство, общий ормуг етсн Устройство для продо пленок на длинномерные для наложения пленок из готовку кабеля, выполне ьного наложения тела, в частности пластмассы на запое в виде полой предлагаемо показанвид. Изобретение относится к приспособлениям, используемым при производстве кабелей, в частности для наложения пластмассовых пленок на заготовку кабеля.Известно устройство для непрерывного 5 продольного наложения одной или нескольких лент на тела круглой или иной формы, в том числе и для наложения пластмассовых лент. Это устройство представляет собой калибр с распушкой и цилиндрической формующей ча стью, пригнанной по изготовляемому телу, например...

Номер патента: 567775

Опубликовано: 05.08.1977

Авторы: Бельцов, Вайнбург, Калаус, Стоцкий

МПК: D01F 2/28

Метки: волокон, пленок, прядильный, раствор

...и в качестве светостабилизатора дихлоризоциануровую кислоту или ее натриевую или калиевую соль при следующем соотношении компонентов (в вес. %): П р и м е р 1. 5 ч. 04%-ного раствора натриевой соли дихлоризоциануровой кислоты в спирте смешивают с 95 ч. метилеихлорида. В полученном растворе растворяют триацетат целлюлозы. Волокно формуют по сухому способу.Состав прядильного раствора (в вес,%):Триапетат целлюлозы 18567775 Вторичный ацетат целлюозы 25 Ацетон 63 Раствор натриевой солидихлориэоцивнуровой кисло 78 12 Прядильный раствор для получения волокон и пленок, состоящий иэ ацетата целлюло эы, растворителя и модифипируюшей добавки, отлич вюшийся тем,что, с цепью придвния волокнам и пленкам повышенной светостойкости, в качестве...

Номер патента: 568547

Опубликовано: 15.08.1977

Авторы: Бобринский, Кнельц, Федорович, Шенбель

МПК: B29C 3/00

Метки: автомат, пленок, полимерных, формования

...из смонтированных навертикальной колоние 1 держателя механизмов формозания 2 с роликами 8, кулачкового 20 зала 4 с призадом 5, зыталкивателя 6 и кольца 7 со сборниками 8. Механизм формозанпя 9 состоит из узла перемотки пленки 10, включающего рулонодержатели 11 и 12, пуансона 18 с прижимным фланцем 14 и колт.- 25 цезым ножом 5, смоитпровачпым з ползуне1 б и;1 а- чцы 1 Сбо 1 зппк 8 состоит пз корпуса 18, рез;11 озых колец 19 и 20 и подпружиненной зтул 30 ки 21Привод кольца 7 осуществляется ведущим валом 22 и роликом Ъ.Работает автомат следующим образом.При вращении кулачкового дала 4 рулонодвржатели 11 и 13 подают очередной участок пленки к матриц: 17. Ползуп И, взаимодейсгвуя своим роликом с соответствующим кулачком вала 4,...

Номер патента: 569452

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Козарович, Попова

МПК: B29C 27/02

Метки: загрязненных, пленок, полимерных, сварки

...который закрепляется в отверстия. 11 прижимной губки, В кор 1 усе 5 выполнен паз 12, в котором уст ляовлепы компепсаторы 13колебаний, взаимодействующие с фиксатором 14.На прижимной губке 3 закреплены эластичные прокладки 15, Рабочие поверхности прижимной губки 3 выполнены цилиндрической формы различной кривизны, что позволя ет качественно сваривать пленки, загрязненные жидкостями различной вязкости.Устройство работает следующим образом, Подлежащие сварке загрязненные пленки 16 помешают между сварочной губл. зй 1 и прижимной губкой 3, после чего под дейслъ. вием привода 10 тягой 9 прижимную губ ку 3 подводят к сварочной губке 1. Затем после выбора на прижимной губке 3 необходимой рабочей поверхности в соответствующем отверстии 11...

Номер патента: 569574

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Аветисян, Арутюнян, Ерицян, Залинян, Мовсисян

МПК: C07D 251/34

Метки: диаллилизоциануровой, качестве, кислоты, латексных, модификаторов, пленок, производные

...вес,ч, нв 100 вес,ч. пленки СХСГП М орозос тойкость,С Пленка СКС7 3П р и м е о 1, Эпоксипроизвоаное дивл лилизопиануровой кислоты (1 а) .Смесь 20,9 г (0,1 моль) дналлнлизоцив, нурата, 9,25 г (0,1 моль ) эпихлоргндряна н 18 2 мл триэтиламина при перемешнва нии нагревают на водяной бане лри 70-90"С в течение 80-60 мин. Затем к реакционной смеси добавляют 60 мл бензопа, 8,6 г (0,1 моль) едкого калия, растворенного в 28-30 мл этилового спирта, и перемешивают 10 Юв Оарн 30 40 С в течение 3-4 час. Опильч ровывают образовавшийся осадок хлористого калия и к фильтрату в реакторе добав. ляют 22,8 г (0,1 моль) цифенилолпропана, 2-3 мл триэтиламина и нагревают на водяной бане 2-3 час при 70-90 С. Затем дообавляют 9,28 г (0,1 моль) епихлоргндрнна...

