B01J 17/18 — B01J 17/18

Номер патента: 437529

Опубликовано: 30.07.1974

Авторы: Гончаров, Дудник, Кузнецов, Смирнов

МПК: B01J 17/18

Метки: вытягивания, монокристаллов, расплава

...верхней частью, входящей в отверстие в дне тигля, ниже которого установлена кольцевая подставка, диаметр которой меньше диаметра тигля и больше диаметра сливной емкости.Кроме того, устройство может быть выполнено таким образом, чтобы высота части штока находящейся в полости емкости превышала высоту ее стенок на величину, меньшую толщины дна тигля, а наружная поверхность дна тигля имела кольцевой паз с размерами, соответствующими диаметру и толщине стенок сливной емкости,На чертеже изобрамого устройства,1. Устройство для вытягивания из расплава монокристаллов по способу Чохральского с тиглем, поддерживаемым подвижным по вертикали штоком, отличающееся тем, что, с целью обеспечения возможности слива расплава из тигля, шток выполнен с...

Номер патента: 466906

Опубликовано: 15.04.1975

Авторы: Березин, Бессонова, Васильев, Гуляев, Егоров, Жвирблянский, Затуловский, Левинзон, Окунь, Сачков, Смирнов, Чайкин

МПК: B01J 17/18

Метки: монокристаллов

...10Однако вырез в экране создает асимметрию теплового поля, а наблюдать за положением фронта кристаллизации под острым углом к оси кристалла неудобно,С целью устранения асимметрии теплового 15 поля, создаваемой вырезом в экране, и обеспечения более удобного обзора зоны кристаллизации в предлагаемом устройстве экран выполнен сплошным, а нагреватель - с петлевым витком в верхней части, вытянутым по 20 горизонтали, на уровне щели которого расположен верхний край тигля.На чертеже изображена схема предлагаемого устройства.Устройство содержит тигель 1, помещенный 25 в полость щелевого нагревателя 2. Нагреватель 2 выполнен с петлевым витком 3, а тигель 1 установлен таким образом, что его верхний край находится на уровне горизонтальной щели...

Номер патента: 476891

Опубликовано: 15.07.1975

Авторы: Кириченко, Кондратьев, Мартынко, Мусиенко, Пухов, Скупский

МПК: B01J 17/18

Метки: вытягивания, монокристаллов, расплава

...выполняют с отверстием в дне, через которое подают при охлаждении струю газа, приподнимающую тигель.Отличием предложенного устройства является выполнение тигля и подставки с коническим сужением к плоскому днищу при отношении внутреннего диаметра цилиндрической й тигель 1 и графи ряющая форму тиг кими в верхней ч ием к плоскому д него диаметра В ц авки к диаметру д ие высоты Н полос цилиндрической ча стенок цилиндричес0,0650. Кварцевы ка 2, повто 15 цилиндричес ским сужен ние внутре части подст 1,8, отноше 20 высоте Й ее толщина пт ставки 0,05 -товая подставтя, выполнены асти с кониченищу. Отношеилиндрическойднища 1,5 - ти подставки ксти 2,5 - 2,8, акой части подройство из распл и кварц монолитющей фо для вы ва с цил вым тиг ой гра...

Номер патента: 485763

Опубликовано: 30.09.1975

Авторы: Вишневский, Лавров, Цицугин

МПК: B01J 17/18

Метки: выращивания, методом, монокристаллов, процессом, чохральского

...тем, что,ния диаь 25 подсветк ло расту монохрокИзобретение относится к способам автоматического управления процессом выращивания малоконтрастных монокристаллов методом Чохральского и может быть применено для выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов.Известен способ автоматического управления процессом выращивания монокристаллов методом Чохральского путем измерения диаметра растущего оптического монокристалла с низкой контрастностью зоны расплав-кристалл телевизионным автоматом.Однако такой способ при малой контрастности зоны расплав-кристалл не позволяет с уверенностью управлять процессом роста по диаметру.С целью повышения точности измерения диаметра монокристалла по предлагаемому способу осуществляют подсветку...

