Патенты с меткой «кремниевых»
Способ рекристаллизации кремниевых слоев
Номер патента: 1826815
Опубликовано: 27.03.1995
МПК: H01L 21/268
Метки: кремниевых, рекристаллизации, слоев
...40 50 55 слоя поликристаллического кремния формируется слой монокристаллического кремния с большой плотностью двойников, однородно распределенных по толщине.0 двойниковании в структуре свидетельствовало появление симметричных точечных рефлексов в электронограммах поверхности и характерного рельефа .травленной поверхности. При этом данный способ позволяет формировать микронные дендритные слои однородные по толщине и достичь поставленной цели,П р и м е р 2, В отличие от примера 1 длительность импульса лазерного излучения составляла 7 нс. Положительный эффект достигался.П р и м е р 3, В отличие от примера 1 длительность импульса лазерного излучения составляла 0,5 нс (лазер работал в режиме синхронизации мод). Положительный эффект не...
Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур с внутренним геттером
Номер патента: 1797403
Опубликовано: 27.03.1995
Авторы: Алешин, Енишерлова-Вельяшева, Казакевич, Мордкович, Русак
МПК: H01L 21/265
Метки: внутренним, геттером, кремниевых, структур, эпитаксиальных
...определяющих дефектообразование в материале,Технология эпитаксиального наращивания на кремнии практически всегда включает процесс газового травления, обеспечивающий очистку поверхности перед эпитаксиальным наращиванием. Проведение газового травления необходимо и в предлагаемом варианте в целях очистки, однако в заявляемом варианте накладывается определенное условие, оговаривающее возможную толщину удаляемого в процессе га 1797403зового травления слоя материала. он должен составлять; 0,1-02 Вр где Йр средний проецированный пробег ионов кислорода и углерода, Именно при этом условии, как экспериментально было показано, удастся пол учить чистый бездефектный слоЯ у поверхности подложки и наиболее совершенные эпитаксиальные пленки, При...
Способ травления кремниевых изделий
Номер патента: 1822299
Опубликовано: 20.05.1995
МПК: H01L 21/306
Метки: кремниевых, травления
СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ИЗДЕЛИЙ, включающий приготовление смеси плавиковой, азотной и уксусной кислоты, взятых в заданном соотношении объемов, охлаждение полученного травителя, предварительное определение скорости травления кремния в травителе данного состава и последующую обработку кремниевых изделий в том же травителе в течение времени, необходимого для стравливания кремния на заданную глубину, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости глубины травления за счет создания условий самопрекращения процесса травления, объемное соотношение перечисленных кислот в травителе выбирают соответствующим 1:(6-17):(1-3), на стадии предварительного определения скорости травления дополнительно устанавливают удельный объем травителя,...
Способ определения положения и формы скрытых слоев на кремниевых полупроводниковых подложках с эпитаксиальным слоем
Номер патента: 1277840
Опубликовано: 27.06.1995
Авторы: Прохоров, Романова, Янсон
МПК: H01L 21/306
Метки: кремниевых, подложках, положения, полупроводниковых, скрытых, слоев, слоем, формы, эпитаксиальным
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛОЖЕНИЯ И ФОРМЫ СКРЫТЫХ СЛОЕВ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ, включающий химическую обработку, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, повышения точности и увеличения используемой площади кристалла, химическую обработку проводят путем анодирования поверхности до образования окрашенных слоев пористого кремния или двуокиси кремния, по разности окраски которых определяют проекцию скрытых слоев на поверхность эпитаксиального слоя.
Способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины
Номер патента: 1340492
Опубликовано: 25.07.1995
Авторы: Воронков, Енишерлова-Вельяшева, Мильвидский, Резник, Русак, Шмелева
МПК: H01L 21/304, H01L 21/322
Метки: геттерирующими, кремниевых, объеме, пластин, пластины, центрами
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН С ГЕТТЕРИРУЮЩИМИ ЦЕНТРАМИ В ОБЪЕМЕ ПЛАСТИНЫ, включающий проведение двухступенчатого отжига при температурах в диапазоне 650 750oС и 950 1050oС в течение 3 4 ч на каждой стадии, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа для кремния с содержанием кислорода 5 1015 9 1017 см-3, перед отжигом при 950 1050oС с обеих сторон пластины механической обработкой создают приповерхностные области, состоящие из системы микротрещин, произвольно направленных и...
