Способ очистки и выращивания монокристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеслублин(51) М, Кл, В 01 17/08 Гесударетеенный намытет Сааета йыныстреа СССР ае делам ызееретеный ы етнрытый(32) Приоритет -Опубликовано 05.10.74 Бюллетень37 Дата опубликования описаниХ 5, 12, 74(72) Авторы изобретения А.н. Киргинцев и И.И. Горбачева Институт неорганической химии Сибирского отделенияАН СССРИзобретение относится к способу получения чистых веществ и монокристалиов.Известен способ очистки и вьщашивания монокоисталлов зон ной плавкой во вращающемся наклонном контейнере, заключающийся в том, что сначала чистят вещество в контейнере, а затем, вскрыв последний, к чистому йонцу веществ 1 о ва подводят затравщ и выращивают монокристалл. Вскрытие контейнера приводит к загрязнению очищенного вешества. Поэтому многие ядовитые, легко гидролизующиеся тб и окисляющиеся на воздухе вещества нельзя получить по этоиу способу в ниде монокристаллов.С целью возможности оествления заданного числа проходов ю зоны при плавке веществ с увеличивающимся при плзвлении объемом по предлагаемому способу исхо дный материал загружают в опущенный конец наклонного контейнерадб 2в юличестве, ооратно пропорово- нальном требуемому числу проходами зоны, Верхний конец контейнера остается незаполненным. После сообщения контейнеру вращения вокруг продольной оси осущесгзляют зонную плавку при перемещении зоны сверху вниз, в результате чего слиток перемещается в припо днятую часть контейнера и после заданного числа проходов выращивается в ниде моноиристалла любым известным методом,Таким образом в одном и том же контейнере можно очистить и вырастить монокристаллы сохраняя герметичность контейнера на протяжении всей работы с веществом.Прр, В стекюпвнй цилиюический юйтейнер диаметром 2 мм, длиной 400 мм вносят олово инока 037-000.Длина загрузки ЖЙ мм. Контент закрепляют в жтановке. имеющей наклон к445463 ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ составитель И,1 орбачеваРедактор с 1 ОРбуниЩхред НСенина корректор Каргополова Заказ Я /Ь Изд. Яй 765 Тираж 65 / Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская наб., 4 Предприятие Патент, Москва, Г, Бережковская наб., 24 3горизонту 11, и сообщают ему вращение со скоростью ЭОО об/мин.Зонную плавку начинают с приподнятого юнца загрузки, Слиток перемешается в направлении, противоположном движению нагревателя, т.е.в приподнятую часть койтейнера, конец которого выполнен в виде конуса, После 15 проходов зоны со скоростью 6,8 см/ час слиток олова достигает приподнятого конпа юнтейнера и кристаллизуется в виде монокристалла. Способ Очистки и выращивания:монокристмлов цилиндрическойФормы зонной плавкой в наклощюустановленном цилиндрическом юнтейнере, вращаемом вокруг вродольНОЙ ОСИао т Л И Ч а Ю Щ И й Ф Ятем, что, с целью возможностиосуществления заданном числа проходов зоны при плавке веществс увеличивающимся при плавлении ,о объемом, исходный материал загружают в опущенный конец юнтейнерав количестве, обратно пропорциональном требуемому числу проходовзоны, и перекристаллизовывают ,5 при йеремешрнии зоны сверху вниз,
СмотретьЗаявка
1711267, 02.11.1971
ИНСТИТУТ НЕОРГАНИЧЕСКОЙ ХИМИИ СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ АН СССР
КИРГИНЦЕВ АЛЕКСЕЙ НИКОЛАЕВИЧ, ГОРБАЧЕВА ИДА ИВАНОВНА
МПК / Метки
МПК: B01J 17/08
Метки: выращивания, монокристаллов
Опубликовано: 05.10.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-445463-sposob-ochistki-i-vyrashhivaniya-monokristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ очистки и выращивания монокристаллов</a>
Предыдущий патент: Установка для выращивания кристаллов
Следующий патент: Способ изменения концентрации примеси в полупроводнике
Случайный патент: 183035