Цывин

Номер патента: 1719261

Опубликовано: 15.03.1992

Авторы: Мерсон, Павленко, Цывин

МПК: B61L 23/14

Метки: движением, метрополитена, поездов

...формирователя 9 сигнала уп импульсов частотой 1 Гц с выхода делителя равления, другой вход которого подключен 5 через формирователь 6 на вход вычитания параллельно с входом возбуждения тригге- регистра 4, Одновременно через этот форра 8, другой выход делителя 5 соединен с мирователь подается управляющий сигнал другим входом Формирбвателя 6, формиро- на включение тягового двигателя поезда. ватель 10 одним входом подключен к выхо Процесс считывания информации из регистду формирователя 2, а другим - к другому ра 4 продолжается до обнуления этого ре выходуделителя 5, выходформирователя 10 гистра, после чего устройство приходит в подключенко входусбросатриггера 1,блок исходное состояние, а тяговый двигатель 11 разрешения одним из входов...

Номер патента: 1714339

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Кузнецов, Рябов, Цывин

МПК: G01B 7/16

Метки: ползучести, регулировки, тензорезистора, фольгового

...базы, Затем наклеивают тензореэистор 1 на объект 5 эксплуатации, напримерна упругий элемент датчика или испытываемую металлоконструкцию, после чего осуществляют серию контрольных нагружений объекта с одновременной оценкой величины полэучести тензорезистора, Для этого задают нагрузку на объект и измеряют величину и знак изменения сигнала тенэореэистора 1 во времени. Если полэучесть тензорезистора положительная, то с течением времени сигнал тенэорезистора (иэменение сопротивления) увеличивается (кривая, обозначенная знаком "+" на фиг,1), то это означает, что поперечины 2 тензореэистора 1 избыточно жестко связаны с материалом упругого элемента 5 и, следовательно, в процессе деформации "перетягивают" решетку 6. В этом случае, для...

Номер патента: 1685406

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Аракелян, Неделько, Петросов, Сазонова, Цывин

МПК: A61B 6/14

Метки: аномалий, диагностики, зубо, парафункций, челюстных, языка

...4 В ОЬ.Вс и:)еьтрэль- НЫХ рЕЗцОВ И ПЕРВЫХ Мояяроа, гЛя фикса ции датчиков необхо,),и яо яь;стуГы зэ В 8 сти В пэзь) 5 га) что их )ол ох(8" ние перпендикулярно про;ольной о:и М (фиг. 2 ), Устройство ус.а-,авливается н- НИЖНЮЮ ЧЕЛКЭСТЬ, 11 ЭИ Зто)г),1)ЭТЧИ,( Ч Д )ВЛЕ. ния силОВВОдящим узлом 11 разв 8 рнут в сторону языка, При воздействии языке силой Г на силовводяв.,ий узел 11 ,ф)гг, 4; датчика 1 давления последний передает усилия к упругой прокладке 0 ко" орэя рэс пределяет сосредотэченнук) силу Е Дав 8 ние воздействует на упругу)0 мембрану 3 ( расположенным на 88 тыльной поверхнос" , мостом 8 тензОРезст". )1)В Г)Р) )303 Дейс;. вии давления мембрана И )еформируется, ЧТО ВЫЗЫВЭРТ ДЕфОЭМЭ).,г)10 ТВНЗ(Эезисто 8, соединенных в мостову 10...

Номер патента: 1631260

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Годзиковский, Зверев, Цывин

МПК: G01B 7/18

Метки: закрепленных, поверхности, регулировки, сопротивления, тензорезисторов

...внедрения индентора 4 в тело объекта 3 исходная поверхность с тензорезисторами (пунктирная линия на фиг.1) необратимо искривляется (сплошная линия на фиг. 1), вызывая тем самым изменение электрических сопротивлений50 тензорезисторов. Тензорезистор 1 ориентирован в данном примере так, что его главная ось б проходит через центр лунки 5, поэтому вогнутость поверхности объекта 3, образовавшаяся после воздействия индентора 4, приводит к сжатию нитей чувствительного элемента, т.е. к уменьшению его сопротивления. Формоизмененнэ же поверхности объекта под тензореэистором 2, главная ось 7 которого ориентирована перпендикулярно направлению на лунку 5, приводит к возрастанию сопротивления тензорезистора 2. Экспериментально установлено, что...

