Способ измерения углов дифракции монокристаллов

Номер патента: 1291856

Опубликовано: 23.02.1987

Авторы: Лудвиг, Ортруд

МПК: G01N 23/20

Метки: кривизны, кристаллов, радиуса

...для исследования несложного устройства, предъявляющего незначительные требования к юстировке, а также простота измерений, оценки результатов, Так как для испытания всего кристалла достаточно построение одной кривой качания, скорость измерения высока, При подборе подходящих эталонных кристаллов возможно высокопроизводительное серийное испытание. Аппаратурные требования по Сравнению с известными двухкристальными дифракционными устройствами незначительны, так как испытание осуществляется только с .точностью до угловых минут (а не угловых секунд). Кривая качания неизогнутого и немозаичного (идеального кристалла) имеет ширину10,1-0,5 . Это осуществляется за счет1291856 применения пучка, расходящегося ввертикальной плоскости, что...

Номер патента: 1610415

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Квавадзе, Надарейшвили

МПК: G01N 25/20

Метки: исследуемого, образца, разностей, теплоемкостей, эталона

...регулирования, датчиком которой является термобатарея, а нагрузками - нагреватели адиабатических экранов кало".5 риметра. Это обеспечивает адиабатные условия дифференциальных ячеек в ходе всего процесса, Если теплоемкости образцаи эталона отличаются на неко- торую величину С, то во время нагре ва возникает разность температур ЕТ(г) между ячейками, как Функция времени, по которой определяют количество тепла Щ, перешедшее из одной ячейки в другую, Так как в начале и в конце 15 нагрева разность температур между ячейк ами р авиа нулю ( сист ема находится в тепловом равновесии), то,ЬС = = 2 ЛЯЙТ, так как й 0 Я, где (гчувствительность калориметра при температуре Т = (Т+ Т ) /2, то разность теплоемкостей образца и эталона может быть равна...

Номер патента: 1057823

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Коган, Шехтман

МПК: G01N 23/20

Метки: локальных, монокристаллов, рентгенооптических, средних, характеристик

...расположении отражающихплоскостей и поверхности монокристалла. Различие в значениях параметровобласти дифракционного отражениядля монокристаллов, изогнутых поИоганну и Кошуа, и для монокристаллов, изогнутых по Иоганссону и пологарифмической спирали, объясняетсяразличными условиями сохраненияугла скольжения пучка при вращениимонокристаллов этих двух групп,Для монокристаллов, изогнутых поИоганну и Кошуа, пучок дискретносмещают в поперечном направлении,после каждого перемещения монокристалл вращают вокруг оси, проходящей через центр его изгиба, измеряют интенсивности дифра 1 ированного излучения, по ним строят дифракционный профиль и определяют егопараметры,Для монокристаллов, изогнутыхпо Иоганнсону и по логарифмической 60спирали,...

Номер патента: 1492384

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Воробьев, Каплин, Мун

МПК: G21K 1/06

Метки: излучение, кристалла, рентгеновское, фокусирующего

...пластины. Длину пластиныкоторую целесообразно использовать в данном способе, можно оценитг по формуле, учитывающей многократное рассеяниеЕ1 макс(Ь1,. зги о) ф (2)Выбор Ьмакс производят из условия, чтобы из-за многократного рассеяния не происходило выбываниепучка электронов при прохождении через пластину толщиной Ь, Здесь Ь - радиационная длина, Е - энергия электронов, Е - 2 11 эВ. Например, для пластины 81 и Е =ГэВ величина макс - 1-5 см,Излучаемые рентгеновские фотоныс частотами в диапазоне Мо - (д,+ бйЗ)испытывают поглощение в материалепластины, которое определяется линейным коэффициентом поглощения( ( 6 Э ), С учетом этого эффектатолщину пластины целесообразно ограничить как Ь - 1Кроме того, толщина пластиныдолжна...

Номер патента: 300817

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бёлоба, Гуйдырёв, Есйн

МПК: G01N 23/207

Метки: акционнь1хтопограмм, дифгlt, рентгеновских

...- кристалл - пленка,На фиг. 1 и 2 изображена геометрия съемки монокристалла на отражение и просвет.Из точечного источника немонохроматизированного рентгеновского излучения 1 на кристалл 2 падает пучок расходящихся лучей, которые отражаются на пленку 3, расположенную параллельно поверхности кристалла, В случае съемки на отражение кристаллографическая плоскость должна совпадать (быть параллельной) с поверхностью кристалла; при съемке на прохождение отражающая плоскость должна располагаться перпендикулярно поверхности кристалла. 50 55 60 65 Первоначальное положение кристалла 2 и пленки 3 показано линиями АВ и О,А соответственно. Полояение кристалла и пленки в произвольно выбранный момент съемки показано линиями АВ иО; А; . Стрелки...