Ковьев

Номер патента: 1141321

Опубликовано: 23.02.1985

Авторы: Дейген, Ковьев, Миренский, Семилетов

МПК: G01N 23/207

Метки: рентгеновский, спектрометр

...спектрометр,содержит источник 1 излучения, представляющий собой рентгеновскую отпаянную трубку БСВ, БСВс системой настройки и механизмом поворота трубки относительно оси вращения О, крис. - талла-монохроматора 2 с гониометрической головкой.Наиболее близким к изобретению по З технической сущности и достигаемому эффекту является рентгеновский спектрометр, содержащий расположенные иа общем основании источник излучения, коллиматор, кристалл-монохрома тор и кристалл-анализатор, держатель исследуемого кристалла и детектор, выполненные с возможностью вращения относительно оси главного гониометра и детектор излучения ь 21.1Недостатком известных устройств является невозможность применениярентгенооптических схем при исследовании дифракции в...

Номер патента: 1040388

Опубликовано: 07.09.1983

Авторы: Головченко, Ефанов, Ковьев, Лютцау, Миренский, Чуховский

МПК: G01N 23/207

Метки: рентгеновской, топографии

...массовогопроизводства не представляется воз"можным или сопряжено со значительнымитехничеСкими трудностями.Цель изобретения - повышение пространственного разрешения топографического изображения и контрастнойчуй:твительности устройства.Поставленная цель Яостигается тем,что в устройстве для рентгеновскойтопографии, содержащем микрофокусныйисточник рентгеновского излучения сосредствами линейного перемещения Фокусного пятна, гониометр с механизмом линейного перемещения образца идетектор, перед детектором введенкристалл-анализатор, размещенный так,что отражающие его плоскости перпендикулярны направлению перемещенияфокусного пятна.Введение кристалл-анализатора перед детектором позволяет практическиисключить рассеянное и...

Номер патента: 828041

Опубликовано: 07.05.1981

Авторы: Имамов, Ковальчук, Ковьев

МПК: G01N 23/207

Метки: периода, решеткимонокристаллов

...пучки, производят поворот эталонного монокристалла и регистрируют угловые положения экстремумов в распределении интенсивности рентгеновского излучения при дифракции первичного и дифрагированного исследуемым монокристаллом пучков на эталонном монокристалле, производят разделение первичного монохроматического пучка на две части с помощью выреза в эталонном монокристалле, захватывающего часть сечения первичного пучка,Сущность изобретения поясняется чертежом.Рентгеновский пучок от источника излучения монохроматизируют путем отражения от кристалл-монохроматора 1 и направляют на исследуемый монокристалл 2. При этом эталонный монокристалл 3 с вырезом 4 расположен так, что рентгеновские лучи, отраженные монохроматором 1, прежде, чем попасть на...

Номер патента: 817553

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Афанасьев, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Миренский, Семилетов, Шилин

МПК: G01N 23/207

Метки: длясинхротронного, излучения, источника, рентгеновский, спектрометр

...Вал 1 закреплен в опоре подвижной каретки б, установленной на направляющих 7, параллельных падающему на кристалл монохроматор 2 пучку.Вал 3 установлен в механизме поворота 8 в небольшом угловом интервале, а каретка б с валом 1 снабжена винтовым механизмом 9 для линейного перемещения по направляющим 7 вдоль направления падающего пучка. При линейном перемещении происходит одновременный поворот вала 1 с кристалломмонохроматором 2 на заданный угол. На каретке б коаксиально валу 1 укреплена цилиндрическая шестерня (или сектор) 10, жестко связанная с рычагом 11, другой конец которого свободно проходит через вращающуюся опору 12, выполненную на вале 3. На свободном конце рычага 11 укреплен детектор излучения 13, служащий для юстнровки...

Номер патента: 805419

Опубликовано: 15.02.1981

Авторы: Болдырев, Буйко, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Лобанович, Миренский, Шилин

МПК: G21K 1/06

Метки: излучения, монохромато-pa, рентгеновского

....содержит две параллельныемонокристаллические пластины, установленные на общем основании 2 1,Недостатком такого монохроматораявляется то, что он позволяет проводить измерение в весьма ограниченномдиапазоне длин волн и порядков отражения,Цель изобретения - расширениефункциональных возможностей изготавливаемых монохроматоров.Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления монохроматора рентгеновского излучейия, заключающемся в формировании из одной монокристаллической пластины щели с параллельными стенками, исходную пластину закрепляют на параллельных опорных поверхностях по обеим сторонам пластины таким образом, что части поверхности и:;астины, обратные по отношению к частям ее поверхности, закрепленным на опорных...