Номер патента: 1618657

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Верещагин, Пащенко, Попов, Цывин

МПК: B27L 11/02

Метки: приемное, щепы

...энергией, а значит имеют большую силу удара о щиты:4В результате удара ощиты 4 широкие частицы раскалываютсяпо ширине на частицы, близкие по размерам к стандартным. Остальные час"тицы щепы, имеющие нормальную ширину,более равномерную прочность и меньшую массу, проходят через участок сощитами 4 без изменения размеров, таккак нагрузка на них от ударов о щиты4 не превьпиает предела упругой деформации древесины. В соответствии сэтим и в зависимости от температурновлажностного состояния древесины, измельчаемой на щепу, шиты 4 с помощьюшарниров 5 устанавливаются под определенным углом К, равным 15-45 относительно оси входного отверстия 7 квертикальной плоскости и закрепляютсяфиксаторами.бЗатем все частицы щепы за счет центробежной силы...

Номер патента: 1602745

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Верещагин, Пащенко, Попов, Цывин

МПК: B27L 11/02

Метки: рубительная

...1, диаметр 9 с проведенными в его концы радиусами из центра ножевого вала 2 образует остроугольный треугольник. На загрузочном патроне 5 в верхней его части 10 установлены боковые стенки 11 и 12, задняя стенка 13 является продолжением днища б загрузочного патрона 5. Одна из боковых стенок, например стенка 11, имеет уступ 4, выполненный таким образом, что в нижней части загрузочный патрон 5 имеет ширину, равную ширине В днища 6 загрузочного патрона 5, а в верхней части 10 - ширину Е, равную (0,75 - 1) от диаметра 0 поперечного сечения загрузочного патрона 5. Уступ 14 в горизонтальной плоскости выполнен с наклоном к боковой стенке 11 под углом д, равным 10 - 70, а в вертикальной плоскости - под углом 6, равным 10 - 50 к плоскости,...

Номер патента: 1585760

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Коновалова, Микрюкова, Новоселова, Родзевич, Цывин, Яковенко

МПК: D21B 1/02, G01N 33/46

Метки: древисины, количественного, лиственницы, содержания, щепе, ядровой

...щепы массой 100 г помещают в емкость и обрабатывают 123-ным раствором соляной кислоты, затем раствор сливают и материал промывают водой в течение 1-2 мин,1585760 20 Точность Фактическое соЗаданное содержарезультата, l держаниеядровойАракциив щепе,Е ядро- Аракние 30%-ным 12%-ным раствором соляной кислоты вой в щерастворомхлорногожелеза ции, пе,100 100 100 100 100 5 17 28 63 19 5 17 28 63 19 6 6 6 5 5 3 2 3 3 2 после чего .обрабатывают 30%-ным водным раствором хлорного железа. Поддействием реагентов по истечении установленного времени щепа, содержащаяядровую часть древесины лиственницы,5приобретает цвет от темно-серого дочерного, в зависимости от места произрастания, возраста и нида лиственницы. 11 вет щепы остальных пород изаболонной...

Номер патента: 1506306

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Ашивкин, Кузнецов, Повалихин, Цывин

МПК: G01L 1/22

Метки: датчиков, серийного, силы, тензорезисторных

...нерабочая 30часть которых имеет поньппенную жесткость.на изгиб, что позволяет повысить динамические характеристики датчика, 6 - параллелограммный упругийэлемент повышенной жесткости с балками, рабочая часть которых имеет переменную жесткость за счет цилиндрической формы пазов; ца фиг,5 - схемарасположения двух лент в кондукторепри проведении диффузионной сварки в . 40вакууме.Способ реализуют следующим образом,В процессе изготовления датчиковберут дне одинаковые ленты 1 и 1 45прямоугольного сечения, например изстали 40 Х 13. Выполняют в каждой изних по два одинаковых продольных паза 2, 3 и 2, 3 прямоугольного поперечного сечения, Соединяют ленты 1и 1 по плоским поверхностям 4 и5 со стороны пазов и укладывают ихмежду двумя частями...

