Патенты с меткой «кремниевых»

Номер патента: 1728900

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Абрамов, Гурова, Макеев

МПК: H01L 21/26

Метки: концентрации, кремниевых, легирующей, примеси, профиля, структурах, эпитаксиальных

...график распределения концентрации носителей заряда+для структур типа и - и - и, иллюстрирующий предлагаемый способ,П р и м е р. Измерение профиля концентрации мышьяка осуществляют на электрохимическом профилометре в кремниевыхструктурах и - и - и, изготовленных методом газофазной эпитаксии. Травление и измерение емкости проводят в стандартнойячейке, состоящей из резервуара для электролита и прижимного устройства, создающего контакт к обратной стороне образца.В качестве электролита используют 2-З ный водный раствор НЕ:НМОз:Н 202=1:1:1,В процессе травления к барьеру Шотткиприкладывают напряжение смещения 1-2В, измеряемая плотность тока травления1-3 мА/см . Измеряют емкость барьераШоттки полупроводник-электролит при напряжении...

Номер патента: 1732312

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Воронина, Гаськов, Книпович, Конюшкина

МПК: G02B 5/28

Метки: защитного, кремниевых, оптических, поверхности, покрытия, элементов

...из кремния помещается через шлиф 4 на кварцевую платформу 5. Азотная смесь вводится в реактор через кран 7, пройдя систему очистки, Скорость газового потока измеряется ротаметром 8, регулировка скорости проводится краном 7. Датчики 9 измерения давления располагаются на входе и выходе из реактора. Проточный режим работы реактора обеспечивается форвакуумным насосом НВЗ. Для предварительного обезгаживания стенок реактора используется магниторазрядный насос "НОРД". Электрическое питание разряда осуществляется от блока питания БПи разрядного блока (не показаны). Суммарная емкость конденсаторной батареи 4,17 мкф, напрякение на электродах 1200 - 1300 В, длительность импульса 20 мкс, частота 20 Гц.Способ осуществляют следующим...

Номер патента: 1767582

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Миттенберг, Пашкова, Прохоров, Шаталов

МПК: H01L 21/66

Метки: кремниевых, слоя, структур, толщины, эпитаксиального

...превышающую значение В//1 да, где а - угол разориентации пластины; ЧЧ - толщина эпитаксиального слоя, определенная по максимальной скорости роста, проводят анизотропное травление через полученную маску до появления на профиле травления плоской части параллельной поверхности эпитаксиального слоя, удаляют маску, а затем по высоте ступени между поверхностью эпитаксиального слоя и плоской частью профиля травления определяют толщину эпитаксиального слоя.В некоторых случаях целесообразно вскрывать окно в виде полос, перпендикулярных базовому срезу структуры, причем ширина полос должна превышать значение Ю/тда. Способ основан на том, что эпитаксиальные слои выращиваются на подложках,имеющих отклонение от плоскости (111) на4 или 8 по...

Номер патента: 1781270

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Кравец, Сушко, Хома

МПК: C09G 1/02

Метки: кремниевых, пластин, полирования, состав, химико-механического

...мас,% пирогенной двуокиси кремния, 0,6 мас.% водного раствора аммиака, 0,6 мас,ф гидроокиси калия, 2,1 мас.% этиленгликоля и перемешивают в течение 10 мин, Затем добавляют 91,5 мас,% деионизированной воды и перемешивают в течение 15 мин. В приготовленную суспензию перед употреблением добавляют 0,2 мас,% кремнийорганической добавки, перемешивают в течение 5 мин и применяют для полировки кремниевых пластин,.П р и м е р 3. В реактор, снабженный высокооборотной мешалкой, подают 7,0 мас.% пирогенной двуокиси кремния, 0,5 мас.% водного раствора аммиака,.0,5 мас.% гидро- окиси калия, 1,2 мас,% этиленгликоля и перемешивают в течение 15 мин, Затем добавляют 90,2 мас,% деионизированной воды и перемешивают в течение 15 минут, В приготовленную...

