Патенты с меткой «геттером»

Номер патента: 1109822

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Мурадян, Татаринова

МПК: H01J 7/18

Метки: газа, геттером, количества, поглощенного

...на следующих физических закономерностях.Как известно, автоэлектронные токи металлической поверхности в вакууме подчиняются экспоненциальной зависимости Фаулера-Нордгейма. Эта зависимость сохраняется при наличии напыленной пленки геттерного металла, если напыление проводилось в высоком вакууме. Однако при длительной выдержке напыленной пленки в остаточном газе, вследствие поглощения геттером этого газа, экспоненциальная зависимость нарушается и на вольтамперных характеристиках появляется линейный участок. Угол наклона этого участка постепенно увеличивается с увеличением выдержки напыленной геттерной пленки в остаточном газе. После насыщения геттера остаточным газом угол наклона не изменяется,Физический механизм появления линейных...

Номер патента: 1797403

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Алешин, Енишерлова-Вельяшева, Казакевич, Мордкович, Русак

МПК: H01L 21/265

Метки: внутренним, геттером, кремниевых, структур, эпитаксиальных

...определяющих дефектообразование в материале,Технология эпитаксиального наращивания на кремнии практически всегда включает процесс газового травления, обеспечивающий очистку поверхности перед эпитаксиальным наращиванием. Проведение газового травления необходимо и в предлагаемом варианте в целях очистки, однако в заявляемом варианте накладывается определенное условие, оговаривающее возможную толщину удаляемого в процессе га 1797403зового травления слоя материала. он должен составлять; 0,1-02 Вр где Йр средний проецированный пробег ионов кислорода и углерода, Именно при этом условии, как экспериментально было показано, удастся пол учить чистый бездефектный слоЯ у поверхности подложки и наиболее совершенные эпитаксиальные пленки, При...