Номер патента: 1490569

Опубликовано: 30.06.1989

Авторы: Годзиковский, Назаров, Цывин

МПК: G01N 3/20

Метки: несовершенств, образец, упругости

...1,2,,3,4 пересекались в центре "0" перемычек 5,6. При этом пара пластин 1,2установлена параллельно паре пластин 3,4, Захватные части 7,8 образцавыполнены в виде двух перпендикулярных плоскости пластин 1-4 плит, которые жестко соединень с концами парпластин 1,2 и 3,4 так, что образуютсовместно с ними и перемычками 5,6параллелограмм, На наружные поверхности пластин 1-4 укрепляют (наклеивают) тензорезисторы 9. На одной из перемычек 5 выполняют прилив дпя крепления на нем указателя перемещений ввиде жесткого стержня 10, Для наблюдения за перемешением конца стержняустанавливают какой-либо оптическийизмеритель 11 перемещений, напримеркатеточер, раэерный интерферометри т.п. Тензореэисторы 9 электрическисоединяют через коммутатор 12 с прибором...

Номер патента: 1458025

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Котцов, Цывин, Шатровский, Шмаков

МПК: B07B 1/16

Метки: дисковая, сортировка

...через Ь и Ь . Максимальное расстояние между смежными дисками соседних валов выполнено равным1,2-1,4 от среднеарифметического расстояния между смежными дисками соседних валов, т,е. а =(1,2-1,4)а р.Образующие участков каждого валамежду двумя смежными на валу дисками 3 расположены с наклоном вдоль вала относительно его продольной оси как при наклоне дисков на соседних валах в разные стороны (фиг. 9-12), так и при наклоне в одну сторону (фиг. 13- 16), При этом размеры сортировочных ячеек между валами изменяются от максимальных Ь макс Ь макс до мини мальных Ь , Е д,при средних размерах ячеек Ь э и Ь 4, . Участкивала наклонены таким образом, чтомаксимальное расстояние между боковыми ловерхностямы соседних валов выполнено равным 1,2-1,4 от...

Номер патента: 1421535

Опубликовано: 07.09.1988

Авторы: Годзиковский, Крашенинников, Цывин

МПК: B25J 19/02

Метки: очувствления

...перпендикулярныи жестко соединены между собой через плоскую цилиндрическую прокладку 86 и две прокладки 87 и 88, выполненные в виде сегментов. Блок 85 жестко соединен сблоком 83 через прокладку 89, выполненную в виде сегмента.Силовая цепь обозначена линиями90, Силы Р, Р, и Р от смежной сблоком 84 детали робота приложены ккрепежной плоскости 91 блока 84 детали робота (не показана), затем через прокладки 87, 86 и 88 проходятна блок 85 и далее через прокладку89 на блок 83 и через его крепежнуюплоскость замыкаются на смежную сблоком 83 деталь робота (не показана). Возможна и другая последовательность сборки устройств в силовую цепь.Пример встройки трехкомпонентногосилоизмерительного устройства в ро-бот показан на фиг, 13, На руке 92робота...

Номер патента: 1418036

Опубликовано: 23.08.1988

Авторы: Благодырь, Попов, Толпыго, Туулас, Цывин

МПК: B27L 11/02

Метки: рубительная

...и имеющим боковые кромки 7 и прилегающую к кожуху 1 кромку 8. Наклон днища 6 осуществлен так, что оно в вертикальной плоскости, перпендикулярной к плоскости ножевого диска 3, образует с горизонтальной плоскостью угол (3 (боковые кромки 7 днища 6 также образуют с горизонтальной плоскостью угол), а прилегающая к кожуху 1 кромка 8 днища 6 образует с горизонтальной плоскостью угол сС Загрузочный патрон 5 имеет длину 120 в полости кожуха 1 ножевому диску 3. 25 30 35 5О15 и ширину В, его поперечное сечение имеет форму трапеции, большая диагональ 9 (диаметр) которой имеет длину С, причем загрузочный патрон 5 ориентирован так, что независимо от места его примыкания к кожуху 1 диаметр 9 его поперечного сечения с проведенными в его концы...

