Способ создания кремниевых n-n+-структур мощных полупроводниковых приборов

Номер патента: 1523010

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Бучнев, Дмитриев, Зайцев, Рюмшин, Сизова, Смыслов

МПК: H01L 21/58

Метки: кремниевых, мощных, полупроводниковых, приборов, термокомпенсатор

Термокомпенсатор мощных кремниевых полупроводниковых приборов, содержащий графитовое основание с приповерхностным слоем из карбида кремния, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей термокомпенсатора за счет увеличения его смачиваемости алюминием и сплавами на основе алюминия, приповерхностный слой дополнительно пропитан кремнием с концентрацией по привесу 1 10-3 - 2,5 10-2 г/см2 поверхности.

Номер патента: 1679911

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Кастрюлев, Розес, Сидорова, Ткачева

МПК: H01L 21/28

Метки: металлизации, полупроводниковых, приборов, создания

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий формирование пленки барьерного металла Tiw, нанесение пленки Al Si, нанесение пленки фоторезиста, формирование рисунка межсоединений, удаление фоторезиста, ионно-химическое травление Tiw, отличающийся тем, что с целью повышения надежности полупроводниковых приборов, ионно-химическое травление пленки Tiw ведут на 2/3 толщины с дотравливанием в растворе перекиси водорода и уксусной кислоты.2.Способ по п.1, отличающийся тем, что дотравливание в растворе перекиси водорода и уксусной кислоты проводят при соотношении 1 1 и температуре 40 - 45oС.

Номер патента: 1400386

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Козерчук, Першин

МПК: H01L 21/324

Метки: изготовлении, кремниевых, легированных, областей, полупроводниковых, приборов, формирования

Способ формирования легированных областей при изготовлении кремниевых полупроводниковых приборов, включающий выращивание окисла на кремниевой подложке, формирование рисунка в окисле, загонку легирующей примеси, химическую очистку, диффузионную разгонку в окислительной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов за счет улучшения очистки поверхности полупроводника, диффузионную разгонку проводят с добавлением в окислительную атмосферу паров йодосодержащих компонентов в количестве 0,5-1,5 об.%.

Номер патента: 1168021

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Мельник, Мокеев, Нидаев

МПК: H01L 21/76

Метки: мдп-приборов, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР МДП-ПРИБОРОВ, включающий формирование на кремниевой подложке пленки двуокиси кремния, осаждение слоя поликристаллического или аморфного кремния, разделение слоя кремния на изолированные области, рекристаллизационный обжиг, отличающийся тем, что, с целью увеличения подвижности носителей заряда в изолированных областях кремния и сохранения исходной формы этих областей, слой поликристаллического или аморфного кремния разделяют на изолированные области методом локального прокисления этого слоя до пленки двуокиси кремния.

Номер патента: 1026092

Опубликовано: 30.06.1983

Авторы: Бардин, Беспалов, Миков, Цетлин

МПК: G01R 19/00, G01R 31/26

Метки: обратного, полупроводниковых, приборов, силовых

...с компаратором, второйвход которого соединен с испытываемым иэделием 2 .Недостатком такого устройства являются большие время контроля и погрешность измерения тока,Цель изобретения - уменьшениевремени контроля и погрешность измерений.Поставленная цель достигаетсятем, что в устройство для измеренияобратного тока сидовых полупроводниковых приборов, содержащее трансфор- З 5матор, первый вывод вторичной обмотки которого соединен с выводомобъекта контроля, второй вывод объекта контроля соединен через шунт с общей шиной устройства, измерительный 40прибор, соединенный с шунтом, первый вывод первичной обмотки трансфор-матора соединен с пусковым тиристором,параллельно"встречно с который соеди-нена цепь иэ последовательно соединен-.45ных диода...