Способ контроля качества кристаллов

Номер патента: 1558041

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Комар, Кулик

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: кристаллов, селенида, цинка

...25 цинка и магния и селенидами примесныхэлементов. Затем температуру в печи снижа)от со скоростью 10-30 в час до температуры плавления хлоридов калия 770 С и печь отключают. В пересыщенном растворе 30 образуется очень много центров кристаллизации и кристаллы растут в виде. пластин-чешуек толщиной примерно 0,1-3 мм в поперечнике. При такой кристаллизации достигается очистка селенида цинка от при мясных элементов как за счет обменныхреакций между хлоридами цинка и магния и сепенидами примесных элементов, так и за счет различных коэффициентов распределения примеси в растворе-расплаве, а размеры ,40 кристаллов не имеют решающего значения.Удельная поверхность монокристаллического селенида цинка снижается; а насыпной удельный вес...

Номер патента: 1605587

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Бороденко, Кухтина, Лисецкая, Носачев

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: кристаллов, селенида, цинка

...режим, при котором проводят кристаллизацию шихты при скорости протагивания тигля через температурное поле 30 - 50 мм/ч. Затем, воэвра1605587 40 Таблица 1 тив тигель с помощью механизма перемещения в исходное положение, полученный слиток протягивают через температурное поле со скоростью 3 мм/ч. Коэффициент поглощения выращенного кзоисталла на длине волны 10,6 мкм 5,1 10 см,Выращенный кристалл загружают в кварцевую ампулу, сделанную по типу "песочных часов", засыпают металлическим селеном квалификации ос.чвакуумируют до 10мм рт.ст. и эапаивают, Ампулу помещают в шахтную печь и отжигают при 600 С в течение 120 ч. Селен переливают в свободный обьем ампулы, ампулу с кристаллом охлаждают в режиме 100 С в час.Коэффициент поглощения полученного...

Номер патента: 1630334

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Бороденко, Кухтина, Лисецкая, Рыжиков, Силин

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кристаллических, основе, селенида, цинка, элементов

...полного удаления воздуха и затем нагревают до 1000 - 1080 С, выдерживают при заданной температуре 3 - 10 ч, после чего температуру снижают со скоростью 200 С/ч, при комнатной температуре отключают проток водорода и извлекают элементы. По известной технологии 30 получения сцинтилляционного материала из легированного селенида цинка с целью создания центров люминесценции элементы ЛпЯе(Те) дополнительно отжигают в насыщенных парах цинка. Для чего данные элементы помещают в кварцевые ампулы вместе с навесками цинка, необходимыми для создания насыщенных паров цинка. Ампулы вакуумируют, запаивают и выдерживают при 1000 С в течение 24 ч, После повторной шлифовки и пол ировки измеряют коэффициенты поглощения и ослабления элементов, которые...

Номер патента: 1749787

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Кузьмина, Никитенко, Стоюхин, Терещенко

МПК: G01N 21/64

Метки: качества, кристаллов, оксида, оценки, цинка

...излучения достаточйо хорошо разцов является то, что температурное по- разрешен, чтобы можно было оценить пол- ложение максимума полосы А-Ьо не уширину полос А- О и АЫ, сравнитель подчиняется указанной зависимости и стань 1 й анализ совершенства кристаллическойновится по характеру смещения близким к структуры достаточно прост, При заметном полосе АЬ. Это указывает на то, что форперекрытии полос в спектре излучения, что, ма полосы А-Ьо от квазимаксвелловского например, может быть вызвано наличием распределения переходиткмаксвелловскомощного побочного канала люминесценции 50 му, что характерно для дефектных кристалсвязанных экситонов, упрощенный вариант лов.анализа, основанный на сравнении полуши- Температурный интервал для исследо- рины...

Номер патента: 1728737

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Демьянец, Кузьмина, Никитенко, Стоюхин, Терещенко

МПК: G01N 21/64

Метки: ассоциатов, дефектов, кристаллах, присутствия, точечных

...жидкого азота исследуется красная люминесценция кристаллов.Предлагаемый способ осуществляют следующим образом.По стандартной методике снимают спектр фотолюминесценции кристаллов ЕпО в области длин волн 650-800 нм. Оптимальные условия сьемки соответствуют температуре жидкого азота, что отвечает максимуму в зависимости красной люминесценции от температуры. Возбуждение образца проводится линией ртутной лампы (например, ДРТ) с длиной волны 405 нм, так как максимум в спектре возбуждения красного излучения приходится на диапазон 400 - 410 нм, и другие линии излучения пампы менее эффективны. В используемой установке излучение ртутной лампы ДРТмонохроматизируется с помощью входного монохроматора МДР-З, спектр люминесценции исследовался на...