Номер патента: 1407579

Опубликовано: 07.07.1988

Авторы: Котцов, Цывин

МПК: B07B 1/16

Метки: дисковая, сортировка

...материал,На фиг. 1 изображена дисковая сортивка, вид сбоку; на фиг. 2 - то же, виде рху.10Дисковая сортировка состоит из рамы 1,которой с возможностью вращения устаовлены параллельные валы 2 с дисками 3,сположенными в шахматном порядке. Отрстия между валами и дисками являютсяртировочными ячейками. Направление почи материала показано стрелкой 4.Валы установлены на расстояниях, уменьающихся от загрузочного конца к разгручному, т.е, длина сортировочной ячейкиеньшается: аа -, а. Толщина дисков 20еличивается в том же направлении, т.е.ирина сортировочной ячейки также уменьается: Ь,) ЬаЬс.Для сортирования древесных опилок соррующие ячейки должны быть квадратныи, а их размер должен уменьшаться с пооянным приращением, т.е. соседние валыдиски,...

Номер патента: 1405890

Опубликовано: 30.06.1988

Авторы: Котцов, Цывин, Шатровский, Шмаков, Яковенко

МПК: B07B 1/46

Метки: гранулометрического, состава, сыпучих

...на. пример технологической щепы, путем ситового сортирования.Цель изобретения - повышение качества определения гранулометрического состава при работе с технологической щепой.На чертеже изображен внешний вид устройства с местным разрезом подвижной части.Устройство включает корпус 1 с подвижной горизонтальной платформой 2 и приводом колебаний (не показан), например, круговых возвратно-поступательных.На платформе стяжками 3 закреплен набор, состоящий из поддона 4, комплекта расположенных одно над другим сит 5, приспособление для подачи материала на сита в виде бункера 6 и крышки 7.Бункер 6 имеет коническое днище 8 с отверстием и расстоянием от отверстия до сита Ь. Корпус бункера цилиндрический с диаметром, равным диаметру сита.Под...

Номер патента: 1341491

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Кузнецов, Парфенов, Повалихин, Цывин, Шендюк

МПК: G01B 7/16

Метки: балансировки, замкнутого, моста, тензометрического

...мосту, содержащему тензорезисторы 1-4, подсоединены источники 5 и 6 постоянного тока, измеритель 7 напряжения источни п ка 5, измеритель 8, соединенный с крайними точками смежных плеч моста, и резистор 9 с номинальным сопротивлением, включенный между вершиной моста и источником 5. 25Способ балансировки замкнутого тензометрического моста осуществляют следующим образом.Соединяют элементы схемы, показанной на фиг. 1, и стабилизируют ток от ЗО источника 5, Затем с помощью измерителя 8, подключаемого параллельно резистору 9, измеряют падение напряжения на этом резисторе и запоминают его. Включают измеритель 8 параллельно источнику 5, регулировкой тока источника 6 обеспечивают равенство нулю разности потенциалов между...

Номер патента: 1265623

Опубликовано: 23.10.1986

Авторы: Кузнецов, Макаров, Парфенов, Цывин

МПК: G01B 7/16, G01R 17/10, H03K 17/16 ...

Метки: мостовой, сигнала, схемы, тензодатчика

...иих разбраковку, 3 ил.- сопротивления тензорезисторов при отсутствии деформации;- изменения сопротивленийтензорезисторов при воздействии деформации; - напряжение источника питания, 1265623В реальной мостовой схеме сопротивления тензорезисторов К, - К, отли- . чаются по величине, поэтому в каждом положении блока ключей выходной сигнал мостовой схемы будет состоять из 5 среднего значения, постоянного для данной нагрузки, и пульсаций, которые характеризуют величину разброса сопротивлений тензорезисторов внутри моста относительно усредненного сопротивления КСреднее значение выходного сигнала 8, определяющее механическую нагрузку на тензодатчик, измеряют с помощью гальванометра или вольтметра ФЗО, а 15 величину выходного сигнала...

Номер патента: 1247693

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Беликов, Парфенов, Румянцев, Цывин

МПК: G01L 1/22

Метки: измерительное, полупроводниковое

...с контактными площадками 4, которые атомарно соединены с подложкой 1. Мост тензорезисторов 2 с перемычками 3 расположены симметрично продольной 00 и поперечной 0 0 осям подложки 1 над пазом 5, сформированным в подложке 2. Глубина паза 5 составляет 0,05-0,1 толщины Н подложки 1. Паз 5 выполнен на всю ширину В подложки 1 и симметричен оси 0 0 . Контактные площадки 4 расположены на жестких частях 6 подложки 1 и попарно симметрично относительно осей 00 и 0 О , На мост тензорезисторов 2, перемычки 3 и в объем паза 5, расположенный под мостом и перемычками, нанесена теплоотводящая диэлектрическая масса 7, например, из кремнийорганического вазелина.Чувствительный элемент работает следующим образом.При воздействии на упругий элемент...