Номер патента: 569926

Опубликовано: 25.08.1977

Автор: Копылова

МПК: G01N 25/18

Метки: изоляционных, параметров, пленок, стационарных, теплофизических, тонких, условиях

...например коэффициенттеппопроводности исспедуемого материанапо формуле; где Л - известный коэффициент теппопроводности этапонного покрытия (ппенки);толщины ) эталонного и исследуемого иокрытий (пленок);Ц -. темцература подложки;,7 - темп.ратура на поверхности исследуемого и эталонного покрытий. .накой способ можно осуществить с помощью устройства, содержащего подпожку; с нанесенными на нее исследуемой и этанонной ппенками, имеющую участки свободные от, покрытия, и жидкокристаппическую ппенку. Участки погчожки с нанесенными исследу мой и эталонной ппенками выполнены равными по ппощади, не касаются друг друга и чередуются с участками подпожки, свободными от покрытия.На чертеже показано устройство дпя осуществпения предлагаемого...

Номер патента: 571939

Опубликовано: 05.09.1977

Авторы: Бухтенко, Обичкин, Тянгинский

МПК: H05K 3/00

Метки: пленок, травления, химического, хрома

...воользование серной кислоты, в которой позитивные фоторезистооы разрушаются,Известен также способ химическоготравпения ппенок, хрома, рисунок которых формируютметодомфотопитографии врастворе, содержащем с опяную кисп оту и добавки, с испопьзованием метаппического активатора 2.Недостаток такого способа заключается .в недостаточно высокой интенсификации процесса травления и недостаточно высокой точности рисунка пленки хрома.По предлагаемому способу, с целью интенсификации процесса травления и повышения точности рисунка пленки хрома, в соля нуюкиспоту предваритепьно помещают метаппический хром, который присутствует в растворе и течение всего процесса травления,Изобретение иллюстрируется примерами,П р и мр 1 Пняни лрола . Огсйимой250-300...

Номер патента: 573510

Опубликовано: 25.09.1977

Авторы: Кегелес, Колмакова, Раснецова

МПК: C23F 1/00

Метки: железа, окисла, пленок, раствор, травления

...через фогорезисгивнув зааигную маску; промывка; удаление фогорезисга н промывка. спользованн зто го аленин ее привелг:ны примерь а.мого гравигеля прн и лл Бель изобретения - увеличение скорости травления.и повышение точности воспроизведения рисунка фогошаблона.Это достигается тем, что раствор лля трава.ния пленок окисла железа, например прн получении рисунка фогошаблона, содержащий соляную кислоту, волу, галогенил калия н соединение меди с хлором, в качес ве Галогеиида калия сел ржиг бромисгый ка.ий, е я кафу.сгве согдиец пяя мс.ли с хлори следующем соотпонентов, т,3281, 1-1620 -80Ос гальное.едувщим образом,ромисгый калий,слоге хлористуеогво а сливают н пеРаствор для травления пленок жислв железа, например при получении рисунка фо...

Номер патента: 573773

Опубликовано: 25.09.1977

Авторы: Гранкин, Соловьев, Соловьева, Фаличева

МПК: G01R 27/02

Метки: коэффициента, пленок, сопротивления, температурного, хромовых

...коэффицчента сопротивления.Оценка температурного коэффициента сопр тивления (ТКС) по предлагаемому способу состоит в помещении исследуемого основания с хромовой пленкой в раствор концентри рованной соляной кислоты марки Ч или ЧДА до полного погружения основания, выдержки в течение 2 мин. при температуре окружающей среды и визуальной оценки ТКС по интенсивности выделения водорода.Для оценки ТКС химическим способом исследуются заготовки без контактных чэлов. Заготовки помешают, в химический стакан и заливают концентрированной соляной кислотой. При температуре окружаюшей сре ды 2 мин. визуально наблюдают за растворимостью пленки по интенсивности выделе ния водорода,Пленки с величиной ТКС :1105 практически не реагируют с соляной,к,той. На...

