Патенты с меткой «рентгеноструктурных»

Номер патента: 375535

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Институт

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометру, исследовании, низкотемпературная, приставка, рентгеновскому, рентгеноструктурных

...для заливки жидкого азота в сосуд 14, а трубка 22 - для отвода паров жидкого азота.С фланцем б соединен кожух 23 вакуумной рубашки, с которой соединен полутомпаковый сильфон 24 с наружным кожухом 25, служащим для свободного доступа к образцу при его установке в захватах, снятии и юстировке. На кожухах 23 и 25 и,на силовой трубе 11 имеются два окна для прохождения рентгеновских лучей.Хвостовик 26 кожуха 23 вставлен в центральное отверстие подложки 27, которая соединена со столиком гониометра 28. Винт 29 служит для передачи вращательного движения от столика гониометра к камере.Для центрирования камеры относительно вертикальной оси служит центровочное кольцо 30, которое соединено с кронштейном 1 четырьмя винтами 31, Для фиксации камеры...

Номер патента: 564581

Опубликовано: 05.07.1977

Автор: Бойко

МПК: G01N 23/20

Метки: исследований, низкотемпературных, рентгеноструктурных

...трубок5, которые расположены симметрично относительно хладопровода, сосуд 1 соединен с основанием 6, закрепляемым на гониометрической головке или столике рентгеновского дифрактометра. В крышку сосуда1 впаяна трубка 7 для заливки хладагента и через уплотнение введен датчик 30уровня 8 хладагента,На пенопластовой теплоизоляции криостата установлены накладки с нагревателями 9, предотвращающими обмерзание теплоизоляции вблизи мест выхода из криостата паров хладагента. Часть пенопластовой теплоизоляции изготовлена в видесъемного конуса 10, который удаляют присъемке на прохождение.Держатель образца соединен с ппиводом 40поворота и представляет собой обойму, вкоторой установлена червячная передача,Шестерня 11 этой передачи имеет сквозной...

Номер патента: 1073648

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Дутчак, Микитюк, Федышин

МПК: G01N 23/20

Метки: жидких, исследований, кристаллов, кювета, рентгеноструктурных

...жидких кристаллов с помощью рентге новской дифракции и поляризованного сВета, которая состоит из прозрачных монокристаллических кварцевых окон, закрепленных на ,вух пластинах, которые установлены в алюминиевом кор пусе. Зазор между пластинами уплотняется резиной, смазанной высоковакуумной кремниевой смазкой и составляет 0,5 мм. Кювета имеет приспособление для вращения одной из пластин, 40 а также для жидкостного нагревания или охлаждения вещества 3 .Наиболее близкой к предлагаемой по технической сущности является кювета для рентгеноструктурных исследований жидких кристаллов, состоящая из корпуса с отверстием в верхней части и рентгенопроэрачных окон 4 .Недостаток известной кюветы состоит в том, что она не может быть применена для...

Номер патента: 1177791

Опубликовано: 07.09.1985

Авторы: Кузнецов, Тиньков

МПК: G01N 23/20, G03B 42/04

Метки: измерений, кассета, рентгеноструктурных

...Подписное филиал ППП "Патент", г.Ужгород, ул.Проектная, 4 Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, а именно к устройствам для контроля крупногабаритных изделий методом рентгеноструктурного анализа. 5Целью изобретения являет:я повышение точности измерения,На фиг.1 схематично представлена кассета, общий вид; на фиг.2 узел 1 на Фиг.1.1 ОКассета состоит из двух коаксиально расположенных усеченных конусов 1 и 2,выполненных из светонепроницаемого рентгеноза 11 итного материала, например сталиВ основании 15 внутреннего конуса 2 выполнено отверстие ч, а на образующей поверхности конуса под прямым углом к его оси выполнены окна Е высотой Ь с перемычками 3,20Окна 0 с внутренней стороны конуса 2 закрыты тонким светонепроницаемым...

Номер патента: 1242784

Опубликовано: 07.07.1986

Авторы: Горбачева, Минин, Утенкова, Щербединский

МПК: G01N 23/20

Метки: исследований, легкоплавкого, образца, подготовки, рентгеноструктурных

...которого вызывают посредством затравки 9,подводимой с открытой стороны рамки 1.Выступ 3 имеет высоту, меньшую высоты рамки 1, Он может занимать частьширины рамки 1 или проходить по всейее ширине,Примером использования устройства может служить его применение приисследовании дислокаций, образуюшихся при кристаллизапии и пластическойдеформации монокристаллов галлия,имеющего низкую точку плавленияо(29,8 С) и низкие прочностные и упругие свойства (предел текучести около 10 г/ьм и модуль упругости 0,710 дн/см)Для изготовления монокристалловна нлоскую поверхность водяного термостата б устанавливают нижнюю крышку 5, выполненную из тонкой (0,020;05 мм) фторопластовой ленты, нанее помещают П-образную рамку 1 из 15 20 25 30 оргстекла толщиной 1 мм,...

