B01J 17/08 — B01J 17/08

Номер патента: 445463

Опубликовано: 05.10.1974

Авторы: Горбачева, Киргинцев

МПК: B01J 17/08

Метки: выращивания, монокристаллов

...нальном требуемому числу проходами зоны, Верхний конец контейнера остается незаполненным. После сообщения контейнеру вращения вокруг продольной оси осущесгзляют зонную плавку при перемещении зоны сверху вниз, в результате чего слиток перемещается в припо днятую часть контейнера и после заданного числа проходов выращивается в ниде моноиристалла любым известным методом,Таким образом в одном и том же контейнере можно очистить и вырастить монокристаллы сохраняя герметичность контейнера на протяжении всей работы с веществом.Прр, В стекюпвнй цилиюический юйтейнер диаметром 2 мм, длиной 400 мм вносят олово инока 037-000.Длина загрузки ЖЙ мм. Контент закрепляют в жтановке. имеющей наклон к445463 ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ составитель И,1...

Номер патента: 487664

Опубликовано: 15.10.1975

Авторы: Аникин, Кукуй, Наройчик, Неймарк, Пульнер

МПК: B01J 17/08

Метки: бестигельной, зонной, индукционной, плавки, процесса, режимом, тепловым

...которому управляют диапазоном пластичности монокристалла в зависимости от девиации частоты генератора воздействием на могцность подогревающего индуктора.На чертеже представлена схема реализации способа,Схема состоит из высокочастотного генератора 1 частотного дискриминатора 2, сумматора 3, регулятора 4, задатчика 5, программирующего блока 6, плавильного нндуктора 7, подогревающего индуктора 8. Способ осуществляют следующим образом.Отклонение частоты колебательного контура генератора 1 от номинальной выделяется частотным дискриминатором 2. Напряжение, 5 пропорциональное величине этого отклонениячастоты, через сумматор 3 поступает на регулятор 4. Задатчиком 5 и программирующим блоком 6 изменяется мощность на подогревающем индукторе 8 до...

Номер патента: 512791

Опубликовано: 05.05.1976

Авторы: Агранат, Афанасьев, Миловидов, Озеренская, Стамов, Эскин, Юркевич

МПК: B01J 17/08

Метки: веществ, зонной, плавкой

...полупроводников зон кой.Известен способ очистки веществ зонной плавкой, в процессе которого кристаллизуемой части слитка сообщают ультразвуковые колебания продольные или под прямым углом к направлению перемещения расплавленной зоны, Однако при этом содержание примесей неравномерно меняется подлине очишаемого слитка, так как в последнем образуются стоячие волны,Цель изобретения - повышение степении равномерности очистки по длине слитка,Предлагаемый способ отличается тем,что слитку очишаемого вещества ультразвуковые колебания сообщают под тупым угломк иаправпению перемешения эоны, Целесообразным является сообщение колебаний подуглом 135-165 о к направлению перемещения зоны,П р и м е р 1. Слиток алюминия маркиА 99 с содержанием железа 6...

Номер патента: 525466

Опубликовано: 25.08.1976

Авторы: Гриднев, Кирьянов, Копейкин, Липавская, Раяк, Скляров, Степанов, Шарыгин, Шекалов

МПК: B01J 17/08

Метки: зонной, плавки

...кривизны, имеющиесоответственно меньшие линейные скоростивращения, будут находиться в электромагнитном поле меньшей напряженности,На фиг, 1 изображено описываемое устройство, общий вид; на фиг, 2 - разрезА-А на фиг, 1; .на фиг, 3 - разрез Б-Б нафиг. 2.О Устройство содержит рабочую камеру 1,укрепленную на станине 2. В камеру 1 черезуплотнение введен водоохлаждаемый шток 3,соединенный с валом привода вращения, расположенного вне камеры и не показанногона чертеже, Обрабатываемый слиток 4 помещен в немагнитный контейнер 5, выполненный в виде незамкнутого кольна, и установлен на держателе 6. Держатель 6 и контейнер 5 эксцентрично укреплены на водоохлаждаемом штоке 3 так,. что шток 3 встроен в торец контейнера 5. Индуктор 7, выполненный В виде...

Номер патента: 562308

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Вигдорович, Неймарк, Ухлинов

МПК: B01J 17/08

Метки: зонной, плавки

...устройство схематически изображено на чертеже. Индуктор 1 состоит пз кольца 2, являющегося плавильным, Его располагают внутри рабочей камеры 3 в обхват загрузки 4. Кольцо б является управляющим. Его располагают вне рабочей хамеры. Перемычка между кольцами проходит через стенку камеры. Проходные отверстия,соответствующим образом герметизируют. Вдоль оси рабочей камеры устанавливают несколько таких налрввательных элементов на,расстоянии, не превышающем требуемой длинны зоны. Движение расплавленной зоны осуществляют с помощью сердечника б, расположенного с возмоиностью перемещения по оси управляющих аголец,Устройство работает слелующим образом, Нагревательные элементы, подключаются лараллельно к общему конту 1 ру генератора. Когда...