Номер патента: 1783595

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Ваганов, Пряхин

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, кремниевых, механоэлектрических, преобразователей

...стороне глубокого профилирования поверхности кристалла чувствительного элемента, расширяется диапазон линейного преобразования,На фиг. 1-5 изображена последовательность операций для изготовления интегральных механоэлектрических преобразователей.П р и м е р. Использованы полированные с двух сторон кремниевые пластины п-типа проводимости с ориентацией поверхности в плоскости (1 00) (КЭФ 4,5).1. Выращивают термический окисел 1 толщиной 0,7 мкм при 1200 С на двух сторонах пластины 2 в высокотемпературной печи марки СДП 125-4 А,2, Проводят фотолитографию, чтобы вскрыть окна 3 в двуокиси кремния в месте расположения внешних вь 1 водов,3, На установке УВПМ наносят слой плазмохимического нитрида кремния толщиной 0,15 мкм.4, Проводят...

Номер патента: 1811637

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Викулин, Глауберман, Козел, Чалая, Шахов

МПК: H01L 21/263

Метки: кремниевых, магниточувствительных, транзисторов

...дефектов и наличие ионизации, Таким образом, облучение электронами позволяет повысить магниточувствительность, Кроме того, облучение электронами не требует дорогостоящего оборудования, непродолжительно по времени и технологически несложно,Образцы магниточувствительных транзисторов изготавливались из кремния и-типа с исходным удельным сопротивлением 1 Ом м по стандартной планарной технологии, Глубина залегания эмиттера и коллектора 2,5 мкм, Концентрация основной примеси в эмиттере 10 см, После сборки кристаллов магниточувствительных транзисторов в корпуса измерялась зависимость тока коллектора от прилагаемого магнитного поля и определялась магниточувствительность, Облучение образцов проводилось на линейном ускорителе "Электроника". После...

Номер патента: 1817866

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Громов, Джус, Муратов, Нерсесян, Татеосов, Христич

МПК: H01L 21/225

Метки: диодов, импульсных, кремниевых, эпитаксиально-диффузионных

...области и переходе металл- полупроводник уменьшится, что позволит увеличить плотность тока с одновременным сохранением (уменьшением) граничного значения ОпрямПримерамй конкретного использования данного изобретения является изготовление диодов: 1) 2 Д(КД)2999 (Опрям 0,93 В пРипрям 20 А овос.обр. 200) на кРисталле диаметром 6,0 мм, вместо ранее использованного кристалла диаметром 8,5 мм 2) 2 Д(КД) 2997 (Ообр 0,93 В при 1 прям = ЗОА, лоос,обр. 200) На КРИСтаЛЛЕ ДИаМЕтРОМ 8,5 мм, вместо ранее использованного кристалла диаметром 10 мм.Режим дополнительного термоотжига, с целью уменьшения падения напряжения на контактах и в прйконтактных областях, выбран был следующим: Т=1250 С, с =.(2-5) ч.Режим термообжига, согласно технологиче. ских...

Номер патента: 1040980

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Бутырин, Дикарев, Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: диэлектрических, ионно-химического, кремниевых, кремнийсодержащих, пленок, подложках, травления

...перехода парагелия из состояния (1 Я - 8 ) в метастабильное состояние 2 Я (Я ) или 19,82 эВ для перехода в состояние 2 Б (3 Я) -для ортогелия, а также для атомов неона - 10,30 эВ при переходе2 р - 8 о -+ 3 р 1/21Для других инертных газов энергия тушения возбужденных атомов значиЬтельно ниже 1 б эВ и недостаточна для ионизации молекул Фтористого водо". рода.Таким образом, введением во входящии газовый поток, содержащий фтористый водород и водород, неона или гелия обеспечивают увеличенное образование ионов НР" в общем ионном потоке.5 104409В дальнейшем положительные ионы переводят преимущественно в молекулярное состояние путем соэрания объемного отрицательного заряда электронов в пространстве реакционной камере между плазменным разрядом.и...

Номер патента: 897058

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Булгаков, Красножон

МПК: H01L 21/385

Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур

...в виде трещин и пор тер- змомеханическими напряжениями в слоеокисла, выращенном на сильно развитой,острорельефной матированной поверхности кремния глубиной рельефа одного по- арядка и выше толщины выращенногоокисла,Поскольку образование рельефа на про- Офтравливаемой поверхности кремния опре-,деляется наличием на нейприповерхностных нарушений стРуктуРы имеханическими напряжениями (после различных обработок), то для увеличения равномерности распределения скрытыхдефектов по поверхности схем, пластиныперед матирующим травлением подвергаютвоздействию потока ионов (например, окнавскрывают ионным, ионно-химическим илиплазмохимическим травлением) или допол- - фнительному воздействию электронов (например, электронно-лучевой...