Способ изготовления рельефных кремниевых структур
Номер патента: 1228720
Опубликовано: 27.11.1995
Авторы: Козин, Хасков, Чистякова
МПК: H01L 21/306
Метки: кремниевых, рельефных, структур
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЛЬЕФНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР, включающий создание на кремниевой пластине защитной пленки окисла кремния, полное удаление пленки и локальное уменьшение ее толщины в областях структур, в которых травление пластины проводится на максимальную глубину и на глубину заданного рельефа, и обработку пластины в травителях, отличающийся тем, что, с целью повышения точности рельефа структур, защитную пленку окисла кремния наносят толщинойв областях структур, в которых травление пластины проводится на глубины заданного рельефа, пленку окисла кремния уменьшают до толщин, определяемых из соотношения
Способ изготовления чувствительных элементов кремниевых тензопреобразователей
Номер патента: 1478913
Опубликовано: 10.12.1995
Авторы: Белозубов, Михайлов, Ульянов
МПК: H01L 21/78
Метки: кремниевых, тензопреобразователей, чувствительных, элементов
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ КРЕМНИЕВЫХ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ по авт. св. N 1144667, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и прочности чувствительных элементов, окна для травления профиля в маскирующем слое на пластинах формируют с размерами, определяемыми соотношением:где ak размер входного отверстия углубления в k-й пластине;A0 рабочий размер мембраны чувствительного элемента;Hi толщина i-й пластины;t0 толщина мембраны чувствительного элемента; -показатель анизотропии, угол между боковой гранью...
Способ изготовления кремниевых газочувствительных элементов
Номер патента: 1519357
Опубликовано: 20.03.1996
Автор: Удовицкий
МПК: G01N 27/02
Метки: газочувствительных, кремниевых, элементов
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ, заключающийся в обработке поверхности элементов смесью веществ для легирования поверхности примесями, повышающими чувствительность элементов к анализируемому компоненту, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности элементов к диэтиловому эфиру, газочувствительные элементы обрабатывают хлорметилтрихлорсиланом в интервале температур от 115 до 120oС в течение времени от 20 до 25 мин.
Способ изготовления многослойных кремниевых структур
Номер патента: 1814430
Опубликовано: 20.04.1996
Авторы: Мякиненков, Ногин, Саратовский, Сейдман, Сопов
МПК: H01L 21/24
Метки: кремниевых, многослойных, структур
...структуры р -и-типа изготовленыедующим образом,Исходными являлись пластины моноисталлического кремния КДБ,01 и КДБ,ориентированные в плоскости (100),аметр пластин 60 мм, толщина 350-400км. Пластины проходили стандартную подтовку поверхности в перекисно-аммиачм растворе, после чего на поверхностьной из пластин напыляли слой тугоплавго металла (Т 1, толщина 0,05), а на поверость другой слой германия (бе, толщинаО). Пластины р и р складывали в столбикпарно, напыленными слоямй навстречууг другу, а размещали в цилиндрическийарцевый реактор печи СДС/125 и продили термообработку при температуре00 С в течение 1 ч в атмосфере формирга(смесь аргона и водорода). Для оценкичества полученных структур после термо-.работки изготавливали...
Способ изготовления кремниевых p+-p-структур
Номер патента: 1829757
Опубликовано: 20.04.1996
Авторы: Аветисян, Енишерлова, Клемин, Орлов, Шмелева
МПК: H01L 21/225
Метки: p-p+-структур, кремниевых
...после изготовления омических контактов из структуры 5 вырезаются фотоприемники или линейкифотоприемников.Приборы, изготовленные в режимах, отличных от приведенных в изготовлении, имеют худшие по сравнению с теми прибо рами, которые изготавливаются согласноданному предложению, фотоэлектрические параметры, у них не оптимальные параметры барьерного слоя (см, таблицу, примеры 2-21). Например, прибор, изготовленный 15 при температуре отжига 1100 и времениотжига 3 ч имел до одного порядка хуже ампер-ваттную чувствительность. Такой же эффект наблюдается при изменении времени отжига, например, меньше 2 ч, при сохрэ нении температур отжига в пределах1150-1230 С.1829757 Продолжение таблицы Качество репою а структуре р .о в со.Концентрацию...
Способ изготовления кремниевых биполярных свч-транзисторов
Номер патента: 1649965
Опубликовано: 20.07.1996
Автор: Романов
МПК: H01L 21/331
Метки: биполярных, кремниевых, свч-транзисторов
Способ изготовления кремниевых биполярных СВЧ-транзисторов, включающий формирование на поверхности кремниевой подложки диэлектрической пленки, вскрытие окон под области базы и введение в них легирующей базовой примеси, вскрытие окна под область эмиттера и введение в нее легирующей эмиттерной примеси, нанесение диэлектрической кремнийсодержащей пленки, термообработку в окисляющей атмосфере, вскрытие контактных окон и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и надежности транзисторов за счет сглаживания рельефа поверхности структуры перед металлизацией, диэлектрическую кремнийсодержащую пленку наносят перед вскрытием окна под область эмиттера, термообработку в окисляющей атмосфере проводят до образования на...
Способ оптического контроля дефектов нижних слоев кремниевых структур
Номер патента: 1819068
Опубликовано: 27.10.1996
Авторы: Поборцев, Солонинко, Чарушкина, Чигирь
МПК: H01L 21/66
Метки: дефектов, кремниевых, нижних, оптического, слоев, структур
...СС 14 в течение 5 мин.В результате указанных операций травления на поверхности кристалла образовывался микрорельеф, представляющий собой ямки и бугорки травления и т.н, "Спейсеры", образующиеся по периметру шин металлизации. Средняя величина непланарности составляла 0,70+0,12 мкм, Оценка глубины ямок травления и высоты "спейсеров" и бугорков проводилась на растровом электронном микроскопе типа 1 БМ.После удаления пассивирующего слоя ислоя верхней металлизации проводился контроль дефектов нижнего слоя поликремниевой разводки по способу-прототипу, однако, из-за наличия микрорельефа на поверхности ИМС минимальный размер элементов, доступных для контроля, составлял 5,0 мкм, Затем поверхность кристалла тщательно очищалась на установке...
Способ изготовления кремниевых структур
Номер патента: 1830229
Опубликовано: 10.12.1996
Авторы: Волле, Воронков, Грехов, Козлов
МПК: H01L 21/324
Метки: кремниевых, структур
Способ изготовления кремниевых структур, включающий гидрофилизацию кремниевых пластин, сушку пластин на воздухе, соединение пластин лицевыми сторонами друг с другом, термообработку при температуре не менее 1000oC, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структур при одновременном увеличении производительности, после гидрофилизации пластины помещают в раствор, содержащий не менее 1 об. плавиковой кислоты в деионизованной отфильтрованной воде, затем пластины промывают в деионизованной отфильтрованной воде, соединяют пластины попарно и извлекают их из воды в соединенном состоянии, сушку пластин проводят перед термообработкой при 100 130oC в течение времени не менее 4 ч при одновременном...
Способ изготовления кремниевых транзисторов с тонкопленочными резисторами
Номер патента: 940605
Опубликовано: 10.01.1997
Авторы: Диковский, Каусова, Копицын, Назаревская
МПК: H01L 21/283
Метки: кремниевых, резисторами, тонкопленочными, транзисторов
Способ изготовления кремниевых транзисторов с тонкопленочными резисторами, включающий формирование активных областей, последовательное нанесение двух диэлектрических слоев, формирование в них контактных окон к активным областям, осаждение и фотогравировку нихрома для резисторов и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов при улучшении их параметров, после формирования контактных окон в диэлектрических слоях в эти окна дополнительно наносят пленку SiO2 толщиной 10 40 нм, локально формируют дополнительный слой металла со слабой адгезией к SiO2, растворяющийся в травителе, не взаимодействующем с нихромом, а после осаждения нихрома удаляют...
Способ изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных схем
Номер патента: 965239
Опубликовано: 10.01.1997
Авторы: Больших, Диковский, Каусова
МПК: H01L 21/306
Метки: интегральных, кремниевых, полупроводниковых, приборов, схем
Способ изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных схем, включающий создание контактных окон в диэлектрике с помощью фотогравировки, очистку поверхности сильнолегированного кремния в окнах травлением в травителях, содержащих плавиковую кислоту, и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости электрических параметров приборов и повышения выхода годных структур, перед очисткой поверхность кремния в окнах дополнительно окисляют в атмосфере увлажненного кислорода при температуре 873 973К в течение 10 30 мин и очистку травлением поверхности кремния в окнах проводят при освещенности 1 10 лк.
Способ формирования n+-p-p+ структур при изготовлении кремниевых фотопреобразователей
Номер патента: 1686983
Опубликовано: 27.06.1998
Авторы: Заддэ, Кузнецов, Курсакова, Сурьянинова, Токарев
МПК: H01L 31/18
Метки: n+-p-p+, изготовлении, кремниевых, структур, формирования, фотопреобразователей
Способ формирования n+-p-p+-структур при изготовлении кремниевых фотопреобразователей, включающий создание на противоположных сторонах кремниевой пластины источника фосфора и источника бора в виде боросиликатной пленки из пленкообразующего раствора с содержанием оксида бора в нем 20 - 60 мас.%, последующую термодеструкцию, термическую диффузию фосфора и бора в кремниевую пластину, удаление окисной пленки с двух сторон пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента полезного действия фотопреобразователей за счет управления профилем распределения примесей n-типа и исключения взаимного влияния примесей, диффузию фосфора проводят в две стадии, при этом на первой стадии в качестве источника фосфора...
Способ очистки полупроводниковых кремниевых пластин
Номер патента: 1190857
Опубликовано: 20.06.1999
Авторы: Верходанов, Герасименко, Мясников, Ободников
МПК: H01L 21/268
Метки: кремниевых, пластин, полупроводниковых
Способ очистки полупроводниковых кремниевых пластин путем воздействия на поверхность лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения очистки поверхности пластин от механических загрязнений, кремниевые пластины подвергают воздействию лазерного излучения с длиной волны 1,06 0,000365 мкм, удельной мощностью 318 Вт/см2 - 15 кВт/см2 и длительностью воздействия 50 - 200 мс.
Способ обработки кремниевых пластин
Номер патента: 1289294
Опубликовано: 20.06.1999
Авторы: Верходанов, Герасименко, Едренов, Мясников
МПК: H01L 21/268
Метки: кремниевых, пластин
Способ обработки кремниевых пластин, включающий обработку поверхности кремниевых пластин импульсом электромагнитного излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности операции сглаживания краев пластин, обработку всей поверхности пластин проводят импульсом некогерентного излучения при длительности импульса от 1 до 250 мс и удельной мощности от 0,3 до 140 кВт/см2.
Способ обработки кремниевых пластин
Номер патента: 786712
Опубликовано: 20.06.1999
Авторы: Верходанов, Герасименко
МПК: H01L 21/265
Метки: кремниевых, пластин
Способ обработки кремниевых пластин, включающий механическую обработку поверхности и термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров кремния за счет снижения концентрации дефектов, перед отжигом пластины облучают ионами кремния дозой 5 1014 - 5 1016 см-2 и энергией, обеспечивающей выполнение условия:R d,где R - глубина проникновения ионов в пластину.d - толщина нарушенного механической обработкой приповерхностного слоя...
Способ термической обработки кремниевых подложек
Номер патента: 1114258
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Латута, Марончук, Носовский, Тузовский
МПК: H01L 21/324
Метки: кремниевых, подложек, термической
Способ термической обработки кремниевых подложек, включающий их нагрев в среде водорода в течение 1 - 4 ч, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества подложек за счет уменьшения плотности дефектов у рабочей поверхности подложек, на рабочую поверхность каждой подложки устанавливают пластину кварца или сапфира толщиной, в 2 - 4 раза большей толщины кремниевой подложки, и нагревают нерабочие стороны подложек до температуры 900 - 1200oC.
Способ локального полирующего растворения кремниевых структур n+-nили p-n-типа
Номер патента: 1752133
Опубликовано: 20.11.1999
Авторы: Гершинский, Миронова
МПК: H01L 21/306
Метки: n+-nили, p-n-типа, кремниевых, локального, полирующего, растворения, структур
Способ локального полирующего растворения кремниевых структур n+-n- или p-n-типа, включающий помещение образца, используемого в качестве анода, и катода в электролит - водный раствор плавиковой кислоты - и последовательное электролитическое растворение слоев структуры, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, после растворения n+- или p-слоя поверхность структур промывают дистиллированной водой, а растворение n-слоя проводят при концентрации электролита, определяемой из выражения C = 1,6/d2, где d - диаметр участка локального растворения (мм), при этом величину прикладываемого между анодом и катодом напряжения определяют по формуле V = 2,7 + 1,32 lg...
Способ изготовления силовых кремниевых диодов
Номер патента: 1809701
Опубликовано: 20.12.1999
Авторы: Аринушкин, Берман, Волле, Воронков, Гейфман, Грехов, Козлов, Ломасов, Ременюк, Ткаченко, Толстобров
МПК: H01L 21/263
Метки: диодов, кремниевых, силовых
Способ изготовления силовых кремниевых диодов, включающий формирование p-n-перехода, омических контактов к p и n областям и облучение электронами, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров за счет уменьшения падения напряжения при прямом токе и сохранения времени выключения, облучение электронами проводят со стороны сильнолегированной области, при этом энергию электронов Eпов выбираю из условияEпов= a+bxj+ Eк, кэВ,где Eпов - энергия электронов на поверхности сильнолегированной области,a = 250 - 500, кэВ, b = 0,4, кэВ/мкм,
Способ травления кремниевых пластин
Номер патента: 1455940
Опубликовано: 20.01.2000
Авторы: Автомеенко, Карпенко, Масалыкина
МПК: H01L 21/302
Метки: кремниевых, пластин, травления
Способ травления кремниевых пластин, включающий размещение пластин в травителе, травление пластин при подаче в травитель азота и принудительном охлаждении травителя, отличающийся тем, что, с целью увеличения количества одновременно обрабатываемых пластин кремния за счет увеличения интенсивности объемного теплообмена между обрабатываемыми пластинами и травителем, в травитель подают жидкий азот.
Способ изготовления кремниевых многослойных структур
Номер патента: 1552933
Опубликовано: 20.02.2000
Авторы: Вылеталина, Данилин, Дракин, Мордюкович
МПК: H01L 21/265
Метки: кремниевых, многослойных, структур
Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика путем проведения повторяющихся циклов имплантации ионов азота - отжиг, при этом цикл по дозе имплантации составляет 1 - 10 1016 см-2, а суммарная доза 2 - 6 1017 см-2, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет повышения изолирующих свойств диэлектрика, перед проведением повторяющихся циклов проводят имплантацию ионов кислорода с дозой 0,5 - 10
Способ изготовления многослойных кремниевых структур
Номер патента: 1499609
Опубликовано: 20.02.2000
Авторы: Борун, Бузылев, Данилин, Метакса, Мордкович
МПК: H01L 21/265
Метки: кремниевых, многослойных, структур
Способ изготовления многослойных кремниевых структур, включающий создание в подложке скрытого слоя диэлектрика путем ионной имплантации азота и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа при одновременном улучшении качества структур путем уменьшения дефектности приповерхностного слоя кремниевой подложки, процесс проводят повторяющимися циклами имплантация - отжиг, при этом цикл по дозе имплантации составляет 1 - 10 х 1016 см-2, а суммарная доза 2 - 6 х 1017 см-2.
Способ изготовления многослойных кремниевых структур
Номер патента: 1584645
Опубликовано: 20.02.2000
Авторы: Белогорохов, Борун, Вылеталина, Данилин, Дракин, Мордкович, Сарайкин
МПК: H01L 21/265
Метки: кремниевых, многослойных, структур
Способ изготовления многослойных кремниевых структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика на основе нитрида кремния с помощью повторяющихся циклов имплантации лицевой стороны подложки ионами азота - отжиг, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины слоя диэлектрика при сохранении его изолирующих свойств, дополнительно проводят в каждом цикле перед отжигом имплантацию обратной стороны подложки любыми ионами с дозой 0,8 - 2 от дозы аморфизации кремния этими ионами, при этом цикл по дозе имплантации лицевой стороны составляет 5 - 50 1015 см-2, а суммарная доза...
Способ изготовления кремниевых многослойных структур
Номер патента: 1597027
Опубликовано: 20.02.2000
Авторы: Борун, Вылеталина, Данилин, Дракин, Малинин, Мордкович
МПК: H01L 21/265
Метки: кремниевых, многослойных, структур
Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика на основе нитрида кремния с помощью повторяющихся циклов имплантаций азота и отжига с дозой в цикле (1 - 10) 1016 см-2 и суммарной дозой (2 - 6) 1017 см-2, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств слоя кремния на диэлектрике за счет увеличения глубины его залегания, температуру подложки при имплантации поддерживают в интервале 200 - 450oC.
Способ подогрева кремниевых стержней
Номер патента: 503463
Опубликовано: 20.03.2000
Авторы: Бочкарев, Грайвер, Грибов, Иванов, Татаринов
МПК: C01B 33/02, C30B 29/06
Метки: кремниевых, подогрева, стержней
Способ подогрева кремниевых стержней при получении кремния в аппарате водородного восстановления хлоридов кремния за счет тепла, получаемого от газа-носителя, например, водорода, отличающийся тем, что, с целью повышения качества готового продукта, нагрев водорода ведут в дуговом плазмотроне.
Способ создания кремниевых n-n+-структур мощных полупроводниковых приборов
Номер патента: 1378713
Опубликовано: 10.06.2000
Авторы: Беляева, Дученко, Майзанов, Митин, Потапчук, Фомичев
МПК: H01L 21/324
Метки: n-n+-структур, кремниевых, мощных, полупроводниковых, приборов, создания
Способ создания кремниевых n-n+-структур мощных полупроводниковых приборов, включающий операции одностороннего наращивания сильнолегированного n+-слоя на подложку n-типа, механического снятия части n-слоя и последующей термообработки при температуре 1220 - 1250oC, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса изготовления n-n+-структур с заданными параметрами слоев и улучшения параметров приборов на их основе за счет достижения оптимальных профилей распределения примеси, термообработку ведут в течение 20 - 80 ч с последующим травлением n-слоя n-n+-структур в полирующем травителе на глубину 20 - 100 мкм.
Способ никелирования кремниевых полупроводниковых структур, участки поверхности которых защищены свинцово-силикатными стеклами
Номер патента: 1200778
Опубликовано: 10.06.2000
Авторы: Бротиковский, Зайцев, Курцин, Рыбак
МПК: H01L 21/308
Метки: защищены, которых, кремниевых, никелирования, поверхности, полупроводниковых, свинцово-силикатными, стеклами, структур, участки
Способ никелирования кремниевых полупроводниковых структур, участки поверхности которых защищены свинцово-силикатными стеклами, включающий селективное травление поверхности структур через защитную маску, промывку в деионизированной воде, активацию поверхности в золотосодержащем растворе и химическое осаждение никеля, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, после селективного травления структуру подвергают дополнительной ультразвуковой отмывке в 10 - 30%-ном водном растворе уксусной кислоты и все процессы отмывки и активации структуры проводят при сохранении на ее поверхности защитной маски.