Способ получения высоколегированных монокристаллов германия электронного типа
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 171586
Авторы: Гришина, Мильвидский, Омель, Фистуль
Текст
Союз Советских Социалистических Республик.1963 ( 812713/22 явлен 1, 130 явкигениеъ рисое К С 221 орит осударственны омитет по дел изобретеиий открытий СС 5. Бюллетень11 публиковано 26 Х 69.783 (088.8) м Дата опубликования описания 14.И,19 вторызобретени П. ГришиЗаявитель ГИРОВАННЫХКТРОННОГО ТИПА СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЬ СО МОНОКРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ ПРОВОДИМИ эксплуатации приборов, изготовляемых на основе высоколегированного германия.Для монокристаллов германия, легированных мышьяком, эта температура близка к 870 С.Термообработку проводят в атмосфере водорода. После выдержки при температуре870 С кристалл быстро охлаждают, например, в воде,В -результате термообработки вся легирующая примесь переходит в твердый раствор, в результате чего концентрация носителей тока значительно увеличивается, а электрические характеристики монокристалла становятся стабильными во времени.Способ может быть применен также для получения высоколегированных монокристаллов гг-типа кремния и арсеница галлия. Спосо нокрист проводи личаюиг соколеги бильньв теристиг вергают чение 2 последудггисная грг 1 гггга Лг 161 Известен способ получения высоколегированных монокристаллов германия гг-типа проводимости (с концентрацией Аз до 10 хосм - 3) вытягиванием из расплава.Для получения высоколегированных моно кристаллов германия со стабильными во времени электрическими характеристиками предлагается вытянутый монокристалл подвергать термообработке путем нагрева в течение 2 - 4 час при температуре "-870 С с последующей 1 закалкой.Монокристалл германия вытягивают из расплава, легированного мышьяком, по способу Чохральского.Часть допорной примеси в вытянутом кри сталле не входит в твердый раствор, в связи с чем концентрация электрически активной легирующей примеси существенно ниже общей концентрации легирующей примеси в кристалле. Вытянутый кристалл непосредственно 2 после вытягивания подвергают термической обработке в течение 2 - 4 час. Время термообработки определяют диаметром кристалла и условиями его выращивания, Температуру нагрева выбирают с учетом ретроградной 2 рас 1 воримости основных легирующих допорных элементов (Аз, Р) в полупроводнике таким образом, чтобы предельная растворимость примеси при этой температуре была близка к предельной растворимости ее при температуре 3 Предмет изобретения б получения высоколегированных моаллов германия электронного типа мости вытягиванием из расплава, отиггся тем, что, с целью получения вырованных мопокристаллов со стаги во времени электрическими харак- сами, вытянутый монокристалл подтермообработке путем нагрева в те - 4 час при температуре 870 С с ющей закалкой
СмотретьЗаявка
812713
Э. М. Омель новский, М. Г. Мильвидский, С. Гришина, В. И. Фистуль
МПК / Метки
МПК: C22F 1/02
Метки: высоколегированных, германия, монокристаллов, типа, электронного
Опубликовано: 01.01.1965
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-171586-sposob-polucheniya-vysokolegirovannykh-monokristallov-germaniya-ehlektronnogo-tipa.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения высоколегированных монокристаллов германия электронного типа</a>