Номер патента: 569320

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Багдасаров, Лубе

МПК: B01J 17/08

Метки: кристаллизации, положения, фронта

...при малом кон расте яркостей излучения, особенно в случае кристаллизации прозрачных материалов, а также при высоком Фоновом излучении нагревателя сопротивления ро ордена Трудовоголографии им, А,В.Вубникова569320 Формула изобретения 947 Подписно Заказ 2888 и И Проектная, 4 ал ППППатент", г. Ужгород установкой фотоприемника Э, После на-,стройки и Фиксации угловых положенийисточник и приемник совместно переме-,щают вдоль направления крйсталлиэации.При переходе падающего луча с поверхности расплава на поверхность кристалла 4 отраженный луч отклоняется отвходного окВа приемника, что вызываеткрутой спад электрического сигнала наего выходе цо нулевого уровня, В этотмомент по линейной координате источника света определяют ц фронта...

Номер патента: 276921

Опубликовано: 25.11.1977

Авторы: Багдасаров, Ильин, Старостин

МПК: B01J 17/08

Метки: выращивания, монокристаллов

...чертеже изображено описываемое И ,устройство, общий вид. устройство имеет кристаллизациониую камеру 1, в полости которой установлен нагреватель 2, шлюзовой от- з 0 сек 3, расположенный на поворотной каретке 4, к систему откачки 5, соеди" ненную с камерой и отсеком.отдельными линиями б и 7. В корпус камеры встроен вакуумный затвор 8. ИЛодочку 9 с исходньи материалом помещают в отсек 10 камеры, после чего в нвй создают. заданные температурные условия и давление. Выращивание осуществляют перемещением лодочки через 80 крис таллиэационную камеру в шлюзовой отсек.Шлиэовой отсек отделяют от камеры прн помощи вакуумного затвора и после охлаждения лодочки отсоединяют от камеры. Лодочку с выращенным моно" кристаллом извлекают иэ отсека, в отсек...

Номер патента: 283188

Опубликовано: 25.11.1977

Авторы: Багдасаров, Ильин, Седаков, Федоров, Хаимов-Мальков

МПК: B01J 17/08

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...без дополнительного отжима. б 10 ормула изобретен Способ выращивания монокристалло гоплавких окислов направленной кр ллиэацией расплава в молибденовом Изобретение может быть использовано преимущественно для получения монокристаллических пластин корунда.Известен способ выращивания монокристаллов тугоплавких окислов направленной кристаллизацией расплава в молибденовом контейнере,Предложенный способ отличается осуществлением зонной плавки в лодочке вусловиях остаточного дазвления газовойсреды над расплавом 10 , - 5 10ммрт .ст. при соотношении поверхности иобъема расплава не менее 1 -см", скорости перемещения фронта кристаллизации 8-10 мм/ч и осевом температурномградиенте на фронте кристаллизации неболев 1 ф С/мм.Проведение...

Номер патента: 649299

Опубликовано: 25.02.1979

Автор: Дитер

МПК: B01J 17/08

Метки: бестигельной, выращивания, зонной, кристаллов, плавке, процессом

...1 Л1 3 с 1 Т ( ) 1) 1 Ь С Ь 5 1: 3 с1 1 Г 1 3 1) 1 Р 5 1 ;) 1 1 1 вт с.с 1, 0 с) Р с зм 51 с. 113 и Г Р и т(.,1 ь ы )1 т Р с и с( ) 01) .Мс 1 ТОР 03) КОИТР (1 ДС)И 1 ИЗЗ 1(ИИ Л(йСТВМ 10 ИССгс) тока ИИЛМггорд.ДСТС)1111 Й:3 с 1 лс 1 Т 1 К 1 ),111 с 11 ГТРс 3Т 1,1,1 с 1 СС,ВИСИ (. (СвфрБЫМ Чс 1 СТОТО(1 еро)3 1 ски 1)ифроднд 1010 ББ 1 м иреобрдЗОВ;11(и."1 19,с) б р я 3 ( 53 к 01 ", ) с т а О и г и 3 д 1111 и л и д (1 Г 1 1) с 1 к 1)сталл д.Устройство работает .лелуюиим ор;:3 м,ИЗ 1 ГИ(.3 ИС ЛИДМСТРс 1 КРИСТс 1 ЛЯ 1 В 3 ВД(.Г3 С 1 СЛСТВ 31 Г ИЗМ(НСНИ 51 И нлмк ГИБНОИ (Б 513 Имежлу прутком 3 и инлуктором 2 левид(ию1 ДСТОТЬ И ИЛ)КТОРНОП) ТОКД, КОТОР 151 И 31 Ср 5 Гтсв трснсфор 1 яторОм1, нос ) и 1 Г) и 11 ДСТОТОМСР 18 СРЯВНИБс 1 СТС 53 С ДС 1...

Номер патента: 599403

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Максимов, Сиваков, Туровский, Шендерович, Шубский

МПК: B01J 17/08

Метки: выращиваемого, диаметра, кристалла, расплава

...фильтр 4, Фотоприемник 5, соединенный с формирователем 2 сигнала,который подсоединен к регулятору 6диаметра. Система содержит также регулятор 7 перемещения скорости кристалла, связанный с электроприводом58, датчик 9 температуры, регулятор10 температуры, соединенный с блоком11 управления мощностью нагревателя,регулятор 12 перемещения тигля, связанный с электроприводом 13, вычислитель 14, подключенный на вход регулятора 12, водоохлажденную камеру 15,тигель 16, нагреватель 17, электроприводы 18 выращивания кристалла и тигель 19.После расплавления материала и раз ращивания конусной части кристалла20 оператором осуществляется выход ина заданный диаметр, который сопровождается возникновением световогокольца вокруг. кристалла. На световое...