Номер патента: 576961

Опубликовано: 15.10.1977

Авторы: Есикие, Есихиса, Ицуки

МПК: C08L 67/00

Метки: композиция, пленок, полимерных, пористых

...полученной из 12% . ыть уменьшен увеличением ичением длительности высузкой температуре, так как икрофаз очень легко обра. сокой концентрации поливзятых вим 12%,ультр3 мкм, получаюттак, как указано вКоэффициенть При указании х 90;10, рас форме и 1,2 ции 12%.3 мкм пол же, как в м е р 3, Смесв примере 1воряют в хлоди лорзтанеУльтратонкиеучают из соотвпримере 1. Коченных пленаТ ристом ме-.и 1до получею пленки тотств тощих эффициенты к указанны в аблица 357696 при соотношениях ПК: ПЗО, равиъгх соответственно 99,7 ; 0,3; 99: 1, 90: 10; 70:30, 50: 50; 30: 70 и 10: 90. Смеси перемешивают в течение 10 мин и фильтруют, Из полученных смесей готовят ультратонкие пленки толщиной около 3 мкм по примеру 1. Коэффициенты статического трения полученных...

Номер патента: 580439

Опубликовано: 15.11.1977

Авторы: Гогин, Кадкин, Красноперов

МПК: G01B 7/06

Метки: пленок, толщины, ферромагнитных

...силе, и по соотноцению; 15(61) Дополнительное к а (22) Заявлено 16.03.76 (2 Изобретение относится к способам контроля, не нарушающим структуру объектов контроля и может быть использовано для контроля толщины многокомпонентных, цилиндрических ферромагнитных пленок,Известен способ контроля толщины покрытий на электропроводящей подложке, заключающийся в том, что образец с покрытием вводят во взаимодействие с токовихревым преобразователем и по сигналам последнего судят о результатах контроля 1. Однако этот способ не обеспечивает достаточную точность контроля ферромагнитных пленок, так как эталоны, которые необходимы для реализации способа, не достоверны с точки зрения технологических режимов их нанесения.Известен способ, принятый...

Номер патента: 582302

Опубликовано: 30.11.1977

Авторы: Игнатьев, Нурмухамедов, Салтыков

МПК: C21D 1/78

Метки: магнитных, пленок, подложек, цилиндрических

...раствор, длякоторого температура начала рекристаллизац гп зна штсльно выше, чем для чистой мсдп,и закаливают в воде.Формула изобретения Составитель Р, Клыкова Корректор Л, Брахнина Редактор Г. Лановая Техред И. Рыбкина Заказ 2592/12 Изд.952 Тираж 693 НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Подписное Типография, пр. Сапунова, 2 Проволоку, предназначенную для изготовления подложки, подвергают очистке. Затем на нее наносят слои меди толщиной 1 - 5 мкм, обеспечивая ее прочное сцепление (адгезию) с металлом проволоки, При необходимости можно привести уплотнение этого слоя путем, например, волочения проволоки с нанесенным на нее слоем чистого металла через...

Номер патента: 589627

Опубликовано: 25.01.1978

Авторы: Жигалов, Середкин, Фролов

МПК: C22C 38/02, H01F 10/14, H01F 10/16 ...

Метки: железа, магнитных, основе, пленок, сплав

...Х ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ ЖЕЛЕЗ писн на изготовленных из сплава пленкахтребуется мощный источник света.Цель изобретения - повышение энергетическойчувствительности пленок при записи информации,Эта цель достигается тем, что сплавдля магнитных пленок на основе железа дополнительно содержит моноокись кремнияпри следующем соотношении компонентов,об, %;Моноокись кремния 8-30Железо ОстальноеИзготовленные гнитныепленки обладают н оводностьюи тепловой диффуэи игается высокая концентрация растает энергетическая чувствительность пленок при записи информации,П р и м е рПленки изготавливают методом одновременного испарения железа имоноокиси кремния иэ двух тиглей в вакууме 10 - 10 мм рт.ст. на попложку при589627 Остальное Остальное Остальное Остальное...

Номер патента: 590590

Опубликовано: 30.01.1978

Авторы: Лебедев, Чернышев

МПК: G01B 7/06

Метки: оксидных, пленок, покрытий, толщины

...для источника линейно возрастающего напряжения Напряжение источника, подаваемое на электролитический элемент, контролируется с помощью вольтмст 30 ра 7,590590 Формула изобретения Составитель С. Скрипник Техред Н. Рыбкина Корректор Л. Денискина Редактор О. Юркова Подписное Заказ 3182/9 Изд. л,в 159 Тираж 907 НПО Государственного комитета Совста Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 Принцип действия устройства основан на автоматической регистрации момента достижения критического напряжения на образце, при котором наблюдается пе 1)егиб на вольтамперной характеристике электролитической ячейки с образцом. Этот момент соответствует достижению предельного значения...