Номер патента: 1160895

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/78

Метки: кремниевых, полупроводниковых, структур

...воздухом. Следующей после нддрездния чисткой5 11удаляют продукты надрезания и буртикс поверхности подложки, а также удаляют поверхностный дефектный и загрязненный слой маскирующего диэлектрического покрытия двуокиси кремния,Отсутствие специальной операциинанесения защитной маски, а такжеочистки подложки от продуктов скрайбирования маскирующего диэлектрического покрытия и мгталлизированной разводки в одном технологическомцикле упрощает способ и сокращаетвремя его проведенияП р и м е р, Полупроводниковуюподложку кремния толщиной 250 мкми-типа проводимости, служащую коллектором, подвергают термическомуокислению при температуре 1150 С втечение 3 ч, Процесс проводят в ком"Ьинированной среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода...

Номер патента: 1018543

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевых, мощных, транзисторов

...с образованиемокисного покрытия 11 в условиях глубокого окисления поверхности кремния в области активной базы 10, изменившей свой профиль вслерствие эФ"йекта сегрегации примеси на границераярела двуокиси кремния - кремний,при этом область контакта 7 сомкнулась с областью базы 10, йиг, чподложка 1 после удаления окисногопокрытия 11 с области активной базы10 и проведения в то же окно диФФузии ронорной примеси в змиттернуюобласть 12, Фиг,5 - подложка 1 после вскрытия контактных окон к области змиттера и базы и создания двухслойной токопроводящей разводки кзмиттеру и однослойной к базе наоснове высоколегированного поликристаллического кремния 13 и слояалюминия 14,Контакт к области коллектора осуществляют с рругой стороны подложки.При этом...

Номер патента: 766416

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Борзаков, Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевых, свч, структур, транзисторных

...слоя, непревышающая 0,35 мкм, выбрана исходя изсоображений эффекта торможения этогослоя для ионов бора с ускоряющим напряжением150 кВ. Именно при больших тол 7 бб 416щинах ионы бора полностью тормозятся диэлектрической пленкой и достигают поверхности кремния.Способ характеризуется совокупностью и последовательностью операций.представленной на фиг,1-6,На фиг.1 показана кремниевая подложка 1 и-типа с созданным на ее поверхностислоем окисла кремния 2, вытравленным внем окном 3 и вновь созданным в окне наповерхности кремния тонким (толщиной несвыше 0,35 мкм) термическим выращеннымслоем окисла кремния 4,На фиг,2 представлена структура послеионного внедрения в тонкий диэлектрический слой 4 акцепторной примеси (бора) 5из...

Номер патента: 533157

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Булгаков, Велигура, Ивановский, Лобов, Майшев

МПК: H01L 21/28

Метки: кремниевых, многоэмиттерных, транзисторов

...формирования активных областей транзисторной структуры на поверхность структуры наносят нихромовый слой, а поверх него - слой алюминия толщиной 0,1 - 0,2 мкм. Далее проводят фотолитографическое формирование резисторов.Следующим. этапом последовательно напыляют слои многослойной золотосодержащей металлизации, после чего осуществляют фотогравировку металлических контактов ионно-химическим травлением, Последнее практически очень мало действует на алюминий, который таким образом надежно защищает нихромовые резисторы.По окончании ионно-химического травления слой алюминия удаляют в химическом травителе.Практически изготовление многоэмиттерных СВЧ транзисторов с нихромовыми резисторами показано в следующем примере.1. В исходных...

Номер патента: 716178

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Глущенко

МПК: C30B 29/06, C30B 31/06

Метки: кремниевых, окисления, пластин, термического

...: ,.:, .:,: , З 5 кислорода и воды с каплеобразователем 5,Наиболее близким"по"добФйгвейому ре-" имеющим наклонно размещенный в полозультату и технической СуЩностй является . сти реактора 1 патрубок 6 с коленом 7, расустройство для термического ЬКйсления, со- полоненным внижней части реактора 1 идержащее горизонтально установленныйоканчивающимся выходным отверстием 8., кварцевый реактор, внутрй когорого уста. 8 реакторе 1 установлены кассета 9 с полуновлены кассеты для размеМеййякремнив- проаодниковыми пластинами 10,вых ппастинипоперечная"йврвгородка с . Работаустройствазаключэетсявследуокном, трубопроводы подачи" кислорода и ющем,.воды и кайлеобрэзователь спатрубком. на- Вода по трубопроводу 4 от каплеобраклонно расположенным...

