Способ определения температур максимумов числа центров кристаллизации и линейной скорости роста кристаллов

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК 01 И 3 З/3(5 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ВЕДОМСТВО СССР ГОСПАТЕНТ СССР(56) Павлушкин Н.М. Основы технологии металлов. М.: Стройиздат, 1970, с. 352.Павлушкин Н,М. и др, Практикум по технологий стекла и. металлов. М.: Стройиздат;1970, с. 336-351,(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУР МАКСИМУМОВ ЧИСЛА ЦЕНТРОВКРИСТАЛЛИЗАЦИИ И ЛИНЕЙНОЙ СКОРОСТИ РОСТА КРИСТАЛЛОВ Изобретение относится к стекольной промышленности, в частности к способам определения температур максимумов числа центров кристаллизации и линейной скорости роста кристаллов в режиме кристаллизации ситаллов.Известен способ определения максиму. мов числа центрбв кристаллизации и линейной скорости кристаллизации ситаллов (грэдиентный, вискозиметрический, дилатометрический, рентгеновский), с помощью которых изучают образцы, термообработан. ные по модельному режиму, который пред-.полагает их нагрев и быстрое охлаждение,Основным недостатком известного способа является сложность в реализации и . относительно высокая трудоемкость.Наиболее близким к заявляемому является способ определения температур максимумов центров кристаллизации и линейной скорости роста кристаллов в ре 2(57) Использование; стекольная промышленность. Сущность изобретения: снимают профилограмму плоских образцов со свободно остывшей или полированной поверхностью. Температуру максимумов числа центров кристаллизации определяют по температуре термообработки образца, при которой образуется максимальное количество пиков на единицу длины профилограм. мы. Температуру максимума линейной скорости кристаллизации определяют по температуре термообработки образца, соответствующей максимальной интегральной шероховатости, 4 табл. Мф жиме кристаллизации стекла, включающий изготовление образцов стекла, термообработку их и определение состояния поверх- ф ности. 4Основным недостатком такого способа О является относительно высокая трудоемкость, связанная с изготовлением платиноугольных реплик и фотографий микроструктуры ситаллов, а также определением линейных размеров и поверхностной плотности большого количества кристаллов.Целью изобретения является упроще- ф ние определения.Достигается это тем, что в способе определения температур максимумов числа центров кристаллизации и линейной скорости роста кристаллов в режиме кристаллизациии стекла, включаЮщем изготовление образцов стекла, термообработку их и определение состояния поверхности, поверхность образцов после термообработки про- филируют, определяют максимальную линейну 3 д плотность пиков и максимальнуюинтегральную шероховатость, находят соответствующие им температуры термообра ботки, а за температуру Максимума числа центров кристаллизации и линейной скоро-.сти роста кристаллов йринима/ст температуру, соот,ветс.твующую максимальной линейной плотности пиков и максимальной 10 интегральной шероховэтости.Способ. осуществляют следующим "образом.Производят определение температурмаксимумов числа центров кристаллиза ции и линейной скорости крйстэллов следующих ситаллов: АС(система исходного стекла М 90-Мп 0.АгОзг 110 г), АС(1 1 гО-А 1 гОзг-Т 10 г), и АС (1 1 гО-КгО-А 1 гСзг). Определение 20 указанных парайетровосуществляют путем профилирования поверхности и с помощью зле 1 ст 1 зонной "микроскопии.Образцы вырезают"из полированныхплит искодйогб стеРла ина.гревают да темпера тур(йо 5 образцов: на каждую температу- . ру), укэ 3 анных в табл, 1-3, в печис сйлитбйь 1 миЙЙРевэтелямй. Прикаждой.последу)ощей темпер; туре образцы выни-.