Номер патента: 486780

Опубликовано: 05.10.1975

Автор: Удалов

МПК: B01J 17/18

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава, способу, тигель, чохральского

...с теплопроводностью при температуре, близкой к темгдературе плавления, ниже 6 вти. град, в процессе роста затравка отрывается от поверхности расплава вследствие уменьшения градиента температуры оверху вниз по высоте тигля,Целью изобретения является предотвращение отрыва затравки от расплава за счет создания по высоте тигля одинакового градиента температуры.Поставленная цель достигается выполнением тигля с полостью, имеющей форму конуса с углом между образующей и высотой, равным 22,5 - 45.На чертеже изображгель,Тигель имеет цилиндрическую внешнюю оверхность 1 ц полость .-1 в виде онуса с угом к между образующей ц высотой, равным2 5 - 45. При использовании тигля с углом ным 22,5, чолучают кристаллы СаО (т. пл. 1765 С), с углом 30...

Номер патента: 486781

Опубликовано: 05.10.1975

Авторы: Гольд, Жадан, Лейбович, Середа, Сухарев, Федоров, Шушков

МПК: B01J 17/18

Метки: выращивания, монокристаллов, процессом, расплава

...через подшипник 12, наконечник 18 держателя б. Для вертикального перемещения держателя б слитка в наконечнике 18 имеются пазы, в которых свободно движется штифт 14. Контур стабилизации температуры содержит регулятор 15 и силовой блок 1 б.Система также включает непрерывный 17 и дискретный 18 датчики высоты подъема затравки, функциональный преобразователь 19, блок 20 изменения установки номинального диаметра кристалла, сумматор 21, аналого- дискретный дифференциатор 22 и регулятор 23 привода подъема затравки.Система работает следующим образом. При подъеме затравки 5 датчик 17 высоты подъема, который представляет собой много- оборотный линейный потенциометр и кинематически связан с приводом подъема затравки, генерирует линейную программу...

Номер патента: 488612

Опубликовано: 25.10.1975

Авторы: Бессонова, Вервыка, Выдыш, Егорова, Жемчужина, Носов, Печерица, Приварников, Проскурин

МПК: B01J 17/18

Метки: вытягивания, монокристаллов, расплава

...количество которой достаточнодля установления более высокого уровнирасплава вне тигля.Это позволяет обеспечить в процессевытягивания более плавный самопроизволь ный подъем тигля и получить монокристаллы с меньшим разбросом электросопротивления по поперечному сечению.П р и м е р. Загрузку германия в количестве 2500 г с добавкой легирующего 10 элемента (сурьмы) помещают в тигель сдиаметром 130 мм, а последний - в тигель диаметром 165 мм, содержащий расплав германия.Под действием веса загрузки внутрен- И ний тигель погружается в расплав, находящийся во внешнем тигле так, чтоуровень расплава во внешнем тигле вышеуровти расплава во внутреннем. Опускаютзатравку в расплав, находящийся во внут реннем тигле, и начинают процесс...

Номер патента: 506161

Опубликовано: 25.08.1976

Авторы: Вервыка, Выдыш, Егорова, Жемчужина, Носов, Печерица, Приварников, Проскурин

МПК: B01J 17/18

Метки: вытягивания, монокристаллов, расплава, способу, чохральского

...ве тальный э монокристаллов преимушеств водниковых материалов из раВ известных устройствах ния монокристаллов из распл Чохральского для уменьшения локаций и более равномерног ления используют тепловые ных конструкций, в том числ полость тигля по его оси вт нижним концом в горизонта ваюший на поверхности распНедостатком устройства раном и укрепленной на нем ся изменение положения вту вания расплава в тигле, что менению тепловых условий в тельнои особенностью предлагаемотва является выполнение располополости тигля горизонтального экксимальным диаметром, допускаю- кение тигля без трения, причем рхним концом встроена в горизонкран, опирающийся на коаксиальный му из тигля верхнему конприсоединен горизонтальрый опирается на вертиеский...

Номер патента: 544459

Опубликовано: 30.01.1977

Авторы: Голубятников, Дмитрук, Шелюбский

МПК: B01J 17/18

Метки: волокон, монокристаллических

...осуществлении затравления на затравки, собранные в пучок, исключается необходимость в установке затравок соосно капиллярам и затравление происходит эа счет случайного попадания одной из затравок в отверстие капилляра.П р и м е р. Получают волокна лейкосапфира. В молнбденовый тигель с внутренним диаметром 25 мм и высотой 70 мм устанавливают в ряд 20 вольфрамовых капилляров, жестко скрепленных друг с другом, с внутренними диаметрами 50 - 70 мкм и внешними диамет рами 200 мкм; расстояние между капиллярами - 1 мм,Тигель заполняют окисью алюминия, номешают в вакуумную индукционную печь и на5 гревают так, чтобы температура на поверхности капилляров на 20 - 40 С превышала тем.пературу плавления корунда, После подъемарасплава по капиллярам...

Номер патента: 548312

Опубликовано: 28.02.1977

Авторы: Васецкий, Гавриш, Даниленко, Ефимченко, Заславский, Рыбкин, Соломаха, Стадник

МПК: B01J 17/18

Метки: активированных, монокристаллов, разращивания

...расплава и 15 на восстановление уровня, понизпвшегося засчет расхода расплава на кристаллизацию.Профиль разращпваемого кристалла задают соотношением скорости вытягивания кристалла и скорости опускания тигля при под вижном датчике (илп подъеме датчика принеподвижном тигле),П р и м е р. Выращивание кристалла цезияйодистого, активированпого таллием, Диаметр затравки 43 ми. Заданный диаметр кри сталла 300 мм. Тигель конический с угломпри вершине 130, В тигель помещают исходное сырье и расплавляют. Столб расплаваравен 15 мм, площадь расплава - 50 мм. При этом отношение площадей расплава и фронта 30 кристаллизации затравочного кристалла рав548312 Ф ор мул а из о бр етен ия Составитель Н. Гангардт Техред Л, ГладковаРедактор Т. Пилипенко Заказ...

Номер патента: 552750

Опубликовано: 30.03.1977

Авторы: Багдасаров, Приходько

МПК: B01J 17/18

Метки: выращивания, монокристаллов, процесса, расплава

...мм и толщиной 1 мм), ориентированное параллельно поверхности границы.С помощью жесткого стержня 4 диск соединяется с остальными элементами устройства: индукционным датчиком 5 амплитуды колебаний, датчиком 6 положе. ния диска, магнитоэлектрическим датчиком 7 для возбуждения колебаний, упругим элементом 8.Диск 3 под действием инддатчика 5 совершает вынужденейные колебания в направленидикулярном поверхности контрграницы.Затем определяют положение границы 1 раздела фаз путем определения положения диска 3 и измерения величины од ного из параметров, характеризующих его колебания и зависящих от расстояния между телом и границей раздела фаз (например, измерения амплитуды колебаний датчиком 6). При этом измеряемый пара3метр колебаний тела,...

Номер патента: 571295

Опубликовано: 05.09.1977

Авторы: Кошкин, Кузин, Репий, Рымашевский, Ястребков

МПК: B01J 17/18

Метки: мультикристаллов

...от направления роста слитка и проис-,. хори бо 1 еее если менее быстрое вытеснение 5одного кристалла другим. Бикристалд вырож-.даеех:я в монокриствлл,Цедьео изобрете 1 еия являетсяполучениемудьтеЕкристадлов с межкристаллитными гращецами, вытянутыми по всей длине мульти- фкра:таллического слитка.Для достижения этой цеди мультикристалдвыращивают зонной плавкой заготовки отмудьтикристаллической затравки, используязаготовку в форме трубь 1 и создавая между25торцами затравки и заготовки кольцевуюраспдавлеиееую зону, которую перемешаеотьдочь заготовЕси,Вырашиваексы 11 м ул ьтикр исталлическийзо"лРток еемеет форму трубки, Несмотря па точто форма фронта кристалЕеизацин и в этомслучае остается выпуклой, стабильность повеаяееея...