Номер патента: 1516919

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Аристов, Гущин, Коган, Солодкина, Шехтман, Шулаков

МПК: G01N 23/20

Метки: аппарат, исследований, микрофокусный, рентгеноструктурных

...плотный прижим рентгеновской пленки 6 к задней торцовой поверхности 7 магнитопровода 8 магнитной линзы 4, Конфигурация и размеры внутреннего канала 9 магнитопровода 8 обеспечивают свободное прохождение дифрагированных назад кристаллом 2 лучей на рентгеновскую пленку Ь, Ось внутреннего канала 9 магнитопровода 8 является осью магнитной линзы 4, Окружность пересечения поверхности внутреннего канала 9 магнитопровода 8 с его задней торцовой поверхностью 7 одновременно является входным окном, ограничивающим голе 40 засветки рентгеновской пленки 6.Микрофокусный аппарат работает следующим образом.В процессе экспонирования рентгеновской пленки 6 на ней формируется 45 четкое теневое изображение окружности на выходе внутреннего канала 9...

Номер патента: 1610412

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Волошин, Карбачинский, Лопатин, Никольский, Смольский

МПК: G01N 23/20

Метки: исследований, кристаллов, рентгеноструктурных

...посредствомадгезионного слоя 22Такая биморфнаяпластина 17 состоит из двух секций,причем внешние части электропроводящих слоев 20 одной секции электрически соединены с частями внутреннихэлектропроводящих споев 20 другой сек"ции и наоборот.В другом варианте (Фиг.4) биморФная пластика 17 образована двумя пьезоэлектрическими пластинами 19, каждая из которых различно поляризованав своей верхней и нижней половине.Характер деФормации таких биморФных пластин 17 приведен на Фиг,5,Устройство для рентгеноструктурныхисследований кристаллов работает сле"дующим образом.Мо нохро мати ческо е рент гено вско еизлучение от источника 1 падает наисследуемый кристалл 6, а отраженноеот кристалла б излучение детектируется счетчиком 7, сигнал которого...

Номер патента: 1661633

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Кадыржанов, Махмутов, Тулеушев, Югай, Якунин

МПК: G01N 23/20, G21K 1/04

Метки: диафрагмы, исследований, рентгеноструктурных, щелевой

...из поглощающего рентгеновское излучение металла с обеих сторон. Для предотвращения запыления щелей диафрагмы в них вставляются пластины слюды, которые в процессе напыления поглощающего рентгеновское излучение металла сдвигаются навстречу потоку пара напыляемого металла.1 з,п.ф-лы 2 ил.верстие 1 пластины 2 в световом микроскопе с увеличением х 1000 в просвечивающем режиме при помощи устройства 5, состоя щего из микрометрической винтовой подачи, вдвигают пластинку 6 (набример, из слюды) с поперечным размером, меньшим поперечного размера щелевого отверстия диафрагмы. Кремниевую пластину 2 со щелью 1 жестко закрепляют на устройстве 5, причем плавное вертикальное перемещение пластинки 6 в щелевом отверстии 1 осуществляют...

Номер патента: 1672323

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Кадыржанов, Махмутов, Тулеушев, Югай, Якунин

МПК: G01N 23/20, G21K 1/04

Метки: диафрагма, исследований, рентгеноструктурных, щелевая

...что делает их неразличимыми на рентгенограмме. Для предотвращения попадания первичного рентгеновского излучения в кремний служит слой 4 напыленного металла на той поверхности кремниевой пластины, куда входит рентгеновский пучок Э. Выбор металла для напыленного покрытия производится так, чтобы даже самое же 1672323сткое используемое в структуре анализа рентгеновское излучение не возбуждало в нем флуоресцентного свечения, т.е, металл должен быть тяжелее вольфрама. При толщине слоя металла (например свинца), равном 30 мкм, первичный пучок ослабляется на 997 ь. Но при использовании сверхмощных источников рентгеновского излучения, таких как, например, синхронное излучение накопителя ВЭПП/3 - интенсивность прошедшего в кремний остаточного...