Патенты с меткой «кремниевых»

Номер патента: 1382303

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Буров, Волков, Липатов, Овчинников

МПК: H01L 21/208

Метки: p-n-переходов, кремниевых

Способ изготовления кремниевых p-n-переходов путем наращивания эпитаксиальных слоев на легированные бором подложки, включающий приготовление раствора-расплава кремния в олове и введение в него легирующей добавки, изотермическую выдержку при температуре начала процесса, приведение раствора-расплава в контакт с подложками, травление подложек путем нагрева системы и последующее принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества p-n-переходов за счет устранения включений олова на границе p-n-перехода, дополнительно вводят в раствор-расплав 0,001 - 0,01 мас. % индия или галлия, изотермическую выдержку осуществляют в вакууме при давлении не более 0,13 Па, причем...

Номер патента: 1424631

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Басовский, Зданович, Кац, Орехов, Сидоров

МПК: H01L 21/208

Метки: p-p+-структур, кремниевых, н-п.и, непланарных, приборов

Способ изготовления n-p+- и p-p+ - структур кремниевых непланарных приборов, включающий заполнение промежутка между кремниевой монокристаллической пластиной-подложкой и пластиной-источником расплавом алюминия и последующее проведение зонной перекристаллизации в поле с градиентом температур, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет уменьшения удельного сопротивления p+-слоя, в качестве пластины-источника используют пластину поликристаллического кремния, легированную бромом до уровня 1020 - 3 1020

Номер патента: 1746846

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Зенцов, Козлов, Кузьмин, Уверская

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремниевых, омических, сплав, структур

Сплав для омических контактов кремниевых структур, содержащий кремний, никель, фосфор, алюминий, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода выпрямительных элементов на основе кремниевых структур на операции сплавления путем повышения технологической пластичности при одновременном снижении максимальной величины локального отклонения пиков вплавления относительно плоскости фронта вплавления силумина в кремний, он содержит указанные компоненты в следующем соотношении, мас.%:Кремний - 15 - 22Никель - 0,025 - 0,2Фосфор - 0,0022 - 0,02Алюминий - Остальное

Номер патента: 1602275

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Губарев, Марквичева, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: кремниевых, структур

Способ изготовления кремниевых структур, включающий химическую обработку пластин кремния n-типа проводимости, загрузку пластины и источника алюминия в печь, проведение первой термообработки - диффузии алюминия, выгрузку из печи, загрузку пластин и источника галлия в печь и проведение второй термообработки - диффузии галлия, отличающийся тем, что, с целью повышения времени жизни дырок в n-слое в качестве источника алюминия используют пленку оксида кремния толщиной 0,2-0,4 мкм, осажденную на кремниевую пластину из раствора и содержащую 0,3-4,8 мас.% оксида алюминия, а в качестве источника галлия используют пленку оксида кремния толщиной 0,2-0,4 мкм, осажденную на кремниевую пластину из...

Номер патента: 1568799

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Губарев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание n-n+- или n-p+-двухслойной кремниевой структуры, формирование на ее поверхности маскирующего покрытия, формирование слоя p-типа диффузией акцепторных примесей со стороны слоя n-типа, формирование термическим окислением пленки окисла кремния, фотолитографическое вскрытие в ней окон со стороны слоя p-типа и формирование n+ - областей диффузией донорной примеси в окна пленки окисла кремния, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления структур за счет сокращения количества высокотемпературных операций, маскирующее покрытие формируют толщиной 0,2-0,4 мкм путем нанесения...

Номер патента: 1523010

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Бучнев, Дмитриев, Зайцев, Рюмшин, Сизова, Смыслов

МПК: H01L 21/58

Метки: кремниевых, мощных, полупроводниковых, приборов, термокомпенсатор

Термокомпенсатор мощных кремниевых полупроводниковых приборов, содержащий графитовое основание с приповерхностным слоем из карбида кремния, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей термокомпенсатора за счет увеличения его смачиваемости алюминием и сплавами на основе алюминия, приповерхностный слой дополнительно пропитан кремнием с концентрацией по привесу 1 10-3 - 2,5 10-2 г/см2 поверхности.

Номер патента: 1535272

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Бротиковский, Минков

МПК: H01L 21/78

Метки: высоковольтных, диодов, изготовлении, кремниевых, мезаструктур, формирования

Способ формирования мезаструктур при изготовлении кремниевых высоковольтных диодов, включающий изготовление на полупроводниковой пластине диффузионной структуры с р-n переходом контактов, нанесение защитной маски, формирование мезаструктур путем надрезания пластины алмазным диском с последующим химическим травлением по образованным надрезам, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных приборов с повышенными значениями обратных пробивных напряжений, надрезание осуществляется со стороны n-слоя структуры с частотой вращения диска от 20 до 50 тыс.об/мин со скоростью подачи от 1 до 30 мм/с при толщине алмазной режущей кромки от 150 до 400 мкм и величине алмазного зерна от 0,5 до 20...

Номер патента: 1531756

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, легирования, пластин

Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергиями 30 - 60 кэВ и дозами, меньшими 4 1016 см-2, и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 25 10-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия...

Номер патента: 1531757

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, легирования, пластин

Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергией 30 - 60 кэВ и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, при одновременном снижении энергозатрат, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 2,5 10-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия обеспечения температуры T имплантированного слоя 900oC

Номер патента: 585773

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Григорьева, Далецкий, Долгов, Жидкова, Зайцева, Крейнин, Летин, Моисеев, Ушакова

МПК: H01L 27/14

Метки: кремниевых, фотопреобразователей

1. Способ изготовления кремниевых фотопреобразователей с диффузионно-легированным слоем на фронтальной поверхности и изоотипным барьером на тыльной поверхности, состоящий в резке, механико-химической обработке кремниевых пластин, формировании n+ и p+-слоев и нанесении контактов, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД фотопреобразователей, тыльную поверхность пластин бомбардируют ионами примеси, обеспечивающей проводимость того же типа, что и в исходном состоянии, например бора, с энергией ионов 20-60 кэв дозой от 800 до 2000 мккул/см2 и проводят отжиг легированного ионами слоя на тыльной поверхности при температуре 830-1030oC в потоке газа,...

Номер патента: 1266401

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Викерев, Кафтанатьев, Нестеров, Скворцов, Удальцов

МПК: H01L 21/306

Метки: кремниевых, мембран

Способ изготовления кремниевых мембран, включающий шлифование, полирование и анизотропное травление подложек, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления и выхода годных, после двустороннего шлифования и полирования нерабочей стороны подложек на этой стороне производят анизотропное травление углублений до получения толщины мембран, превышающей требуемую толщину на 1,2-1,35 глубины нарушенного слоя, образующегося после шлифования, а затем производят химико-механическое полирование рабочей стороны подложек до достижения требуемой толщины мембран, причем давление на мембраны в процессе полирования рабочей стороны изменяют в соответствии с выражениемР = k...

Номер патента: 1400386

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Козерчук, Першин

МПК: H01L 21/324

Метки: изготовлении, кремниевых, легированных, областей, полупроводниковых, приборов, формирования

Способ формирования легированных областей при изготовлении кремниевых полупроводниковых приборов, включающий выращивание окисла на кремниевой подложке, формирование рисунка в окисле, загонку легирующей примеси, химическую очистку, диффузионную разгонку в окислительной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов за счет улучшения очистки поверхности полупроводника, диффузионную разгонку проводят с добавлением в окислительную атмосферу паров йодосодержащих компонентов в количестве 0,5-1,5 об.%.

Номер патента: 1840259

Опубликовано: 10.09.2006

Авторы: Басов, Кокин, Любушкин, Манжа

МПК: H01L 21/18

Метки: кремниевых, транзисторов

Способ изготовления кремниевых транзисторов, включающий создание коллектора, базы транзистора, нанесение двухслойной маски, нижний слой которой является двуокисью кремния, вытравливание в маске эмиттерного окна, боковое подтравливание двуокиси кремния с образованием полости под вторым слоем маски, диффузию эмиттерной примеси, термическое окисление, вытравливание в окисле эмиттерного контакта, соответствующего окну во втором слое маски, вытравливание контактных окон к коллектору, базе и нанесение металлических контактов к электродам, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик транзисторов и повышения их надежности, в качестве второго слоя маски наносят поликристаллическим кремний и термическое окисление проводят...

Номер патента: 1840260

Опубликовано: 10.09.2006

Авторы: Басов, Кокин, Любимов, Манжа, Чистяков

МПК: H01L 21/18

Метки: кремниевых, структур, эпитаксиальных

Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур, включающий создание в кремнии р-типа проводимости областей n-типа проводимости, легирование поверхности акцепторной примесью, окисление, вскрытие в окисле окон и эпитаксиальное наращивание в атмосфере водорода, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик структур, легируют поверхность акцепторной примесью между областями n-типа проводимости до уровня концентрации в 3-8 раз меньшего уровня, при котором имеют место канальные утечки под окислом кремния после эпитаксиального наращивания в атмосфере водорода, и после эпитаксиального наращивания структуру отжигают в атмосфере инертного газа, преимущественно азота, при температуре на 100°С больше и на...

Номер патента: 1515964

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Войтович, Ковалевский, Красницкий, Турцевич, Цыбульский

МПК: H01L 21/324

Метки: кремниевых, планаризации, структур

Способ планаризации кремниевых структур, включающий нанесение на их поверхность пленки борофосфоросиликатного стекла и последующую термообработку при 800-950°С, отличающийся тем, что, с целью улучшения планарности структур и снижения дефектности пленки борофосфоросиликатного стекла, термообработку проводят в парогазовой смеси водорода и алканола R-OH, где R - CH3 -(CnH2n), n = 0, 1, 2, 3, ..., при давлении 20-200 Па и концентрации алканола 0,5-10 мас.%.

Номер патента: 1091774

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Румак, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: кремниевых, моп-структур

Способ контроля кремниевых МОП-структур, основанный на нагревании кремниевой пластины до температуры окисления, выдержке при этой температуре в окислительной среде, охлаждении структуры окисел - полупроводник до комнатной температуры, получении МОП-структуры путем нанесения полевого электрода, регистрации вольт-фарадных характеристик, по которым судят о качестве кремниевых МОП-структур, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности определения качества кремниевых МОП-структур, охлаждение производят со скоростью 15-20 K/с, после охлаждения на поверхность окисла наносят слой фосфоро-силикатного стекла, прикладывают к МОП-структуре напряжение смещения -(10-15) или +(5-10) В,...

Номер патента: 1299028

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Аседовский, Бобченок, Гурский, Зеленин

МПК: B23K 35/24

Метки: контактно-реактивной, кремниевых, кристаллов, пайки, прокладка

Прокладка для контактно-реактивной пайки кремниевых кристаллов, содержащая золото, отличающаяся тем, что, с целью снижения величины остаточных механических напряжений в кристалле, она дополнительно содержит порошок силицида гафния с размером частиц 2-7 мкм при следующем соотношении компонентов, мас.%: Силицид гафния15-30 ЗолотоОстальное