Номер патента: 2002827

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Апончук, Бастрыга, Клец, Крыса, Лебедев, Мошков, Черняховский, Щербинин

МПК: C22B 1/14, C22B 5/06

Метки: алюминиево, кремниевых, приготовления, производства, сплавов, шихты

...счет образования легкоплавких соединений. Каустический модуль, равный 1,5-1,7, обеспечивает такое количество избытка йа 20, которое необходимо для взаимодействия с алюминием и кремнием, имеющимся в металлизированных шлаках, по реакциям:2 НаОН+2 АНБН 20 -2 НаАОН)а гЗ Нг(1),2 МаОН+23+2 НгО - йарО 2302+ЗН 2.Выделяющиеся в результате реакции (, ) водород и пары воды вспенивают исходную массу, а полимеризующиеся бисиликати алюминат натрия связывают частицы шихты, придавая ей прочную структуру. Нагревание при температуре 25 - 250 С способствует удалению влаги и затвердеванию, продукта, в результате чего образуется структура неорганического происхождения, напоминающая пенопластСопоставительный анализ предлагаемого способа с известным...

Номер патента: 1056807

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Брюхно, Матовников, Огнев, Половенко

МПК: H01L 21/205

Метки: кремниевых, структур, эпитаксиальных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР, включающий осаждение на монокристаллическую кремниевую подложку поликристаллического слоя кремния, его шлифование, удаление части подложки параллельно шлифованной поверхности поликристаллического слоя кремния, нанесение на поликристаллический слой кремния защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет уменьшения плотности дефектов на их монокристаллической поверхности и упрощения процесса изготовления структур, нанесение на поликристаллический слой кремния защитного покрытия проводят после шлифования слоя поликристаллического кремния.

Номер патента: 1105075

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Бакун, Брюхно, Долгих, Матовников, Огнев, Четвериков

МПК: H01L 21/205

Метки: кремниевых, монокристаллических, подложек, пьедестале, размещения

СПОСОБ РАЗМЕЩЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК НА ПЬЕДЕСТАЛЕ при газофазном осаждении на них полупроводниковых слоев, включающий установку подложек на пьедестал с закреплением на стержнях, съем подложек с осажденными слоями с пьедестала, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных подложек с осажденными слоями за счет уменьшения вероятности их разламывания при съеме, при установке подложек на пьедестале биссектрису угла между двумя смежными плоскостями преимущественного разрушения каждой подложки ориентируют параллельно плоскости, проходящей через оси стержней.

Номер патента: 1471901

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Брюхно, Громов, Добровичан, Коновалов, Опалев, Шер

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование на кремниевой монокристаллической подложке диэлектрического слоя, изготовление из этого слоя маски с окнами для вытравливания разделительных канавок, вытравливание в подложке разделительных канавок, формирование маски с окнами для вытравливания подложки при получении монокремниевых участков с уменьшенной толщиной, формирование монокремниевых участков с уменьшенной толщиной вытравливанием подложки через окна маски, заращивание окон этой маски оксидом кремния, осаждения на полученный рельеф опорного слоя поликремния, удаление части подложки до вскрытия монокремниевых участков с уменьшенной и увеличенной толщиной,...

Номер патента: 1480683

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Прокофьев, Урицкий, Шаталов

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий вытравливание в кремниевой подложке рельефа, формирование на рельефе слоя изолирующего оксида кремния, осаждение легированного слоя поликремния, наращивание опорного слоя поликремния, удаление части подложки с вскрытием монокремниевых участков, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик интегральных схем за счет уменьшения и стабилизации заряда в слое изолирующего оксида кремния, слой легированного поликремния осаждают толщиной 0,5 - 2,0 мкм, а в качестве легирующего элемента используют бор с концентрацией в слое поликремния 1017 - 2

Номер патента: 1405629

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Жеребцов, Легейда, Максименко, Черный