Номер патента: 800836

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Афанасьев, Болдырев, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Лобанович, Миренский, Семиошкина, Смирнов, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристалли-ческих, слоев, совер-шенства, структуры

...эмиссии в виде газонаполненной камеры 4 снаходящимся в ней держателем образца,установленной на гониометрической головке главного гониометра 5, и детектор 6 дифрагированного образцом излучения.Камера 4 представляет собой объем 7,внутри которого расположены держательс образцом 8, нитевые электроды 9 и10. Держатель с образцом с помощьюустройства 11 может перемещаться относительно электродов. Камера такжеимеет два штуцера 12, служащих цляввода и вывода газовой смеси, наполняющей объем, и два окна 13, прозрачныхдля рентгеновских лучей, Напряжениеподается на держатель с образцом и одиниз электродов 9 или 10, что соответствует исслецованию образца при брэгговской или лауэвской дифракции (на просвет). Предварительно коллимированное и...

Номер патента: 763751

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Афанасьев, Болдырев, Буйко, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Кон, Лобанович

МПК: G01N 23/207

Метки: монокристалла, поверхностного, полупроводникового, слоя

...того, кривые дифракционных отражений от исследуемой и ненарушенной поверхности монокристалла получают с помощью поляризованных пучков рентгеновского излучения.и Чтобы пояснить физическую сущностьпредлагаемого способа, рассмотрим модель,описывающую дифракию на тонких кристаллических слоях. Кристалл (подложка)представляет собой плоскопараллельнуюплаСтину с идеальной кристаллической решеткой, на поверхности которой находитсянарушенный слой толщиной 1, При этомслой считается слабо отражающим. Этосправедливо при условии, когда толщина слоя 1.н меньше экстракционнойзь длины кристалла Еэ, которая в геометрии Брэгга зависит от порядка отраженияи величины структурной амплитуды. Рассеяние в такой ситуации описывается кинетической теорией....

Номер патента: 584234

Опубликовано: 15.12.1977

Авторы: Батурин, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Палапис, Семилетов, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, параметров, реализации, решетки

...эталонный кристалл 2. От второго источника 3 рентгеновские лучи также попадают на эталонный кристалл. Отраженные лучи с углом раствора 2 фокусируются на исследуемый монокристалл 4 (например,;на эпитаксиальную пленку), угол дифракции которогоив не равен углу дифракции эталонного кристалла в Ф в . Вращение исследуемого кристалла вокруг вертикальной оси приводит к последовательному отражению лучей 1 и 11. Через прорези 5 в эталонном монокристалле можно пропустить вторичные кванты и фотоэлектроны, возбуждаемые в исследуемом кристалле, в регистрирующую систему 6 (вторично-электронный умножитель, электронный спектрометр, рентгеновский датчик). Вся система находится в вакуумной камере (не показана) и источники излучения 1 и 3 установлены...

Номер патента: 543858

Опубликовано: 25.01.1977

Авторы: Батурин, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Миренский, Палапис, Семилетов, Шилин

МПК: G01N 23/22

Метки: исследования, кристаллов, совершенства, структуры

...рентгеновских лучей 13, механизм 14 для поворота счетчика излучения 5 относительно осиглавного гониометра 6,25На чертеже обозначено:м0 - ось вращения кристалл-монохроматора;О - ось вращения главного гониометра0-0 - оптическая ось спектрометра;- рентгеновские кванты первичногоизлученияЙ - кванты флуоресцентного излучения;Е - электроны внешней фотоэммиссии,Устройство рабоает следующим образом.Рентгеновские лучи от источника 3 огра-З 5ничиваются по расходимости коллиматором 4,кристалл-монохрома 1 ором 1 и падают подуглом дифракции Ч для выбранной системы кристаллографических плоскостей на исследуемый кристалл 2. Кристалл располо Ожен в геометрии Брагг-дифракции. Дифрагированные им лучи регистрируются счетчиком излучения 5,...