Номер патента: 1244512

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Макаров, Парфенов, Румянцев, Цывин

МПК: G01L 1/10, G01L 1/16

Метки: датчик, силы

...ЯвХ или Б 10, в которой формируются окна в форме вибропреобразователей с контактньп я площадками, В окна производится диффузия или ионное легирование бора до концентрации5 1 О" смна глубину 0,5-2 мкм (определяется толщиной вибропреобразователя). Затем произвоДится металлизация контактных площадо, например алюминием, защита контактных площадок и мест закрепления: вчбропреобраэователя перед травлением кремния, удаление защитногс диэлектрика и травление вскрытого кремния и-типа в травителе, состоящем из этилендиамина, пирокатехина и воды, Тра1244512 Тираж 778 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5.Производственно-полиграфическое предприятие, г....

Номер патента: 1198398

Опубликовано: 15.12.1985

Авторы: Алексеев, Базжин, Кучеренко, Хряковский, Цывин

МПК: G01L 1/22

Метки: датчик, силы, тензорезисторный

...электрическии сигнал,прямопропорциональный действующемуна датчик усилию Р . По величиневыходного электрического сигналасудят о величине измеряемого усилия Г,Изобретение относится к контроль-но-измерительной технике, а именно к устройствам для измерения усилий,Целью изобретения является повышение, точности измерения за счет уменьшения температурных дрейфов нуля и чувствительности.На чертеже показана конструкция тенэорезисторного датчика силы, общий вид.Тензореаисторный датчик силы содержит упругий элемент 1 в форме балочного параллелограмма с жесткими опорами 2 и соединенные по мостово й схеме и выполненные из одного материала первый б, второй Й, третий К четвертый б тензорезисторы с звыводными проводниками в виде шин Э-Ь,...

Номер патента: 1157346

Опубликовано: 23.05.1985

Авторы: Зверев, Кузнецов, Лепорский, Парфенов, Цывин

МПК: G01B 7/16, G01R 17/10

Метки: датчик, тензорезисторный

...а выход 13 - с вершинами измерительной диагонали четырехплечего тензорезисторного моста.Устройство работает следующим образом, 40При отсутствии воздействия измеряемой величины и подаче питания на вход 12 сигнал раэбаланса мостовой схемы определяется величиной разброса номиналов сопротивлений тензорезисторов 1-4. Для сигнала управляемого источника 11 напряжения, равного нулю, сопротивления каналов сопротивления между истоком и стокомполевых транзисторов 9 и 10 одинако вы при постоянной и изменяющейся температурах и на выходе 13 сигнал определяется только разбросом сопротивления тензорезисторов 1-4, При по- даче сигнала заданной полярности на затворы полевых транзисторов 9 и 10 происходит изменение сопротивлений каналов в противоположные...

Номер патента: 1118876

Опубликовано: 15.10.1984

Авторы: Базжин, Лифанов, Цывин, Шкварников

МПК: G01L 1/22

Метки: датчиков, силы, тензорезисторных

...датчиков силы, включающему операции по обработке загото вок упругих элементов и наклейке тен"зорезисторов на рабочие поверхностиупругих элемертов, заготовки упругихэлементов по базовым поверхностямсобирают в единый блок, проводят его 55обработку, затем иэготавляивают наобщей подложке из одного листа фольгиматрицу мостов тенэорезисторов с ша"д 76 1гом, равным толщине упругого элемента .и наклеивают матрицу на рабоую поверхность блока, после чего разде-. ляют блок на отдельные элементы.На фиг. 1 изображен единый блок заготовки упругих элементов с расположенными на нем мостами тензореэисторов; на фиг, 2 - матрцца мостов тензорезисторов на общей подложке; нафиг. 3 - отдельный готовый датчик силы.В процессе изготовления...

Номер патента: 1116303

Опубликовано: 30.09.1984

Авторы: Базжин, Кузнецов, Парфенов, Цывин, Шендюк

МПК: G01B 7/16

Метки: балансировки, замкнутого, моста, тензорезисторного

...поперечных размеров, в соответствии скоторым регулирование прекращают когда напряжение разбаланса в измеритель.кой диагонали моста равно нулю 23Недостатком известного способа является то, что не достигаетс симметрия мостовой схемы, это снижает точность балансировки.Цель изобретения - повышение точ 35ности балансировки монолитных мостовпутем достижения симметрии мостовойсхемы.Указанная цель достигается тем,что согласно способу балансировки 4 Озамкнутого тензорезисторного моста,заключающемуся в том, что регулируютсопротивления тенэорезисторов мостапутем изменения их поперечных размеров, измеряют сопротивления тензореэисторов до балансировки, выбираюттенэорезистор с экстремальным сопротивлением и поочередно регулируютсопротивления...

Номер патента: 1068747

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Аверьянова, Горохов, Мурашов, Парфенов, Цывин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик, полупроводниковый

...температурного коэффициента сопротивления резисторов.Цель изобретения - повышение точности из-.40мерсний за счет снижения температурной погрешности.Указанная цель достигается тем, что в полупроводниковом датчике давления, содержащем установленный в корпусе полупроводниковый чувствительный элемент в виде мембраны, ца одной стороне которож размещена тензочувствительная схема в виде моста тензорезисторов с контактными площадками и слойзащитного диэлектрика, нанесенным на тензочувствительную схему, слой защитного диэлектрика покрыт по меньшей мере двумяслоямц металлических пленок, имеющих форму круга, причем слои выполнены из различного материала и перекрывают мост тензореэцсторов.При этом в датчике на наружный слой плеиок по меньшей...

Номер патента: 1013155

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Зверев, Кузнецов, Мурашов, Петрова, Цывин

МПК: B23K 1/20

Метки: корпусами, кристаллов, пайки, полупроводниковых, приборов

...толщине слой стекла, который вдальнейшем выполняет роль припояпри соединении кристалла с основанием корпуса.. Процесс изготовления слоя стеклав этом случае прост, технологичен,универсален, исключает отходы, егопродолжительность не превышает 1020 с и определяется толщиной слоя,концентрацией суспензии и напряжением на электродах,На чертеже показана электро-химическая ячейка для нанесения слоястекла на пластине полупроводника,снабженного сильнолегированным слоем р+ или и+ типа./П р и м е р. В процессе изготовления. структур на пластине 1 из кремния и+ типа с р =7,5 Ом см на обРатной стороне одним из известных методов (диффузия, ионное легирование)создают сильнолегированный слой 2 р+типа с поверхностной концентрациейй =1101...

Номер патента: 1002184

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Котцов, Цывин, Чебыкин, Шмаков

МПК: B65B 1/12

Метки: материалом, мешков, наполнения, сыпучим

...материалом, вертикальный разрез; на фиг. 2 -то же, вид сбоку,:Устройство включает корпус 1, установленный на реме 2 и снайкенный патрубком 3 для приема материала, который служит направляющей для втулки 4с установленным на нем мешкодержагелем 5, Втулка подвешена на цепях, 6, 20концы которых прикреплены к звездочкам 7 вала 8, На этом же валу закреплен шкив ленточного тормоза 9 и надвух колесах 10 переменного радиусаподвешен груз 11. 2Внутри патрубка на валу 12 установлен одноэвходный шнек 13,Шнек снабркен закрепленным на еговалу уплотнителем, выполненным в видедвухзаходного шнека 14, витки которого З 0укреплены с зазором по отношению к витакам подающего шнека,Витки подающего шнека и шнека уплотнителя имеют постоянный шаг.Во втулке 4...