МПК: H01L 21/02

Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ , включающий фоpмиpование pельефа на повеpхности кpемниевой подложки, нанесение слоя диэлектpической изоляции, наpащивание слоя поликpисталлического кpемния, теpмообpаботку стpуктуpы пpи одновpеменном пpиложении к ней с обеих стоpон давления величиной от 5 105 Па до 106 Па, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных стpуктуp, после наpащивания поликpисталлического кpемния, его сошлифовывают до получения плоской повеpхности, теpмообpаботку осуществляют путем выдеpжки стpуктуpы пpи 1323 - 1423 К в течение 3 - 5 мин и охлаждения до 1173 - 1223 К, а давление создают с одной...

Номер патента: 807917

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Ваганов, Гончарова

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, кремниевых, механоэлектрических, преобразователей

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ МЕХАНОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ, включающий операции термического окисления кремниевой пластины, совмещение элементов преобразователей на ее противоположных сторонах, изготовление тензочувствительных компонентов и формирование упругих элементов методом локального анизотропного травления кремния, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных преобразователей и расширения диапазона линейного преобразования, после термического окисления кремниевой пластины удаляют с одной ее стороны окисный слой и напряженный приповерхностный слой кремния, изготавливают тонкий окисный слой термическим окислением кремниевой пластины, а после операции совмещения элементов преобразователя изготавливают...

Номер патента: 1108966

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Данцев, Комаров, Шер

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур, транзисторных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий формирование на монокристаллической кремниевой подложке первой пленки двуокиси кремния, вскрытие в ней локальных областей, вытравливание первой группы разделительных канавок, удаление первой пленки двуокиси кремния, формирование скрытого слоя в разделительных канавках первой группы, формирование второй пленки двуокиси кремния, вскрытие в ней локальных областей, вытравливание второй группы разделительных канавок, формирование пленки двуокиси кремния в разделительных канавках второй группы, наращивание на рельефную поверхность структуры слоя поликристаллического кремния, удаление части кремниевой подложки с образованием изолированных...

Номер патента: 1116919

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Брюхно, Громов, Данцев, Комаров, Хочинов

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур, транзисторных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий образование на исходной монокристаллической пластине высоколегированных скрытых слоев того же типа проводимости, что и пластина, травление разделительных канавок, нанесение на них диэлектрического слоя, наращивание на него поликристаллической кремниевой подложки, вскрытие монокристаллических карманов, формирование в монокристаллических кремниевых карманах транзисторных структур, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и увеличения процента выхода годных структур, до образования высоколегированных скрытых слоев или одновременно с ними формируют на исходной монокристаллической пластине локальные высоколегированные области того же типа...

Номер патента: 1284415

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/331

Метки: n-p-n, вч-транзисторных, кремниевых, структур

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ n-p-n ВЧ-ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР, включающий формирование в кремниевой полупроводниковой подложке базовой области, легированной бором, нанесение маскирующего слоя, стойкого к окислительной среде, например нитрида кремния, гравировку, при которой маскирующий слой, стойкий к окислению, остается в местах расположения будущих эмиттеров, термическое перераспределение базовой примеси в окислительной среде, вскрытие эмиттерных окон удалением маскирующего слоя и формирование эмиттерной области, отличающийся тем, что, с целью улучшения частотных и усилительных свойств транзисторных структур при увеличении выходной мощности, после формирования в полупроводниковой подложке базовой области перед нанесением маскирующего...

Номер патента: 1634054

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Зайдлин, Зайцев, Кононов, Красников, Нестеров

МПК: H01L 21/316

Метки: кремниевых, окисления, подложек

...для ввода окислителя, щелью 4, отверстиями 5 и 6 для ввода и вывода парогазовых смесей, подвижной заслонки 7, подложкодержателя (кварц) 8, кремниевых подложек 9, заглушки 10 реактора (кварц).Устройство работает следующим образом. В исходном состоянии подвижная заслонка 7 входит в щель 4 в реакторе и разделяет его на,две части, Щель в реакторе выполнена шириной 12 мм на 3/4 его диаметра. Реактор свободен от заглушки 10. Кремниевые подложки 9, помещенные на подложкодержатель 8, загружают в переднюю часть реактора 2 перед заслонкой 7 и крышку реактора закрывают, Затем в отверстие 5 вводят парогазовую смесь (например, смесь паров соляной кислоты с азотом), которая, очищая кремниевые подложки, выходит через отверстие 6 и зазор между...

Номер патента: 1499627

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Антонова, Воронков, Енишерлова-Вельяшева, Куц, Мильвидский, Резник, Русак, Шмелева

МПК: H01L 21/322

Метки: геттерирующими, кремниевых, объеме, пластин, пластины, центрами

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН С ГЕТТЕРИРУЮЩИМИ ЦЕНТРАМИ В ОБЪЕМЕ ПЛАСТИНЫ, включающий отжиг в окислительной атмосфере при 1100 - 1200oС в течение 2 - 3 ч и двухступенчатый отжиг в инертной среде при 700 - 750oС в течение 4 - 6 ч и при 1000 - 1050oС, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности геттерирования независимо от содержания кислорода в кремнии, отжиг при 1100 - 1200oС проводят в атмосфере сухого кислорода с хлорсодержащими добавками при содержании активного хлора 0,3 - 1% от содержания кислорода, после отжига в окислительной среде проводят дополнительный отжиг при 430 - 450oС, причем продолжительность отжигов при 430 - 450oС и 1000 -...

Номер патента: 1316486

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Брюхно, Сафронов

МПК: H01L 21/205

Метки: кремниевых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР, включающий операции затравливания, осаждения поликристаллического кремния из газовой фазы на монокристаллическую кремниевую пластину, выравнивания поликристаллического слоя параллельно обратной стороне монокристаллической пластины, удаления части монокристаллического слоя до достижения заданной толщины, нанесения защитного покрытия на поликристаллический слой кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных структур путем увеличения механической прочности слоя поликристаллического кремния, в процессе осаждения поликристаллического кремния проводят дополнительные операции затравливания по достижении толщины поликристалла d (мкм), изменяемой в пределах 30

Номер патента: 1222149

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Брюхно, Жарковский, Комаров, Сахаров, Шер

МПК: H01L 21/74

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЕВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ, включающий формирование в монокристаллической кремниевой пластине локальных скрытых слоев, вытравливание канавок в пластине, защиту полученного рельефа диэлектриком, осаждение со стороны рельефа поликристаллического кремниевого опорного слоя, формирование монокристаллических областей, формирование в этих областях р-п-переходов, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур и надежности интегральных схем путем повышения напряжения пробоя р-п-переходов, канавки вытравливают в пластине на расстоянии от локальных скрытых слоев, не меньшем глубины проникновения примеси скрытых слоев в пластину, после проведения операций защиты...

Номер патента: 1556432

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Бачурин, Садковская, Сопов, Федорова

МПК: H01L 21/18

Метки: высоковольтных, кремниевых, приборов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ КРЕМНИЕВЫХ ПРИБОРОВ, включающий формирование в кремниевой подложке p-n-перехода с элементами краевой защиты от пробоя, формирование защитной пленки окисла кремния, алюминиевых электродов с контактными площадками, удаление защитной пленки окисла кремния с поверхности элементов краевой защиты, нанесение пассивирующей пленки поликремния, содержащей кислород, термообработку и присоединение к контактным площадкам внешних выводов, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик приборов и повышения выхода годных за счет исключения взаимодействия электродов с пассивирующей пленкой поликремния, увеличения прочности соединения внешних выводов с контактными площадками и увеличения плотности...

Номер патента: 1664083

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Киселев, Лопаткина, Михалева, Скворцова, Фаустова, Ярузов

МПК: H01L 23/16

Метки: p-n-переходов, высоковольтных, защиты, компаунд, кремниевых, поверхности, столбов

КОМПАУНД ДЛЯ ЗАЩИТЫ ПОВЕРХНОСТИ p-n-ПЕРЕХОДОВ КРЕМНИЕВЫХ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ СТОЛБОВ, включающий кремнийорганический лак и органическую смолу, отличающийся тем, что, с целью повышения качества высоковольтного столба за счет стабилизации электрических параметров, он дополнительно содержит аэросил при следующем соотношении компонентов, мас.%:Кремнийорганический лак - 81 - 82Органическая смола - 15,6 - 15,7Аэросил - 2,4 - 3,3