мают иЗ"печи и "охлаж,ают на воздухе,по сле чего производят профилирование полированной поверхностй с помощью профилографэ-йрофилометра мздели 201,- - йключающее запись профилограмм и из-мерение йнтегральной шероховатости. 35 Профилограммы записывают при вертикальном увеличении 2 г 0000 и горизонталь ном - 4000 крат и оп зеделяют количествопиков на единицу длины профилограммы (по 3 участка Йа каждом "образце). После 40 профилирования образцы исследуют методом угольно-платиновой реплика ции, Предварительное травление исследуемой поверхн 6 сти осуществляют в 2,4-ном растворе НР втечение 1 - 2 с, Полученные ре плики фотографируют (по 3 участка на каждом образце) и на фотографиях опреде-.ляют поверхностную плотность и линейные размеры кристаллов, Результаты сравнительного изучения поверхности образцов 50 методом профилирования и с и "пользованием электронной микроскопии представ-,лены в табл. 1 - 3, Как видно из табл. 1-3, увеличение температуры термообработки приводит к росту линейной плотности пиков и интегральной шероховатости. Этому соответствует увеличение поверхностной плотности и лйнейных размеров кристаллов для всех изучаемых ситаллов. Причем температуры образцов, начиная с которых профилограммы имеют максимальную линейную плотность пиков, а фотографии - максимальную поверхйостную плотность кристаллов, а также температуры, при которых наблюдаются максимальная интегральная шероховатостьи максимальные линейные размеры крйсталлов, для каждого ситалла совпадают и представлены в табл. 4. Это подтверждает корректность заявляемого способа, являющегося более простым в реализации, чем известный способ, Необходимо отметить, что использование стеклянных образцов со свободно остывшей поверхностью приводит к таким же результатам, как и -полированных образцов, Как видно из табл. 1 - 3, рри максимальных температурах термообработки происходит уменьшение линейной плотностипиков на профилограммэх и поверхностной плотности кристаллов, что, по-видимому, связано со слиянием более мелкихкристаллов в более крупные,.Формула изобретенияСпособ определения температур максимумов числа центров кристаллизации и линейной скорости роста кристаллов в режиме кристаллизации стекла, включающий изготовление образцов стекла, термообработку их и определение состояния поверхности, о тл и чэ ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения определения, поверхность образцов после термообработкй профилируют, определяют максимальную плотность пиков и максимальную интегральную шероховатость, находят соответствующйе им температуры термообрэботки, а за температуру максимума числа центров кристаллйзэции и линейной скорости роста кристаллов принимают температуру, соответствующую .максимальной линейной плотности пиков и максимальной интегральной шероховатости.1791777 Ситалл АС - 380 д , Х Э пове х ти Поверхност ная плотност.ь кристаллов 101 о ммпература,Мпп нтеграл шерохо ость Я,ая а- км Линеинаялотность пиков, 10 м 700 725 0,01 0,01 0,02 0,03 0,03 0,1 0,15 0,3 О,З 0,3 О.З 0,3 03 6 7 6 7 8 16 9 10 0,4 0,6 0,7 240 228 220 12 13 14 16 17 18 19 20 5 0,90,91,01,3 23 20 17 15 16 15 15,210 200 205 202 1,5 1,5 1,8 2,2 2,0 Ситалл АС - 418 Э о или рвание пове хн ти ИФ пп Линейны размеры кристалло верхностая плотностьисталлов101 о м Линейнаялотность пиков,10 м нтеграль шерохов ая тость В;м 3 2 3 0,02 0,02 0,03 0,04 25 27 26 57 100 200 220 230 250 400 570 600 4 5 6 0,05 0,04 0,07 0,09 0.08 0,08 0,10.ся К.4аблица 2 ект оннэя мик оскопия1791777 бл Ситалл АС -Линейные размеры кристаллов мкмИнтегральнашероховатость Йа, мкм Линейная плотность и Оз ММ пп 0100380390400 475 500 2 3 7,141516;17,.:".: оо или вание пове хности о,оог 0,0020,002 0,003 О 004 0,005 0,007 0,009 0,012 0,016 0,020 0,020 0,021 Продолжение таблицы 2 лект онная мик оскопи 0,04 0,07 0,10 0,12 0,18: 0,17 026: ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР