Устройство для получения монокристаллов

Номер патента: 1647033

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Горба, Дитмар, Манфред, Мовчан, Музыка

МПК: C22B 9/22

Метки: вращения, затравку, кристаллизации, методом, послойной, расплава, тел

...очередного кристаллизующегося слоя матеВ случае применения материалов для послойной кристаллизации, у которых узкий температурный интервал кристаллизации либо обладающих высокой теплопроводно 25 стью, а также при большом диаметре заготовки либо ее массивности, каждый эа кристаллиэованный слой или общее слоевое соединение после затвердевания дополнительно оплавляют электронно-лучевым нагревателем и деформируют роликами,Формируя заданный профиль. Изобретение может найти применениев инструментальном производстве машиностроительных предприятий, в частности для35 изготовления дисковых и цилиндрическихФреэ: одноугловых фрез(фиг,2), двухугловых(фиг.З), фасонных полукруглых выпуклых(фиг,4), фасонных полукруглых вогнутых(фиг.5), дисковых...

Номер патента: 1611958

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Горба, Мовчан, Музыка

МПК: C22B 9/22

Метки: вращения, затравку, кристаллизации, методом, послойной, расплава, тел

...2 приводит во вращение вал 4 с затравкой 3 и с помогью Фрикционной пары колес 25 и 27 проводится во вращение ведущий вал 17, а следовательно, и вал 18 с валком 13, имеющим профиль, повторяющий профиль затравки 3. Валок 13 устанавливается в непосредственной близости от расплава, Одновременно пушкой 7 нагревается затравка 3 до температуры, величина которой устанавливается в зависимости от материала заготовки, кристаллизующегося материала и технологических режимов процесса.Передаточные числаФрикционной пары колес 25 и 27, а также зубчатых пар колес 28 - 29 и шестерен 15 - 16 выбираются из условия обеспечения соотношения, при котором выдерживается примерное равенство линейных скоростей их контактируемых поверхностей:,п 2 Вп ггде п -...

Номер патента: 1602879

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Горба, Мовчан, Музыка, Панна

МПК: C22B 9/22

Метки: заготовок, затравку, кристаллизации, металла, методом, послойной

...тигля 2. Затравка 1 защемляется между двумя охлаждаемыми пластинами 36 и 37, размещается между охлаждаемыми валками 30-35, устанавливается в радиальных газах 4 и 5 тигля 2 и закрепляется в захватах 18 и 19 штоков 16 и 17 гидроцилиндров 12 и 13. С помощью электронных лучей 41 и 42 исходный материал 10 в тигле подвергается плавке. Одновременно во внутренние полости валков 30-35, стенки 3 тигля 2 и пластины 36 и 37 подается охлаждающая вода. Путем регулирования протока воды через пластины 36 и 37 устанавливается температура торцовой поверхности затравки 11, соответствующая режиму послойной кристаллизации. Кроме того, пластины 36 и 37 препятствуют депланации затравки от действия температурных напряжений, Включением блока 22 давления...

Номер патента: 219038

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Аксенов, Горбунов, Иштыков, Купцов, Степанов, Умнаев

МПК: B23K 9/26

Метки: возвуждения, дуги, сварочной

...условия возбуждения дуги и упростить оборудование,На чертеже изображено описываемое устройство.Сварочный автомат, на головке 1 которого закреплена изолирующая кварцевая трубка, помещается в сварочную камеру, заполненную защитным газом. Перед возбуждением дуги катушка 2 обесточена и экран 3 с якорем 4 электромагнита находится в нижнем положении. Затем на электрод 5 и деталь 6 подаются напряжение от источника питания сварочной дуги и высокочастотный импульс от осциллятора, который ионизирует газ в междуговом промежутке и возбуждает сварочную дугу только с конца электрода 7.5 После возбуждения дуги подается ток в обаотку (агу 111;1 а и под действием магнитного поля якорь 4 с экраном 3 перемещается в верхнее положение, что позволяет...

Номер патента: 930376

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Гирда, Емельянов, Иванов, Терещенко

МПК: G11B 5/47

Метки: ленты, магнитной, размагничивания, рулона

...спиральная обмотка в устройстве разделена на две половины. Подключение разрядного накопительного конденсатора 35сначала ко всей обмотке а затем к1отдельным половинам обмотки позволяет перемещать зону нулевой напряженности магнитного поля по радиусу спиТаким образом, эффективность размагничивания в предлагаемом устрой- стае достигается за счет увеличения напряженности магнитного поля в поперечном направлении магнитного носителя в 2-3 раза по сравнению с известным,формула изобретения Устройство для размагничивания рулона магнитной ленты, содержащее два расположенных взаимоперпендику лярно один внутри другого электромагнита, высоковольтный конденсатор и источник питания, о т л и ч аю щ е е с я тем, что, с целью повышения...