Номер патента: 534677

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Батурин, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Палапис, Семилетов, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структуры

...в положении Брэгг-дифракции.Дифрагированные им лучи регистрируются4 Ьсчетчиком излучения 5. Часть рентгеновского излучения, поглощенная кристаллом, вызывает фотоэмиссию электронов, которые выходят из кристалла с определенной кинетичесЯкой энергией,Процесс поглощения рентгеновского кван( Ста энергией п - ( Я - постоянная Планка, с - скорость света, Л - длина волныпадающего излучения) носит локальный характер. Образовавшиеся фотоэлектроны, распространяющиеся по поверхности кристалла,по мере своего движения взаимодействуют сэлектронами атомов решетки кристалла. Врезультате неупругого рассеяния часть элект 9 ронов полностью теряет свою кинетическую энергию и поглощается. Покидают кристалл только электроны, вылетающие с определенной...

Номер патента: 522458

Опубликовано: 25.07.1976

Авторы: Имамов, Ковальчук, Ковьев, Семилетов, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: рентгеновский, спектрометр, трехкристальный

...на первьй кристалл 1, который поворотом вокрут своей оси вращения О, а также поворо том источника 4 рентгеновского излучения на 2 У выводится в отражающее положение так, что отраженньй от нее луч идет вдоль направляющей 8 и регистрируется счетчиком 6, Затем поворачивают с помощью механизма совместного поворота источника рентгеновского излучения и первого кристалла-монохроматора луч, отраженньй этим кристаллом так, чтобы он проходил через2ось О второго кристалла-монохроматора 2, расположенную на направляющей 9, После этого второи кристалл-монохроматоп 2 поворотом вокруггоси 0 (около значения М Б ) устанавливается в отражающее положение, при этом отраженный от него луч фиксируется счетчиком излучения 6,3,6находящимся на оси 0исследуемого...

Номер патента: 487338

Опубликовано: 05.10.1975

Авторы: Ковальчук, Ковьев, Миренский, Пинскер, Фокин, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: рентгеновский, спектрометр

...дополнительного кристалла.На чертеже показан предложенный спектрометр с раздельными осями поворота основного и дополнительного кристаллов-монохроматоров,Кристаллы-монохроматоры 1 и 2 и кристалл-анализатор 3 расположены таким образом, чтобы дифрагированный кристалломмонохроматором 2 пучок проходил через кристалл-анализатор 3; затем отражался от кристалла-моцохроматора 1 и в центре гониометра 4 попадал на поверхность кристаллаанализатора 3. Для этого предусмотрены механизм поворота 5 источника рентгеновского излучения 6, механизм поворота 7 кристалламонохроматора 1, коллпматор 8, размещенный 5 на плите 9, снабженной механизмом лшейного перемещения 1 О относительно главного гониометра 4.Спектромстр работает следующим...

Номер патента: 463045

Опубликовано: 05.03.1975

Авторы: Ковальчук, Ковьев, Миренский, Пинскер, Фокин, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: рентгеновский, спектрометр

...когда отраженный от оси кристалла-моцохроматора 3 луч проходит через ось О гоциометра 10, При враще нии кристалла-анализатора 5 в определенном угловом интервале вокруг оси О гониометра 10 счетчиком 7 измеряется кривая дифракционного отражения 12.Переход нд другис значения углов дифрдк ции ха 1)ате 1 зистцчсс 01 о и сплоцгцоо сцс 1 т 1 здосуществляется поворотом 1 ристалла-моцохроматорд 3 и псрпсндикмлярным смещением его отцосителыго направления цадд 1 огцих рентгеновских лучей, выходящих из коллцмдто 30 ра 2. Посколыу осц кристалла-монохромдтоРедактор кая Изд Лв 531 сударственноко комитета 1 о делам зобретенииказ 13877 Ц 1.111 И П И Г пиен Тирад 902 Совета Чинистр открытий иао, д чо131:иирайии, ир Саииоа, 2 ра 3 и...

Номер патента: 441487

Опубликовано: 30.08.1974

Авторы: Ковьев, Фокин

МПК: G01N 23/20

Метки: дифракции, монокристаллов, углов

...кристаллом пучки,производят колебания эталонногокристалла и измеряют угол междуего положенивщ, в которых имеютместо минивумы йнтенсивности диафрагированного исследуемым кристаллом чка,чертеже приведена оптическая схема, иллюстрирующая предлагаемый способ.Исследуемый присМлл 1 устанавливают в отражающее положение.Эталонный кристалл 2, углы дифракции которого известнй с большоиточностью и который слабо поглощает рентгеновские лучи, установлентаким образом, чтобы йервичный 3и дифрагировайный 4 пучки проходили через него. Затем производятколебания эталонного кристалла 2,причем он последовательно попадает, в оттижаюшие положения по отноше -3441487нию к первичному 3 и дифрагирован" в том-,"что опредбляют угловое сменому 4 исследуемым...