Номер патента: 254489

Опубликовано: 05.04.1978

Авторы: Мараев, Муниц

МПК: B01J 17/18

Метки: зонной, зоны, перекристаллизации, положения, процессе, расплавленной

...фотоэлектрической сп стемы с приемником 1 излучения, траекторияразвертки которого направлена вдоль оси,перекристаллизуемого образца 2, помещенного в полость герметичной камеры 3 из непрозрачного материала со смотровым окном 4. Пятно 25 5 сканирования периодически пересекает границу б расплавленной зоны 7, причем в момент пврехода оптической оси приемника излучения от твердой фазы к жидкой происходит скачкообразное изменение амплитуды и З 0 частотного спектра переменной составляющей.1 -411 /Ц ,ф 2:;е:2 т"Рт.Т 539 Ы Составитель Т. фирсоваедактор Н. Корченко Техред И. Михайлова Корректор В. Гутма Заказ 108/214НПО Изд. М 113 арствеииого ком по делам изоб Москва, )К, РТираж 964итета Совета Министров СССетений и открытийаушская...

Номер патента: 331607

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселкова, Сахаров, Фалькевич, Шашков

МПК: B01J 17/18

Метки: выращивания, кремния, монокристаллов

...относится к металлургии полупроводников.Известен слособ выращивания моно- кристаллов кремния из расплава на затравке, имеющей Форму четырехгран- б ной призма, ориентированной в направлении 100,Описываемый способ отличается от известного тем, что используют затравку с боковыми гранями, совпадаю щими с кристаллографическими плоскостями100 ).Это дает возможность повысить выход монокристаллов в связи с тем, что их рост происходит более устойчиво. 18По описываемому способу монокристаллы выращивают на затравке квадратного сечения площадью ЗхЗ мм, вырезанной иэ монокристаллических слитков, ориентированных в направлениях 1111 и 11003 . Вытягивание производят обычным путем. Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава на...

Номер патента: 331608

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселин, Веселкова, Данковский, Доброхотов

МПК: B01J 17/18

Метки: выращивания, кремния, монокристаллов, направлении, ориентированных

...(111 моно- кристаллов кремния из расплава на затравке в виде правильной четырехгранной призмы.Описываемый способ отличается от известных тем, что используют затравку, имеющую форму трехгранной призмы, боковые грани которой совпадают с кристаллографическими плоскостями 11 12Это позволяет исключить образование. двойников в начальный период рос та, в связи с чем увеличзвается производительность процесса.П р и м е р. Монокристаллы кремния, ориентированные в направлении 111, вытягивают из расплава по способу Чохральского, Затравки в виде трехгранных правильных призм с высотой треугольника в поперечном сечении, составляющей 4 мм, вырезают из моно- кристаллов, ориентированных в направ-. лении 1111 таким образом, что боковые грани...

Номер патента: 661966

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Горилецкий, Мюлендорф, Радкевич, Эйдельман

МПК: B01J 17/18

Метки: вытягивания, монокристаллов, расплава

...поступает в тигель через отверстие в общей стенке. Однако в связи с тем, что нагреватель расположен коаксиально кольцевой емкости, в которой создается перепад температуры, расплавляемый материал кристаллизуется на стенках емкости и подпитка расплава в тигле прекращается. Цель изобретения - обес рывности подпитки расплава вании твердого измельченно результате предотвращения зации в кольцевой емкости. Это достигается тем, что емкости расположено выше верстие в общей стенке тигл полнено на уровне дна и н полнен из двух секций, од расположена под дном тигл дном кольцевой емкости. На чертеже изображено устройство. Оно содержит камеру 1, в рой установлен тигель 2 и661966 ставитель Т, фирсова Техред В. Серикова ректор В, Петро Редактор Т. К...

Номер патента: 736424

Опубликовано: 20.11.2005

Авторы: Голубятников, Дмитрук, Черников

МПК: B01J 17/18

Метки: волокон, монокристаллических

1. Способ получения монокристаллических волокон путем вытягивания из расплава через формообразователь, отличающийся тем, что, с целью увеличения теплоотвода от вытягиваемых волокон и обеспечения за счет этого повышения производительности, волокна после выхода из формообразователя пропускают между охлаждаемыми элементами, имеющими с внутренней стороны слой графитовой ткани.2. Устройство для осуществления способа по п.1, включающее тигель для расплава, снабженный формообразователем и роликовым механизмом, отличающееся тем, что над формообразователем установлены параллельно друг другу и направлению вытягивания два охлаждаемых элемента, имеющих с внутренней стороны слой графитовой...