Номер патента: 591888

Опубликовано: 05.02.1978

Авторы: Разумнов, Черний

МПК: G06M 7/06

Метки: пленок, рентгеновских, счета

...4 - в форме диска.Баллон 2 наполнен смесью газов: неона, аргона и гелия с преобладанием неона. Цоколь 5 датчика закреплен в защитном экране 6, имеющем конусную форму и вь 1 полненном из металла, например латуни. Экран 6 укреплен с наружной стороны корпуса 7 транспортного канала 8, в котором перемешается рентгеновская пленка 9. Канал 8 входит непосредственно в приемную кассету 1 О.591888 Форлула изобретения Фиг,З о Составитель Г. АнтоноваТехред О. Луговая КорректоТираж ЬЪб Подписно Редактор Л. УтехинЗаказ 595/44.Мельниченко Министров СССтийд. 4/5Проектная, 4 Советан откр ская на од, ул. ИИПИ Государственного комитета по делам изобретений3035, Москва, 7 К, Рау ш филиал ППП Патент, г. УжгоИонный датчик 1 соединен со стабилизированным...

Номер патента: 595017

Опубликовано: 28.02.1978

Авторы: Галкина, Кнельц, Рыбаков, Трофимова

МПК: B05D 1/32

Метки: металлизации, пленок, полимерных

...полиамидную пленку наносят термокраску марки ТИ(критическая температура 210 С), Отметаллизированную 5950174полиимилну 1 о пленку нагревают до 300 С, поеле чего термокраску удаляют, как в приме 1 зе1 и 2.Пример 4. На фторопластовую пленку ца.5 носят термокраску марки 4 Б (критическаятемпература 65 С). Отметал,тизированнуюфторопластовую пленку нагревают ло 90 С,после чего термокра ку улаля 1 от, как в прцмере 1,2,3,1 О Таким образом, предлсженный споссб позволяет увеличить процзволцтельность трудав 75 раз; понизить затраты ца заработцуюплату солее, чем в 86 раз; псццзцть затратына электроэнергию в 32 раза; уменьшить по5 требнссть в произвол"твеццых плошалях в112 раз.В конечцом итоге годовая экономия отпрсизводства металлизирсванной пленки...

Номер патента: 595171

Опубликовано: 28.02.1978

Авторы: Гончаренко, Малкин, Петухов, Сенатос

МПК: B29D 7/24

Метки: двухосного, пленок, полимерных, растяжения, рукавных

...и валки с винтовой нарезкой 1 и 2 расположены внутри пленочного рукава, выходящего из калибрующего канала 38 экструзионной головки 14. Валки с винтовой нарезкой 1 и 2 имеют винтовой канал, образованный выступами 39 нарезки и цилиндрической поверхностью сердечника 40.Работа устройства осуществляется следующим образом.Перед началом экструзии рукава пленки 41 приводят во вращение гайку 19 и, смещают ось 17 в крайнее верхнее положение. Валки 1 и 2 при этом устанавливают параллельно оси 17. Эластичный баллон 23 находится в сложенном состоянии. В период запуска отсутствуют препятствия продвижению нераздутого пленочного рукава 41. После заправки пленочного рукава 41 в тянущие валки 5 и 6, 36 и 37 производят его раздув и настраивают процесс...

Номер патента: 563826

Опубликовано: 05.03.1978

Авторы: Осипов, Саблев, Ступак

МПК: C23C 15/00

Метки: нанесения, пленок, тонких

...на фиг. 2 конфигурация магнитных полей в камеУстройство длпленок работаетНапыляемые изваются на крышкумакрочастиц от кпрямолинейно, неПитание соленоидется от разных иВоздух из вакчивается до давл10 мм рт,ст. Черется ток, создающ50-200 Э, достаткатодного пятна 5 р 72) Авторы изобретения л,п. я нанесения тонкихследующим образом.делия 9 устанавли 2 так, чтобы потокатода 4, движущийсямог попасть на них,ов б и 7 осуществлясточников,уумной камеры 1 откаения порядкаез соленоид б усий магнитноеочное для удерна торце катодЧерез соленоид 7 пропускается ток, создающий магнитное поле 20-50 Э. На камеру 1 подается напряжение 40-80 В относительно катода 4, на крышку 2-30 В. При этих параметрах конфигурация магнитных полей имеет 5 вид, показанный...