Способ эталонного измерения параметров решетки монокристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 468139
Автор: Генкин
Текст
О П И С А Н И Е (11) 4681 э 9ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистимеских РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТВЛЬСТВУ 61) Дополнительное к авт. свид-ву 2) Заявлено 24.07.73 (21) 1948044/26-25 (51) М. К явкн%присоединенн 1 тт 23/ осударственнын комитетСовета Министров СССРпа делам изобретенийи открытийписания 22,04,75 ата опублнковани 2) Автор изобретения М, Генк орьковский исследовательский физико-технический институт Горьковско государственного -университета им. Н, И. Лобачевского1) Заявитель 54) СПОСОБ ЭТАЛОННОГО ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРМОНО КРИСТАЛЛОВ ШЕ схема хода лучей в кристаллическойму способу. На чертеже приведе ри измерении параметрешетки по предложенн тур точника Я рентгецовся от кристалл-монохи сходятся на прове сходящие из звестен спос еления эталонного о ские лу чи отражаютвК,К,К2 3участке исс методу маторо ряемом лаК о онокристал- гистрируюттерн зурения ражаясь от которого рторами Д Л й2 3 я дет Целью изобрчности измер етения является повышение ний.выбранной точке исследуеодновременно форентгеновских п ля этого го кристалла менее двух кусируют учков под личным глами, соотверэгговским уг тствую рот исгол межлам, произво сталла и изм следуемого крду его отражаю яют лож Кроме того фокусируют пуч щими различнь одной системы стэй, на исследуемый кристалли под углами, соответствуюм порядкам отражения отристаллографических плоскоПроцесс дифракт следующим образомии осуществля зобретение относится к рентгенострукому анализу, в частности к эталоннымдам определения параметров элементарячеек кристаллических решеток. параметров элементарных ячеек идвухкристального спектрометра.Однако известный способ харакется недостаточной точностью измизменений брэгговских углов. Используя преддоженный способ рентгеновского монокристального спектрометра, регистрируют отражения различных систем атомных плоскостей исследуемого кристалла, принадлежащих к зоне, ось которой совмещена с осью поворота исследуемого кристалла при дифрактометрировании ( см. на чертеже расположение кристалл-монохроматоров К и К ) и регистрируют различные1 3порядки отражения от данных систем атомных плоскостей (см, на чертеже расположение кристалл-монохроматоров К и К1 2468139 Заказ Изд. М /ОЯ Тираж 902 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская наб., 4 Предприятие Патент, Москва, Г, Бережковская наб 24 ФКМП Зак. 13747 Тир.802 Составитель К,Кононов РедакторА 3 ннй Техред И КнрщдащовфоРРектор ЛаКОтОнн
СмотретьЗаявка
1948044, 24.07.1973
ГОРЬКОВСКИЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ГОРЬКОВСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМ. Н. И. ЛОБАЧЕВСКОГО
ГЕНКИН ВИЛЕН МОИСЕЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 23/20
Метки: монокристаллов, параметров, решетки, эталонного
Опубликовано: 25.04.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-468139-sposob-ehtalonnogo-izmereniya-parametrov-reshetki-monokristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ эталонного измерения параметров решетки монокристаллов</a>
Предыдущий патент: Дифференциальный рефрактометр
Следующий патент: Устройство для определения содержания углерода в расплаве
Случайный патент: Каркас здания