Номер патента: 994937

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Годзиковский, Зверев, Кузнецов, Лепорский, Парфенов, Цывин

МПК: G01L 1/22

Метки: датчик, силы, тензорезисторный

...датчик позволяет за счет расположения моста тензорезисторов на боковой поверхности упругого элемента и выполнения мостатензорезисторов в форме замкнутойрамки значительно упростить техноло.гию изготовления датчиков и использовать групповые методы, Групповые методы изготовления позволяют повыситькачество, воспроизводимость метрологических характеристик и надежностьдатчиков,Формула изобретенияТензорезисторный датчик силы, со-держащий упругий элемент, выполненный в виде двух жестко соединенныхпо концам балок, на поверхностях которых расположен мост тензорезисторов, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью упрощения технологии изготовления, мост тензорезисторов выполнен в форме замкнутой рамки и расположен на бокОвой...

Номер патента: 993009

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Андронов, Конева, Лепорский, Петрова, Цывин

МПК: G01B 7/16

Метки: тензорезисторов, фольговых

...диэлектрикаи изготовлении выводов, в качестве,циэлектрика используют ситаллоцементтензорезистивную Фольгу перед соединением защищают бт окисления ситал,лоцементом того же химического состава, что и для,изоляции тенэорезисторов от основы, соединяют тенэорезистивную фольгу с основой при температуре кристаллизации ситаллоцемента, удаляют защитное покрытие игерметизируют открытые поверхноститензорезисторов слоем ситаллоцемента того же химического состава. 25На чертеже показана последовательность основных технологическихопераций предлагаемого способа.Способ осуществляют следующимобразом. 30На одну из сторон металлическойосновы 1, например из сплава НМ 23 ХЮтолщиной 100 мкм, наноаят электрофоретическим способом слой 2 ситаллоцемента...

Номер патента: 972280

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Косичкин, Кузнецов, Лепорский, Парфенов, Худышев, Цывин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчика, мембранного, чувствительный, элемент

...проводимости, а переход меж972280 Формула изобретения ВНИИПИ филиал П аказ 7669/29 Тира Патент, г. Ужгор Подписно Проектна ду ними зашунтирован введенными в устройство омическими контактами.На фиг. 1 изображен чувствительный элемент мембранного датчика давления; на фиг. 2 - увеличенное изображение контактных площадок.Чувствительный элемент мембранного датчика давления содержит центральные тензорезисторы 1, прилегающие к ним части контактных площадок 2, например из р-типа проводимости и крайние тензорезисторы 3 и прилегающие к ним части контактных площадок 2 и-типа проводимости, изготовленные из одного кристалла полупроводника, например, кремния, в форме вытянутой рамки, лежащей, например в плоскости изотропии, и омические контакты 4,...

Номер патента: 855384

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Парфенов, Цывин

МПК: G01B 7/16, G01R 17/06, G01R 17/10 ...

Метки: тензопреобразователь

.... Еслина упругий элемент датчика 1 не действуетмеханическое усилие, сопротивления тензорезисторов моста имеют приближенно равные значения. Разница в значениях сопротивления тензореэисторов выравниваетсяизменением дополнительного резистора 4или 5 до получения нулевого сигнала навыходе моста на тензореэисторах. Когда резисторные делители 2 и 3 состоят из равныхсопротивлений, изменение сигнала минимальное и определяется величиной разброса резисторов плеча монолитных мостов тензорезисторов датчика 1 деформации. В случае, когда сопротивления не равны, то Из.менением дополнительного резистор 4или 5 компенсируют начальный разбалансмостовой схемы одного или другого, знака.Неравенство сопротивлений резисторов делителей 2 и 3 достигается тем, что...

Номер патента: 815479

Опубликовано: 23.03.1981

Авторы: Аверьянова, Базжин, Зверев, Петрова, Плеханов, Цывин

МПК: G01B 7/16

Метки: металлическойоснове, фольговыхтензорезисторов

...х зисторов при в и упрощение те ния. 1 2указанная цель досчто на металлическую5 калиброванный по толщла, укладывают на негную фольгу, соединяютботки под давлением пплавления стекла и, п0 цирования и травлениянаружную поверхность Рров слоем стекла.Сущность способа заключается втом, что на одну из сторон металлической основы, например иэ сплава Х 18 Н 9 Т толщиной 50-150 мкм наносят электрофоретическим или другим спо:обом слой стекла толщиной 10-15 мкм и размером зерна 0,5-1,0 мкм, уклады вают на слой стекла тенэореэистивную815479 Составитель В, ПискаревРедактор О. Малец Техред А,Бабинец Корректор Л.Иван Заказ 1011/66 тираж 642 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская...