Майзанов

Способ создания кремниевых n-n+-структур мощных полупроводниковых приборов

Номер патента: 1378713

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Беляева, Дученко, Майзанов, Митин, Потапчук, Фомичев

МПК: H01L 21/324

Метки: n-n+-структур, кремниевых, мощных, полупроводниковых, приборов, создания

Способ создания кремниевых n-n+-структур мощных полупроводниковых приборов, включающий операции одностороннего наращивания сильнолегированного n+-слоя на подложку n-типа, механического снятия части n-слоя и последующей термообработки при температуре 1220 - 1250oC, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса изготовления n-n+-структур с заданными параметрами слоев и улучшения параметров приборов на их основе за счет достижения оптимальных профилей распределения примеси, термообработку ведут в течение 20 - 80 ч с последующим травлением n-слоя n-n+-структур в полирующем травителе на глубину 20 - 100 мкм.